CN205304741U - 一种平衡散热的多模功率放大器及其移动终端 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种能够平衡散热的多模功率放大器及其移动终端，该多模功率放大器利用至少两级的放大电路以级联方式连接，通过灵活配置各级放大电路中的各个单位放大单元的偏置电压或偏置电流可以在不同功率输出要求下实现功率放大器的射频增益，线性度以及效率的优化，同时本实用新型的输出级放大电路的散热接地方式与市场现有的功率放大器产品的输出级放大电路的散热接地方式不同，这种新的平衡散热的接地方式能够降低功率放大器电路中HBT晶体管的结温，并且能够提高功率放大器的效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频功率放大器，具体的说是一种高效率高线性度的兼容3G及4G应用的能够平衡散热的多模功率放大器及其移动终端。
背景技术
射频发射前端模块是射频终端器件实现信号传输的关键元器件。当前随着全球无线通信用户的快速增长及用户对无线通信的更高端的体验需求，市场对无线通信的带宽的需求快速增长。为了解决这种市场需求，全球开放出来的专用无线通信频段越来越多并且越来越拥挤。频段利用率高的调制解调方式，例如：3G的宽带码分多址(WidebandCodeDivisionMultipleAccess,WCDMA),带码分多址(CodeDivisionMultipleAccess,CDMA),时分同步码分多址(TimeDivisionSynchronousCodeDivisionMultipleAccess,TD-SCDMA),以及逐渐取代3G技术成为市场主流的4G技术的Longtermevolution,LTE包括成对频谱模式(Frequencydomainduplexing,FDD)及非成对频谱模式(Timedomainduplexing,TDD)。这些频段利用率高的各种调制解调方式都对无线通信终端提出更高的要求，例如：高质量的语音通话，减少数据通信中的错误，快速的语音数据传输的切换，等等。对于射频发射前端的主力元器件射频功率放大器及其模块来说，就意味着在新的频段利用率高的调制解调方式下，功率放大器必须具有较高的线性度来保障射频信号能够放大传输并且能够尽量少信号失真。一般功率放大器的高线性度意味着降低其输出功率来减少输出晶体管器件的非线性谐波的产生，这导致了功率放大器不能工作在其高输出功率以及最高效率区间。此外由于无线移动终端与基站的距离远近变化会导致基站对接收信号强度需求变化，一般在远距离需要高功率时射频功率放大器效率较高，在较近距离需要较低功率时功率放大器效率较低。较低的放大器效率会导致手机发热，严重影响手机续航时间。因此，多模功率放大器需要为射频功率放大器的偏置电路设计至少两种或两种以上的模式使得在不同输出功率下，射频功率放大器都有较高的效率。
市场现有的射频多模功率放大器以及包含该多模功率放大器的射频前端模块主要有以下两种。图1显示的三路功率放大器102/106/109分别代表高功率/中功率/低功率的射频放大通路中的放大器单元，104/108/111分别代表三路各自的射频开关。高功率输出时，102/104开通，射频信号能经过102放大并且通过输出匹配电路103最优化的传输到射频开关104后传输到天线。中功率输出时，106/108开通，射频信号能经过106放大并且通过输出匹配电路107最优化的传输到射频开关108后传输到天线。低功率输出时，109/111开通，射频信号能经过109放大并且通过输出匹配电路110最优化的传输到射频开关111后传输到天线。三种输出通路各自独立，所以可以各自优化以达到在不同输出功率下的最佳性能。三种通路其中优化的参数包括功率放大器102/106/109以及射频开关104/108/111均可采用不同设计，输出匹配电路103/107/110均可以分别为不同功率输出设计优化到不同的匹配阻抗。在既定输出功率时，功率模式控制电路提供偏置电压开通一路通路，其中包括功率放大器PA及相应通路的射频开关SW，同时关闭另外两路通路。但是该方案因为采用三个功率放大器以及三个射频开关芯片，大大增加了模块的面积以及产品的成本。这种电路的集成性能较低，不能满足手机部件小型化的需求，已经逐渐被市场淘汰。
图2显示的是市场常见的无射频开关高低双模功率放大器及其模块，202及203代表高功率射频放大通路中的第一级以及第二级放大器，204及205代表低功率的射频放大通路中的第一级以及第二级放大器，206/207/208分别代表阻抗匹配单元。高功率输出时，202/203开通，射频信号能经过202/203级联放大并且通过输出匹配电路206/207及输出匹配电路209最优化的传输到天线。低功率输出时，204/205开通，射频信号能经过204/205级联放大并且通过输出匹配电路206/208及输出匹配电路209最优化的传输到天线。这高低两种功率输出通路并非各自独立，所以不能如同图1的方案能够可以各自功率通路优化以达到在不同输出功率下的最佳性能，设计中不但要考虑到开通路的负载优化，还需要考虑到关闭路电路的存在对开通路的负载影响。第二种方案是种无射频开关的设计，相比于第一种方案，其优势是芯片面积小，成本低，已经成为市场同类产品的主流。但是由于采用了至少两个一级放大器和至少两个二级放大器放大器来实现多功率的控制，放大器芯片没有得到较好的重复利用。
以上两种方案的功率放大器一般采用GaAsHBT的工艺，功率模式控制电路通常是CMOS工艺，输出匹配电路可以采用无源分立元件或半导体无源器件。第一种方案中的射频开关通常是采用GaAspHEMT工艺或是SOI技术。
市场现有功率放大器的输出级放大电路接地设计一般如图3所示。图3中301，302，……,30(N-1),30N到331，332，……,33(N-1),33N(其中N是整数)显示了所有的基本放大电路单元，每个基本放大单元可以由单晶体管组成也可能由多个更小的基本放大单元并联组成。341-344代表功率放大器芯片上的地GND，在GaAsHBT或是pHEMT工艺里是通过晶圆衬底的晶圆贯通接地TWV，在LDMOS工艺里是深度掺杂的半导体，在CMOS工艺里可能是通过晶圆衬底的晶圆贯通接地TWV也可能是通过bondpad飞线到基板上的地线。351，352，……,35(K-1),35K(其中K是整数)代表了放大器射频输出的芯片上焊盘bondpad,输出放大电路的电压连接以及射频输出都是通过这K个芯片上焊盘bondpad飞线连接到放大器的负载输出匹配网络。放大电路中的N个基本放大单元并联通过HBT的发射极或是pHEMT/LDMOS/CMOS的栅极连接到地GND形成一个N单元的阵列。一般有至少4个这样的阵列连接方法如图3所示，这至少四个阵列共同组成放大器输出级放大电路。地GND分成两组，341/342为一组，343/344为另一组，每组分别连接两个阵列的每个基本放大单元的发射极或栅极。两组地GND的位置与351-35K的射频输出芯片上焊盘bondpad成垂直方向。每个阵列中基本放大单元的集电极或漏级通过芯片工艺中的金属连接到射频输出的芯片上焊盘bondpad351-35K如图3所示。这种连接方法普遍用于饱和放大器的设计之中，也应用于一些线性放大器的设计。但是这种设计方案的缺点是由于四阵列基本放大单元分成两组，导致各个基本放大单元到地的电感以及导热很不均衡，引起射频信号经过四阵列基本放大单元放大后的相值也难以保持一致，从而导致功率放大器的线性度以及效率难以达到优化。
另一种市场常见的线性功率放大器的电路接地设计一般如图4所示。图4中401，402，……,40(P-1),40P(其中P是整数)是市场常见的线性功率放大器输出级放大电路中的基本放大单元,每个单元可以由单晶体管组成也可能由多个更小的基本放大单元并联组成。411，412，……,41(X-1),41X(其中X是整数)代表功率放大器芯片上的地GND，在GaAsHBT或是pHEMT工艺里是通过晶圆衬底的晶圆贯通接地TWV，在LDMOS工艺里是深度掺杂的半导体，在CMOS工艺里可能是通过晶圆衬底的晶圆贯通接地TWV也可能是通过芯片上焊盘bondpad飞线到基板上的地线。421，422，……,42(J-1),42J(其中J是整数)代表了放大器射频输出的芯片上焊盘bondpad,输出放大电路的电压连接以及射频输出都是通过这J个芯片上焊盘bondpad飞线连接到放大器的负载输出匹配网络。M个放大电路基本单元并联通过HBT的发射极或是pHEMT/LDMOS/CMOS的栅极连接到地GND形成一个M单元的阵列，一般有1个这样的阵列连接方法如图4所示。这一个阵列组成放大器输出级放大电路。GND(411-41X)排列成一组，连接唯一阵列的所有放大单元的发射极和栅极。该GND组与421-42J的射频输出芯片上焊盘bondpad成平行方向。每个阵列中基本放大单元的集电极或漏极通过芯片工艺中的金属连接到射频输出的Vcc/RFout的芯片上焊盘bondpad421-42J如图4所示。这种连接方法普遍用于线性放大器的设计。但是这种设计方案的缺点是由于单阵列基本放大单元排列在地线的一端，所以单列中包含较多个基本放大单元，例如同等功率输出要求下与图3中的方案相比，可能图4中该单列中的基本放大单元的数量是图3中的单列基本放大单元数量的4倍(X＝4N)，这样两侧的基本放大单元到地的电感以及导热都与单阵列中间的基本放大单元很不均衡，从而导致功率放大器的线性度以及效率难以达到优化。
实用新型内容
本实用新型为解决上述现有技术中存在的不足之处，提供了一种集成度更高、更灵活、可调节功率及能够平衡散热的多模功率放大器及其移动终端，以期能简化多功率多模射频放大器及其模块的结构设计，从而实现功率放大器的功率模式及高效率高线性度的工作模式来满足多种通信制式的需求。
本实用新型为解决技术问题采用如下技术方案：
本实用新型一种多模功率放大器的特点包括：M级级联放大电路和输出匹配电路；所述M级级联放大电路的第i个级联的放大电路中包含Ni个并联连接的单位放大单元；1≤i≤M且M≥2；
射频信号从所述M级级联放大电路的第i个级联的放大电路的输入端进入并经过Ni个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第i+1个级联的放大电路的输入端进行放大，直到经过第M个级联的放大电路的放大后，获得级联放大信号并传递给所述输出匹配电路；
所述输出匹配电路对所述级联放大信号进行负载优化匹配后输出至天线。
本实用新型所述的多模功率放大器的特点也在于：
设置所述多模功率放大器输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为对称排列的两个阵列；每个阵列包含NM/2个并联连接的单位放大单元，且分别设置在一组地线GND的两侧；
所述一组地线GND是由X个晶圆贯通接地TWV排成一列组成；
每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND相连；
每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC相连；
所述一组电源线VCC为第M个级联放大电路的输出线，并由J个芯片上焊盘BondPad排成一列组成；
所述一组地线与所述一组电源线VCC为平行设置。
本实用新型一种移动终端的特点是：所述移动终端具有如上所述的多模功率放大器。
与已有技术相比，本实用新型有益效果体现在：
1、市场上述方案每级放大电路均采用多个放大器来达到对不同输出功率的控制，例如高功率输出时使用高功率放大器，低功率输出时使用低功率放大器，同时在既定输出功率时，采用同一偏置电压或电流来控制该级放大电路中的多个基本放大单元。相比市场上述两个方案而言，本实用新型的多模功率放大器中的M级级联放大电路中的每一级放大电路都是仅用一个放大器的设计；从而保证了该多模功率放大器芯片的面积更小，集成度更高，成本更低。
2、已有的设计方案点是各个基本放大单元到地的电感以及导热很不均衡，引起射频信号经过四阵列基本放大单元放大后的相值也难以保持一致，从而导致功率放大器的线性度以及效率难以达到优化。或是单阵列包含较多个基本放大单元，导致两侧的基本放大单元到地的电感以及导热都与单阵列中间的基本放大单元很不均衡，从而导致功率放大器的线性度以及效率难以达到优化。而本实用新型的功率放大器在版图上和实际电路芯片中，放大器输出级中的NM个并联连接的单位放大单元排列成两个阵列并且两个阵列分立于X个晶圆贯通接地TWV组成的一组地线GND的两侧；在同样的芯片面积上以及同样多的晶圆贯通接地TWV地GND的数量条件下，多模功率放大器输出级的单位放大单元晶体管大小可以是传统设计中单位放大单元晶体管的一半，并且各个单位放大单元距离地GND的距离相比于传统设计中而言更接近一致，从而减少了各个单位放大单元到地的电感不均衡以及散热不均衡；多模功率放大器不但能保持线性功率放大电路的既有线性度，而且同时降低了半导体晶体管的结温，从而提高了功率放大器的效率。在实际应用中，这种平衡散热的接地方式还能够节省芯片面积，在同等芯片面积上能够排列更多的晶圆贯通接地TWV达到更好的散热目的。
3、市场上述方案中的放大电路对不同输出功率的控制是通过使用开通不同的功率放大器实现的，同时在既定输出功率时，采用同一偏置电压或电流来控制该级放大电路中的多个基本放大单元。而本实用新型使每级中这唯一的放大器电路能够在不同输出功率下达到可配置，由于射频信号仅经过Ni个并联连接的单位放大单元的一部分，其余部分均关闭，从而能达到对本实用新型功率放大器的输出功率的可调节；这种放大器对功率的调节是在各级的放大器电路的内部，所以对不同的输出功率并不需要多余的放大器电路；从而保证了该多模功率放大器芯片的面积较小，集成度更高，成本更低。
4、市场上述方案中的放大器设计可能是高低功率双模，或是高中低功率三模，一种产品只能选择其中一个模式，即高低双模的放大器不能实现高中低功率三模。本实用新型的功率放大器方案可以涵盖高低功率双模以及高中低功率三模，甚至可以涵盖更多输出功率的模式。
5、市场上述方案中的放大器设计可能是针对3G电路，例如宽带码分多址、带码分多址、时分同步码分多址、或是4G网路，例如LTE，包括成对频谱模式及非成对频谱模式；但是既定设计无法在其它模式下实现高性能，例如针对TD-SCDMA的设计无法在WCDMA或是4GLTE的电路中实现高性能，比如在TD-SCDMA中效率优良线性度较好，但在WCDMA或是4GLTE的电路中效率低，线性度差。而本实用新型的多模功率放大器可以通过功率模式控制电路单独控制放大电路的各级中各个并联连接的单位放大单元的偏置电压或偏置电流从而能来优化在不同线性模式下和/或不同通信制式下的性能。
6、市场上使用现有方案中的移动终端，每级需要多个功率放大器电路来实现模式的转换。而本实用新型多功率放大器，可以使移动终端减少面积/体积，可以节省移动终端的成本，同时由于输出级放大器能够对称的在地线两侧平衡散热，该模功率放大器不但能保持线性功率放大电路的既有线性度，而且同时降低了半导体晶体管的结温，从而提高了功率放大器的效率、以及移动终端的线性度以及移动终端的效率。
附图说明
图1为现有技术中高中低三路功率放大器原理图；
图2为现有技术中高低双功率两级放大器原理图；
图3为现有技术中饱和功率放大器输出级放大电路接地示意图；
图4为现有技术中线性功率放大器输出级放大电路接地示意图；
图5本实用新型多功率两级放大器原理图；
图6为本实用新型多功率三级放大器原理图；
图7为本实用新型多功率放大器输出级放大电路接地示意图。
具体实施方式
本实施例中，一种多模功率放大器，是利用至少两级的放大电路以级联方式连接，通过灵活配置各级放大电路中的各个单位放大单元的偏置电压或偏置电流可以在不同功率输出要求下实现功率放大器的射频增益，线性度以及效率的优化，同时该功率放大器由于采用了输出级电路平衡接地的连接技术，从而实现了一个能更加平衡散热的设计方案，在保持放大器线性度的前提下提高了放大器的效率。此外这种灵活而高效的功率放大器可以兼容3G/4G信号并且能在多种通信制式下实现高性能。具体的说，该多模功率放大器包括：M级级联放大电路和输出匹配电路；其中的M级级联放大电路的第i个级联的放大电路中包含Ni个并联连接的单位放大单元；1≤i≤M且M≥2；
射频信号从M级级联放大电路的第i个级联的放大电路的输入端进入并经过Ni个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第i+1个级联的放大电路的输入端进行放大，直到经过第M个级联的放大电路的放大后，获得级联放大信号并传递给输出匹配电路；
输出匹配电路对级联放大信号进行负载优化匹配后输出至天线。
市场现有方案中高功率输出时使用M级级联放大电路，高功率输出时使用M级级联放大电路，其中第i个级联放大器包含了Ni个并联连接的单位放大单元；低功率输出时使用M级级联放大电路，其中第i个级联放大器包含了Nj个并联连接的单位放大单元。其中Ni和Nj分别属于不同放大器电路，Ni是高功率输出的放大器通路，Nj是低功率输出的放大器通路；
而本实用新型的多模功率放大器中的M级级联放大电路中的每一级放大电路都是仅用一个放大器的设计，该放大器包含了Ni个并联连接的单位放大单元。高功率输出时，使用全部Ni个并联连接的单位放大单元；射频信号从M级级联放大电路的第i个级联的放大电路的输入端进入并经过Ni个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第i+1个级联的放大电路的输入端进行放大，直到经过第M个级联的放大电路的放大后，获得级联放大信号并传递给输出匹配电路。中功率或低功率输出时，选取Ni个并联连接的单位放大单元中的Nj个单位放大单元，即射频信号从M级级联放大电路的第i个级联的放大电路的输入端进入并经过Ni个并联连接的单位放大单元的一部分(例如Ni/2，Ni/3，Ni/4……等等)放大后，再输出至第i+1个级联的放大电路的输入端进行放大，直到经过第M个级联的放大电路的放大后，获得级联放大信号并传递给输出匹配电路。由于射频信号仅经过Ni个并联连接的单位放大单元的一部分(例如Ni/2，Ni/3，Ni/4……等等)放大，Ni个并联连接的单位放大单元的其余部分均关闭，从而能达到对本实用新型功率放大器的输出功率的可调节。从而保证了该多模功率放大器芯片的面积更小，集成度更高，成本更低。
图5为本实用新型的一种多模功率放大器在M＝2时，即两级级联放大电路的示意图。其中的2级级联放大电路的第i个级联的放大电路中包含Ni个并联连接的单位放大单元；1≤i≤2。射频信号从这2级级联放大电路的第1个级联的放大电路的输入端进入并经过N1个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第2个级联的放大电路的输入端进行放大，获得级联放大信号并传递给输出匹配电路；本实用新型的多模功率放大器的输出匹配电路504对级联放大信号进行负载优化匹配后输出至天线。
图6为本实用新型的一种多模功率放大器在M＝3时，即三级级联放大电路的示意图。其中的3级级联放大电路的第i个级联的放大电路中包含Ni个并联连接的单位放大单元；1≤i≤3。射频信号从这3级级联放大电路的第1个级联的放大电路的输入端进入并经过N1个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第2个级联的放大电路的输入端并经过N2个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第3个级联的放大电路的输入端进行放大，获得级联放大信号并传递给输出匹配电路；本实用新型的多模功率放大器的输出匹配电路605对级联放大信号进行负载优化匹配后输出至天线。
以此类推，本实用新型的一种多模功率放大器在任意整数M≥2均可实现。
本实施例中，本实用新型一种多模功率放大器在版图上和实际电路芯片中，如图7所示，该多模功率放大器输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为对称排列的两个阵列；每个阵列包含NM/2个并联连接的单位放大单元，且分别设置在一组地线GND的两侧；一组地线GND是由X个晶圆贯通接地TWV排成一列组成；其中X是任意整数按照电路芯片面积和散热需要而定，J是任意整数按照电路芯片面积和功率输出匹配需求而定。每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND相连；每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC相连；一组电源线VCC为第M个级联放大电路的输出线，并由J个芯片上焊盘BondPad排成一列组成；一组地线与一组电源线VCC为平行设置。
在同样的芯片面积上以及同样多的晶圆贯通接地TWV地GND的数量条件下，本实用新型多模功率放大器输出级的单位放大单元晶体管大小可以是传统设计中单位放大单元晶体管的一半，并且各个单位放大单元距离地GND的距离相比于传统设计中而言更接近一致，从而减少了各个单位放大单元到地的电感不均衡以及散热不均衡。多模功率放大器不但能保持线性功率放大电路的既有线性度，而且同时降低了半导体晶体管的结温，从而提高了功率放大器的效率。在实际应用中，这种平衡散热的接地方式还能够节省芯片面积，在同等芯片面积上能够排列更多的晶圆贯通接地TWV达到更好的散热目的，同时提高了放大器的效率。
本实施例中，一种多模功率放大器的应用，主要由多模功率放大器与功率模式控制电路构成多模功率放大模块；
其中的功率模式控制电路分别通过M组偏置电压或偏置电流来相应控制M级级联放大电路；第i组偏置电压或偏置电流包含Ni个偏置电压或偏置电流并相应控制Ni个并联连接的单位放大单元；各级放大电路中各个基本放大单元阵列的偏置电压或是偏置电流由功率模式控制电路分别独立控制。当多模功率放大器处于高功率输出模式时，各级放大电路的各个基本放大单元通过偏置电压或偏置电流均设为导通状态；当多模功率放大器处于中功率或是低功率输出模式时，各级放大电路的部分基本放大单元通过偏置电压或偏置电流设为导通状态，其余部分基本放大单元通过偏置电压或偏置电流均设为关闭状态；从而实现对多模功率放大器的射频增益和不同输出功率的优化。
这种设计方案能达到在任意功率下对功率放大器的性能通过M组偏置电压或偏置电流来相应控制M级级联放大电路；第i组偏置电压或偏置电流包含Ni个偏置电压或偏置电流并相应控制Ni中全部或是部分的单位放大单元来对射频信号进行相应的放大并进行其它射频放大器性能的优化，从而达到多功率的可调节。
功率模式控制电路通过偏置电压或偏置电流能对多模功率放大器的功率进行控制，从而实现高中低三种功率的输出模式或是高低两种输出功率的输出模式。
多模功率放大器的多模切换方法为：
多模功率放大器中各个级联的放大电路的各个并联连接的单位放大单元的偏置电压或偏置电流是由功率模式控制电路的独立控制来优化在不同线性模式下和/或不同通信制式下的性能。
本实用新型提供了一种射频放大器及其模块通路中核心元件均可调节的方案，其中功率放大器的每级均可调节来参与最终输出功率可调，其中输出级放大器电路采用全新的平衡接地的连接方式。其中功率模式控制电路可以由CMOS或是SOI技术的芯片，多级级联功率放大器的设计可以是任何适合放大器的半导体技术，例如可以包括且不局限于CMOS的技术，SOI的技术，GaAsHBT的技术，GaAspHEMT的技术，GaNHEMT的技术，LDMOS的技术，甚至可以是多种半导体技术的组合，例如放大器的第一级放大电路由CMOS或SOI技术设计，第二级放大电路由GaAsHBT技术设计。其中负载输出匹配电路中的阻抗元件可以是无源分立元件，或者基于半导体集成技术的无源元件，或者是基于基板工艺，但不局限于上述实现方式，也可以是上述的多种技术的组合。
本实用新型提供了一种多模且平衡散热高效率的可控功率放大器及包含该放大器及其模块的方案，其主要应用可以在射频终端设备包括并不局限于移动电话，平板电脑，笔记本电脑，车载电子的无线通信设备，物联网的无线通信设备等等。此外本实用新型的多模放大器及其模块也可以应用在其它无线通信设备之中，包括并不局限于通信基站，卫星无线通信，军用无线通信设备等等。因此本实用新型所提出的技术方案，可以应用于需要多功率模式且工作带宽可调的任何无线通信终端，并且不受具体通信频段的限制。任何在具体电路或芯片布局实现形式上的变化，都包括在本专利的涵盖范围之内。
Claims (3)
1.一种平衡散热的多模功率放大器，其特征是包括：M级级联放大电路和输出匹配电路；所述M级级联放大电路的第i个级联的放大电路中包含Ni个并联连接的单位放大单元；1≤i≤M且M≥2；
射频信号从所述M级级联放大电路的第i个级联的放大电路的输入端进入并经过Ni个并联连接的单位放大单元的放大后，再输出至第i+1个级联的放大电路的输入端进行放大，直到经过第M个级联的放大电路的放大后，获得级联放大信号并传递给所述输出匹配电路；
所述输出匹配电路对所述级联放大信号进行负载优化匹配后输出至天线。
2.根据权利要求1所述的多模功率放大器，其特征是，设置所述多模功率放大器输出级中第M个级联放大电路的NM个并联连接的单位放大单元为对称排列的两个阵列；每个阵列包含NM/2个并联连接的单位放大单元，且分别设置在一组地线GND的两侧；
所述一组地线GND是由X个晶圆贯通接地TWV排成一列组成；
每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的发射极或是栅极与一组地线GND中相对应的地线GND相连；
每个阵列中的各个单位放大单元分别通过其晶体管的集电极或漏级与一组电源线VCC相对应的电源线VCC相连；
所述一组电源线VCC为第M个级联放大电路的输出线，并由J个芯片上焊盘BondPad排成一列组成；
所述一组地线与所述一组电源线VCC为平行设置。
3.一种移动终端，其特征是：所述移动终端具有如权利要求1或2所述的多模功率放大器。
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2016
- 2016-01-08 CN CN201620028477.5U patent/CN205304741U8/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105680801A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-06-15 | 合肥雷诚微电子有限公司 | 一种平衡散热的多模功率放大器及其应用 |
| CN105680801B (zh) * | 2016-01-08 | 2018-06-15 | 合肥雷诚微电子有限责任公司 | 一种平衡散热的多模功率放大器及其移动终端 |
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| CN205304741U8 (zh) | 2017-03-15 |
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