CN211062700U - 耐高压光电耦合器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种耐高压光电耦合器,包括:管壳,包括黑胶外层和透明内层,透明内层包括内层顶端面、内层底端面和内层侧面,黑胶外层包括外层顶端面、外层底端面和外层侧面;发光器和受光器,均设置在透明内层内部并分别靠近相对向的两处内层侧面,发光器和受光器之间的间距为8.26毫米;输入管脚,穿过发光器靠近的外层侧面和内层侧面后与发光器连接;输出管脚,穿过受光器靠近的外层侧面和内层侧面后与受光器连接。将发光器和受光器之间的间距增加至8.26毫米,增加了爬电距离,其次,将发光器和受光器分别设置在相对的内层侧面,不会出现压塌支架情况,保证了发光器和受光器之间的距离达到耐高压的要求,提高了光电耦合器的耐高压水平。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子器件技术领域,特别涉及一种耐高压光电耦合器。
背景技术
光电耦合器,是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”的转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出和输入之间绝缘、单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。
但是随着当代电子技术的不断发展及普及,光电耦合器在电子电路方面的应用已相当广泛,目前市场上对光电耦合器的耐压要求越来越高,传统普通的光电耦合器已无法满足市场日益增长的需求。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种耐高压光电耦合器,能够大大提高耐压性能。
根据本实用新型的实施例的耐高压光电耦合器,包括:
管壳,包括黑胶外层和透明内层,所述黑胶外层呈长方体状设置,所述透明内层位于所述黑胶外层内部,所述透明内层的形状和所述黑胶外层的形状对应设置,所述透明内层包括内层顶端面、内层底端面和内层侧面,所述黑胶外层包括外层顶端面、外层底端面和外层侧面;
发光器和受光器,均设置在所述透明内层内部并分别靠近相对向的两处所述内层侧面;所述发光器和所述受光器分别靠近的两处相对向的所述外层侧面之间的间距为12.05毫米,所述外层顶端面和所述外层底端面之间的间距为3.48毫米,所述发光器和所述受光器之间的间距为8.26毫米;
输入管脚,穿过所述发光器靠近的所述外层侧面和所述内层侧面后与所述发光器连接;
输出管脚,穿过所述受光器靠近的所述外层侧面和所述内层侧面后与所述受光器连接。
根据本实用新型实施例的耐高压光电耦合器,至少具有如下有益效果:本实用新型实施例中,将光电耦合器的长度由原来的6.5毫米增加至12.05毫米,可以使得内部的发光器和受光器之间的间距可以由原来的1.11毫米增加至8.26毫米,大大增加了爬电距离,从而大大提高了光电耦合器的耐高压水平;另外,现有的光电耦合器是将发光器和受光器分别靠近设置在内层顶端面和内层底端面,若在塑封过程中出现压塌支架可能会导致发光器和受光器之间的间距比1.11毫米更少,而本实用新型实施例将发光器和受光器分别靠近设置在相对向的两处内层侧面位置处,不会出现压塌支架情况,保证了发光器和受光器之间的距离达到耐高压的要求,进一步提高了光电耦合器的耐高压水平。
根据本实用新型的一些实施例,所述发光器为红外线发光二极管,所述受光器为光敏半导体管。
根据本实用新型的一些实施例,所述输入管脚的数量包括至少两条。
根据本实用新型的一些实施例,所述输出管脚的数量包括至少两条。
根据本实用新型的一些实施例,所述黑胶外层的材质为环氧树脂。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请实施例的耐高压光电耦合器的剖视图;
图2现有的光电耦合器的剖视图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本实用新型的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
参照图1,本申请一个实施例提供了一种耐高压光电耦合器,包括:
管壳100,包括黑胶外层110和透明内层120,黑胶外层110呈长方体状设置,透明内层120位于黑胶外层110内部,透明内层120的形状和黑胶外层110的形状对应设置,透明内层120包括内层顶端面、内层底端面和内层侧面,黑胶外层110包括外层顶端面、外层底端面和外层侧面;
发光器210和受光器310,均设置在透明内层120内部并分别靠近相对向的两处内层侧面;发光器210和受光器310分别靠近的两处相对向的外层侧面之间的间距为12.05毫米,外层顶端面和外层底端面之间的间距为3.48毫米,发光器210和受光器310之间的间距为8.26毫米;
输入管脚220,穿过发光器210靠近的外层侧面和内层侧面后与发光器210连接;
输出管脚320,穿过受光器310靠近的外层侧面和内层侧面后与受光器310连接。
在一实施例中,参照图2,对于现有的耐10KV高压的光电耦合器,总体长度为6.5毫米,内部发光器和受光器之间的间距为1.11mm,且发光器和受光器的位置呈上下分布。而参照图1,本申请实施例中的光电耦合器,将整体长度由原来的6.5毫米增加至12.05毫米,从而可以使得内部的发光器210和受光器310之间的间距可以由原来的1.11毫米增加至8.26毫米,大大增加了爬电距离,从而大大提高了光电耦合器的耐高压水平;另外,参照图2,现有的光电耦合器是将发光器和受光器分别靠近设置在内层顶端面和内层底端面,若在塑封过程中出现压塌支架可能会导致发光器和受光器之间的间距比1.11毫米更少,而参照图1,本申请实施例将发光器210和受光器310分别靠近设置在相对向的两处内层侧面位置处,不会出现压塌支架情况,保证了发光器210和受光器310之间的距离达到耐高压的要求,进一步提高了光电耦合器的耐高压水平。
需要说明的是,光电耦合器的隔离电压是指其耐压能力,也说明其绝缘性能的好坏。其次,耐压10KV是指该光电耦合器可以承受10KV交流电,测试时间1min的高压冲击。对于耐压测试的方式,是将光电耦合器的输入管脚220连接在一起,输出管脚320也连接在一起,在输入管脚220和输出管脚320接上10KV的交流电来进行测试。
本申请另一个实施例提供了一种耐高压光电耦合器,发光器210为红外线发光二极管,受光器310为光敏半导体管。
本申请另一个实施例提供了一种耐高压光电耦合器,输入管脚220的数量包括至少两条。
本申请另一个实施例提供了一种耐高压光电耦合器,输出管脚320的数量包括至少两条。
本申请另一个实施例提供了一种耐高压光电耦合器,黑胶外层110的材质为环氧树脂。黑胶外层110是包裹在表面,用于隔绝外界光线影响。
上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明,但是本实用新型不限于上述实施例,在所述技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (5)
1.一种耐高压光电耦合器,其特征在于,包括:
管壳,包括黑胶外层和透明内层,所述黑胶外层呈长方体状设置,所述透明内层位于所述黑胶外层内部,所述透明内层的形状和所述黑胶外层的形状对应设置,所述透明内层包括内层顶端面、内层底端面和内层侧面,所述黑胶外层包括外层顶端面、外层底端面和外层侧面;
发光器和受光器,均设置在所述透明内层内部并分别靠近相对向的两处所述内层侧面;所述发光器和所述受光器分别靠近的两处相对向的所述外层侧面之间的间距为12.05毫米,所述外层顶端面和所述外层底端面之间的间距为3.48毫米,所述发光器和所述受光器之间的间距为8.26毫米;
输入管脚,穿过所述发光器靠近的所述外层侧面和所述内层侧面后与所述发光器连接;
输出管脚,穿过所述受光器靠近的所述外层侧面和所述内层侧面后与所述受光器连接。
2.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器,其特征在于:所述发光器为红外线发光二极管,所述受光器为光敏半导体管。
3.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器,其特征在于:所述输入管脚的数量包括至少两条。
4.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器,其特征在于:所述输出管脚的数量包括至少两条。
5.根据权利要求1所述的耐高压光电耦合器,其特征在于:所述黑胶外层的材质为环氧树脂。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CN202020016866.2U CN211062700U (zh) | 2020-01-03 | 2020-01-03 | 耐高压光电耦合器 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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CN202020016866.2U Active CN211062700U (zh) | 2020-01-03 | 2020-01-03 | 耐高压光电耦合器 |
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2020
- 2020-01-03 CN CN202020016866.2U patent/CN211062700U/zh active Active
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