CN211266758U - 一种励磁系统可控硅阻容吸收电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种励磁系统可控硅阻容吸收电路；包括阻容吸收电路、可控硅回路，所述可控硅回路和阻容吸收电路并联，并联的一端与励磁变压器副边交流铜排连接，另一端与励磁变压器的直流铜排连接，阻容吸收电路、可控硅回路均安装在整流柜内，所述阻容吸收电路中的电阻和电容在整流柜内分体安装，通过阻容吸收电路使励磁系统可控硅阻容参数更符合励磁系统实际要求，吸收过电压及毛刺电压更可靠、有效，能更好的抑制可控硅换相过电压，减少过电压对一次设备及可控硅的不利影响，电阻实际功耗降低。
Description
技术领域
本实用新型涉及需可控硅整流的大型电气元器件换相过电压抑制的一种阻断式阻容吸收电路，具体设计一种励磁系统可控硅阻容吸收电路。
背景技术
电厂励磁系统及其他大型可控硅整流系统(SCR)优点很多，已在大型发电机组中得到广泛应用。但由于SCR在反相关断过程中的恢复特性，运行中容易产生周期性换相过电压，长时间的过电压作用会引起励磁变压器及发电机绝缘性能劣化，也可能导致晶闸管损坏。
由于不同励磁系统中存在结构、参数差异，阻容保护参数选择不合适将造成过电压吸收效果不理想或者电阻功耗过大引起电阻元件大量发热，造成元件损坏。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种励磁系统可控硅阻容吸收电路。
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
本实用新型提供的一种励磁系统可控硅阻容吸收电路；包括阻容吸收电路、可控硅回路，所述可控硅回路和阻容吸收电路并联，并联的一端与励磁变压器副边交流铜排连接，另一端与励磁变压器的直流铜排连接，阻容吸收电路、可控硅回路均安装在整流柜内，所述阻容吸收电路中的电阻和电容在整流柜内分体安装，使得励磁系统可控硅阻容参数更符合励磁系统实际要求，吸收过电压及毛刺电压更可靠、有效，能更好的抑制可控硅换相过电压，减少过电压对一次设备及可控硅的不利影响，电阻实际功耗降低，加上每个电阻均配置散热片，更有利于控制电阻过热情况发生，延长设备使用寿命，电阻排列位于电容上端，可有效防止电阻发热后对电容元件的烘烤，避免了电容元件过热损坏。
所述可控硅回路包括三个可控硅分电路，分电路均包括两个顺向串联的可控硅，三个可控硅分电路中两个可控硅串联的一端分别与励磁变压器副边交流铜排连接，三个可控硅分电路中两个可控硅串联后的两端均分别与励磁变压器的直流铜排连接，每个励磁变压器的铜排均单独对应一个可控硅，减少可控硅电压。
所述阻容吸收电路包括三个阻容吸收分电路，三个阻容吸收分电路均通过两个电阻和两个电容分别两两串联后并联组成，其并联的一端分别接入三个可控硅分电路与励磁变压器副边交流铜排的连接线路上，其并联后的两端均分别接入三个可控硅分电路与直流铜排的连接线路上，每个可控硅分别对应一个阻容吸收电路能够能更好的抑制可控硅换相过压。
所述可控硅分电路与励磁变压器副边交流铜排和直流铜排的连接线路上均连接有隔离开关，通过隔离开关能够将每个可控硅电路隔和变压器分别隔离，能够防止可控硅之间相互干扰，也方便检修。
所述可控硅分电路与励磁变压器直流铜排连接线路上还安装有测流电阻，测流电路与电流表并联，通过电流表对可控硅输出端直流电流的检测，能够直观的反应可控硅的过压状态。
所述电阻和电容分别安装在整流柜的两端，电阻和电容之间还安装有环氧树脂玻璃纤维层压板在整流柜上，将电阻和电容隔离能够避免电阻和电容发热后热量集聚烧坏元件。
所述电阻上还安装有散热片，可有效防止电阻发热后对电容元件的烘烤。
所述阻容吸收电路和可控硅回路之间及其元件之间均采用抗高热钢绞线连接。
本实用新型的有益效果在于：使得励磁系统可控硅阻容参数更符合励磁系统实际要求，吸收过电压及毛刺电压更可靠、有效，能更好的抑制可控硅换相过电压，减少过电压对一次设备及可控硅的不利影响，电阻实际功耗降低，加上每个电阻均配置散热片，更有利于控制电阻过热情况发生，延长设备使用寿命，电阻排列位于电容上端，可有效防止电阻发热后对电容元件的烘烤，避免了电容元件过热损坏。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图；
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
参照图1，本实施例包括通过参数测量，选型配置50Ω/300W专用电阻六个(R1-R6)，采用2500VAC/1uF专用电容六个(C1-C6)，电阻与电容分体布置，两两串联后直接并入可控硅两端，六个电容置于阻容板下层，六个电阻置于阻容板上层，每个电阻均单独配置一块散热片，散热片整个包裹电阻元件，电容与电阻间元件连接及回路线采用抗高热钢绞线，整个阻容板组件安装于整流柜中部，采用螺栓固定，阻容板隔离采用环氧树脂比例纤维层压板和绝缘子，以及空气距离隔离。
进一步，所述所属的电阻回路R1-R6均配置有专用的散热片，防止电阻过热。
进一步，所述电路及元件间连接均采用抗高热钢绞线，有很好的强大及抗高热能力。
采用上述方案后，使得励磁系统可控硅阻容参数更符合励磁系统实际要求，吸收过电压及毛刺电压更可靠、有效，能更好的抑制可控硅换相过电压，减少过电压对一次设备及可控硅的不利影响，电阻实际功耗降低，加上每个电阻均配置散热片，更有利于控制电阻过热情况发生，延长设备使用寿命，电阻排列位于电容上端，可有效防止电阻发热后对电容元件的烘烤，避免了电容元件过热损坏。
Claims (8)
1.一种励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：包括阻容吸收电路、可控硅回路，所述可控硅回路和阻容吸收电路并联，并联的一端与励磁变压器副边交流铜排连接，另一端与励磁变压器的直流铜排连接，阻容吸收电路、可控硅回路均安装在整流柜内，所述阻容吸收电路中的电阻和电容在整流柜内分体安装。
2.如权利要求1所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述可控硅回路包括三个可控硅分电路，分电路均包括两个顺向串联的可控硅，三个可控硅分电路中两个可控硅串联的一端分别与励磁变压器副边交流铜排连接，三个可控硅分电路中两个可控硅串联后的两端均分别与励磁变压器的直流铜排连接。
3.如权利要求1所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述阻容吸收电路包括三个阻容吸收分电路，三个阻容吸收分电路均通过两个电阻和两个电容分别两两串联后并联组成，其并联的一端分别接入三个可控硅分电路与励磁变压器副边交流铜排的连接线路上，其并联后的两端均分别接入三个可控硅分电路与直流铜排的连接线路上。
4.如权利要求2所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述可控硅分电路与励磁变压器副边交流铜排和直流铜排的连接线路上均连接有隔离开关。
5.如权利要求2所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述可控硅分电路与励磁变压器直流铜排连接线路上还安装有测流电阻，测流电路与电流表并联。
6.如权利要求1所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述电阻和电容分别安装在整流柜的两端，电阻和电容之间还安装有环氧树脂玻璃纤维层压板在整流柜上。
7.如权利要求1所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述电阻上还安装有散热片。
8.如权利要求1所述的励磁系统可控硅阻容吸收电路，其特征在于：所述阻容吸收电路和可控硅回路之间及其元件之间均采用抗高热钢绞线连接。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201922382125.6U CN211266758U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种励磁系统可控硅阻容吸收电路 |
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| Publication Number | Publication Date |
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201922382125.6U Active CN211266758U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种励磁系统可控硅阻容吸收电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN211266758U (zh) |
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- 2019-12-26 CN CN201922382125.6U patent/CN211266758U/zh active Active
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