CN211088294U - Led芯片的转移基板及系统 - Google Patents

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CN211088294U CN201921773581.7U CN201921773581U CN211088294U CN 211088294 U CN211088294 U CN 211088294U CN 201921773581 U CN201921773581 U CN 201921773581U CN 211088294 U CN211088294 U CN 211088294U
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刘召军
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莫炜静
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Abstract

本实用新型公开了一种LED芯片的转移基板及系统,一种LED芯片的转移基板,包括:基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。达到了进行LED芯片巨量转移时,有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片,提高了后LED芯片巨量转移时的效率和准确率。

Description

LED芯片的转移基板及系统
技术领域
本实用新型实施例涉及LED芯片转移技术,尤其涉及一种LED芯片的基板及系统。
背景技术
在Micro-LED显示器件制作过程中,由于Micro-LED芯片尺寸小,制作显示器件往往需要大量的LED芯片。对于一个4K电视而言,单个屏幕所需Micro-LED芯片829.4万个,需要转移的红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片一共多达2488.2万个,而每一个Micro-LED像素直径又仅为30μm,目前设备加工速度约为25000个单位/小时,加工一个4K屏幕就需要1个多月。因此巨量转移技术成为Micro-LED显示发展生产技术的难点,尤其是对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移时还需要将红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行准确区分。
实用新型内容
本实用新型提供一种LED芯片的转移基板及系统,以实现在进行红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移过程,对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行有效区分和准确转移。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种LED芯片的转移基板,包括:基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。
可选的,所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内包括磁铁。
可选的,所述第一凹槽还包括第一线圈、第二凹槽还包括第二线圈,第三凹槽还包括第三线圈。
可选的,所述LED芯片转移基板还包括:
与所述第一线圈、和/或所述第二线圈、和/或所胡第三线圈连接的电源。
可选的,所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。
第二方面,本实用新型实施例提供了一种LED芯片的转移系统,包括:
溶液槽,用于盛放缓冲液;
LED芯片转移基板,为上述任一LED芯片转移基板,浸没在所述缓冲液中。
可选的,所述LED芯片的转移系统还包括:
驱动电路,用于驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内,所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内,所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内。
可选的,所述LED芯片的转移系统还包括:浸入所述缓冲液中的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。
可选的,所述第一形状基部、所述第二形状基部和所述第三形状基部上包括磁性材料。
可选的,所述缓冲液为去离子水或丙酮。
本实用新型技术方案,通过设置第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,设置第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,设置第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位,解决了在进行多种LED芯片同时转移时,难以区分不同种类芯片的问题,达到了进行LED芯片巨量转移时,有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片,提高了后续转移时的效率和准确率,也避免了红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片在后续安装中的错位,导致生产LED显示器显示紊乱。
附图说明
下面将通过参照附图详细描述本实用新型的示例性实施例,使本领域的普通技术人员更清楚本实用新型实施例的上述及其他特征和优点,附图中:
图1是本实用新型实施例一中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯的流程图;
图2是本实用新型实施例一中的LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽的示意图;
图3是本实用新型实施例一中的第一形状基部与第一凹槽内,第二形状基部与第二凹槽,第二形状基部与第三凹槽分别对位的示意图;
图4是本实用新型实施例一中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯的流程图;
图5是本实用新型实施例一中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯的流程图;
图6是本实用新型实施例二中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯的流程图;
图7是本实用新型实施例二中的LED芯片转移基板的示意图;
图8是本实用新型实施例二中的第一形状基部与第一凹槽内,第二形状基部与第二凹槽,第二形状基部与第三凹槽分别对位的示意图;
图9是本实用新型实施例三中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯的流程图;
图10是本实用新型实施例三中的LED芯片转移基板、第一形状基部、第二形状基部和第三形状基部的示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对实用新型的限定。另外还需要说明的是,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外,术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等,但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说,在不脱离本实用新型的范围的情况下,可以将第一LED芯片为第二LED芯片,且类似地,可将第二LED芯片称为第一LED芯片。第一LED芯片和第二LED芯片两者都是LED芯片,但其不是同一LED芯片。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。需要说明的是,当部被称为“固定于”另一个部,它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。当一个部被认为是“连接”到另一个部,它可以是直接连接到另一个部或者可能同时存在居中部。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述,只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是,一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理,但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外,各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止,但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。
实施例一
图1为本实用新型实施例一提供的使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯片的流程图,具体包括如下步骤:
步骤110、将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内,所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板,所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状。
本步骤中,缓冲液5为不可导电的去离子水或丙酮,参见图2,第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽设置在LED芯片转移基板6的同一侧。本步骤中,LED芯片转移基板6置于盛放有缓冲液5的溶液槽4内包括:LED芯片转移基板6上设置的有第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的一侧朝上放置完全浸没在缓冲液5中。
步骤120、将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。
本步骤中,所述第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。第一LED芯片包括第一形状基部和嵌于第一形状基部的第一LED芯片本体;第二LED芯片包括第二形状基部和嵌于第二形状基部的第二LED芯片本体;第三LED芯片包括第三形状基部和嵌于第三形状基部的第三LED芯片本体。
步骤130、驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至第一凹槽内,所述第二形状基部对位至第二凹槽内,所述第二形状基部对位至第三凹槽内,所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间,和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。
本步骤中,驱动所述缓冲液流动主要由驱动电路执行,其中驱动所述缓冲液流动的方法包括:对液体进行超声波震荡或借助外力进行搅拌。具体的,驱动电路驱动超声波发生器向缓冲液发出超声波以震荡缓冲液,也可以通过驱动电路驱动机械手对缓冲液进行搅拌。液体流动可以产生微机械力,推动第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片进行对位。第一形状基部可以匹配对位嵌入第一凹槽内,第二形状基部可以匹配对位嵌入第二凹槽内,第三形状基部可以匹配对位嵌入第三凹槽内。
示例性的,参见图3,以第一形状为方形,第二形状为三角形,第三形状为圆形为例,第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片在驱动缓冲液流动后,在缓冲液的微机械力的带动下发生移动,当第一LED芯片的方形基部71在微机械力的带动下与LED芯片转移基板6的方形凹槽61对位时,LED芯片转移基板6的方形凹槽61通过磁性力吸附第一LED芯片的方形基部71以将第一芯片转移至LED芯片转移基板6上;当第二LED芯片的三角形基部72在微机械力的带动下与LED芯片转移基板6的三角形凹槽62对位时,LED芯片转移基板6的三角形凹槽62通过磁性力吸附第二LED芯片的三角形基部72以将第二芯片转移至LED芯片转移基板6上;当第三LED芯片的圆形基部73在微机械力的带动下与LED芯片转移基板6的圆形凹槽63对位时,LED芯片转移基板6的圆形凹槽63通过磁性力吸附第三LED芯片的圆形基部73以将第三芯片转移至LED芯片转移基板6上。第一形状为方形,第二形状为三角形,第三形状为圆形的设计结构简单,易于制作,相对其他异形结构制作成本更低。
本步骤中,可以通过在LED芯片转移基板的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽内设置磁铁,在第一形状基部、第二形状基部和第三形状基部上设置的磁性材料实现所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间,和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。
本实施例的技术方案,通过设置第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,设置第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,设置第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位,解决了在进行多种LED芯片同时转移时,难以区分不同种类芯片的问题,达到了进行LED芯片巨量转移时,有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片,提高了后续转移时的效率,也避免了红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片在后续安装中的错位,导致生产LED显示器显示紊乱。
替代实施例,参见图4,在步骤130之后还包括:
步骤140、将所述LED芯片转移基板上的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片固定在目标基板上。
本替代实施例中,LED芯片转移基板上设置的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的位置与目标基板上预设的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片的固定位置一一对应。第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片通过焊接法固定在目标基板上。
替代实施例,参见图5,步骤140之后还包括:
步骤150、将所述LED芯片转移基板与第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分离。
实施例二
图6为本实用新型实施例二中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯片的流程图,具体包括如下步骤:
步骤210、将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内,所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板,所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,所述第一凹槽还包括第一线圈、第二凹槽还包括第二线圈,第三凹槽还包括第三线圈。
本实施例中,参见图7,LED芯片转移基板的第一凹槽611还包括在第一凹槽611下方设置的第一线圈81;第二凹槽622还包括在第二凹槽622下方设置的第二线圈82;第三凹槽633还包括在第三凹槽633下方设置的第三线圈83;给线圈通直流电后,将产生磁场,可以用于吸附磁性材料。
步骤220、将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极,所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极,所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极,所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。
本步骤中,所述第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。第一磁极通过固定在第一形状基部的第一表面的磁铁产生;第二磁极通过固定在第二形状基部的第二表面的磁铁产生;第三磁极通过固定在第三形状基部的第三表面的磁铁产生。
步骤230、驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至第一凹槽内,所述第二形状基部对位至第二凹槽内,所述第二形状基部对位至第三凹槽内,所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间,和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。
本实施例中,所述驱动所述缓冲液流动之时或之前还包括:
步骤231、控制所述第一线圈的第一端生成第四磁极,所述第四磁极与第一磁极之间为磁性吸引力;
步骤232、控制所述第二线圈的第二端生成第五磁极,所述第五磁极和第二磁极之间为磁性吸引力;
步骤233、控制所述第三线圈的第三端生成第六磁极,所述第六磁极和第三磁极之间为磁性吸引力。
本实施例中,步骤231、步骤232和步骤233可以同时执行,也可以分开执行。
本实施例中,参见图8,在第一线圈81、第二线圈82和第三线圈83通直流电之后,第一线圈81的第一端生成第四磁极;第二线圈82的第二端生成第五磁极;第三线圈83的第三端生成第六磁极。驱动所述缓冲液流动后,在缓冲液的微机械力的带动下,第一形状基部711的第一表面701、第二形状基部722的第二表面702和第三形状基部733第三表面703可以分别通过磁性例与吸附在第一凹槽611、第二凹槽622和第三凹槽633内。
步骤240、将所述LED芯片转移基板上的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片固定在目标基板上。
步骤250、断开所述第一线圈、第二线圈和第三线圈的电源,以将所述LED芯片转移基板与第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分离。
本步骤中,断开第一线圈、第二线圈和第三线圈的电源之后,磁场消失,第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片与第一线圈、第二线圈和第三线圈之件的磁性力消失,第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片将脱离LED芯片转移基板的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。
在本实施例中,在将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片固定在目标基板之前,还可以将一些在转移过程中损坏的芯片进行移除,具体的,可以将吸附损坏的芯片凹槽的线圈的电源断开或者通入反向的电流通过磁性排斥力将损坏的芯片移除。
本实施例的技术方案,通过设置第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,设置第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,设置第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位,解决了在进行多种LED芯片同时转移时,难以区分不同种类芯片的问题,达到了进行LED芯片巨量转移时,有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片,提高了后续转移时的效率和准确率,也避免了红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片在后续安装中的错位,导致生产LED显示器显示紊乱。
实施例三
图9为本实用新型实施例三提供的中使用LED芯片的转移基板和/或LED芯片的转移系统转移LED芯片的流程图,具体包括如下步骤:
步骤310、LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内,所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板,所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,第一凹槽还包括第七磁极、第二凹槽还包括第八磁极,第三凹槽还包括第九磁极。
本实施例中,第七磁极通过固定在第一凹槽底部的磁铁产生;第八磁极通过固定在第二凹槽底部的磁铁产生;第九磁极通过固定在第三凹槽底部的磁铁产生。
步骤320、将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极,所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极,所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极,所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。
本步骤中,所述第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。第一磁极通过固定在第一形状基部的第一表面的磁铁产生;第二磁极通过固定在第二形状基部的第二表面的磁铁产生;第三磁极通过固定在第三形状基部的第三表面的磁铁产生。
步骤330、驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至第一凹槽内,所述第二形状基部对位至第二凹槽内,所述第二形状基部对位至第三凹槽内,所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间,和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。
本步骤中,所述第七磁极与第一磁极之间为磁性吸引力,所述第八磁极与第二磁极之间为磁性吸引力,所述第九磁极与第三磁极之间为磁性吸引力。
步骤340、将所述LED芯片转移基板上的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片固定在目标基板上。
步骤350、将所述LED芯片转移基板放置于基板溶解液中进行溶解,以将所述LED芯片转移基板与第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分离。
本实施例中,通过LED芯片转移基板与LED的芯片的材料不同,LED芯片转移基板可溶于溶解液而LED的芯片不溶解。
本实施例的技术方案,通过设置第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,设置第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,设置第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位,解决了在进行多种LED芯片同时转移时,难以区分不同种类芯片的问题,达到了进行LED芯片巨量转移时,有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片,提高了后续转移时的效率和准确率,也避免了红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片在后续安装中的错位,导致生产LED显示器显示紊乱。
替代实施例中,所述第一形状基部的第一表面包括N磁极和S磁极;所述第二形状基部的第二表面包括N磁极和S磁极;所述第三形状基部的第三表面包括N磁极和S磁极;所述第一凹槽包括N磁极和S磁极;所述第二凹槽包括N磁极和S磁极;所述第三凹槽包括N磁极和S磁极。
具体的,参见图10,第一形状基部711的第一表面701两侧分别设置N磁极和S磁极;第二形状基部722的第二表面702两侧分别设置N磁极和S磁极;第三形状基部733的第三表面703两侧分别设置N磁极和S磁极。第一凹槽611的两侧分别设置N磁极和S磁极,第一凹槽611内的N磁极和S磁极与第一表面701分别设置N磁极和S磁极的位置一一对应,以将第一形状基部711通过磁性力吸附至第一凹槽611;第二凹槽622的两侧分别设置N磁极和S磁极,第二凹槽622内的N磁极和S磁极与第二表面702分别设置N磁极和S磁极的位置一一对应,以将第二形状基部722通过磁性力吸附至第二凹槽622;第三凹槽633的两侧分别设置N磁极和S磁极,第三凹槽633内的N磁极和S磁极与第三表面703分别设置N磁极和S磁极的位置一一对应,以将第三形状基部733通过磁性力吸附至第三凹槽633。
本实替代施例通过在芯片的基部设置N磁极和S磁极,在凹槽内匹配设置S磁极和N磁极,可以使LED芯片转移基板的凹槽更加准确的吸附对应的芯片。
实施例四
本实施例四提供了一种LED芯片的转移基板,包括:基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。
替代实施例中,所述第一凹槽包括至少一个磁极、所述第二凹槽包括至少一个磁极、所述第三凹槽包括至少一个磁极。
替代实施例中,所述第一凹槽还包括第一线圈、第二凹槽还包括第二线圈,第三凹槽还包括第三线圈。
替代实施例中,所述LED芯片转移基板还包括:与第一线圈、和/或第二线圈、和/或第三线圈连接的电源。
替代实施例中,所述第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。
实施例五
本实施例五提供了一种LED芯片的转移系统,包括:
溶液槽,用于盛放缓冲液;
LED芯片转移基板,为上述实施例中任一一种LED芯片转移基板,浸没在所述缓冲液中。
具体的,所述缓冲液为去离子水或丙酮。
替代实施例中,所述LED芯片的转移系统还包括:浸入所述缓冲液中的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。
替代实施例中,LED芯片的转移系统还包括:驱动电路,用于驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至第一凹槽内,所述第二形状基部对位至第二凹槽内,所述第二形状基部对位至第三凹槽内。
替代实施例中,所述第一形状基部的第一表面包括N磁极和S磁极;所述第二形状基部的第二表面包括N磁极和S磁极;所述第三形状基部的第三表面包括N磁极和S磁极;所述第一凹槽包括N磁极和S磁极;所述第二凹槽包括N磁极和S磁极;所述第三凹槽包括N磁极和S磁极。所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内包括磁铁,所述第一形状基部、所述第二形状基部和所述第三形状基部上包括磁性材料。
替代实施例中,所述第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种LED芯片的转移基板,其特征在于,包括:基板本体与基板本体定义的凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽为第一形状,所述第二凹槽为第二形状,所述第三凹槽为第三形状,所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位,所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位,所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的转移基板,其特征在于,所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内包括磁铁。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的转移基板,其特征在于,所述第一凹槽还包括第一线圈、所述第二凹槽还包括第二线圈,所述第三凹槽还包括第三线圈。
4.根据权利要求3所述的LED芯片的转移基板,其特征在于,所述LED芯片转移基板还包括:
与所述第一线圈、和/或所述第二线圈、和/或所述第三线圈连接的电源。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的转移基板,其特征在于,所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片分别对应红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。
6.一种LED芯片的转移系统,其特征在于,包括:
溶液槽,用于盛放缓冲液;
LED芯片转移基板,为权利要求1-5任一项权利要求所述的LED芯片转移基板,浸没在所述缓冲液中。
7.根据权利要求6所述的LED芯片的转移系统,其特征在于,所述LED芯片的转移系统还包括:
驱动电路,用于驱动所述缓冲液流动,以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内,所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内,所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内。
8.根据权利要求6所述的LED芯片的转移系统,其特征在于,所述LED芯片的转移系统还包括:浸入所述缓冲液中的第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片,所述第一LED芯片包括第一形状基部,所述第二LED芯片包括第二形状基部,所述第三LED芯片包括第三形状基部。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的转移系统,其特征在于,所述第一形状基部、所述第二形状基部和所述第三形状基部上包括磁性材料。
10.根据权利要求6所述的LED芯片的转移系统,其特征在于,所述缓冲液为去离子水或丙酮。
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