CN211404300U - 一种高压陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
一种高压陶瓷电容器,包括陶瓷芯片及固定连接在陶瓷芯片两端的电极,在所述陶瓷磁片及电极外部浇注包封有绝缘树脂层,其特征在于在所述陶瓷磁片两端的边缘为弧形面结构。本实用新型的优点在于极大降低了边缘处的单位面积的应力,避免了浇注后在陶瓷芯片边缘处绝缘树脂开裂的不良现象,提高产品的工作可靠性,同时也提高产品使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件领域,尤其涉及高压陶瓷电容器。
背景技术
陶瓷电容器,一般为片状、圆柱状结构。以陶瓷材料为介质进行成型烧结,然后在两端涂覆导电层,再在导电层上设置电极,然后通过绝缘树脂进行封装。电极作为陶瓷电容器的引出端为外部电路连接。高压陶瓷电容器一般使用在电力行业或军工行业中,可起到计量、分压、储能等作用。目前的高压陶瓷电容器一般结构包括陶瓷芯1,参看图1,一般为圆柱状结构,在陶瓷芯片的两端面上涂覆有导电层,在导电层上焊接有电极2;然后在陶瓷芯片及电极外周浇注有一层绝缘树脂层3,作为绝缘防护层。由于陶瓷芯片形状为圆柱状结构,由于陶瓷芯片的端面与柱面外周面呈垂直相交,即相交处为直角4,即两端边缘棱角处为线条状结构。该结构在浇注绝缘防护层后,由于陶瓷芯片两端边缘处为线条状结构,其应力全部集中于边缘线条处,单位面积的应力非常大,导致浇注后的绝缘树脂层很容易因应力大在边缘处开裂,从而使高压陶瓷电容器内部局部放电严重,最终导致电路产生故障,造成不避免的经济损失,也降低了产品使用寿命,导致客户诸多投诉。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种陶瓷电容器,通过陶瓷芯片外形改变,降低绝缘树脂浇注后的开裂不良率,提高产品耐电性能和使用寿命。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案是一种高压陶瓷电容器,包括陶瓷芯片及固定连接在陶瓷芯片两端的电极,在所述陶瓷芯片及电极外部浇注包封有绝缘树脂层,其特征在于在所述陶瓷芯片两端的边缘为弧形面结构。
陶瓷芯片为圆柱状结构。
所述弧形面结构的半径范围为R2~R3。
本实用新型通过将陶瓷芯片两端边缘直角相交边缘线改为两端边缘为弧形面,由线改为面,绝缘树脂浇注后,绝缘树脂与边缘接触的面积,极大降低了边缘处的单位面积的应力,避免了浇注后在陶瓷芯片边缘处绝缘树脂开裂的不良现象,提高产品的工作可靠性,同时也提高产品使用寿命。
附图说明
图1,现有陶瓷电容器剖视结构示意图。
图2,本发明陶瓷电容器剖视结构示意图。
具体实施方式
针对上述技术方案,现举较佳实施例并结合图示对其进行具体说明,参看图2。
陶瓷电容器,包括陶瓷芯片6、电极7。陶瓷芯片通过陶瓷材料成型烧结,然后在陶瓷芯片的两端涂覆导电层。在本实施例中,陶瓷芯片为圆柱状结构。电极一般通过焊接方式固定设置在陶瓷芯片的导电层上。通过电极与外部电路连接。
陶瓷芯片的两端边缘设置为圆弧形导角8,即陶瓷芯片的两端端面与外周侧面的连接处为弧形面连接。圆弧形导角的半径范围半径范围为R2~R3间。在成型模具设计成型模具的压制边缘根据需求设计成圆弧形导角形状,通过成型压制烧结,实现陶瓷芯片的两端边缘的圆弧形导角结构。
当电极固定在陶瓷芯片上后,对陶瓷芯片及电极进行浇注成型,通过绝缘树脂包封层9 将陶瓷芯片及电极与陶瓷芯片的连接部位均包封在内,实现绝缘保护作用。由于陶瓷芯片两端边缘圆弧形导角结构,绝缘树脂浇注后,陶瓷芯片边缘处圆弧形面的存在,降低了绝缘树脂包封后圆弧形面处单位面积的应力,从而避免了绝缘树脂浇注后在边缘处开裂的不良现象,提高了产品的耐电性能、良品率及使用寿命。
Claims (3)
1.一种高压陶瓷电容器,包括陶瓷芯片及固定连接在陶瓷芯片两端的电极,在所述陶瓷芯片及电极外部浇注包封有绝缘树脂层,其特征在于在所述陶瓷芯片两端的边缘为弧形面结构。
2.根据权利要求1所述的高压陶瓷电容器,其特征在于陶瓷芯片为圆柱状结构。
3.根据权利要求1所述的高压陶瓷电容器,其特征在于所述弧形面结构的半径范围为R2~R3。
Priority Applications (1)
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CN201921611936.2U CN211404300U (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 一种高压陶瓷电容器 |
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Publications (1)
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CN211404300U true CN211404300U (zh) | 2020-09-01 |
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CN201921611936.2U Active CN211404300U (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 一种高压陶瓷电容器 |
Country Status (1)
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2019
- 2019-09-26 CN CN201921611936.2U patent/CN211404300U/zh active Active
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