CN211127630U - 一种马达驱动电路的软启动电路 - Google Patents
一种马达驱动电路的软启动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211127630U CN211127630U CN201921819807.2U CN201921819807U CN211127630U CN 211127630 U CN211127630 U CN 211127630U CN 201921819807 U CN201921819807 U CN 201921819807U CN 211127630 U CN211127630 U CN 211127630U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- motor driving
- digital control
- mos
- driving circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Control Of Direct Current Motors (AREA)
- Motor And Converter Starters (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种马达驱动电路的软启动电路，属于马达技术领域，包括马达驱动电路和数字控制电路，马达驱动电路并联有阶梯式斜坡信号产生电路，数字控制电路输出数字控制信号至马达驱动电路，输出关断信号至阶梯式斜坡信号产生电路。本实用新型设置阶梯式斜坡信号产生电路，在芯片上电瞬间对瞬时大电流进行延缓控制，进而对芯片可靠性起到保护作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及马达技术领域，特别是指一种马达驱动电路的软启动电路。
背景技术
马达驱动电路在上电的一瞬间，由于瞬间的负载为极小，导致流过输出开关管的瞬间电流极大，进而对输出管本身带来极大的冲击，甚至出现直接损坏芯片的情况。
常见的马达驱动电路输出采用H桥式输出结构和开漏输出结构。如图1和图2所示，线圈RL1和RL2分别代表单线圈和双线圈中的负载，MOS管M1，M2，M3和M4构成H桥输出结构，M5为开漏输出结构。在VDD上电的一瞬间，图1中上PMOS管(M1和M2)下NMOS管(M3和M4)交叉导通，以MOS管M1和M4导通为例，电流由VDD经过MOS管M1，再经过负载线圈RL1，最后再经过MOS管M4到GND，其中负载线圈RL1阻值通常在几欧姆到几十欧姆之间，但电流流过负载线圈RL1的极短时间内，负载线圈RL1的等效阻抗极小，导致VDD和GND之间只有MOS管M1和MOS管M4的导通电阻，瞬间电流往往有几安培甚至几十安培，对电路有极其大的破坏作用。图2中同理，在MOS管M5开启瞬间，负载线圈RL2瞬间阻抗极小，导致流过MOS管M5的瞬间电流极大。
所以需要一种电路可以在上电瞬间应对电源地之间阻抗极小带来的大电流的影响。
实用新型内容
本实用新型提出一种马达驱动电路的软启动电路，解决了现有技术中上电瞬间应对电源地之间阻抗极小导致电流极大的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种马达驱动电路的软启动电路，包括马达驱动电路和数字控制电路，所述马达驱动电路并联有阶梯式斜坡信号产生电路，所述数字控制电路输出数字控制信号至所述马达驱动电路，输出关断信号至所述阶梯式斜坡信号产生电路。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述马达驱动电路为H桥式输出电路，包括MOS管M1-M4，MOS管M1和M2为PMOS管，MOS管M3和M4为NMOS管，MOS管M1-M4连接负载线圈RL1，所述数字控制电路输出数字控制信号至MOS管M1-M4的栅极。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述马达驱动电路为开漏输出电路，包括MOS管M5，MOS管M5的漏极连接负载线圈RL2，源极接地。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述阶梯式斜坡信号产生电路包括MOS管M6和与MOS管M6的源极串联的若干电阻，计数器连接与电阻一一对应的电流源，电流源连接对应电阻的正极；所述数字控制电路输出关断信号至MOS管M6的栅极，MOS管M6的源极输出阶梯式斜坡信号。
本实用新型的有益效果在于：设置阶梯式斜坡信号产生电路，在上电瞬间使MOS管M3(M4，M5同理)的栅压缓慢上升，这样MOS管M3的导通电阻会有一个从大到小的变化过程，刚好可以匹配负载阻抗由小变大的趋势。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中马达驱动电路的H桥式输出电路的电路原理图；
图2为现有技术中马达驱动电路的开漏输出电路的电路原理图；
图3为本实用新型一种马达驱动电路的软启动电路的电路原理图；
图4为阶梯式斜坡信号的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图3和图4所示，本实用新型提出了一种马达驱动电路的软启动电路，包括马达驱动电路和数字控制电路，所述马达驱动电路并联有阶梯式斜坡信号产生电路，所述数字控制电路输出数字控制信号至所述马达驱动电路，输出关断信号至所述阶梯式斜坡信号产生电路。
实施例一
所述马达驱动电路为H桥式输出电路，包括MOS管M1-M4，MOS管M1和M2为PMOS管，MOS管M1和M2的漏极连接电源VDD，其源极分别连接MOS管M3和M4的漏极，MOS管M3和M4为NMOS管，MOS管M3和M4的源极接地，MOS管M1-M4连接负载线圈RL1，所述数字控制电路输出数字控制信号至MOS管M1-M4的栅极。
实施例二
所述马达驱动电路为开漏输出电路，包括MOS管M5，MOS管M5的漏极连接负载线圈RL2的一端，负载线圈RL2的另一端连接电源VDD，源极接地。
所述阶梯式斜坡信号产生电路包括MOS管M6和与MOS管M6的源极串联的若干电阻，计数器连接与电阻一一对应的电流源，电流源连接对应电阻的正极；所述数字控制电路输出关断信号至MOS管M6的栅极，MOS管M6的源极输出阶梯式斜坡信号。
针对马达驱动电路的两个电路结构，由阶梯式斜坡信号在上电初始时控制MOS管M3的栅压，其中斜坡信号的产生是计数器控制的多个电流源，给一串分压电阻施加逐渐增大的电流，最后将每个时段的电压叠加为最终的阶梯式斜坡信号。由于此信号在上电完成后就需要由原先的数字信号控制，所以在“爬坡”结束后，需要有开关信号关断此结构。以5级阶梯为例，Vso为最终的斜坡信号，Vco为斜坡信号工作后的关断信号。根据不同设计的需求，需要调整计数器的时间和步长，并匹配相应数量的电流源，从而控制斜坡的斜率，调整计数器的时间和步长可由本领域技术人员根据现有技术推导得出，不再赘述。输出管由截止到微弱导通，最后到完全导通所持续的时间，分压电阻的大小决定了每一级台阶的高度，斜坡信号的初始点可以从大于0V的某一点开始，以减少完全截止态时没有必要的爬坡时间。针对MOS管M5，本实用新型中的阶梯式斜坡信号产生电路的工作原理是相同的。数字控制电路、计数器和电流源由本领域技术人员根据实际需求自行设定即可。
在实际应用过程中，马达驱动电路和阶梯式斜坡信号产生电路集成在一个芯片中，方便用户使用。
本实用新型设置阶梯式斜坡信号产生电路，在上电瞬间使MOS管M3(M4，M5同理)的栅压缓慢上升，这样MOS管M3的导通电阻会有一个从大到小的变化过程，刚好可以匹配负载阻抗由小变大的趋势。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种马达驱动电路的软启动电路，包括马达驱动电路和数字控制电路，其特征在于：所述马达驱动电路并联有阶梯式斜坡信号产生电路，所述数字控制电路输出数字控制信号至所述马达驱动电路，输出关断信号至所述阶梯式斜坡信号产生电路。
2.根据权利要求1所述的一种马达驱动电路的软启动电路，其特征在于：所述马达驱动电路为H桥式输出电路，包括MOS管M1-M4，MOS管M1和M2为PMOS管，MOS管M3和M4为NMOS管，MOS管M1-M4连接负载线圈RL1，所述数字控制电路输出数字控制信号至MOS管M1-M4的栅极。
3.根据权利要求1所述的一种马达驱动电路的软启动电路，其特征在于：所述马达驱动电路为开漏输出电路，包括MOS管M5，MOS管M5的漏极连接负载线圈RL2，源极接地。
4.根据权利要求1所述的一种马达驱动电路的软启动电路，其特征在于：所述阶梯式斜坡信号产生电路包括MOS管M6和与MOS管M6的源极串联的若干电阻，计数器连接与电阻一一对应的电流源，电流源连接对应电阻的正极；所述数字控制电路输出关断信号至MOS管M6的栅极，MOS管M6的源极输出阶梯式斜坡信号。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921819807.2U CN211127630U (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种马达驱动电路的软启动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921819807.2U CN211127630U (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种马达驱动电路的软启动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211127630U true CN211127630U (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=71698972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921819807.2U Active CN211127630U (zh) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 一种马达驱动电路的软启动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211127630U (zh) |
-
2019
- 2019-10-28 CN CN201921819807.2U patent/CN211127630U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101860188B (zh) | 开关电源电路 | |
| JP6842837B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
| CN108563275A (zh) | 一种无静态功耗的修调开关电路 | |
| CN104967094B (zh) | 一种过温保护电路 | |
| CN110086455A (zh) | 一种新型开关电路结构 | |
| JP6956386B2 (ja) | 負電圧生成回路およびこれを用いた電力変換装置 | |
| KR20150105809A (ko) | 로드 스위치를 포함하는 제어 회로, 로드 스위치를 포함하는 전자 장치 및 그 스위치 제어 방법 | |
| CN105281723A (zh) | 驱动电路及半导体装置 | |
| JP6303060B1 (ja) | ゲート駆動回路 | |
| CN211127630U (zh) | 一种马达驱动电路的软启动电路 | |
| CN111917307A (zh) | 一种基于电流镜限流的软启动电路 | |
| CN104299647B (zh) | 负压转换电路 | |
| US6813169B2 (en) | Inverter device capable of reducing through current | |
| CN115102376B (zh) | 一种低压输入的高低压驱动电路 | |
| CN104133514B (zh) | 电压追踪电路 | |
| JP2017070114A (ja) | 半導体装置と、それを用いたインバータ、コンバータおよび電力変換装置 | |
| CN108829174A (zh) | 线性稳压器电路 | |
| CN109039327A (zh) | 一种电平转换电路 | |
| KR20210089099A (ko) | 게이트 구동 장치 및 제어 방법 | |
| CN210835774U (zh) | 高压的稳压电路 | |
| CN113220059A (zh) | 一种减小ldo浪涌电流的电路 | |
| CN109213253B (zh) | 一种快速的高精度低温漂强下拉电流产生电路 | |
| CN205490123U (zh) | 一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置 | |
| CN113078888B (zh) | 栅极驱动设备和控制方法 | |
| CN214311488U (zh) | 一种恒流源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Room 1210-11, 198 Wudong Road, Yangpu District, Shanghai 200433 Patentee after: Shanghai Xinyan Microelectronics Co.,Ltd. Address before: Room 1210-11, 198 Wudong Road, Yangpu District, Shanghai 200433 Patentee before: GOCHIP ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |