CN211062591U - 一种电容器用高耐压多串金属化薄膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，包括第一薄膜、第二薄膜，第一薄膜和第二薄膜的下方设置有介质层，所述第一薄膜上设置有金属区、留边区以及加厚金属区，所述金属区设置于两加厚金属区之间，所述留边区位于金属区和加厚金属区之间，所述第二薄膜上设置有依次设置的金属区和留边区，加厚金属区方阻较低，损坏小，通流能力强，金属区相对方阻较高，耐压性能强，第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成多个串联的电容，同时通过形成加厚金属区，降低电容的方阻。

Description

一种电容器用高耐压多串金属化薄膜

技术领域

本实用新型涉及一种电容器用高耐压多串金属化薄膜。

背景技术

随着电力电子技术的发展，电力电子设备在各行各业起着重要作用，而薄膜电容器凭借其优异的电性能和高可靠性，成为电力电子行业发展不可或缺的关键元件。近年来电力电子设备电压、频率越来越高，对薄膜电容器的性能的要求也越来越高，然而传统的高压薄膜电容器实际应用中普遍采用多个独立电容器芯子串并联的方案。然而多个独立的芯子串并联必然造成电容自感大、等效串联电阻大，采用多串薄膜能同时兼具高压、低自感 、低等效串联电阻的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术上的不足之处，提供一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，旨在解决现有高压电容器自感大、等效串联电阻大的问题。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案：

一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，包括第一薄膜、第二薄膜，第一薄膜和第二薄膜的下方设置有介质层，所述第一薄膜上设置有金属区、留边区以及加厚金属区，所述金属区设置于两加厚金属区之间，所述留边区位于金属区和加厚金属区之间，所述第二薄膜上设置有依次设置的金属区和留边区，加厚金属区方阻较低，损坏小，通流能力强，金属区相对方阻较高，耐压性能强，第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成多个串联的电容，同时通过形成加厚金属区，降低电容的方阻。

于一个或多个实施例中，所述第一薄膜和第二薄膜层叠设置，层叠后的第一薄膜和第二薄膜卷绕一起。

于一个或多个实施例中，所述第一薄膜、第二薄膜卷成薄膜电容后，留边区使得薄膜电容形成多个电容串联。

于一个或多个实施例中，所述第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容。

于一个或多个实施例中，第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容的容量与第一薄膜和第二薄膜的金属层的正对有效面积相关。

于一个或多个实施例中，第二薄膜的每个金属区与第一薄膜上的金属区、加厚金属区错位相对形成两个串接的电容，第二薄膜的留边区与第一薄膜的留边区错位设置。

工作原理：

通过真空蒸镀工艺使两张介质膜分别具有加厚金属区、非加厚金属区和留边。通过卷绕使两张薄膜构成1个薄膜内串高压电容器芯子。该电容器芯子上下两层薄膜交叠形成第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4，电容C1、C2、C3、C4的容量分别与金属层的正对有效面积相关。在理想状态下，C1=C2=C3=C4=C，对应电压U1=U2=U3=U4=U，则整个芯子的容量为0.25C，电压为4U。生产大电容量高压电容时，只需将单个高压芯子并联即可。

有益效果：本实用新型提供一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，加厚金属区方阻较低，损坏小，通流能力强，金属区相对方阻较高，耐压性能强，第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成多个串联的电容，同时通过形成加厚金属区，降低电容的方阻。

附图说明

图1为本实用新型实施例电容器用高耐压多串金属化薄膜的结构示意图。

图2为本实用新型实施例电容器用高耐压多串金属化薄膜的串联示意图。

具体实施方式

如下结合附图，对本申请方案作进一步描述：

实施例：

参见附图1-2，一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，包括第一薄膜1、第二薄膜2，第一薄膜1和第二薄膜2的下方设置有介质层3，所述第一薄膜1上设置有金属区5、留边区6以及加厚金属区4，所述金属区5设置于两加厚金属区4之间，所述留边区6位于金属区5和加厚金属区4之间，所述第二薄膜2上设置有依次设置的金属区5和留边区6，加厚金属区4方阻较低，损坏小，通流能力强，金属区5相对方阻较高，耐压性能强，第一薄膜1和第二薄膜2层叠卷绕后形成多个串联的电容，同时通过形成加厚金属区4，降低电容的方阻。

进一步地，所述第一薄膜1和第二薄膜2层叠设置，层叠后的第一薄膜1和第二薄膜2卷绕一起。

进一步地，所述第一薄膜1、第二薄膜卷2成薄膜电容后，所述留边区6使得薄膜电容形成多个电容串联。

进一步地，所述第一薄膜1和第二薄膜2层叠卷绕后形成第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容。

进一步地，第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容的容量与第一薄膜和第二薄膜的金属层的正对有效面积相关。

进一步地，第二薄膜2的每个金属区5与第一薄膜1上的金属区5、加厚金属区3错位相对形成两个串接的电容，第二薄膜2的留边区6与第一薄膜1的留边区6错位设置。

上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。

Claims (6)

1.一种电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，包括第一薄膜、第二薄膜，第一薄膜和第二薄膜的下方设置有介质层，所述第一薄膜上设置有金属区、留边区以及加厚金属区，所述金属区设置于两加厚金属区之间，所述留边区位于金属区和加厚金属区之间，所述第二薄膜上设置有依次设置的金属区和留边区。

2.根据权利要求1所述的电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，所述第一薄膜和第二薄膜层叠设置，层叠后的第一薄膜和第二薄膜卷绕一起。

3.根据权利要求1所述的电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，所述第一薄膜、第二薄膜卷成薄膜电容后，留边区使得薄膜电容形成多个电容串联。

4.根据权利要求2所述的电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，所述第一薄膜和第二薄膜层叠卷绕后形成第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容。

5.根据权利要求4所述的电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容的容量与第一薄膜和第二薄膜的金属层的正对有效面积相关。

6.根据权利要求2所述的电容器用高耐压多串金属化薄膜，其特征在于，第二薄膜的每个金属区与第一薄膜上的金属区、加厚金属区错位相对形成两个串接的电容，第二薄膜的留边区与第一薄膜的留边区错位设置。

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