CN211036176U - 一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，属于单晶炉领域，一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，包括底座，所述底座内底壁固定安装有若干导向柱，使用时，首先将单晶炉支架放置于底座上方，底座用于对单晶炉小幅度晃动减震，然后将减震弹簧均匀固定于炉体减震架内壁四周，将减震筒固定于减震弹簧远离炉体减震架一侧，随后将减震弹簧固定于减震筒内壁四周，接着将弧形板固定于减震弹簧远离减震筒一侧，将炉体减震架固定于单晶炉支架上方与主炉室外侧，之后将固定杆固定于底座左右两侧，张开固定杆前后两侧的支撑架，最后将伸缩杆调整到合适高度后使用管卡固定主炉室顶部的副炉室。

Description

一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉

技术领域

本实用新型涉及单晶炉领域，更具体地说，涉及一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉。

背景技术

单晶炉由炉体、热场、磁场、控制装置等部件组成，硅料经过提炼提纯成为高纯度的多晶硅后，需在单晶炉中得到单晶硅棒，其中控制炉内温度的热场和控制晶体生长形状的磁场是决定单晶炉生产能力的关键，副室:主要是副室筒以及上下法兰组成，炉盖:副室连接法兰，翻板阀，观察窗、抽真空管道组成，炉筒:包括取光孔，下炉筒:包括抽真空管道，底座机架:全铸铁机架和底座，坩埚下传动装置:主要由磁流体、电机、坩埚支撑轴、减速机、软波纹管、立柱、上下传动支撑架、导轨、等部件组成，分水器已经水路布置:包括分水器，进水水管，若干胶管水管卡套等，氩气管道布置:质量流量计3根以上的柔性管、不锈钢管，3个压力探测器、高密封性卡套等部件，真空泵以及真空除尘装置:油压真空泵、水环真空泵、过滤器、真空管道、硬波纹管等，电源以及电控柜:电源柜、滤波柜、控制柜以及连接线。

单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶炉主炉室与副炉室较高，如果固定不完善会造成设备晃动倒塌造成损失，因此需要设计出一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉来解决上述问题。

实用新型内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，具备稳定性好的优点，解决了固定不完善造成设备晃动倒塌的问题。

2.技术方案

为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，包括底座，所述底座内底壁固定安装有若干导向柱，所述导向柱内部固定连接有弹簧，所述弹簧的顶部固定连接有顶杆，所述顶杆顶部固定连接有底板，所述底板顶部固定连接有单晶炉支架，所述单晶炉支架顶部固定安装有主炉室，所述单晶炉支架顶部且位于主炉室的外侧固定安装有炉体减震架，所述炉体减震架与主炉室之间设有减震筒，所述减震筒内外两侧均固定连接有若干个减震弹簧，所述减震筒通过减震弹簧与炉体减震架连接，所述减震筒内侧且位于主炉室的外侧设置有四个弧形板，所述弧形板与减震筒之间通过减震弹簧连接，所述炉体减震架顶部固定连接有副炉室，所述底座左右两侧均固定连接有固定杆，所述固定杆与炉体减震架之间固定安装有连接杆，所述固定杆底部且位于底座两侧固定连接有支撑架，所述固定杆顶部活动连接有伸缩杆，所述伸缩杆靠近副炉室一侧固定连接有管卡，使用时，首先将单晶炉支架放置于底座上方，底座用于对单晶炉小幅度晃动减震，然后将减震弹簧均匀固定于炉体减震架内壁四周，将减震筒固定于减震弹簧远离炉体减震架一侧，随后将减震弹簧固定于减震筒内壁四周，接着将弧形板固定于减震弹簧远离减震筒一侧，将炉体减震架固定于单晶炉支架上方与主炉室外侧，之后将固定杆固定于底座左右两侧，张开固定杆前后两侧的支撑架，最后将伸缩杆调整到合适高度后使用管卡固定主炉室顶部的副炉室。

优选的，所述伸缩杆靠近固定杆的一端贯穿开设有若干插孔，所述插孔竖直均匀分布于伸缩杆外侧，所述伸缩杆与固定杆之间通过定位杆与插孔连接，可以根据副炉室的高度通过定位杆与插孔的连接调整伸缩杆高度。

优选的，所述导向柱内开设有凹槽，所述凹槽顶部固定安装有限位块，所述弹簧位于凹槽内部，所述顶杆中部且位于限位块下方固定安装有卡块，通过限位块与卡块对顶杆起到限制活动的作用。

优选的，所述底座左右侧壁设有圆形滑槽，所述底板与圆形滑槽连接处设有滑块，所述滑块与圆形滑槽之间通过活动连接，对底板活动起到限制作用。

优选的，所述管卡套设于副炉室外侧并与伸缩杆连接，所述管卡通过螺栓螺母连接，根据副炉室的直径来通过扭动连接于管卡一侧的螺栓减少螺栓与螺母的间距以限制环于副炉室两侧的管卡，使管卡能较为稳定的夹持住副炉室，之后将管卡两侧固定于伸缩杆内侧以达到稳定副炉室的效果。

优选的，所述导向柱的数量为四到八个，多个所述导向柱均匀分布于底座内底壁，均匀排布的多个所述导向柱能使底板各部位受力更加均匀，能很好的避免单晶炉在使用过程中的位置偏移，能很好的提高此种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉的稳定性。

3.有益效果

相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

(1)本方案使用时，首先将单晶炉支架放置于底座上方，底座用于对单晶炉小幅度晃动减震，然后将减震弹簧均匀固定于炉体减震架内壁四周，将减震筒固定于减震弹簧远离炉体减震架一侧，随后将减震弹簧固定于减震筒内壁四周，接着将弧形板固定于减震弹簧远离减震筒一侧，将炉体减震架固定于单晶炉支架上方与主炉室外侧，之后将固定杆固定于底座左右两侧，张开固定杆前后两侧的支撑架，最后将伸缩杆调整到合适高度后使用管卡固定主炉室顶部的副炉室。

(2)所述伸缩杆靠近固定杆的一端贯穿开设有若干插孔，所述插孔竖直均匀分布于伸缩杆外侧，所述伸缩杆与固定杆之间通过定位杆与插孔连接，可以根据副炉室的高度通过定位杆与插孔的连接调整伸缩杆高度。

(3)所述导向柱内开设有凹槽，所述凹槽顶部固定安装有限位块，所述弹簧位于凹槽内部，所述顶杆中部且位于限位块下方固定安装有卡块，通过限位块卡块对顶杆起到限制活动的作用。

(4)所述底座左右侧壁设有圆形滑槽，所述底板与圆形滑槽连接处设有滑块，所述滑块与圆形滑槽之间通过活动连接，通过圆形滑槽与滑块对底板活动起到限制作用。

(5)所述管卡套设于副炉室外侧并与伸缩杆连接，所述管卡通过螺栓螺母连接，根据副炉室的直径来通过扭动连接于管卡一侧的螺栓减少螺栓与螺母的间距以限制环于副炉室两侧的管卡，使管卡能较为稳定的夹持住副炉室，之后将管卡两侧固定于伸缩杆内侧以达到稳定副炉室的效果。

(6)所述导向柱的数量为四到八个，多个所述导向柱均匀分布于底座内底壁，均匀排布的多个所述导向柱能使底板各部位受力更加均匀，能很好的避免单晶炉在使用过程中的位置偏移，能很好的提高此种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型可以降低晃动幅度的半导体单晶炉的整体结构示意图；

图2为本实用新型可以降低晃动幅度的半导体单晶炉的侧面结构示意图；

图3为本实用新型图1底座的结构示意图；

图4为本实用新型图1炉体减震架的结构示意图；

图5为本实用新型图3中B处结构示意图；

图6为本实用新型图3中A处结构示意图；

图7为本实用新型图1管卡俯视结构示意图。

图中标号说明：

1、底座；2、单晶炉支架；3、炉体减震架；4、副炉室；5、连接杆；6、固定杆；7、支撑架；8、伸缩杆；9、管卡；11、导向柱；12、顶杆；13、弹簧；14、底板；15、定位杆；16、弧形板；17、减震弹簧；18、减震筒；19、主炉室；20、圆形滑槽；21、滑块；22、限位块；23、卡块。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参阅图1-7，一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，包括底座1，底座1内底壁固定安装有若干导向柱11，导向柱11内部固定连接有弹簧13，弹簧13的顶部固定连接有顶杆12，顶杆12顶部固定连接有底板14，底板14顶部固定连接有单晶炉支架2，单晶炉支架2顶部固定安装有主炉室19，单晶炉支架2顶部且位于主炉室19的外侧固定安装有炉体减震架3，炉体减震架3与主炉室19之间设有减震筒18，减震筒18内外两侧均固定连接有若干个减震弹簧17，减震筒18通过减震弹簧17与炉体减震架3连接，减震筒18内侧且位于主炉室19的外侧设置有四个弧形板16，弧形板16与减震筒18之间通过减震弹簧17连接，炉体减震架3顶部固定连接有副炉室4，底座1左右两侧均固定连接有固定杆6，固定杆6与炉体减震架3之间固定安装有连接杆5，固定杆6底部且位于底座1两侧固定连接有支撑架7，固定杆6顶部活动连接有伸缩杆8，伸缩杆8靠近副炉室4一侧固定连接有管卡9，使用时，首先将单晶炉支架2放置于底座1上方，底座1用于对单晶炉小幅度晃动减震，然后将减震弹簧17均匀固定于炉体减震架3内壁四周，将减震筒18固定于减震弹簧17远离炉体减震架3一侧，随后将减震弹簧17固定于减震筒18内壁四周，接着将弧形板16固定于减震弹簧17远离减震筒18一侧，将炉体减震架3固定于单晶炉支架2上方与主炉室19外侧，之后将固定杆6固定于底座1左右两侧，张开固定杆6前后两侧的支撑架7，最后将伸缩杆8调整到合适高度后使用螺管卡9固定主炉室19顶部的副炉室4。

进一步的，伸缩杆8靠近固定杆6的一端贯穿开设有若干插孔，插孔竖直均匀分布于伸缩杆8外侧，伸缩杆8与固定杆6之间通过定位杆15与插孔连接，可以根据副炉室4的高度通过定位杆15与插孔的连接调整伸缩杆8高度。

进一步的，导向柱11内开设有凹槽，凹槽顶部固定安装有限位块22，弹簧13位于凹槽内部，顶杆12中部且位于限位块22下方固定安装有卡块23，通过限位块22卡块23对顶杆12起到限制活动的作用。

进一步的，底座1左右侧壁设有圆形滑槽20，底板14与圆形滑槽20连接处设有滑块21，滑块21与圆形滑槽20之间通过活动连接，通过圆形滑槽20与滑块21对底板14活动起到限制作用。

进一步的，管卡9套设于副炉室4外侧并与伸缩杆8连接，管卡9通过螺栓螺母连接，根据副炉室4的直径来通过扭动连接于管卡9一侧的螺栓减少螺栓与螺母的间距以限制环于副炉室4两侧的管卡9，使管卡9能较为稳定的夹持住副炉室4，之后将管卡9两侧固定于伸缩杆8内侧以达到稳定副炉室4的效果。

导向柱11的数量为四到八个，多个导向柱11均匀分布于底座1内底壁，均匀排布的多个导向柱11能使底板14各部位受力更加均匀，能很好的避免单晶炉在使用过程中的位置偏移，能很好的提高此种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉的稳定性。

工作原理：使用时，首先将单晶炉支架2放置于底座1上方，底座1用于对单晶炉小幅度晃动减震，然后将减震弹簧17均匀固定于炉体减震架3内壁四周，将减震筒18固定于减震弹簧17远离炉体减震架3一侧，随后将减震弹簧17固定于减震筒18内壁四周，接着将弧形板16固定于减震弹簧17远离减震筒18一侧，将炉体减震架3固定于单晶炉支架2上方与主炉室19外侧，之后将固定杆6固定于底座1左右两侧，张开固定杆6前后两侧的支撑架7，最后将伸缩杆8调整到合适高度后使用螺管卡9固定主炉室19顶部的副炉室4，伸缩杆8靠近固定杆6的一端贯穿开设有若干插孔，插孔竖直均匀分布于伸缩杆8外侧，伸缩杆8与固定杆6之间通过定位杆15与插孔连接，可以根据副炉室4的高度通过定位杆15与插孔的连接调整伸缩杆8高度，导向柱11内开设有凹槽，凹槽顶部固定安装有限位块22，弹簧13位于凹槽内部，顶杆12中部且位于限位块22下方固定安装有卡块23，通过限位块22卡块23对顶杆12起到限制活动的作用，底座1左右侧壁设有圆形滑槽20，底板14与圆形滑槽20连接处设有滑块21，滑块21与圆形滑槽20之间通过活动连接，通过圆形滑槽20与滑块21对底板14活动起到限制作用，管卡9套设于副炉室4外侧并与伸缩杆8，管卡9通过螺栓螺母连接，根据副炉室4的直径来通过扭动连接于管卡9一侧的螺栓减少螺栓与螺母的间距以限制环于副炉室4两侧的管卡9，使管卡9能较为稳定的夹持住副炉室4，之后将管卡9两侧固定于伸缩杆8内侧以达到稳定副炉室4的效果。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

Claims (6)

1.一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)内底壁固定安装有若干导向柱(11)，所述导向柱(11)内部固定连接有弹簧(13)，所述弹簧(13)的顶部固定连接有顶杆(12)，所述顶杆(12)顶部固定连接有底板(14)，所述底板(14)顶部固定连接有单晶炉支架(2)，所述单晶炉支架(2)顶部固定安装有主炉室(19)，所述单晶炉支架(2)顶部且位于主炉室(19)的外侧固定安装有炉体减震架(3)，所述炉体减震架(3)与主炉室(19)之间设有减震筒(18)，所述减震筒(18)内外两侧均固定连接有若干个减震弹簧(17)，所述减震筒(18)通过减震弹簧(17)与炉体减震架(3)连接，所述减震筒(18)内侧且位于主炉室(19)的外侧设置有四个弧形板(16)，所述弧形板(16)与减震筒(18)之间通过减震弹簧(17)连接，所述炉体减震架(3)顶部固定连接有副炉室(4)，所述底座(1)左右两侧均固定连接有固定杆(6)，所述固定杆(6)与炉体减震架(3)之间固定安装有连接杆(5)，所述固定杆(6)底部且位于底座(1)两侧固定连接有支撑架(7)，所述固定杆(6)顶部活动连接有伸缩杆(8)，所述伸缩杆(8)靠近副炉室(4)一侧固定连接有管卡(9)。

2.根据权利要求1所述的一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，其特征在于：所述伸缩杆(8)靠近固定杆(6)的一端贯穿开设有若干插孔，所述插孔竖直均匀分布于伸缩杆(8)外侧，所述伸缩杆(8)与固定杆(6)之间通过定位杆(15)与插孔连接。

3.根据权利要求1所述的一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，其特征在于：所述导向柱(11)内开设有凹槽，所述凹槽顶部固定安装有限位块(22)，所述弹簧(13)位于凹槽内部，所述顶杆(12)中部且位于限位块(22)下方固定安装有卡块(23)。

4.根据权利要求1所述的一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，其特征在于：所述底座(1)左右侧壁设有圆形滑槽(20)，所述底板(14)与圆形滑槽(20)连接处设有滑块(21)，所述滑块(21)与圆形滑槽(20)之间通过活动连接。

5.根据权利要求1所述的一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，其特征在于：所述管卡(9)套设于副炉室(4)外侧并与伸缩杆(8)连接，所述管卡(9)通过螺栓螺母连接。

6.根据权利要求1所述的一种可以降低晃动幅度的半导体单晶炉，其特征在于：所述导向柱(11)的数量为四到八个，多个所述导向柱(11)均匀分布于底座(1)内底壁。

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