CN211208482U - 一种窄边框的面板结构 - Google Patents
一种窄边框的面板结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211208482U CN211208482U CN202020186922.7U CN202020186922U CN211208482U CN 211208482 U CN211208482 U CN 211208482U CN 202020186922 U CN202020186922 U CN 202020186922U CN 211208482 U CN211208482 U CN 211208482U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible printed
- circuit board
- printed circuit
- substrate
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种窄边框的面板结构,包括:基板、连接走线、柔性印刷线路板和显示器件,所述连接走线和所述显示器件设置在所述基板的一面上,所述柔性印刷线路板设置在所述基板的另一面上,所述柔性印刷线路板通过基板上的通孔与所述连接走线相连接,其特征在于,还包括:缓冲层和金属搭接区。上述技术方案将柔性印刷线路板设置在基板上与显示器件所在面的对立面上,柔性印刷线路板可以直接反折并位于基板的内侧区域,不需要越过基板的端子侧。如此设置可以使基板的端子侧的边框缩减,增大屏占比,适用性更广,且成本更低,良率更高。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示模组领域,尤其涉及一种窄边框的面板结构。
背景技术
液晶显示装置由于具有省电、低辐射、机身薄等特点,近年来得到了广泛的应用。随着液晶显示器的高速发展,消费者越来越追求液晶显示器模组的超薄化和窄边框化。请参阅图1,传统COF(Chip on flex)的封装技术中,面板的控制IC和柔性印刷线路板模组放置在基板的正面,而后柔性印刷线路板模组翻折到基板的背面,使基板的端子侧的边框宽度较大,即造成面板的下边框宽度较大。请参阅图2,中间四条呈竖直的走线及最上方一条呈水平的走线为驱动信号线,下方六条呈水平的走线为数据信号线。设置在基板正面的柔性印刷线路板4通过连接走线连接数据信号线、驱动信号线和GIP电路,以实现连接同样设置在基板正面的显示器件。
实用新型内容
为此,需要提供一种窄边框的面板结构及制作方法,解决显示面板的下边框的宽度较大的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种窄边框的面板结构制作方法,包括如下步骤:
在基板的一面上制作连接走线;
在连接走线上制作覆盖连接走线的缓冲层;
在连接走线区域的缓冲层上制作孔;
在缓冲层上的孔制作金属搭接区;
在缓冲层上制作显示器件,显示器件与金属搭接区连接;
翻至基板的另一面,在基板的另一面上制作通孔,通孔的底部为连接走线;
将柔性印刷线路板与连接走线相连接。
进一步地,在缓冲层上制作显示器件,显示器件与金属搭接区连接时,还包括如下步骤:
在缓冲层上制作TFT阵列,TFT阵列与金属搭接区连接。
进一步地,在TFT阵列上制作OLED发光区,OLED发光区连接TFT阵列。
进一步地,还包括如下步骤:
将控制IC与柔性印刷线路板上的线路连接,并将控制IC设置在柔性印刷线路板上。
进一步地,基板上的通孔设置有导电胶,柔性印刷线路板通过导电胶与连接走线相连接。
发明人还发明了一种窄边框的面板结构,所述窄边框的面板结构由本实施例任意一项所述的一种窄边框的面板结构制作方法制得。
发明人还发明了一种窄边框的面板结构,包括:基板、连接走线、柔性印刷线路板和显示器件,所述连接走线和所述显示器件设置在所述基板的一面上,所述柔性印刷线路板设置在所述基板的另一面上,所述柔性印刷线路板通过基板上的通孔与所述连接走线相连接,其特征在于,还包括:缓冲层和金属搭接区,所述缓冲层覆盖所述连接走线,所述连接走线区域的缓冲层上设置有孔,孔中设置有所述金属搭接区,所述金属搭接区连接所述显示器件和所述连接走线。
进一步地,基板上的通孔设置有导电胶,柔性印刷线路板通过导电胶与连接走线相连接。
进一步地,还包括控制IC,所述控制IC设置在所述柔性印刷线路板上,控制IC与柔性印刷线路板上的线路连接。
进一步地,显示器件包括TFT阵列和OLED发光区,所述TFT阵列与所述金属搭接区连接,所述OLED发光区与所述TFT阵列连接。
区别于现有技术,上述技术方案将柔性印刷线路板设置在基板上与显示器件所在面的对立面上,柔性印刷线路板可以直接反折并位于基板的内侧区域,不需要越过基板的端子侧。如此设置可以使基板的端子侧的边框缩减,增大屏占比,适用性更广,且成本更低,良率更高。
附图说明
图1为背景技术所述面板的示意图;
图2为背景技术所述面板显示区的俯视图;
图3为本实施例所述面板的示意图;
图4为本实施例在基板上制作连接走线的剖面结构示意图;
图5为本实施例在基板上制作缓冲层的剖面结构示意图;
图6为本实施例在基板上制作连接走线的剖面结构示意图;
图7为本实施例在基板上制作TFT阵列的剖面结构示意图;
图8为本实施例在基板上制作OLED发光区,并与玻璃盖板进行封装的剖面结构示意图;
图9为本实施例在基板上制作通孔的剖面结构示意图;
图10为本实施例在基板上连接柔性印刷线路板和连接走线的剖面结构示意图;
图11为本实施例所述面板显示区的俯视图;
图12为本实施例所述面板在局部A处的结构放大图。
附图标记说明:
1、基板;
2、连接走线;
3、导电胶;
4、柔性印刷线路板;
41、弯折部;
5、控制IC;
6、缓冲层;
7、金属搭接区;
8、薄膜晶体管阵列;
801、第一栅极;
802、第二栅极;
803、第一绝缘层;
804、第一有源层;
805、第一源极;
806、第一漏极;
807、第二绝缘层;
9、OLED发光区;
901、阳极;
902、画素定义层;
903、有机发光层;
904、阴极;
905、支撑层;
10、玻璃盖板。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图12,本实施例提供一种窄边框的面板结构制作方法,该制作方法可以在基板1上制作,基板可1以是现有显示模组领域中制程中常用的玻璃、透明塑料和金属箔等。制作方法包括如下步骤:请参阅图4,在基板1的一面上制作连接走线2;在基板1的一面(一般指的是基板上将要制作显示器件的一面,也称作正面)上涂布光阻,图形化光阻,即曝光显影使得待制作连接走线的区域开口。而后镀上金属,金属可以是铝、钼、钛、镍、铜、银、铬、氧化铟锡(ITO)等一种或多种导电性优良的金属,在待制作连接走线的区域形成连接走线2,连接走线2可以用于连接位于基板的另一面的柔性印刷线路板,亦可以用于连接上方的金属搭接区和显示器件,连接走线2制作完毕后去除光阻。
在本实施例中,为了对显示器件、连接走线2和柔性印刷线路板4等进行保护,在连接走线2上制作覆盖连接走线2的缓冲层6;请参阅图5,具体的,可以在基板1上镀上缓冲层6的材料,缓冲层6的材料可以是PET(Polyethylene Terephthalate)、PEN(Polyethylenenaphthalate)和PI(Polymide)等聚合物材料,还可以是有机光敏材料、无机材料(如SiOx、SiNx、氧化铝、氧化钛等)。缓冲层6不仅可以用于在制作通孔的工艺(如CNC工艺、镭射剥离等)中或者FPC进行反折的工艺中保护上方的显示器件(薄膜晶体管阵列或者OLED发光区)和玻璃盖板不受破坏,还可以避免金属搭接区7与显示器件连接时出现短路等情况。
为了使显示器件与柔性印刷线路板4之间能够连接,然后在连接走线2区域的缓冲层6上制作孔,并在孔内制作金属搭接区7,金属搭接区7用于分别连接显示器件和连接走线;请参阅图5和图6,具体的,可以在基板1上涂布光阻,图形化光阻,即曝光显影使得待制作金属搭接区的区域开口。而后以光阻为掩膜蚀刻缓冲层6至连接走线2,在连接走线区域的缓冲层上形成孔,最后清除光阻。同样的,再次对缓冲层6上的孔处进行曝光显影,使其开口。而后镀上金属搭接区7所需要的金属,在孔内形成金属搭接区7,金属搭接区7和连接走线2,金属搭接区7制作完毕后清除光阻。或者,在制作金属搭接区7的同时,也可以在缓冲层上制作GIP电路、数据信号线和驱动信号线等。数据信号线和驱动信号线连接TFT和控制IC5。
然后可以在缓冲层上制作显示器件,显示器件可以是TFT(薄膜晶体管)阵列和位于TFT阵列8上的OLED发光区;其中TFT可以是堆叠型、反转型、共平面形等,OLED发光区也可以是多种类型。本申请以制作两个反转型的TFT阵列8为例,具体的工艺可以是,请参阅图7,在基板上涂布光阻。图形化光阻制得开口,并镀上金属,然后在孔外缓冲层上形成第一栅极801和第二栅极802,最后去除光阻。第一栅极801和第二栅极802具有间隔,第一栅极801和第二栅极802各自为两个TFT的组成部分。
请参阅图7,接着在基板上制作覆盖金属搭接区、第一栅极和第二栅极的第一绝缘层803,第一绝缘层803起到绝缘的作用;具体的,可以在基板上镀上绝缘的材料,第一绝缘层803的材料可以是氮化物或者其他绝缘的材料,在第二栅极位置的第一绝缘层上制作孔,孔的底部为第二栅极,该孔用于作为第二栅极与第一漏极的连接点。
请参阅图7,然后在第一绝缘层上制作TFT阵列的第一有源层804和第二有源层;具体的,在基板上涂布光阻,图形化光阻后制得开口。然后镀上金属,在第一栅极位置的第一绝缘层上形成第一有源层804,在第二栅极位置的第一绝缘层上形成第二有源层,最后去除光阻。
请参阅图7,接着继续完成TFT阵列的源极和漏极;在基板上涂布光阻,图形化光阻制得开口,然后镀上金属,在第一有源层的一侧形成第一源极805,在第一有源层的另一侧形成第一漏极806,在第二有源层的一侧形成第二源极,在第二有源层的另一侧形成第二漏极。其中第一漏极806通过第一绝缘层上的孔与第二栅极连接。
请参阅图7,第一栅极、第一栅极上的第一绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极作为一个薄膜晶体管(TFT),第二栅极、第二栅极上的第一绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极作为另一个薄膜晶体管(TFT)。TFT阵列与金属搭接区连接,再通过连接走线可以连接到柔性印刷线路板,TFT用于控制电路的开关。
请参阅图7,这些金属电极制作完毕后,可以在电极上进行第二绝缘层807和平坦层的制作;在基板上镀上第二绝缘层807所需要的材料,第二绝缘层807的材料可以是SiOx薄膜或是具有高介电常数的薄膜,例如Al2O3。第二绝缘层覆盖第一源极、第二源极、第一漏极、第二漏极、第一有源层、第二有源层,第二绝缘层807对这些TFT的组成部件形成保护。然后在第二绝缘层807上制作一层平坦层,平坦层的材料可以为SiOx薄膜等其他相似材料。平坦层作可以补足基板上因为多个制程而造成的高低差,方便后续的待进行的制程。至此薄膜晶体管阵列制作完毕。当然,本申请只是列举一种TFT阵列的制作方法,在本申请的缓冲层和金属搭接区上还可以制作其它类型的TFT阵列。
请参阅图7,平坦层制作完毕后,进行OLED发光区9的制作;具体的,可以在第二源极、第二有源层和第二漏极交汇处位置的平坦层上制作孔,制得孔的面积较大,使得孔的底部可以露出第二源极、第二有源层和第二漏极。接着在平坦层上的孔的位置制作阳极902,阳极902位于孔内及孔外的平坦层的面上,并与第二源极、第二有源层和第二漏极连接。
请参阅图7,阳极制作完毕后,在阳极及平坦层上制作画素定义层901,画素定义层901可以覆盖阳极和平坦层。然后在画素定义层901上制作连通阳极的孔,而后在孔中制作有机发光层903,而后在有机发光层903上制作阴极904。或者可以在画素定义层901上先制作多个支撑层905,而后再覆盖上阴极。阴极904作为机发光层903的阴极。至此OLED发光区9制作完毕,OLED发光区连接TFT阵列。同理,申请只是列举一种OLED发光区的制作方法,当然还可以为其它OLED发光区的制作方式。
请参阅图8,当然还可以进行封装的制程,即在具有支撑层905的阴极904上盖上玻璃盖板10等。
本申请将柔性印刷线路板设置在基板的背面,再通过连接柔性印刷线路板和连接走线,实现柔性印刷线路板和显示器件的连接。于是在正面的制程完成后,翻至基板的另一面(即背面),在基板的另一面上制作通孔,通孔的底部为连接走线,孔用于作为柔性印刷线路板和连接走线的连接点。请参阅图9,具体的,在基板1的背面上通过物理或者化学工艺制作出贯穿基板的通孔,如CNC工艺对基板进行切割.或者在基板上涂布光阻,图形化光阻,使得待制作通孔的区域开口,而后以光阻为掩膜蚀刻基板至连接走线,制得通孔的底部为连接走线。
然后将柔性印刷线路板与连接走线相连接;请参阅图3和图10,具体的,连接的方式可以是采用在通孔中注入导电胶3,导电胶3具有导电性,导电胶3可以将柔性印刷线路板与连接走线相连接,使二者之间形成通路。然后将柔性印刷线路板设置在基板的背面上,将柔性印刷线路板的一端与导电胶3固定,将柔性印刷线路板的另一端可以弯折,使得较长的柔性印刷线路板可以置于基板的内侧,并且弯折部也不需要越过基板的端子侧。传统的方法中柔性印刷线路板设置在基板的正面,使得柔性印刷线路板的另一端越过面板的端子侧并弯折紧靠基板的背面。本申请如此设置相较于COF封装(Chip On Flex),可以使基板的端子侧的边框缩减0~2.5毫米,增大屏占比,同时也可以避免柔性印刷线路板与基板的端子侧受到接触而受到磨损,适用性更广,且成本更低,良率更高。
请参阅图3和图10,然后将柔性印刷线路板4和控制IC5连接;柔性印刷线路板上设置有线路,使控制IC与柔性印刷线路板上的线路连接,还可以将控制IC设置在柔性印刷线路板上。柔性印刷线路板4反向弯折后具有弯折部41,弯折部41为柔性印刷线路板弯折的部位。柔性印刷线路板4反向弯折后,控制IC5可以设置在柔性印刷线路板4形成的U形空间内,即所述控制IC5的两侧被柔性印刷线路板4包围住,柔性印刷线路板4也可以对控制IC5形成保护,避免控制IC5受到磨损。
请参阅图11和图12,在此进行说明显示器件与FPC模组的连接结构。FPC模组包括柔性印刷线路板和控制IC,并与GIP走线、数据线信号线和驱动信号线连接。本申请中最外边两条呈竖直的走线为GIP走线,中间四条呈竖直的走线及最上方一条呈水平的走线为驱动信号线,下方六条呈水平的走线为数据信号线,位于中部的为柔性印刷线路板4。图11在局部A处为连接走线和金属搭接区的连接位置,局部A处的放大图为图12所示。设置在基板背面的柔性印刷线路板4上的线路通过连接走线连接数据信号线、驱动信号线和GIP电路,以实现连接设置在基板正面的显示器件。
发明人提供一种窄边框的面板结构,请参阅图10、图11和图12,包括:基板1、连接走线2、柔性印刷线路板4、显示器件、缓冲层6和金属搭接区7。所述连接走线2和所述显示器件设置在所述基板1的一面上,所述柔性印刷线路板4设置在所述基板1的另一面上,所述柔性印刷线路板4通过基板1上的通孔与所述连接走线2相连接,所述缓冲层6覆盖所述连接走线2,所述连接走线2区域的缓冲层上设置有孔,孔中设置有所述金属搭接区7,所述金属搭接区7连接所述显示器件和所述连接走线。本申请将柔性印刷线路板设置在基板的背面上,柔性印刷线路板的另一端可以弯折,使得较长的柔性印刷线路板可以置于基板的内侧,并且弯折部也不需要越过面板的端子侧。本申请如此设置相较于COF封装(Chip On Flex),可以使基板的端子侧的边框缩减0~2.5毫米,增大屏占比,同时也可以避免柔性印刷线路板与基板的端子侧受到接触而受到磨损,适用性更广,且成本更低,良率更高。
在本实施例中,在本实施例中,连接走线2的材料可以是铝、钼、钛、镍、铜、银、铬、氧化铟锡(ITO)等一种或多种,这些金属具有优良的导电性。
在本实施例中,缓冲层6不仅可以用于在制作通孔的工艺(如CNC工艺、镭射剥离等)中或者柔性印刷线路板进行反折的工艺中保护上方的显示器件(薄膜晶体管阵列或者OLED发光区)和玻璃盖板不受破坏,还可以避免金属搭接区7与显示器件连接时出现短路等情况。
为了使柔性印刷线路板和所述连接走线更有效地进行连接,在基板1上的通孔设置有导电胶3,柔性印刷线路板通过导电胶3与连接走线2相连接。导电胶3具有导电性,导电胶3可以将柔性印刷线路板4与连接走线2相连接,使二者之间形成通路。
柔性印刷线路板上设置有线路,使控制IC与柔性印刷线路板上的线路连接,还可以将控制IC设置在柔性印刷线路板上。柔性印刷线路板4反向弯折后具有弯折部41,弯折部41为柔性印刷线路板弯折的部位。柔性印刷线路板4反向弯折后,控制IC5可以设置在柔性印刷线路板4形成的U形空间内,即所述控制IC5的两侧被柔性印刷线路板4包围住,柔性印刷线路板4也可以对控制IC5形成保护,避免控制IC5受到磨损。
在本实施例了中,显示器件包括TFT阵列8和OLED发光区9,所述TFT阵列8与所述金属搭接区连接,所述OLED发光区与所述TFT阵列8连接。TFT可以是堆叠型、反转型、共平面形等。这里反转型的TFT为例,包括缓冲层上的第一栅极801、第二栅极802、第一绝缘层803、第一有源层804、第二有源层、第一源极805、第一漏极806、第二源极、第二漏极、第二绝缘层807、平坦层。缓冲层上设置有孔,孔的底部为连接走线,缓冲层上的孔内设置有金属搭接区,所述金属搭接区用于作为TFT阵列和连接走线的连接点。在孔外缓冲层上的一侧设置有第一栅极,在孔外缓冲层上的另一侧设置有第二栅极。缓冲层上、第一栅极驱动线上、第二栅极驱动线上、金属搭接区上设置有第一绝缘层,第一绝缘层的材料可以是氮化物或者其它绝缘的材料,第一绝缘层用于防止金属间的接触。在第二栅极位置的第一绝缘层上设置有孔,第一绝缘层上的孔用于作为第二栅极和第一漏极的连接点。在第一栅极位置的第一绝缘层上设置第一有源层,在第二栅极驱动线位置的第一绝缘层上设置有第二有源层。在第一有源层的一侧设置有第一源极,在第一有源层的另一侧设置有第一漏极。在第二有源层的一侧设置有第二源极,在第二有源层的另一侧设置有第二漏极,其中第一漏极通过第一绝缘层上的孔与第二栅极连接。
在第一绝缘层、第一源极、第一漏极、第一源极、第二漏极、第一有源层、第二有源层上设置有第二绝缘层,第二绝缘层的材料与作用如第一绝缘层相同,可以是氮化物或者其它绝缘的材料。第一栅极、第一栅极上的第一绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极作为一个薄膜晶体管(TFT),第二栅极、第二栅极上的第一绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极作为另一个薄膜晶体管(TFT)。TFT阵列与金属搭接区连接,再通过连接走线可以连接到柔性印刷线路板,TFT用于控制电路的开关。
第二绝缘层覆盖第一有源层、第一源极、第一漏极、第二有源层、第二源极、第二漏极这些金属材料,起到绝缘的作用。在第二绝缘层上设置有平坦层,平坦层可以补足基板上因为多个制程而造成的高低差,有利于OLED发光区的设置。
OLED发光区9的结构包括:在第二源极信号线、第二有源层和第二漏极信号线交汇位置的平坦层上设置有孔,孔的底部为第二源极,孔中设置有阳极902。阳极902阳极通过平坦层上的孔与第二源极连接,阳极902作为有机发光层的阳极。在阳极及平坦层上设置有画素定义层901,画素定义层901覆盖阳极902和平坦层。位于阳极902区域的画素定义层上设置有孔,孔内设置有机发光层903。在画素定义层901上设置有多个支撑层905,多个支撑层用于在封装过程中与框胶相互作用以支撑玻璃盖板10。在有机发光层903、画素定义层901和支撑层905上设置有阴极904,阴极904作为有机发光层903的阴极。当然,还可以在具有支撑层905的阴极904上盖上玻璃盖板10等。
在这儿要说明的是,本申请只是列举一种TFT阵列和OLED发光区,在本申请的缓冲层和金属搭接区上还可以制作其它类型的TFT阵列。
请参阅图11和图12,在此进行说明显示器件与FPC模组的连接结构。FPC模组包括FPC和控制IC区,并与GIP走线、数据线信号线和驱动信号线连接。本申请中最外边两条呈竖直的走线为GIP走线,中间四条呈竖直的走线及最上方一条呈水平的走线为驱动信号线,下方六条呈水平的走线为数据信号线,位于中部的为柔性印刷线路板4。图11在局部A处为连接走线和金属搭接区的连接位置,局部A处的放大图为图12所示。设置在基板背面的柔性印刷线路板4上的线路通过连接走线连接数据信号线、驱动信号线和GIP电路,以实现连接设置在基板正面的显示器件。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此,基于本实用新型的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本实用新型的专利保护范围之内。
Claims (4)
1.一种窄边框的面板结构,包括:基板、连接走线、柔性印刷线路板和显示器件,所述连接走线和所述显示器件设置在所述基板的一面上,所述柔性印刷线路板设置在所述基板的另一面上,所述柔性印刷线路板通过基板上的通孔与所述连接走线相连接,其特征在于,还包括:缓冲层和金属搭接区,所述缓冲层覆盖所述连接走线,所述连接走线区域的缓冲层上设置有孔,孔中设置有所述金属搭接区,所述金属搭接区连接所述显示器件和所述连接走线。
2.根据权利要求1所述的一种窄边框的面板结构,其特征在于,基板上的通孔设置有导电胶,柔性印刷线路板通过导电胶与连接走线相连接。
3.根据权利要求1所述的一种窄边框的面板结构,其特征在于,还包括控制IC,所述控制IC设置在所述柔性印刷线路板上,控制IC与柔性印刷线路板上的线路连接。
4.根据权利要求1所述的一种窄边框的面板结构,其特征在于,显示器件包括TFT阵列和OLED发光区,所述TFT阵列与所述金属搭接区连接,所述OLED发光区与所述TFT阵列连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020186922.7U CN211208482U (zh) | 2020-02-20 | 2020-02-20 | 一种窄边框的面板结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020186922.7U CN211208482U (zh) | 2020-02-20 | 2020-02-20 | 一种窄边框的面板结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211208482U true CN211208482U (zh) | 2020-08-07 |
Family
ID=71857791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020186922.7U Active CN211208482U (zh) | 2020-02-20 | 2020-02-20 | 一种窄边框的面板结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN211208482U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111180610A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-05-19 | 福建华佳彩有限公司 | 一种窄边框的面板结构及制作方法 |
-
2020
- 2020-02-20 CN CN202020186922.7U patent/CN211208482U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111180610A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-05-19 | 福建华佳彩有限公司 | 一种窄边框的面板结构及制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10325969B2 (en) | Display panel, fabrication method and display apparatus | |
US9501165B2 (en) | Organic light emitting diode display device with touch screen and method of fabricating the same | |
US11126044B1 (en) | Display device comprising a flip chip film connected to a connecting surface of a plurality of bonding pins and manufacturing method thereof | |
KR101182521B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US20170358642A1 (en) | Display device | |
US7663726B2 (en) | Liquid crystal apparatus and electronic apparatus | |
US9244317B2 (en) | Active matrix substrate and display device | |
US20100109993A1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
EP4095595B1 (en) | Array substrate and display device | |
CN110109297B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
KR102371358B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이를 사용하는 패키지 모듈 | |
US20160181287A1 (en) | Flexible substrate, manufacturing method thereof and flexible display device | |
CN113851520B (zh) | 显示面板及其制作方法、终端设备 | |
US11415843B2 (en) | Display panel and liquid crystal display device | |
US7535520B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display | |
CN114049843A (zh) | 显示模组及显示装置 | |
CN211208482U (zh) | 一种窄边框的面板结构 | |
US10698280B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US10359873B2 (en) | Touch display screen | |
US20150162354A1 (en) | Thin film transistor substrate and method of manufacturing a thin film transistor substrate | |
CN109709731B (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
CN113589570B (zh) | 显示面板及液晶显示装置 | |
CN111180610A (zh) | 一种窄边框的面板结构及制作方法 | |
US20190088682A1 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same and display device | |
KR20130015690A (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |