CN211089636U - 一种4g多通道射频切换电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种4G多通道射频切换电路，主要解决现有4G多通道射频技术中射频切换隔离度差，切换可靠性低，且模块复杂度高的问题。该射频切换电路包括低通滤波器，与低通滤波器相连的功率放大器，与功率放大器相连的偏置电压电路，与功率放大器输出端相连的PIN开关电路，与PIN开关电路相连的多通道射频模块，与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元，以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器。通过上述设计，本实用新型利用二极管D1和二极管D2，能使分别通过二极管D1和二极管D2后叠加的射频信号中的部分非线性成分相互抵消，能够改善多通道射频切换电路的隔离度，进而提升多通道射频通路的接收灵敏度。因此，适于推广应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频通信技术领域，具体地说，是涉及一种4G多通道射频切换电路。
背景技术
在通信领域中，多通道射频设备被广泛应用，例如滤波器、合路器或者塔顶放大器等，随着4G技术的日趋成熟，4G多通道射频技术也被广泛应用于射频通信技术中。
对于具有高速传输速率的4G无线通信技术的发展，作为射频前端电路的重要部件之一的射频切换电路，在信号的隔离度、低耗损、功率容量和切换速度方面的要求越来越高。目前在4G多通道射频传输中，很多射频切换电路采用射频开关切换方式，这样的方式隔离度差，切换可靠性低，且模块复杂度高，不适应通信设备中射频系统技术的发展，迫切需要一种成本低廉，损耗小、高隔离度的射频切换电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种4G多通道射频切换电路，主要解决现有4G多通道射频技术中射频切换隔离度差，切换可靠性低，且模块复杂度高的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种4G多通道射频切换电路，包括低通滤波器，与低通滤波器相连的功率放大器，与功率放大器相连的偏置电压电路，与功率放大器输出端相连的PIN开关电路，与PIN开关电路相连的多通道射频模块，与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元，以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器；其中，所述PIN开关电路还与控制单元相连。
进一步地，所述PIN开关电路包括二极管D1、二极管D2、隔离电容C1、隔离电容C2以及隔离电容C3；所述二极管D1的阴极分别与所述隔离电容C1以及所述二极管D2的阳极耦接；所述隔离电容C2分别与所述二极管D2的阴极、所述隔离电容C3耦接；所述二极管D1的阳极与所述隔离电容C3的另一端耦接；所述隔离电容C1的另一端与功率放大器输出端和控制单元的控制信号输出端相连，所述隔离电容C2、隔离电容C3的公共端与通道射频模块相连；其中，所有所述二极管D1以及所述二极管D2的导通极性相同。
进一步地，所述多通道射频模块由多路单通道射频通路并联而成。
作为优选，所述射频通道匹配单元为射频通道匹配电容。
进一步地，所述偏置电压电路包括负极接地的偏置电压源US，与偏置电压源US的正极相连的电感L1，以及一端与电感L1另一端相连、且另一端接地的电源控制开关S1；其中，电感L1和电源控制开关S1与功率放大器的输出端相连。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
(1)本实用新型通过设置PIN开关电路，利用二极管D1和二极管D2，能使分别通过二极管D1和二极管D2后叠加的射频信号中的部分非线性成分相互抵消，进而能够改善多通道射频切换电路的隔离度，进而提升多通道射频通路的接收灵敏度。
(2)本实用新型通过设置控制单元输出逻辑控制电平控制PIN开关电路对多通道射频模块的切换，实现通信设备在多通道收发模式下的快速轮询，降低4G多通道射频通信系统的开发难度，提高4G多通道射频通信系统的开发效率，成本低，损耗小。
附图说明
图1为本实用新型的整体原理框图。
图2为本实用新型的PIN开关电路原理图。
图3为本实用新型的偏置电压电路原理图。
图4为本实用新型的单通道射频通路电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图说明和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的方式包括但不仅限于以下实施例。
实施例
如图1所示，本实用新型公开的一种4G多通道射频切换电路，包括低通滤波器，与低通滤波器相连的功率放大器，与功率放大器相连的偏置电压电路，与功率放大器输出端相连的PIN开关电路，与PIN开关电路相连的多通道射频模块，与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元，以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器；其中，所述PIN开关电路还与控制单元相连。其中，所述多通道射频模块由多路单通道射频通路并联而成；所述射频通道匹配单元为射频通道匹配电容。
在本实施例中，如图2所示，所述PIN开关电路包括二极管D1、二极管D2、隔离电容C1、隔离电容C2以及隔离电容C3；所述二极管D1的阴极分别与所述隔离电容C1以及所述二极管D2的阳极耦接；所述隔离电容C2分别与所述二极管D2的阴极、所述隔离电容C3耦接；所述二极管D1的阳极与所述隔离电容C3的另一端耦接；所述隔离电容C1的另一端与功率放大器输出端和控制单元的控制信号输出端相连，所述隔离电容C2、隔离电容C3的公共端与通道射频模块相连；其中，所有所述二极管D1以及所述二极管D2的导通极性相同。
在本实施例中，如图3所示，所述偏置电压电路包括负极接地的偏置电压源US，与偏置电压源US的正极相连的电感L1，以及一端与电感L1另一端相连、且另一端接地的电源控制开关S1；其中，电感L1和电源控制开关S1与功率放大器的输出端相连。
如图4所示，为本实施例中单通道射频通路的电路原理图，射频通道匹配电容与型号为SMP1330-005的芯片U2相连，控制单元与型号为MGA-633F8的芯片U3相连，射频信号通过PIN开关电路的切换选择后，通过射频通道匹配电容导通不同的收发频率的单通道射频通路，实现多通道射频信号的切换。
通过上述设计，本实用新型利用二极管D1和二极管D2，能使分别通过二极管D1和二极管D2后叠加的射频信号中的部分非线性成分相互抵消，进而能够改善多通道射频切换电路的隔离度，进而提升多通道射频通路的接收灵敏度。
上述实施例仅为本实用新型的优选实施方式之一，不应当用于限制本实用新型的保护范围，但凡在本实用新型的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本实用新型一致的，均应当包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种4G多通道射频切换电路，其特征在于，包括低通滤波器，与低通滤波器相连的功率放大器，与功率放大器相连的偏置电压电路，与功率放大器输出端相连的PIN开关电路，与PIN开关电路相连的多通道射频模块，与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元，以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器；其中，所述PIN开关电路还与控制单元相连。
2.根据权利要求1所述的一种4G多通道射频切换电路，其特征在于，所述PIN开关电路包括二极管D1、二极管D2、隔离电容C1、隔离电容C2以及隔离电容C3；所述二极管D1的阴极分别与所述隔离电容C1以及所述二极管D2的阳极耦接；所述隔离电容C2分别与所述二极管D2的阴极、所述隔离电容C3耦接；所述二极管D1的阳极与所述隔离电容C3的另一端耦接；所述隔离电容C1的另一端与功率放大器输出端和控制单元的控制信号输出端相连，所述隔离电容C2、隔离电容C3的公共端与通道射频模块相连；其中，所有所述二极管D1以及所述二极管D2的导通极性相同。
3.根据权利要求2所述的一种4G多通道射频切换电路，其特征在于，所述多通道射频模块由多路单通道射频通路并联而成。
4.根据权利要求3所述的一种4G多通道射频切换电路，其特征在于，所述射频通道匹配单元为射频通道匹配电容。
5.根据权利要求4所述的一种4G多通道射频切换电路，其特征在于，所述偏置电压电路包括负极接地的偏置电压源US，与偏置电压源US的正极相连的电感L1，以及一端与电感L1另一端相连、且另一端接地的电源控制开关S1；其中，电感L1和电源控制开关S1与功率放大器的输出端相连。
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2020
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