CN210807223U - 一种适用于变频器npn或pnp型数字量输入的电子切换电路 - Google Patents

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龚耀京
张荣亮
王倩
杨运海
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Abstract

本实用新型公开了一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,包括电阻R540、三极管Q34、光耦U59和二极管D70,所述电阻R540一端连接DSP控制器的一个电平输出端,电阻R540另一端连接三极管Q34基极,三极管Q34发射极接地,三极管Q34集电极分别连接电阻R539和光耦U59内发光二极管正极,光耦U59内发光二极管负极分别连接电阻R539另一端和电阻R537,电阻R537另一端连接5V电源。本实用新型采用DSP控制器控制本电路的光耦的导通与关断,进而光耦的次级驱动不同场效应管的导通和关断来选择输入的类型,自动化程度高,使用方便。

Description

一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路
技术领域
本实用新型涉及模拟电路,具体是一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路。
背景技术
市面上主流的PLC分为以西门子为代表的欧系PLC和以三菱为代表的日系PLC,他们的数字输出形式分别为PNP型和NPN型。现有的用来兼容两种PLC的切换器大多采用机械式的跳线式旋择,需要人工进行干预,使用不便。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,包括电阻R540、三极管Q34、光耦U59和二极管D70,所述电阻R540一端连接DSP控制器的一个电平输出端,电阻R540另一端连接三极管Q34基极,三极管Q34发射极接地,三极管Q34集电极分别连接电阻R539和光耦U59内发光二极管正极,光耦U59内发光二极管负极分别连接电阻R539另一端和电阻R537,电阻R537另一端连接5V电源,光耦U59内光敏三极管的发射极接地,光耦U59内光敏三极管的的集电极分别连接二极管D70负极、电阻R542和电阻R546,电阻R546另一端连接24V直流电,电阻R542另一端连接三极管Q36基极,Q36发射极分别连接24V直流电和电阻R547,电阻R547另一端分别连接接地电阻R543、三极管Q36集电极和MOS管M3的G极,MOS管M3的S极连接电阻R569,电阻R569另一端连接24V直流电,MOS管M3的D极分别连接MOS管M4的D极和电阻R458,MOS管M4的S极接地,MOS管M4的G极分别连接电阻R544、电阻R548和三极管Q35集电极,三极管Q35发射极分别连接电阻R548另一端和电阻R443并接地,电阻R443另一端分别连接三极管Q35基极和电阻R549,电阻R549另一端分别连接电阻R545和二极管D70正极,电阻R545另一端连接24V直流电,所述电阻R458另一端分别连接电容C345、电阻R460和光耦U50内发光二极管负极,光耦U50内发光二极管正极分别连接电容C345另一端、电阻R460另一端和电阻R461,电阻R461另一端连接电平信号输入端DI4。
作为本实用新型再进一步的优选方案,所述三极管Q34、Q35为NPN型三极管。
作为本实用新型再进一步的优选方案,所述三极管Q36为PNP型三极管。
作为本实用新型再进一步的优选方案,所述光耦U59内发光二极管上并联有一个反向的二极管。
作为本实用新型再进一步的优选方案,所述光耦U50内发光二极管上并联有一个反向的二极管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型采用DSP控制器控制本电路的光耦的导通与关断,进而光耦的次级驱动不同场效应管的导通和关断来选择输入的类型,自动化程度高,使用方便。
附图说明
图1为实用新型的电路图。
图2为实用新型的的具体应用原理框图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,包括电阻R540、三极管Q34、光耦U59和二极管D70,所述电阻R540一端连接DSP控制器的一个电平输出端,电阻R540另一端连接三极管Q34基极,三极管Q34发射极接地,三极管Q34集电极分别连接电阻R539和光耦U59内发光二极管正极,光耦U59内发光二极管负极分别连接电阻R539另一端和电阻R537,电阻R537另一端连接5V电源,光耦U59内光敏三极管的发射极接地,光耦U59内光敏三极管的的集电极分别连接二极管D70负极、电阻R542和电阻R546,电阻R546另一端连接24V直流电,电阻R542另一端连接三极管Q36基极,Q36发射极分别连接24V直流电和电阻R547,电阻R547另一端分别连接接地电阻R543、三极管Q36集电极和MOS管M3的G极,MOS管M3的S极连接电阻R569,电阻R569另一端连接24V直流电,MOS管M3的D极分别连接MOS管M4的D极和电阻R458,MOS管M4的S极接地,MOS管M4的G极分别连接电阻R544、电阻R548和三极管Q35集电极,三极管Q35发射极分别连接电阻R548另一端和电阻R443并接地,电阻R443另一端分别连接三极管Q35基极和电阻R549,电阻R549另一端分别连接电阻R545和二极管D70正极,电阻R545另一端连接24V直流电,所述电阻R458另一端分别连接电容C345、电阻R460和光耦U50内发光二极管负极,光耦U50内发光二极管正极分别连接电容C345另一端、电阻R460另一端和电阻R461,电阻R461另一端连接电平信号输入端DI4。
所述三极管Q34、Q35为NPN型三极管,所述三极管Q36为PNP型三极管。
作为本实用新型的一个实施例,光耦U59和光耦U50采用PC817,所述光耦U59和光耦U50内发光二极管上均并联有一个反向的二极管。
请参阅图1,首先DS由DSP发出,为一个电平信号,高电平是3V,低电平是0V,高电平时三极管Q34导通,光耦U59则由5V经过电阻R537流过光耦发光管10mA电流使光耦次级的光电三极管导通,电阻R539起防止光耦误导通作用在三极管Q34不导通的时候,光耦光电三极管导通后三极管Q36经过电阻R542到COM导通,则电阻R543上的电压为24V,此时场效应管M3不导通;而此时三极管Q35通过电阻R549、D70到光耦的光电三极管接通到COM,使得三极管Q35基级为接近0V而不导通,则场效应管M4经过电阻R544、R548分压得到门级电压12V而导通,此时DI_CM连通COM,则DI4输入24V高电平时,光耦导通,DIN4输出低电平使能,R569为低值电阻起限流作用防止M3,M4因异常直通而损坏场效应管,模式为PNP输入模式。
低电平时Q34不导通,则光耦U59发光二极管没电流,光耦U59的光电三极管也不导通,三极管Q35经过24V接电阻R545、R549、R443而导通,则M4门级电压为0V不导通;三极管Q36经过R546上拉到24V以及D70二极管的反向阻断使得三极管Q36的基级没有电流而不导通,则M3经过电阻R547、R543分压使得M3的门级为12V而导通,使DI_CM与24V接通,则DI4输入低电平0V时,光耦U50导通,DIN4输出低电平使能,此时为NPN输入模式。
作为本实用新型进一步的实施例,本实用新型电路在应用时,请参阅图2,控制面板通过通讯形式与控制板上的DSP相连,DSP连接到本实用新型电路,通过信号DS控制数字量输入类型的选择。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,其特征在于,包括电阻R540、三极管Q34、光耦U59和二极管D70,所述电阻R540一端连接DSP控制器的一个电平输出端,电阻R540另一端连接三极管Q34基极,三极管Q34发射极接地,三极管Q34集电极分别连接电阻R539和光耦U59内发光二极管正极,光耦U59内发光二极管负极分别连接电阻R539另一端和电阻R537,电阻R537另一端连接5V电源,光耦U59内光敏三极管的发射极接地,光耦U59内光敏三极管的集电极分别连接二极管D70负极、电阻R542和电阻R546,电阻R546另一端连接24V直流电,电阻R542另一端连接三极管Q36基极,Q36发射极分别连接24V直流电和电阻R547,电阻R547另一端分别连接接地电阻R543、三极管Q36集电极和MOS管M3的G极,MOS管M3的S极连接电阻R569,电阻R569另一端连接24V直流电,MOS管M3的D极分别连接MOS管M4的D极和电阻R458,MOS管M4的S极接地,MOS管M4的G极分别连接电阻R544、电阻R548和三极管Q35集电极,三极管Q35发射极分别连接电阻R548另一端和电阻R443并接地,电阻R443另一端分别连接三极管Q35基极和电阻R549,电阻R549另一端分别连接电阻R545和二极管D70正极,电阻R545另一端连接24V直流电,所述电阻R458另一端分别连接电容C345、电阻R460和光耦U50内发光二极管负极,光耦U50内发光二极管正极分别连接电容C345另一端、电阻R460另一端和电阻R461,电阻R461另一端连接电平信号输入端DI4。
2.根据权利要求1所述的适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,其特征在于,所述三极管Q34、Q35为NPN型三极管。
3.根据权利要求1所述的适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,其特征在于,所述三极管Q36为PNP型三极管。
4.根据权利要求1-3任一所述的适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,其特征在于,所述光耦U59内发光二极管上并联有一个反向的二极管。
5.根据权利要求4所述的适用于变频器NPN或PNP型数字量输入的电子切换电路,其特征在于,所述光耦U50内发光二极管上并联有一个反向的二极管。
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