CN211124010U - 触摸传感器、包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种触摸传感器，包括基板层和设置在该基板层上的感测电极。在感测电极中包括蚀刻区域。蚀刻区域在感测电极中周期性地重复，并且蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。通过蚀刻区域，可以防止与图像显示设备的光学干涉，同时提高透射率。还提供了包括所述触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。

Description

触摸传感器、包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示 设备
技术领域
本实用新型涉及一种触摸传感器，包括该触摸传感器的窗口堆叠结构以及包括该触摸传感器的图像显示设备。更具体地，本实用新型涉及一种包括图案化感测电极的触摸传感器，以及包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。
背景技术
随着信息技术的发展，对具有更薄尺寸、轻质、高功耗效率等的显示设备的各种需求正在增加。该显示设备可以包括平板显示设备，例如液晶显示(LCD)设备、等离子显示面板(PDP)设备、电致发光显示设备、有机发光二极管(OLED)显示设备等。
还开发了能够通过使用手指或输入工具选择在屏幕上显示的指令来输入用户指示的触摸面板或触摸传感器。触摸面板或触摸传感器可以与显示设备结合，从而可以在一个电子设备中实现显示和信息输入功能。
触摸传感器可以堆叠在显示面板上。当用户识别到触摸传感器的感测电极时，显示设备的图像质量可能劣化。此外，当感测电极与显示面板的电极和布线交叠时，用户可能会识别摩尔纹。
例如，如在韩国专利申请公开第2014-0092366号中所公开的，最近已开发了与包括触摸传感器的触摸屏面板结合的各种图像显示设备。然而，仍需要开发与图像显示设备具有改善的兼容性的触摸传感器或触摸面板。
实用新型内容
根据本实用新型的一方面，提供了一种具有改善的光学性能的触摸传感器。
根据本实用新型的一方面，提供了包括具有改善的光学性能的触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。
本实用新型构思的以上方面将通过以下特征或构造来实现：
(1)一种触摸传感器，包括：基板层；以及感测电极，该感测电极设置在基板层上，在该感测电极中包括蚀刻区域，其中，该蚀刻区域在感测电极中周期性地重复，并且蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。
(2)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有形成在感测电极中的狭缝形状。
(3)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有选自由正弦曲线、余弦曲线、锥形区段、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线和心形线组成的组中的弯曲形状。
(4)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有在假想多边形的顶点之间延伸的水波形状。
(5)根据上述(4)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有与一个周期相对应的水波的切割形状。
(6)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域相对于触摸传感器的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。
(7)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中，倾斜角在15°至75°的范围内。
(8)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中，倾斜角在30°至60°的范围内。
(9)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，感测电极包括形成感测电极行的第一感测电极和形成感测电极列的第二感测电极，其中，蚀刻区域包括形成在第一感测电极中的第一蚀刻区域和形成在第二感测电极中的第二蚀刻区域。
(10)根据上述(9)所述的触摸传感器，其中，感测电极行延伸成相对于触摸传感器的宽度方向以第一倾斜角倾斜，并且感测电极列延伸成相对于触摸传感器的长度方向以第二倾斜角倾斜。
(11)根据上述(10)所述的触摸传感器，其中，第一倾斜角和第二倾斜角中的每个在15°至75°的范围内。
(12)根据上述(10)所述的触摸传感器，其中，第一倾斜角和第二倾斜角中的每个在30°至60°的范围内。
(13)根据上述(9)所述的触摸传感器，其中，感测电极列包括连接部分，该连接部分与相邻的第二感测电极一体连接，并且感测电极行包括桥电极，该桥电极将相邻的第一感测电极电连接。
(14)根据上述(13)所述的触摸传感器，其中，连接部分包括形成在其中的第三蚀刻区域。
(15)根据上述(14)所述的触摸传感器，其中，桥电极在平面视图中叠置在第三蚀刻区域上。
(16)根据上述(9)所述的触摸传感器，还包括虚设图案，该虚设图案由在第一感测电极和第二感测电极的周边之间形成的分隔区域限定。
(17)根据上述(16)所述的触摸传感器，其中，感测电极包括单位单元，该单位单元被蚀刻区域围绕，并且虚设图案具有与该单位单元的形状相同的形状。
(18)一种窗口堆叠结构，包括：窗口基板；以及根据上述示例性实施方式所述的触摸传感器，该触摸传感器在窗口基板上。
(19)一种图像显示设备，包括：显示面板；以及在该显示面板上的根据上述示例性实施方式所述的触摸传感器。
(20)根据上述(19)所述的图像显示设备，其中，蚀刻区域被布置为相对于显示面板的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。
在根据本实用新型示例性实施方式的触摸传感器中，感测电极可以在其中包括具有例如波浪形狭缝形状的蚀刻区域。可以包括该蚀刻区域以抑制或减少由于与布置在触摸传感器下方的显示面板的像素结构的规则交叠而引起的摩尔现象。因此，可以防止由于包含触摸传感器而导致的图像显示设备的图像质量劣化。
在一些实施方式中，蚀刻区域可以相对于触摸传感器的长度方向或宽度方向以预定的倾斜角倾斜。另外，感测电极也可以沿以倾斜角倾斜的方向布置。因此，可以通过减少与像素结构的规则交叠来更有效地防止摩尔现象。
此外，通过蚀刻区域可以提高感测电极的透射率，从而可以进一步提高图像显示设备的图像质量。
附图说明
图1和图2分别是示出触摸传感器的电极构造的示例的顶视平面图和横截面图。
图3是示出触摸传感器的电极构造的示例的示意性横截面图。
图4至图6是示出根据示例性实施方式的感测电极的图案结构的局部放大顶视平面图。
图7是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。
图8至图15是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。
图16是示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和图像显示设备的示意性横截面图。
具体实施方式
根据本实用新型的示例性实施方式，提供了一种触摸传感器，该触摸传感器包括感测电极，该感测电极具有形成在其中的蚀刻区域以具有改善的光学性能。此外，提供了一种包括该触摸传感器并且具有改善的图像质量的图像显示设备。
在下文中，将参考附图详细描述本实用新型。然而，本领域技术人员将理解，参考附图描述的这种实施方式被提供以进一步理解本实用新型的精神，并且不限制如详细说明书和所附权利要求中所公开的要保护的主题。
在附图中，平行于触摸传感器或相同平面(例如，基板层105的顶表面)并且彼此交叉的两个方向被称为第一方向和第二方向。例如，第一方向和第二方向彼此垂直。
图1和图2分别是顶视平面图和横截面图，示出了触摸传感器的电极构造的示例。具体地，图2是在图1中指定的交叉区域C处的横截面图。图2示出了具有顶桥结构的触摸传感器。
提供图1和图2以示出触摸传感器中的感测电极布置，并且本实用新型的特征和范围不受图1和图2的图示的限制或限定。例如，除了布置感测电极的方向和/或蚀刻区域的形成和布置之外，根据本实用新型示例性实施方式的触摸传感器可以包括如图1和图2所示的构造或元件。此外，根据图1和图2中的图示的部分修改也包括在本实用新型的示例性实施方式中。
触摸传感器可以包括基板层105和布置在基板层105上的感测电极110和130。
基板层105可以包括膜型构件，该膜型构件用作用于形成感应电极110和130的基层，或用作在其上形成感测电极110和130的对象。在一些实施方式中，基板层105可以表示在其上直接形成感测电极110和130的显示面板。
例如，基板层105可以包括通常在触摸传感器中使用的基板或膜材料。例如，基板层105可以包括玻璃、聚合物和/或无机绝缘材料。聚合物可以包括例如环烯烃聚合物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、丙酸醋酸纤维素(CAP)、聚醚砜(PES)、三醋酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。无机绝缘材料可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物等。
在一些实施方式中，图像显示设备中的应用了触摸传感器的层或膜构件也可以用作基板层105。例如，包括在显示面板中的封装层或钝化层可以用作基板层105。
感测电极110和130可以包括第一感测电极110和第二感测电极130。例如，感测电极110和130可以被布置以实现互电容型操作。
第一感测电极110可以沿着第一方向(例如，行方向或宽度方向)布置。每个第一感测电极110可以具有独立的岛图案形状，并且在第一方向上相邻的第一感测电极110可以通过桥电极115彼此电连接。
因此，可以限定在第一方向上延伸的第一感测电极行，并且可以沿第二方向布置多个第一感测电极行。
可以沿第二方向布置第二感测电极130。在第二方向上相邻的第二感测电极130可以通过连接部分135彼此连接。第二感测电极130和连接部分135可以彼此一体地连接，并且可以基本上被设置为一体构件。在这种情况下，第二感测电极130和连接部分135可以通过对相同的导电层图案化来形成，并且可以位于相同的层或相同的水平上。
因此，可以限定在第二方向上延伸的第二感测电极列，并且可以沿着第一方向布置多个第二感测电极列。
感测电极110和130和/或桥电极115可以包括金属、合金、金属线或透明导电氧化物。
例如，感测电极110和130和/或桥电极115可以包括银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、铌(Nb)、钽(Ta)、钒(V)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、锌(Zn)、钼(Mo)、钙(Ca)或其合金(例如，银-钯-铜(APC))。这些可以单独使用或组合使用。
感测电极110和130和/或桥电极115可以包括透明导电氧化物，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、镉锡氧化物(CTO)等。
在一些实施方式中，感测电极110和130和/或桥接电极115可以包括透明导电氧化物层和金属层的堆叠结构。例如，感测电极110和130以及桥电极115可以具有透明导电氧化物层-金属层-透明导电氧化物层的三层结构。在这种情况下，可以通过金属层改善柔性，同时还可以通过降低电阻来改善信号传输速度，并且可以通过透明导电氧化物层改善抗腐蚀性和透明性。
如图1所示，在一些实施方式中，感测电极110和130的外围可以具有基本波浪形的形状。在这种情况下，可以通过与形成在感测电极110和130中的蚀刻区域的协作来更有效地抑制摩尔现象，这将在下面描述。
如图2所示，可以在基板层105上形成绝缘层120以至少部分地覆盖第一感测电极110和连接部分135。桥电极115可以设置在绝缘层120上，以通过例如形成在绝缘层120中的接触孔电连接相邻的第一感测电极110。
可以在绝缘层120和桥电极115上形成用于保护触摸传感器的钝化层150。
绝缘层120和/或钝化层150可以包括诸如氧化硅、氮化硅等的无机绝缘材料，或者诸如丙烯酸类树脂或硅氧烷类树脂的有机绝缘材料。
如参考图1和图2所描述的，触摸传感器100可以包括分别规则地布置在第一方向和第二方向上的第一感测电极110和第二感测电极130。
当触摸传感器100被应用于图像显示设备时，显示面板中包括的TFT阵列还可以包括规则地布置在第一方向和第二方向上的像素结构。例如，多条扫描线和数据线可以彼此交叉，并且可以规则地重复具有单元形状的像素。
因此，触摸传感器100的感测电极110和130与像素结构的交叠可以周期性地重复以由于产生新的空间频率而引起光学干涉。因此，由于光学干涉，用户可能会观察到摩尔纹，从而降低了图像显示设备的图像质量。
图3是示出了触摸传感器的电极构造的示例的示意性横截面图。例如，图3示出了具有底桥结构的触摸传感器。本文中省略了关于与参考图1和图2描述的元件和/或结构基本相同或相似的元件和/或结构的详细描述。
参考图3，桥电极115可以设置在感测电极110和130下方。例如，可以在基板层105上形成桥电极115，并且可以在基板层105上形成绝缘层120以部分地覆盖该桥电极115。绝缘层120可以包括部分地暴露桥电极115的顶表面的接触孔。
第二感测电极130可以沿第二方向布置在绝缘层120上，并且可以不与桥电极115接触。
第一感测电极110可以形成在绝缘层120上以填充接触孔，并且可以与桥电极115接触或电连接至桥电极115。因此，在第一方向上相邻的第一感测电极110可以与第二感测电极130绝缘并且可以经由桥电极115彼此电连接。
图4至图6是示出根据示例性实施方式的感测电极的图案结构的局部放大顶视平面图。
具体地说，图4是示出在图1中指定的交叉区域C处的电极结构的放大视图。图5是示出图4的桥电极115周围的区域的进一步放大视图。图6是示出形成在感测电极中的蚀刻区域的放大视图。
参考图4和图5，如参考图1至图3所述，触摸传感器可以包括第一感测电极110和第二感测电极130。第二感测电极130可以沿第二方向经由连接部分135彼此一体地连接。第一感测电极110可以在第一方向上彼此间隔开，并且可以经由桥电极115彼此电连接。
在示例性实施方式中，可以在感测电极110和130中形成蚀刻区域112和132。可以在第一感测电极110中形成第一蚀刻区域112，并且可以在第二感测电极130中形成第二蚀刻区域132。
本文中使用的术语“蚀刻区域”可以表示通过从导电层或导电图案去除具有预定形状的部分而形成的区域或空间。在示例性实施方式中，蚀刻区域可以具有狭缝、孔、开口等的形状。
在一些实施方式中，如图5所示，蚀刻区域112和132可以形成为弯曲狭缝。蚀刻区域112和132的弯曲狭缝形状可以包括正弦曲线、余弦曲线、锥形区段、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线、心形线等形状。
蚀刻区域112和132可以规则且重复地布置。例如，蚀刻区域112和132可以沿假想四边形(例如，正方形)的边布置。
如图5所示，蚀刻区域112和132可以具有如下形状，其中，在假想四边形的顶点之间分割与一个周期相对应的水波。在一个实施方式中，假想四边形可以以Z字形构造布置，使得顶点可以交错。
虚设图案145可以形成在彼此相邻的第一感测电极110和第二感测电极130之间。虚设图案145可以由沿第一感测电极110和第二感测电极130的周边延伸的分隔区域142限定。分隔区域142可以具有与第一蚀刻区域112和第二蚀刻区域132的波形基本相同或相似的波形。因此，虚设图案145可以具有与形成在感测电极110和130中的导电图案的形状基本相同或相似的形状(例如，具有被转换成水波的四个边的四边形形状)。
因此，可以增强触摸传感器中的电极结构的均匀性，并且可以防止由于图案形状的局部差异而在视觉上识别电极。
桥电极115可以与第二感测电极列中所包括的连接部分135交叉。在一些实施方式中，第三蚀刻区域137可以形成在连接部分135中。例如，第三蚀刻区域137可以具有在第一方向上延伸的狭缝形状。
在平面图中，桥电极115可以与包括在连接部分135中的第三蚀刻区域137交叠。因此，可以防止由于电极的交叠导致的透射率降低以及由于在相交区域C处色感的改变而导致的电极识别。
根据如上所述的示例性实施方式，可以在感测电极110和130中的每一个中形成蚀刻区域112和132。因此，可以抑制或减少由于感测电极110和130与包括在显示面板中的像素结构之间的规则交叠而引起的摩尔现象。例如，通过感测电极110和130与像素结构之间的交叠而产生的空间频率可以通过蚀刻区域112和132得以抑制或消除。
此外，可以将蚀刻区域112和132设置为光狭缝，使得可以通过光衍射或散射更有效地防止摩尔现象，从而防止用户看到感测电极110和130。另外，可以通过蚀刻区域112和132来提高触摸传感器或感测电极110和130的透射率。
参考图6，蚀刻区域112和132的宽度(或临界尺寸(CD))可以在约5μm至约15μm的范围内。在该宽度(CD)的范围内可以基本上实现上述来自蚀刻区域112和132的摩尔纹防止和狭缝效应。
例如，如果蚀刻区域112和132的宽度超过约15μm，则可能无法基本上实现上述摩尔纹防止效果，并且蚀刻区域112和132可能不用作狭缝。
如果蚀刻区域112和132的宽度小于约5μm，则可能无法均匀地获得具有期望的形状和布置的蚀刻区域112和132。
在优选实施方式中，蚀刻区域112和132的宽度(CD)可以为约5μm至约12μm。
在一个实施方式中，在形成蚀刻区域112和132时，考虑到过度蚀刻，可以将与蚀刻区域112和132对应的蚀刻掩模的区域(例如，开口)的宽度调整为小于目标宽度(CD)。例如，可以将与蚀刻区域112和132对应的区域相对于目标宽度(CD)调整为约-1μm至约-3μm(例如，-2μm)。
图7是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。
在图7中，X方向可以是触摸传感器或堆叠有触摸传感器的显示面板的宽度方向，而Y方向可以是触摸传感器或显示面板的长度方向。X方向和Y方向可以平行于触摸传感器或相同的平面(例如，基板层105的上表面)，并且可以彼此垂直。
参考图7，蚀刻区域112和132可以形成为相对于X方向和/或Y方向以预定的倾斜角倾斜。如上所述，X方向可以对应于触摸传感器或图像显示设备的宽度方向，并且Y方向可以对应于触摸传感器或图像显示设备的长度方向。另外，图像显示设备的像素结构可以沿X方向和Y方向布置。
例如，蚀刻区域112和132可以在第一方向或第二方向上延伸。第一方向可相对于X方向以第一倾斜角θ1倾斜。第二方向可相对于Y方向以第二倾斜角θ2倾斜。
在一些实施方式中，第一倾斜角和第二倾斜角可各自在约15度(°)至75度的范围内调节。在一个优选实施方式中，第一倾斜角和第二倾斜角可以各自在约30°至约60°的范围内调节。
在一些实施方式中，感测电极110和130的布置方向也可以相对于X方向和Y方向倾斜。例如，第一感测电极110可以沿相对于X方向以第一倾斜角θ1倾斜的第一方向布置。第二感测电极130可以沿相对于Y方向以第二倾斜角θ2倾斜的第二方向布置。
因此，可以限定在第一方向上延伸的第一感测电极行，并且可以沿着第二方向布置多个第一感测电极行。可以限定在第二方向上延伸的第二感测电极列，并且可以沿第一方向布置多个第二感测电极列。
在一个实施方式中，电连接相邻的第一感测电极110的桥电极115也可以倾斜。例如，桥电极115可以在第一方向上延伸。
如上所述，蚀刻区域112和132和/或感测电极110和130可以相对于包含在显示面板中的像素阵列倾斜，从而可以避免与包括在显示面板中的像素结构的规则交叠，以进一步减少或抑制摩尔现象。
如上所述，蚀刻区域112和132的宽度(或临界尺寸CD)可以在约5μm至约15μm的范围内。例如，当蚀刻区域112和132在第一方向上延伸时，蚀刻区112和132的宽度(CD)可以指在第二方向上的宽度。当蚀刻区域112和132在第二方向上延伸时，蚀刻区域112和132的宽度(CD)可以指在第一方向上的宽度。
图8至图15是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。
参考图8和图9，蚀刻区域可以具有如下的形状，其中，假想四边形单位单元或由假想四边形单位单元倾斜而成的假想菱形单位单元的每一边都被转换为与一个周期相对应的水波。
具有被转换为水波形的边的单位单元可以重复，同时在感测电极中共用顶点。例如，四个单位单元可以共用一个顶点。
参考图10和图11，蚀刻区域可以具有从图8和图9所示的单位单元的边部分切割而成的形状。例如，蚀刻区域可以具有从单位单元的顶点开始的呈波浪形辐射的十字形。
参考图12，蚀刻区域可以具有与贯穿假想菱形的两个相邻边的与一个周期相对应的水波形。例如，单位单元可以由反相的两个水波形蚀刻区域限定。
参照图13，蚀刻区域可以具有从限定单位单元的图12的蚀刻区域部分切割而成的形状。例如，蚀刻区域可以在假想菱形的每个边具有一个切割部分。
参考图14，蚀刻区域可以具有如下的形状，其中，假想六边形单位单元的每一边均被转换为与一个周期相对应的水波。每个单位单元可以由具有相同波形的六个蚀刻区域限定。
具有被转换为水波形的边的单位单元可以被重复，同时在感测电极中共用顶点。例如，三个单位单元可以共用一个顶点。
参考图15，蚀刻区域可以具有从图14所示的单位单元的每一边部分切割而成的形状。例如，每个蚀刻区域可以包括从单位单元的顶点开始的三个辐射状的波浪形狭缝。
作为一些示例，提供了上述蚀刻区域和单位单元的形状，并且可以考虑到图案化工艺的分辨率、与图像显示设备的兼容性等来适当地进行修改。
图16是示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和图像显示设备的示意性横截面图。
参考图16，根据如上所述的示例性实施方式，窗口堆叠结构250可以包括窗口基板230、偏光层210和触摸传感器200。
窗口基板230可以包括例如硬涂膜或玻璃膜(例如超薄玻璃(UTG))。在实施方式中，可以在窗口基板230的表面的外围部分上形成遮光图案235。遮光图案235可以包括彩色印刷图案，并且可以具有单层或多层结构。图像显示设备的边框部分或非显示区域可以由遮光图案235限定。
偏光层210可以包括涂覆型偏光器或偏光板。涂覆型偏光器可以包括液晶涂层，该液晶涂层可以包括可交联的液晶化合物和二色性染料。在这种情况下，偏光层210可以包括用于提供液晶涂层的定向的取向层。
例如，偏光板可以包括聚乙烯醇类偏光器和附接到聚乙烯醇类偏光器的至少一个表面的保护膜。
偏光层210可以直接附接到窗口基板230的表面，或者可以经由第一粘合剂层220而附接。
触摸传感器200可以作为膜或面板而包含在窗口堆叠结构250中。在一个实施方式中，触摸传感器200可以经由第二粘合剂层225与偏光层210结合。
如图16所示，窗口基板230、偏光层210和触摸传感器200可以从观察者侧顺序地定位。在这种情况下，触摸传感器200的感测电极可以设置在偏光层210的下方，从而可以有效地防止观察者识别电极图案。
当触摸传感器200包括基板时，该基板可以包括例如三乙酰纤维素、环烯烃、环烯烃共聚物、聚降冰片烯共聚物等。优选地，基板的面内延迟可以为±2.5nm或更小。
在一个实施方式中，触摸传感器200可以直接转移到窗口基板230或偏光层210。在一个实施方式中，窗口基板230、触摸传感器200和偏光层210可以从观察者侧顺序地定位。
图像显示设备可以包括显示面板360和设置在显示面板360上的窗口堆叠结构250。
显示面板360可以包括设置在面板基板300上的像素电极310、像素限定层320、显示层330、相对电极340和封装层350。
可以在面板基板300上形成包括薄膜晶体管(TFT)的像素电路，并且可以形成覆盖像素电路的绝缘层。像素电极310可以电连接到例如绝缘层上的TFT的漏极。
像素限定层320可以形成在绝缘层上，并且像素电极310可以通过像素限定层320暴露，从而可以限定像素区域。显示层330可以形成在像素电极310上，并且显示层330可以包括例如液晶层或有机发光层。
相对电极340可以设置在像素限定层320和显示层330上。相对电极340可以用作例如图像显示设备的公共电极或阴极。封装层350可以设置在相对电极340上以保护显示面板360。
在一些实施方式中，显示面板360和窗口堆叠结构250可以通过粘合剂层260彼此结合。例如，粘合剂层260的厚度可以大于第一粘合剂层220和第二粘合层225的厚度。粘合剂层260的粘弹性在-20℃至80℃的温度可以为约0.2MPa或更小。在这种情况下，可以阻挡来自显示面板360的噪声，并且可以减轻弯曲时的界面应力，从而可以避免窗口堆叠结构250的损坏。在一个实施方式中，粘合剂层260的粘弹性可以在约0.01MPa至约0.15MPa的范围内。
根据示例性实施方式，触摸传感器可以包括其中具有蚀刻区域的感测电极。因此，可以防止由于与显示面板360中所包括的像素电路的交叠而引起的摩尔现象，并且可以改善图像质量。
在下文中，提出优选实施方式以更具体地描述本实用新型。然而，给出以下实施例仅用于说明本实用新型，并且相关领域的技术人员将清楚地理解，这些实施例不限制所附权利要求，而是可以在本实用新型的范围和精神内进行各种改变和修改。这样的改变和修改被适当地包括在所附权利要求中。
实验例1：根据蚀刻区域的CD变化评价摩尔纹
将ITO层沉积在COP基板上，然后对其进行图案化以形成第一感测电极110和第二感测电极130，其各自厚度为
Figure BDA0002380761880000141
并且包括如图4和图5所示的波浪形蚀刻区域112和132。
准备多个触摸传感器样品，同时改变如图6所指定的蚀刻区域的宽度(CD)。
将触摸传感器样品堆叠在从市售移动显示产品中获得的显示面板测试样品上，使得蚀刻区域如图7所示相对于显示面板测试样品的宽度方向(例如，第一方向)以45°倾斜，然后视觉观察摩尔纹，以使用从0级(最小摩尔纹)到5级(最大摩尔纹)的5个等级来评价摩尔纹出现水平。
具体而言，10个面板通过观察对比度(亮度差异)和图案周期来确定每个样品的水平，并且将水平进行平均以确定每个样品的摩尔纹出现水平。
评价标准的示例如下：
i)0级：没有识别出摩尔纹
ii)1级：弱对比度/高频(约
Figure BDA0002380761880000142
图案周期)
iii)2级：弱对比度/中频(约
Figure BDA0002380761880000143
图案周期)
iv)3级：弱对比度/低频(约
Figure BDA0002380761880000144
图案周期)
v)4级：中对比度/中频(约
Figure BDA0002380761880000145
图案周期)
vi)5级：中对比度/低频(约
Figure BDA0002380761880000146
图案周期)
结果显示在下面的表1中。
表1
Figure BDA0002380761880000147
Figure BDA0002380761880000151
参照表1，在蚀刻区域的宽度(CD)变为15μm之前基本上抑制了摩尔纹的出现，并且当宽度超过15μm时，摩尔纹的出现明显增加。
实验例2：根据倾斜角度变化评价摩尔纹
将其中蚀刻区域被形成为具有10μm的宽度(CD)的实验例1的触摸传感器样品堆叠在显示面板测试样品上。将显示面板测试样品的宽度方向设定为0°，并且使触摸传感器样品倾斜同时在逆时针方向上改变角度。
通过与实验例1中的方法相同的方法评价取决于倾斜角度的摩尔纹出现水平，结果显示在下面的表2中。
表2
倾斜角度(°) 0 5 15 30 45 60 75 80 90
摩尔纹出现水平 3级 4级 2级 1级 0级 1级 2级 4级 3级
参考表2，在15°至75°的范围内，基本抑制了摩尔纹出现，并且在30°至60°的范围内，更加有效地抑制了摩尔纹出现。

Claims (20)

1.一种触摸传感器，其特征在于，包括：
基板层；以及
感测电极，所述感测电极设置在所述基板层上，在所述感测电极中包括蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域在所述感测电极中周期性地重复，并且所述蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。
2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有形成在所述感测电极中的狭缝形状。
3.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有选自由正弦曲线、余弦曲线、锥形区段、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线和心形线组成的组中的弯曲形状。
4.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有在假想多边形的顶点之间延伸的水波形状。
5.根据权利要求4所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有与一个周期相对应的水波的切割形状。
6.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域相对于所述触摸传感器的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。
7.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中，所述倾斜角在15°至75°的范围内。
8.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中，所述倾斜角在30°至60°的范围内。
9.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述感测电极包括形成感测电极行的第一感测电极和形成感测电极列的第二感测电极，
其中，所述蚀刻区域包括形成在所述第一感测电极中的第一蚀刻区域和形成在所述第二感测电极中的第二蚀刻区域。
10.根据权利要求9所述的触摸传感器，其中，所述感测电极行延伸成相对于所述触摸传感器的宽度方向以第一倾斜角倾斜，并且
所述感测电极列延伸成相对于所述触摸传感器的长度方向以第二倾斜角倾斜。
11.根据权利要求10所述的触摸传感器，其中，所述第一倾斜角和所述第二倾斜角中的每个在15°至75°的范围内。
12.根据权利要求10所述的触摸传感器，其中，所述第一倾斜角和所述第二倾斜角中的每个在30°至60°的范围内。
13.根据权利要求9所述的触摸传感器，其中，所述感测电极列包括连接部分，所述连接部分与相邻的第二感测电极一体连接，并且
所述感测电极行包括桥电极，所述桥电极将相邻的第一感测电极电连接。
14.根据权利要求13所述的触摸传感器，其中，所述连接部分包括形成在其中的第三蚀刻区域。
15.根据权利要求14所述的触摸传感器，其中，所述桥电极在平面视图中叠置在所述第三蚀刻区域上。
16.根据权利要求9所述的触摸传感器，其中，还包括虚设图案，所述虚设图案由在所述第一感测电极和所述第二感测电极的周边之间形成的分隔区域限定。
17.根据权利要求16所述的触摸传感器，其中，所述感测电极包括单位单元，所述单位单元被所述蚀刻区域围绕，并且所述虚设图案具有与所述单位单元的形状相同的形状。
18.一种窗口堆叠结构，其特征在于，包括：
窗口基板；以及
根据权利要求1所述的触摸传感器，所述触摸传感器在所述窗口基板上。
19.一种图像显示设备，其特征在于，包括：
显示面板；以及
根据权利要求1所述的触摸传感器，所述触摸传感器在所述显示面板上。
20.根据权利要求19所述的图像显示设备，其中，所述蚀刻区域被布置为相对于所述显示面板的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。
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