CN211125543U - 断路器的脱扣器附件 - Google Patents

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Abstract

一种断路器的脱扣器附件,其包括铁芯、控制模块和动作线圈模块,以及为控制模块和动作线圈模块供电的供电模块,动作线圈模块包括分别与铁芯配合的启动线圈T1和维持线圈T2,启动线圈T1与启动开关机构串联,维持线圈T2经过限流电阻与维持开关机构串联;控制模块通过采集的电压值大于阈值电压时,先导通启动开关机构为启动线圈T1供电,并在启动线圈T1吸合铁芯后关断启动开关机构,再导通维持开关机构经过限流电阻为维持线圈T2供电,不需要通过频繁开、关启动开关机构的方式减少通过启动线圈T1中的电流,不仅能够实现低功率吸合铁芯,而且能够减少噪音。

Description

断路器的脱扣器附件
技术领域
本实用新型创造涉及低压电器领域,特别是涉及一种断路器的脱扣器附件。
背景技术
断路器通常用于控制电路的闭合和断开,并在电路出现故障时将电路切断,避免因为电路故障导致危害。断路器的脱扣器附件可以在出现故障时使操作机构解扣,通过操作机构带动动触头与静触头分开断开电路,如欠电压脱扣器附件,脱扣器附件也可以用于对电路的远程控制,在接收到远程信号时使操作机构解扣,再断开电路,如分励脱扣器附件。
由于脱扣器附件的线圈通常需要较大的电流才能产生足够的电动力来推动铁芯运动,而维持铁芯被吸合的状态所需要的电动力远远小于吸合过程中的电动力,此时如果降低通过线圈的电流,不仅能够维持铁芯被吸合的状态,而且可以节省能源,减少线圈发热。现有技术往往采用单片机或专用芯片输出PWM占空比控制MOS管的闭合和关断时间,对流过脱扣器附件的线圈中平均电流的大小的控制,进一步实现低功率运行,但是由于MOS管频繁地闭合和关断,不仅会产生严重EMI干扰,使脱扣器附件本身会对外有较强的传导干扰,而且会产生较强的啸叫和噪声,虽然可以通过较大的EMI抑制电路,通过电感电容组成滤波电路抑制对外的传导干扰,但是EMI抑制电路、滤波电路的体积大、成本高,且有仍有较高的工作噪声,不利于推广和安装。
发明内容
本实用新型创造的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种不需要通过PMW波控制频繁开、关MOS管实现对流过脱扣器附件的线圈中平均电流的大小的控制的断路器的脱扣器附件。
为实现上述目的,本实用新型创造采用了如下技术方案:
一种断路器的脱扣器附件,其包括铁芯、控制模块和动作线圈模块,以及为控制模块和动作线圈模块供电的供电模块,动作线圈模块包括分别与铁芯配合的启动线圈T1和维持线圈T2,启动线圈T1与启动开关机构串联,维持线圈T2经过限流电阻与维持开关机构串联;控制模块包括控制电路、驱动电路和采样电路,供电模块包括依次连接的EMC电路、整流电路和电源电路,电源电路经过由控制电路控制的启动开关机构和维持开关机构分别为启动线圈T1和维持线圈T2供电,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于阈值电压时,控制电路通过驱动电路先导通启动开关机构为启动线圈T1供电,并在启动线圈T1吸合铁芯后关断启动开关机构,再导通维持开关机构经过限流电阻为维持线圈T2供电,通过维持线圈T2保持吸合铁芯。
优选的,所述启动开关机构包括启动MOS管Q4,所述维持开关机构包括维持MOS管Q5,启动MOS管Q4的G极和维持MOS管Q5的G极分别与驱动电路连接,启动MOS管Q4的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间,维持MOS管Q5的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间。
优选的,所述脱扣器附件为欠压脱扣器,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于欠压保护动作阈值时,控制电路导通启动开关机构;或者脱扣器附件为分励脱扣器,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于分励电压最小阈值时,控制电路导通启动开关机构。
优选的,所述线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2串联设置,串联后启动线圈T1的另一端与整流电路连接,维持线圈T2的另一端经过维持MOS管Q5的D极和维持MOS管Q5的S极接地,启动MOS管Q4的D极连接在启动线圈T1和维持线圈T2之间,启动MOS管Q4的S极接地;启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过启动线圈T1和维持线圈T2吸合铁芯。
优选的,所述线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2并联设置,启动线圈T1和维持线圈T2的一端分别与整流电路连接,启动线圈T1的另一端经过启动MOS管Q4的D极和S极接地,维持线圈T2的另一端分别经过限流电阻、维持MOS管Q5的D极和S极接地,启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过维持线圈T2和限流电阻吸合铁芯。
优选的,所述限流电阻连接在维持线圈T2的一端与接地端之间,或者限流电阻连接在维持线圈T2的另一端与启动MOS管Q4的D极之间。
优选的,所述启动线圈T1和维持线圈T2的两端分别并联有二极管D11和二极管D12。
优选的,所述电源电路包括芯片LD0、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3,NPN三极管Q1的集电极和基极分别通过电阻R7和电阻R10与整流电路的输出端连接,NPN三极管Q1的发射极和基极分别通过电阻R8和电阻R11与NPN三极管Q2的集电极和基极连接,NPN三极管Q2的发射极和基极分别通过电阻R9和电阻R12与NPN三极管Q3的集电极和基极连接,NPN三极管Q3的发射极经过二极管D5与芯片LD0的输入端连接,NPN三极管Q3的基极经过二极管D9接地,芯片LD0的输出端与控制电路连接,芯片LD0的输出端与接地端之间并联有电容C8和电容C9,芯片LD0的输入端与接地端之间并联有二极管D7和电容C10;所述整流电路包括二极管D4、二极管D6、二极管D8和二极管D10组成的全桥整流电路,二极管D4的正极与二极管D6的负极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D8的负极与二极管D10的正极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D6的正极与二极管D8的正极相连后接地,二极管D4的负极与二极管D10的负极相连后分别与电阻R7和电阻R10连接;EMC电路包括并联在整流电路两个输入端之间的压敏电阻RV1。
优选的,所述控制电路采用单片机U1,单片机U1的型号为STM32L011F4P6。
优选的,采样电路包括与整流电路连接的电阻R1,电阻R1的另一端依次经过电阻R2和电阻R3后分别与二极管D2、电阻R6和电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与控制电路连接并经过电容C3接地,二极管D2和电阻R6的另一端也分别接地。
本实用新型创造的断路器的脱扣器附件,控制模块在启动线圈T1吸合铁芯后自动关断启动开关机构,并导通维持开关机构为维持线圈T2供电,使维持线圈T2一直处于低功率的导通状态并持续地吸合铁芯,不需要通过频繁开、关启动开关机构的方式减少通过启动线圈T1中的电流,且通过限流电阻减小流过维持线圈T2的电流,不仅实现了维持线圈T2的低功耗运行,而且还能够减少EMI干扰和噪声,不仅极大的降低了脱扣器本身会对外的传导干扰,简化滤波电路的结构,而且能够消除脱扣器附件线圈工作中产生的开关啸叫和噪声,并降低产品尺寸和成本。此外,控制模块通过对维持开关机构开、关状态的控制,可以实现对维持线圈T2开始和停止工作时序的精确控制,能够有效提高脱扣器附件工作状态的可控性。
附图说明
图1是本实用新型创造实施例断路器的脱扣器附件的整体结构示意图;
图2是本实用新型创造线圈动作模块的实施例一;
图3是本实用新型创造线圈动作模块的实施例二;
图4是本实用新型创造实施例供电模块的电路图;
图5是本实用新型创造实施例控制电路的电路图;
图6是本实用新型创造实施例驱动电路的电路图;
图7是本实用新型创造实施例采样电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图1至7给出的实施例,进一步说明本实用新型创造的断路器的脱扣器附件的具体实施方式。本实用新型创造的断路器的脱扣器附件不限于以下实施例的描述。
如图1所示,本实用新型创造的断路器的脱扣器附件包括铁芯(图中未示出)、控制模块和动作线圈模块,以及为控制模块和动作线圈模块供电的供电模块,动作线圈模块包括分别与铁芯配合的启动线圈T1和维持线圈T2,以及分别与启动线圈T1和维持线圈T2串联的启动开关机构和维持开关机构;控制模块包括控制电路、驱动电路和采样电路,供电模块包括依次连接的EMC电路、整流电路和电源电路,电源电路经过由控制电路控制的驱动电路分别为启动开关机构和维持开关机构供电,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于阈值电压时,控制电路先导通启动开关机构通过启动线圈T1吸合铁芯,再关断启动开关机构并导通维持开关机构通过维持线圈T2保持吸合铁芯。
本实用新型创造的断路器的脱扣器附件,控制模块在启动线圈T1吸合铁芯后自动关断启动开关机构,并导通维持开关机构经过限流电阻为维持线圈T2供电,通过限流电阻减小流过维持线圈T2的电流,使维持线圈T2一直处于低功率的导通状态并持续地吸合铁芯,不需要通过频繁开、关启动开关机构的方式减少通过启动线圈T1中的电流,不仅实现了维持线圈T2的低功耗运行,而且还能够减少EMI干扰和噪声。此外,控制模块通过对维持开关机构开、关状态的控制,可以实现对维持线圈T2开始和停止工作时序的精确控制,能够有效提高脱扣器附件工作状态的可控性。
本实用新型创造的断路器的脱扣器附件,可以用于对负载电路故障保护,如欠压脱扣器,也可以用于远程控制断路器的导通和断开,如分励脱扣器。
当脱扣器附件为欠压脱扣器时,阈值电压为欠压保护动作阈值,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于欠压保护动作阈值时,即恢复到正常电压范围时,将该欠压保护动作阈值与整流后电压比值乘以系数开方作为起动占空比,在实际运用中也可以简化算法,提高单片机运算效率,将该欠压保护动作阈值与整流后电压比值直接乘以系数作为起动占空比,系数为已知值,控制电路通过驱动电路通过输出该起动占空比导通启动开关机构启动线圈T1供电,启动线圈T1驱动铁芯完成脱扣器附件启动操作后,控制电路关闭起动占空比输出,启动开关机构为截止状态,同时,控制电路通过驱动电路导通维持开关机构为维持线圈T2供电,通过维持线圈T2保持吸合铁芯保持脱扣器附件工作状态;当出现欠压故障时,整流电路整流后的电压值小于欠压保护动作阈值,控制电路通过驱动电路关断维持开关机构,停止为维持线圈T2供电,维持线圈T2释放铁芯。
当脱扣器附件为分励脱扣器附件时,阈值电压为分励动作电压最小阈值,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于分励电压最小阈值时,将该分励电压最小阈值与整流后电压比值乘以系数的开方作为起动占空比,在实际运用中也可以简化算法,提高单片机运算效率,将该欠压保护动作阈值与整流后电压比值直接乘以系数作为起动占空比,控制电路通过驱动电路通过输出该起动占空比导通启动开关机构启动线圈T1供电,启动线圈T1驱动铁芯完成脱扣器附件启动操作后,控制电路关闭起动占空比输出,启动开关机构为截止状态,同时,控制电路通过驱动电路导通维持开关机构为维持线圈T2供电,通过维持线圈T2保持吸合铁芯保持脱扣器附件工作状态;当控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值小于分励电压最小阈值时,被监测的电压信号小于分励动作电压最小阈值,控制电路通过驱动电路驱动MOS管2关断,控制电路通过驱动电路关断维持开关机构,停止为维持线圈T2供电,维持线圈T2释放铁芯。
当然还可以通过恒功率启动的模型驱动启动开关机构导通,假设脱扣器附件的最小启动功率为P1,即不论什么电压值,只要实际启动功率大于等于P1,脱扣器附件就能正常启动。当被监测电压为欠压保护动作阈值电压U1时,此时如果占空比为100%,则实际启动功率为P2。此时P2≥P1,为了降低启动功率,降低能耗,会引入一个系数K,使得P1=P2*K,K可以通过调试得到,使启动功率保持最低的P1。当被监测电压U2大于欠压保护动作阈值电压U1时,由恒功率模型得知P=(D*U2)^2/R=P2*K=K*U1^2/R=P1,则可以得到占空比D=(U1/U2)*K^1/2(其中R为线圈电阻,可以认为不变)。
如图2-7示出本实用新型创造的断路器的脱扣器附件的优选实施例,本实施例的启动开关机构和维持开关机构分别包括启动MOS管Q4和维持MOS管Q5,启动MOS管Q4的G极和维持MOS管Q5的G极分别与驱动电路连接,启动MOS管Q4的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间,维持MOS管Q5的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间。启动开关机构和维持开关机构采用MOS管,具有损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好的特点。当然,启动开关机构和维持开关机构也可以分别为功率三极管或IGBT,都属于本实用新型创造的保护范围。
图2和图3分别示出线圈动作模块的两个具体实施例,本实用新型创造线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2,可以串联设置,也可以并联。
参阅图2示出线圈动作模块的实施例一,本实施例线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2串联设置,串联后启动线圈T1的另一端与整流电路连接,维持线圈T2的另一端经过维持MOS管Q5的D极和维持MOS管Q5的S极接地,启动MOS管Q4的D极连接在启动线圈T1和维持线圈T2之间,启动MOS管Q4的S极接地;启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过启动线圈T1和维持线圈T2吸合铁芯。由于维持线圈T2的加入导致电阻变大,电流减少,使动作线圈模块保持低功耗运行,不需要频繁地开、关启动MOS管Q4。本实施例通过将启动线圈T1和维持线圈T2串联设置,在启动线圈T1吸合铁芯动作后,仍能够有效地利用启动线圈T1,使启动线圈T1和维持线圈T2一样维持在低功率的工作状态并一起吸合铁芯,为维持铁芯的状态提供一部分电磁力。
进一步,本实施例线圈动作模块还包括限流电阻,限流电阻连接在维持线圈T2的一端与接地端之间,或者限流电阻连接在维持线圈T2的另一端与启动MOS管Q4的D极之间,通过限流电阻能够进一步降低通过的电流,提高低功耗运行的效果。优选的,所述限流电阻包括串联的电阻R13、电阻R14和电阻R19,电阻R13、电阻R14和电阻R19串联后的一端与维持线圈T2连接,电阻R13、电阻R14和电阻R19串联后的另一端与维持MOS管Q5的D极连接。
进一步,所述启动线圈T1和维持线圈T2的两端分别并联有二极管D11和二极管D12,二极管D11和二极管D12能够分别保证启动线圈T1和维持线圈T2中电流的方向,提高可靠性和安全性。
参阅图2示出线圈动作模块的实施例二,本实施例的启动线圈T1和维持线圈T2并联设置,启动线圈T1和维持线圈T2的一端分别与整流电路连接,启动线圈T1的另一端经过启动MOS管Q4的D极和S极接地,维持线圈T2的另一端分别经过限流电阻、维持MOS管Q5的D极和S极接地,启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过维持线圈T2和限流电阻吸合铁芯,不需要再经过启动线圈T1,也不需要频繁地开、关启动MOS管Q4,由于限流电阻的加入降低通过维持线圈T2的电流,保持低功耗运行。优选的,所述限流电阻包括串联的电阻R13、电阻R14和电阻R19,电阻R13、电阻R14和电阻R19串联后的一端与维持线圈T2连接,电阻R13、电阻R14和电阻R19串联后的另一端与维持MOS管Q5的D极连接。
进一步,所述启动线圈T1和维持线圈T2的两端分别并联有二极管D11和二极管D12,二极管D11和二极管D12能够分别保证启动线圈T1和维持线圈T2中电流的方向,提高可靠性和安全性。
如图4示出供电模块的优选实施例,供电模块包括整流电路和电源电路,电源电路包括三极管和二极管组成的降压稳压电路。当然,降压稳压电路也可以为DC-DC降压电路或LDO降压电路,都属于本实用新型创造的保护范围。
具体的,所述电源电路包括芯片LD0、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3,NPN三极管Q1的集电极和基极分别通过电阻R7和电阻R10与整流电路的输出端连接,NPN三极管Q1的发射极和基极分别通过电阻R8和电阻R11与NPN三极管Q2的集电极和基极连接,NPN三极管Q2的发射极和基极分别通过电阻R9和电阻R12与NPN三极管Q3的集电极和基极连接,NPN三极管Q3的发射极经过二极管D5与芯片LD0的输入端连接,NPN三极管Q3的基极经过二极管D9接地,芯片LD0的输出端与控制电路连接,芯片LD0的输出端与接地端之间并联有电容C8和电容C9,芯片LD0的输入端与接地端之间并联有二极管D7和电容C10;
所述整流电路包括二极管D4、二极管D6、二极管D8和二极管D10组成的全桥整流电路,二极管D4的正极与二极管D6的负极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D8的负极与二极管D10的正极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D6的正极与二极管D8的正极相连后接地,二极管D4的负极与二极管D10的负极相连后分别与电阻R7和电阻R10连接;EMC电路包括并联在整流电路两个输入端之间的压敏电阻RV1。芯片LD0的型号优选为HT7533/HT7550,取决于单片机需求的工作电压。
如图5示出控制电路的优选实施例,所述控制电路采用单片机U1作为控制芯片,单片机U1的型号为ARM Cortex-M0 MCU的STM32L011F4P6。当然,控制电路也可以采用专用驱动芯片作为控制芯片,都属于本实用新型创造的保护范围。
如图6示出驱动电路的优选实施例,驱动电路包括芯片U3,芯片U3的型号为常用的两路MOSFET驱动芯片,如SGM48000XS8G。当然,驱动电路也可以采用专用驱动芯片或分立器代替芯片U3。
如图7示出采样电路的优选实施例,采样电路采用电阻分压方式将较高的输入电压处理成较低电压信号输入到单片机中,采样电路包括与整流电路连接的电阻R1,电阻R1的另一端依次经过电阻R2和电阻R3后分别与二极管D2、电阻R6和电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与控制电路连接并经过电容C3接地,二极管D2和电阻R6的另一端也分别接地。通过调节R6和R1、R2、R3的和的比值,可以调节采样的灵敏度和采样电压范围。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型创造所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型创造的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型创造所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型创造的保护范围。

Claims (10)

1.一种断路器的脱扣器附件,其特征在于:包括铁芯、控制模块和动作线圈模块,以及为控制模块和动作线圈模块供电的供电模块,动作线圈模块包括分别与铁芯配合的启动线圈T1和维持线圈T2,启动线圈T1与启动开关机构串联,维持线圈T2经过限流电阻与维持开关机构串联;控制模块包括控制电路、驱动电路和采样电路,供电模块包括依次连接的EMC电路、整流电路和电源电路,电源电路经过由控制电路控制的启动开关机构和维持开关机构分别为启动线圈T1和维持线圈T2供电,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于阈值电压时,控制电路通过驱动电路先导通启动开关机构为启动线圈T1供电,并在启动线圈T1吸合铁芯后关断启动开关机构,再导通维持开关机构经过限流电阻为维持线圈T2供电,通过维持线圈T2保持吸合铁芯。
2.根据权利要求1所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述启动开关机构包括启动MOS管Q4,所述维持开关机构包括维持MOS管Q5,启动MOS管Q4的G极和维持MOS管Q5的G极分别与驱动电路连接,启动MOS管Q4的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间,维持MOS管Q5的D极和S极串联在启动线圈T1与整流电路之间。
3.根据权利要求1所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述脱扣器附件为欠压脱扣器,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于欠压保护动作阈值时,控制电路导通启动开关机构;或者脱扣器附件为分励脱扣器,控制电路通过采样电路采集整流电路整流后的电压值大于分励电压最小阈值时,控制电路导通启动开关机构。
4.根据权利要求2所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2串联设置,串联后启动线圈T1的另一端与整流电路连接,维持线圈T2的另一端经过维持MOS管Q5的D极和维持MOS管Q5的S极接地,启动MOS管Q4的D极连接在启动线圈T1和维持线圈T2之间,启动MOS管Q4的S极接地;启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过启动线圈T1和维持线圈T2吸合铁芯。
5.根据权利要求2所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述线圈动作模块的启动线圈T1和维持线圈T2并联设置,启动线圈T1和维持线圈T2的一端分别与整流电路连接,启动线圈T1的另一端经过启动MOS管Q4的D极和S极接地,维持线圈T2的另一端分别经过限流电阻、维持MOS管Q5的D极和S极接地,启动MOS管Q4导通且维持MOS管Q5关断时,整流电路的电流经过启动线圈T1吸合铁芯,启动MOS管Q4断开且维持MOS管Q5导通时,整流电路的电流经过维持线圈T2和限流电阻吸合铁芯。
6.根据权利要求4所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述限流电阻连接在维持线圈T2的一端与接地端之间,或者限流电阻连接在维持线圈T2的另一端与启动MOS管Q4的D极之间。
7.根据权利要求4或5所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述启动线圈T1和维持线圈T2的两端分别并联有二极管D11和二极管D12。
8.根据权利要求1所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述电源电路包括芯片LD0、NPN三极管Q1、NPN三极管Q2、NPN三极管Q3,NPN三极管Q1的集电极和基极分别通过电阻R7和电阻R10与整流电路的输出端连接,NPN三极管Q1的发射极和基极分别通过电阻R8和电阻R11与NPN三极管Q2的集电极和基极连接,NPN三极管Q2的发射极和基极分别通过电阻R9和电阻R12与NPN三极管Q3的集电极和基极连接,NPN三极管Q3的发射极经过二极管D5与芯片LD0的输入端连接,NPN三极管Q3的基极经过二极管D9接地,芯片LD0的输出端与控制电路连接,芯片LD0的输出端与接地端之间并联有电容C8和电容C9,芯片LD0的输入端与接地端之间并联有二极管D7和电容C10;所述整流电路包括二极管D4、二极管D6、二极管D8和二极管D10组成的全桥整流电路,二极管D4的正极与二极管D6的负极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D8的负极与二极管D10的正极相连后与整流电路的输入端连接,二极管D6的正极与二极管D8的正极相连后接地,二极管D4的负极与二极管D10的负极相连后分别与电阻R7和电阻R10连接;EMC电路包括并联在整流电路两个输入端之间的压敏电阻RV1。
9.根据权利要求7所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:所述控制电路采用单片机U1,单片机U1的型号为STM32L011F4P6。
10.根据权利要求1所述的断路器的脱扣器附件,其特征在于:采样电路包括与整流电路连接的电阻R1,电阻R1的另一端依次经过电阻R2和电阻R3后分别与二极管D2、电阻R6和电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与控制电路连接并经过电容C3接地,二极管D2和电阻R6的另一端也分别接地。
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