CN211350130U - 导电膜 - Google Patents

Abstract

一种导电膜，包括基底以及依次设置在基底上的第二胶层和第一胶层，第一胶层设有露出第二胶层的多个穿孔，多个穿孔内填充有导电材料，以形成图案化的导电层，导电层具有相互背离的第一表面和第二表面，第一表面为远离第二胶层的表面，第一表面与第一胶层远离第二胶层的表面处于同一平面。本实用新型的导电膜通过采用电沉积的方式使导电材料沉积在导电衬底上，以此得到表面平整度高的导电层，满足电极产品的性能需求，扩展了应用领域。

Description

导电膜

技术领域

本实用新型涉及导电膜技术领域，特别是涉及一种导电膜。

背景技术

随着科学技术的发展，越来越多具有触摸功能的终端设备朝着柔性化、轻薄化发展。透明导电膜因其透过率高，导电性能好，广泛的应用在触控屏领域，近年来，作为触摸屏必不可少的导电膜的需求量也日益增加。

在透明导电膜的制造上，埋入式金属网格导电膜常采用“压印-刮填导电材料”的方式完成，在固化胶层压印出图形凹槽，然后在图形凹槽中刮填导电材料，再经烧结形成导电网格，但是在烧结过程中，容易产生使基底尺寸发生收缩等引起导电膜不良率上升的现象，并且损耗高，效率低，并且有机溶剂挥发，会造成凹槽不能完全填满，使导电膜表面不平整，进而与FPC通过导电胶粘接时易出现气泡导致不良，更因为平整度问题而难以应用于导电电极，不利于满足电极产品的性能需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种表面平整度高的导电膜。

本实用新型提供一种导电膜，包括基底以及依次设置在所述基底上的第二胶层和第一胶层，所述第一胶层设有露出所述第二胶层的多个穿孔，多个所述穿孔内填充有导电材料，以形成图案化的导电层，所述导电层具有相互背离的第一表面和第二表面，所述第一表面为远离所述第二胶层的表面，所述第一表面与所述第一胶层远离所述第二胶层的表面处于同一平面。

进一步地，所述第二表面为所述导电层靠近所述第二胶层的表面，所述导电层的所述第二表面与所述第一胶层靠近所述第二胶层上的表面处于同一平面。

进一步地，所述导电层为网格状的图案化结构。

进一步地，所述穿孔的宽度为0.5～30μm，所述穿孔的深度与所述导电层的厚度相同。

进一步地，所述穿孔的深度为1～30μm。

进一步地，所述第一胶层或所述第二胶层采用UV胶和/或热固胶。

进一步地，所述导电材料采用银、铜或镍中的一种。

进一步地，所述基底采用玻璃、石英、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

本实用新型提供的导电膜通过采用金属生长的方式将导电材料由第一胶层的穿孔生长在导电衬底上，得到表面平整度高的导电层，其中导电层生长在导电衬底上的表面为第一表面，导电层的第一表面与第一胶层位于导电衬底上的表面处于同一平面，接着利用基底和第二胶层转移导电层和第一胶层，以使导电层与第一胶层转移到第二胶层上，去除导电衬底，进而得到表面平整度高的导电膜。

附图说明

图1为本实用新型实施例中导电膜的结构示意图；

图2a-图2g为本实用新型实施例中导电膜的制作方法流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1，图2a至图2g所示，本实用新型实施例提供一种导电膜的制作方法，该方法包括：

S1：提供导电衬底1，在导电衬底1上涂布一层固化胶，形成第一胶层2。

S2：在第一胶层2上制作图案化的多个穿孔20，以使导电衬底1由穿孔 20露出。

在第一胶层2上制作图案化的多个穿孔20的步骤包括：

先提供一模具3，再将模具3压印在第一胶层2上，形成多个凹槽21，其中，模具3表面具有多个凸起31以及与凸起31对应的图形槽(图未标)，图形槽的剖面可以为矩形、梯形或非规则图形。将模具3具有多个凸起31和图形槽的一侧表面朝导电衬底1方向下压，使凸起31压印在第一胶层2上，形成具有多个凹槽21的第一胶层2，多个凹槽21与多个凸起31对应，且深度相同，以及形成与图形槽对应的导电线路图形，然后进行固化，对第一胶层 2的固化方式可以为紫外固化或热固化等方式，取决于第一胶层2采用UV 胶或热固胶，但不以此为限。

进一步地，由于模具3的凸起31压印在第一胶层2上，在模具3的凸起 31与导电衬底1之间会留下残留的第一胶层2，影响导电材料的沉积，所以需要将此部分残留的第一胶层2去除。具体地，对具有多个凹槽21的第一胶层2进行蚀刻，蚀刻穿凹槽21的底部以形成露出导电衬底1表面的多个穿孔 20。

可以采用干蚀刻或湿蚀刻工艺，对整个第一胶层2进行蚀刻以减薄。在本实施例中，减薄工艺为氧反应离子刻蚀工艺，气体刻蚀过程中具有方向性，通过氧反应离子对具有多个凹槽21的第一胶层2进行整体刻蚀，把厚度大的第一胶层2转化为厚度小的所述第一胶层2，并暴露出凹槽21底部的导电衬底1，直至在多个凹槽21处形成露出导电衬底1的多个所述穿孔20。刻蚀过程只对高分子有作用，不必担心损坏导电衬底1表面的导电层4。

S3：采用金属生长的方式将导电材料填充到穿孔20中，以形成生长在导电衬底1上的图案化的导电层4。

具体地，导电层4具有相互背离的第一表面和第二表面，导电层4生长在导电衬底1上的表面为第一表面，导电层4的第一表面与第一胶层2位于导电衬底1上的表面处于同一平面。

金属生长的方式可以为电沉积，具体地，采用电沉积的方式将导电材料填充到穿孔20中的步骤包括：将由穿孔20露出的导电衬底1放置于电铸沉积槽中，使导电衬底1位于电铸沉积槽的阴极，并在电铸沉积槽的阳极或电解液中放置导电材料，通电后在穿孔20中沉积生成导电层4。

优选地，导电衬底1具有相互背离的底面和顶面，第一胶层2和导电层 4设置在顶面上，顶面为平面，更好地满足了导电膜的表面平整度。

在本实施例中，金属生长的导电层4采用银、铜或镍等导电材料，其高度通过控制电解液浓度或控制电流大小可以低于凹槽21或高于凹槽21深度，后续通过压印使凹槽21开口处的导电层4与第一胶层2平齐。

导电衬底1采用金属或金属氧化物材料制成的玻璃或薄膜。例如采用铜箔等金属薄膜，或者氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等材料。

S4：提供基底5，在基底5上涂布固化胶，形成第二胶层6。

基底5采用玻璃、石英、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸类塑料。

S5：利用第二胶层6转移导电层4和第一胶层2，以使导电层4与第一胶层2转移到第二胶层6上。

第二胶层6转移导电层4和第一胶层2的步骤具体为：第二胶层6采用涂布的方式涂布在基底5的表面，再将第二胶层6远离基底5的表面压在导电层4及第一胶层2远离导电衬底1的表面，即，第二胶层6覆盖导电层4 以及第一胶层2，并且使导电层4的第二表面与第一胶层2远离导电衬底1 上的表面处于同一平面。在其他实施例中，第二胶层6也可以直接涂布在导电层4和第一胶层2远离导电衬底1的表面上，再将基底5压在第二胶层6 远离导电层4和第一胶层2的表面上。

优选地，第一胶层2和第二胶层6由丙烯酸体系、硅氧烷体系等高分子组成，透光率皆大于90％，并且第一胶层2和第二胶层6可以采用同种材料或者不同材料制成，例如UV胶或热固胶，但不以此为限。

S6：去除导电衬底1。

具体地，为了不干扰导电线路的导电性，需要将导电衬底1与导电层4 分离，分离方法可以采用物理剥离，或化学溶剂溶解导电衬底1而分离，例如采用蚀刻液蚀刻掉导电衬底1，以保留导电膜。

本实用新型实施例还提供一种导电膜，导电膜由上述导电膜的制作方法制作形成，导电膜包括基底5以及依次设置在基底5上的第二胶层6和第一胶层2，第一胶层2设有露出第二胶层6的多个穿孔20，多个穿孔20内通过电沉积填充有导电材料，以形成图案化的导电层4，导电层4具有相互背离的第一表面和第二表面，第一表面为远离第二胶层6的表面，第一表面与第一胶层2远离第二胶层6的表面处于同一平面。

具体地，穿孔20的宽度为0.5～30μm，穿孔20的深度与导电层4的厚度相同，穿孔20的深度为1～30μm。

本实用新型提供的导电膜的制作方法，抛弃了现有的刮填方式，通过采用金属生长的方式将导电材料由第一胶层2的穿孔20生长在导电衬底1上，避免了因为烧结等工序会产生导电膜不良率上升的情况，并且优化了制程，使制程良率大幅提升，利用金属生长时导电衬底1对导电材料的吸附力，得到表面平整度高的导电层4，其中导电层4沉积在导电衬底1上的表面为第一表面，导电层4的第一表面与第一胶层2位于导电衬底1上的表面处于同一平面，接着利用基底5和第二胶层6转移导电层4和第一胶层2，以使导电层4与第一胶层2设置在第二胶层6上，去除导电衬底1，进而得到表面平整度高的导电膜，提升了产品性能，达到表面平整度高的效果，满足电极产品的性能需求，扩展了应用领域。

在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”、“设置在”或“位于”另一元件上时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。

在本文中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了表达技术方案的清楚及描述方便，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本文中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。

在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种导电膜，其特征在于，包括基底以及依次设置在所述基底上的第二胶层和第一胶层，所述第一胶层设有露出所述第二胶层的多个穿孔，多个所述穿孔内填充有导电材料，以形成图案化的导电层，所述导电层具有相互背离的第一表面和第二表面，所述第一表面为远离所述第二胶层的表面，所述第一表面与所述第一胶层远离所述第二胶层的表面处于同一平面。

2.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第二表面为所述导电层靠近所述第二胶层的表面，所述导电层的所述第二表面与所述第一胶层靠近所述第二胶层上的表面处于同一平面。

3.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电层为网格状的图案化结构。

4.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述穿孔的宽度为0.5～30μm，所述穿孔的深度与所述导电层的厚度相同。

5.如权利要求4所述的导电膜，其特征在于，所述穿孔的深度为1～30μm。

6.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一胶层和/或所述第二胶层采用UV胶或热固胶。

7.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电材料采用银、铜或镍中的一种。

8.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述基底采用玻璃、石英、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

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