CN211319858U - 一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构 - Google Patents
一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及高压电力设备技术领域，涉及110kV组合电器的母线绝缘子嵌件屏蔽结构。一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，包括屏蔽环，所述屏蔽环套装在母线导体与嵌件导体连接处的外部。本实用新型的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，可直接消除嵌件高端与螺栓尖端导致的尖端电场，减小嵌件与螺栓的端部电场，均匀绝缘盆电场分布，以减小沿面场强，消除隐患。
Description
技术领域
本实用新型涉及高压电力设备技术领域，涉及110kV组合电器的母线绝缘子嵌件屏蔽结构。
背景技术
随着高压技术的发展，全封闭金属开关设备GIS产品应用领域越来越广，设备的性能也得到大大的提高，GIS开关设备的建设需求量及需求种类已变得越来越多，母线布置形式也越来越复杂，要求越来越高。母线作为GIS开关设备通流及导电的最主要功能元件，其电场分布及场强控制要求越来越高，局部放电量作为考核母线电场质量最主要指标之一。
现有技术中，母线导体通过内六角螺栓直接与盆式绝缘子上的嵌件导体固定在一起，如图1中Ⅰ所示。在实际运行中，内六角螺栓与绝缘盆嵌件的尖角暴露在外，如图2中A处所示，会有高端电位形成高端电场，其场强强度较大，局部放电量增大长时间通电情况下会腐蚀绝缘盆，造成绝缘能力下降，严重情况下会导致沿面闪络对地击穿等重大事故。
为了保证母线绝缘件局部放电量，消除绝缘件的沿面放电，需要对母线绝缘子嵌件进行屏蔽处理，现有技术还没有相关报道。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，解决现有技术中母线绝缘子嵌件存在的问题，消除安全隐患。
本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，包括屏蔽环，所述屏蔽环套装在母线导体与嵌件导体连接处的外部。
进一步地，所述屏蔽环包括外环，所述外环的内壁上设有向内凸出的平台，所述平台的边缘形成内环；所述外环和内环形成上下贯通的孔；母线导体的下端嵌在所述内环形成的孔内，通过内六角螺栓固定在嵌件导体上；嵌件导体上部嵌在所述外环形成的孔内。
进一步地，所述内六角螺栓上套装弹簧垫圈。
进一步地，所述弹簧垫圈的下方套装平垫圈。
进一步地，所述屏蔽环的外表面光洁度在Ra6.3mm以下，内表面光洁度在Ra3.2mm。
进一步地，所述的屏蔽环为铝材质环，所述外环及内环的端部为圆角。
本实用新型的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，可直接消除嵌件高端与螺栓尖端导致的尖端电场，减小嵌件与螺栓的端部电场，均匀绝缘盆电场分布，以减小沿面场强，消除隐患。
附图说明
图1是现有技术中母线导体及嵌件导体的安装示意图；
图2是图1中Ⅰ处的局部放大图；
图3是本实用新型实施例的母线绝缘子嵌件屏蔽结构示意图；
图4是屏蔽环的纵剖面图；
图5是屏蔽环的俯视图；
图6是图3中Ⅱ处的局部放大图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
本实施例提供的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，主要包括：屏蔽环5、M弹簧垫圈3 、M8平垫圈4。
母线导体1通过M8X45内六角螺栓2、M弹簧垫圈3 、M8平垫圈4固定于嵌件导体7上，母线导体1与嵌件导体7接触端的端部全部进行镀银处理增加其对接导电性，可满足3150A通流能力。
如图3所示，在母线导体1与嵌件导体7连接处的外部套装有屏蔽环5，该屏蔽环起到屏蔽电场、优化电场作用。
如图4和5所示，屏蔽环5包括外环51，外环51内壁中部设有向内凸出的平台53，平台53的内边缘形成了内环52。平台53上部的外环及内环形成了嵌套母线导体1的通孔。内环52形成的通孔的孔径尺寸采用上偏差0.05~0.1mm、下偏差-0.1~0mm，大于母线导体1外圆尺寸。减小通电运行中电动力对屏蔽环的振动影响，固定更可靠。
内环52形成的通孔的厚度尺寸采用上偏差0.02~0.05mm，下偏差-0.02~0mm，大于母线导体1外圆厚度尺寸，在安装固定过程中M8内六角螺栓2随着旋入嵌件导体7上丝孔的深度进入，逐步压缩M8弹簧垫圈3作用于M8平垫圈4上，M8平垫圈4外沿压缩于屏蔽环5内的平台53上，使用M8内六角螺栓2的标准力矩将螺栓紧固完成后即可将屏蔽环5压接完成。压接没有多余螺栓及其他方式，紧固更简单，压接更可靠。
作为一种优选的实施例方式，本实施例中，屏蔽环5外表面光洁度全部在Ra6.3mm以下，内部电场表面光洁度在Ra3.2mm，减少粗糙度对电场的影响。屏蔽环所有的端部全部进行圆角处理，减少尖角导致的尖端电场场强。
作为一种优选的实施例方式，本实施例中，采用2A12-T4铝材质加工而成，质量更轻，电场局部效果更好。
屏蔽环5紧固完成后，外漏内六角螺栓2、嵌件导体7、母线导体1全部位于屏蔽环5内，如图6中B处所示。将此三部分的高端电场进行屏蔽，优化均布。消除高端电场产生的局部放电，减少绝缘盆6的沿面放电。
Claims (6)
1.一种110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：包括屏蔽环，所述屏蔽环套装在母线导体与嵌件导体连接处的外部；所述屏蔽环包括外环，所述外环的内壁上设有向内凸出的平台，所述平台的边缘形成内环；所述外环和内环形成上下贯通的孔；母线导体的下端嵌在所述内环形成的孔内，通过内六角螺栓固定在嵌件导体上；嵌件导体上部嵌在所述外环形成的孔内。
2.根据权利要求1所述的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：所述内六角螺栓上套装弹簧垫圈。
3.根据权利要求2所述的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：所述弹簧垫圈下方套装平垫圈。
4.根据权利要求1所述的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：所述外环及内环的端部为圆角。
5.根据权利要求1所述的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽环的外表面光洁度在Ra6.3mm以下，内表面光洁度在Ra3.2mm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的110kV组合电器专用母线绝缘子嵌件屏蔽结构，其特征在于：所述的屏蔽环为铝环。
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