CN210780727U

CN210780727U - 中频信号源电路

Info

Publication number: CN210780727U
Application number: CN201921699551.6U
Authority: CN
Inventors: 王晋杰; 陈小荣
Original assignee: Chengdu Huaxing Huiming Technologies Co ltd
Current assignee: Chengdu Huaxing Huiming Technologies Co ltd
Priority date: 2019-10-12
Filing date: 2019-10-12
Publication date: 2020-06-16
Anticipated expiration: 2029-10-12

Abstract

本实用新型公开了中频信号源电路，涉及射频基带一体化终端测试技术领域，包括第一中频源电路、第二中频源电路、合路器；所述第一中频源电路和第二中频源电路均采用低相位噪声晶振输入本振信号参考输入；所述合路器设置有两个输入端和一个输出端，所述第一中频源电路和第二中频源电路的输出端分别连接合路器的两个输入端。本实用新型公开的中频信号源电路通过并联第一中频源电路和第二中频源电路合路输出，为射频基带一体化终端测试自动测试系统提供两路信号；并通过单刀双掷开关对中频源电路进行分段后滤波放大处理，以满足全波段滤波放大处理的全面覆盖，使输出的中频信号满足输出需要。

Description

中频信号源电路

技术领域

本实用新型涉及射频基带一体化终端测试技术领域，具体涉及中频信号源电路。

背景技术

随着移动通信和卫星导航融合趋势的不断加深，卫星导航芯片的形态也在不断地演进变化，从独立的导航射频单元和基带单元到射频基带一体化单元，集成度越来越高，功能越来越完善，市场推进也越来越深入。

在对射频基带一体化终端进行测试的过程中，需要向射频基带一体化终端进行中频信号输入，其输入的信号高达1.9~4.3GHz，且需要进行输入两路中频信号，并对其中频信号的要求杂散要求高，现有的中频源难以达到该要求。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术，提供了一种中频信号源电路。

本实用新型通过下述技术方案实现：所述中频信号源电路，包括第一中频源电路、第二中频源电路、合路器；所述第一中频源电路和第二中频源电路均采用低相位噪声晶振输入本振信号参考输入；所述合路器设置有两个输入端和一个输出端，所述第一中频源电路和第二中频源电路的输出端分别连接合路器的两个输入端；所述第一中频源电路和第二中频源电路均包括频率合成电路、第一单刀双掷开关、第一滤波放大电路、第二滤波放大电路、第二单刀双掷开关、第三单刀双掷开关；所述频率合成电路的输入端连接低相位噪声晶振的输出端；所述频率合成电路的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和RF1端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第二单刀双掷开关的RF1端和RF2端；所述第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关串联，所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路并联；所述第三单刀双掷开关的RFC端与第二单刀双掷开关的RFC端连接。

上述技术方案提供的中频信号源电路通过并联第一中频源电路和第二中频源电路合路输出，为射频基带一体化终端测试自动测试系统提供两路信号；并通过单刀双掷开关对中频源电路进行分段后滤波放大处理，以满足全波段滤波放大处理的全面覆盖，使输出的中频信号满足输出需要。

进一步地，所述频率合成电路包括依次串联的小数N分频锁相环、第一低通滤波器、微波宽带频率合成器、第一高通滤波器；所述第一高通滤波器的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端。

所述小数N分频锁相环的型号为HMC830，是集成了VCO的锁相环；微波宽带频率合成器的型号为ADF4355的集成了VCO的锁相环，以实现1MHz的中频信号步进。通过HMC830和ADF4355进行频率合成，将HMC830输出的信号作为ADF4355的可变参考信号，以此来规避小数杂散分量。频率合成电路将100M参考信号合成为1.9GHz~4.3GHz的中频信号输出。

进一步地，所述第一低通滤波器包括6个LC振荡电路和5个LC滤波电路依次交替串联；所述小数N分频锁相环的输出端连接第一个LC振荡电路；所述最后一个LC振荡电路连接的第一端与微波宽带。

所述第一低通滤波器是6个LC震荡电路和5个LC滤波电路组合而成的五阶低通滤波器，对HMC830输出的信号进行滤波，使ADF4355输入的可变参考信号杂散少。

进一步地，所述第一高通滤波器与第一单刀双掷开关之间设置有数控衰减器和第一放大器；所述数控衰减器的输入端连接第一高通滤波器的输出端；所述数控衰减器的输出端连接第一放大器的输入端；所述第一放大器的输出段连接第一单刀双掷开关的RFC端连接。

所述数控衰减器采用型号为PE43705的衰减器，其衰减量为31dB，用以功率校准。

进一步地，所述第一滤波放大电路包括依次串联的第一π型衰减电路、第二低通滤波器、第二π型衰减电路、第三低通滤波器、第二放大器；所述第一π型衰减电路的输入端连接第一单刀双掷开关的RF2端；所述第二放大器的输出端连接第二单刀双掷开关的一个RF1端；所述第二滤波放大电路包括依次串联的第三π型衰减电路、第四低通滤波器、第四π型衰减电路、第五低通滤波器、第三放大器；所述第三π型衰减电路与第二单刀双掷开关的RF2端，所述第三放大器连接第二单刀双掷开关的RF2端。

所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别对二路频段进行分别的滤波放大处理。且第一滤波放大电路中第二低通滤波器采用LFCN-2850+低通滤波器，使其二次谐波抑制大于16 dBc，再加入第三低通滤波器，作为二次滤波器，以满足较好的谐波抑制。所述第二滤波放大电路中第四低通滤波器采用LFCN-3800+低通滤波器，使其二次谐波抑制大于25dBc，再串联第五滤波器，作为二级滤波器，为满足较好的谐波抑制。

进一步地，所述第一π型衰减电路包括电阻R34、电阻R40、电阻R41；所述电阻R40和电阻R41的一端均接地，所述电阻R40和电阻R41的另一端分别连接在电阻R34的两端；所述电阻R34的电阻为12R；所述电阻R40、R41的电阻均为430R；所述第二π型衰减电路和第四π型衰减电路均与第一π型衰减电路结构相同；所述电阻R34的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和第二低通滤波器。

进一步地，所述第三π型衰减电路包括电阻R70、电阻R75、电阻R76；所述电阻R75、电阻R76的一端均接地；所述所述电阻R75、电阻R76的另一端分别连接在电阻R70的两端；所述电阻R70的电阻我5.77R；所述电阻R75和电阻R76的电阻分别为869R；所述电阻R70的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF1端和第四低通滤波器。

进一步地，所述第一π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第一π型衰减电路与第二低通滤波器之间、第三低通滤波器与第二单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第四低通滤波器之前、第五低通滤波器与第二单刀双之间之间均设置有过滤电容C。

所述过滤电容C均采用100pF的电容，以过滤电路中的直流信号。

进一步地，所述第三单刀双掷开关的RF1端连接合路器的输入端；所述第三单刀双掷开关的RF2端依次连接电容C1、电阻R50后接地。所述第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关串联，形成两级SPDT，达到更好的隔离，防止泄露；并且在每一个第三单刀双掷开关的RF2端接入50欧姆的负载，以保证第一中频源电路和第二中频源电路的单独输出。

进一步地，所述第一中频源电路和第二中频源电路输入的本振信号参考均为100MHz；所述第一中频源电路和第二中频源电路的频率合成电路合成1.9~4.3GHz的中频信号；所述第一中频源电路和第二中频源电路的第一单刀双掷开关分别将第一中频源电路和第二中频源电路的1.9~4.3GHz中频信号均进行二路分段，划分为1.9~2.7GHz和2.7GHz~4.3GHz两路频率范围。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

（1）本实用新型所提供的中频信号源电路，通过并联第一中频源电路和第二中频源电路合路输出，为射频基带一体化终端测试自动测试系统提供两路信号；并通过单刀双掷开关对中频源电路进行分段后滤波放大处理，以满足全波段滤波放大处理的全面覆盖，使输出的中频信号满足输出需要。

（2）本实用新型所提供的中频信号源电路采用串联的第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关形成两级SPDT，达到更好的隔离，防止泄露；并且在每一个第三单刀双掷开关的RF2端接入50欧姆的负载，以保证第一中频源电路和第二中频源电路的单独输出。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型第一中频源电路中小数N分频锁相环的电路图；

图3为本实用新型第二中频源电路中小数N分频锁相环的电路图；

图4为本实用新型第一中频源电路中第一低通滤波器的电路图；

图5为本实用新型第二中频源电路中第一低通滤波器的电路图；

图6为本实用新型第一中频源电路中微波宽带频率合成器的电路图；

图7为本实用新型第二中频源电路中微波宽带频率合成器的电路图；

图8、9为本实用新型第一中频源电路的电路图；

图10、11为本实用新型第二中频源电路的电路图；

图12为本实用新型第一中频源电路和第二中频源电路通过合路器合路的电路图；

图13为本实用新型的数控衰减器的电源模块电路图；

图14为本实用新型中第一放大器的电源模块电路图；

图15为本实用新型中小数N分频锁相环的电源模块电路图；

图16为本实用新型中微波宽带频率合成器的电源模块电路图；

图17为本实用新型的中频信号源电路的控制模块电路图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

在本实用新型中，所述中频信号源电路连接有电源模块和控制模块。所述第一中频源电路和第二中频源电路中的频率合成电路分别供电；所述中频信号电路的电源模块如图13~16所示；所述中频信号源电路的控制模块如图17所示。

如图1~12所示，中频信号源电路，包括第一中频源电路、第二中频源电路、合路器；所述第一中频源电路和第二中频源电路均采用低相位噪声晶振输入本振信号参考输入；所述合路器设置有两个输入端和一个输出端，所述第一中频源电路和第二中频源电路的输出端分别连接合路器的两个输入端；所述第一中频源电路和第二中频源电路均包括频率合成电路、第一单刀双掷开关、第一滤波放大电路、第二滤波放大电路、第二单刀双掷开关、第三单刀双掷开关；所述频率合成电路的输入端连接低相位噪声晶振的输出端；所述频率合成电路的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和RF1端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第二单刀双掷开关的RF1端和RF2端；所述第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关串联，所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路并联；所述第三单刀双掷开关的RFC端与第二单刀双掷开关的RFC端连接。

所述频率合成电路包括依次串联的小数N分频锁相环、第一低通滤波器、微波宽带频率合成器、第一高通滤波器；所述第一高通滤波器的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端。

如图4、5所示，所述第一低通滤波器包括6个LC振荡电路和5个LC滤波电路依次交替串联；所述小数N分频锁相环的输出端连接第一个LC振荡电路；所述最后一个LC振荡电路连接的第一端与微波宽带。其具体结构为：所述第一低通滤波器包括电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、电感L13、电感L14、电感L15、电感L16、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24；所述电感L7与电容C16并联；所述电感L8与电容C17并联；所述电感L9与电容C18并联；所述电感L10与电容C19并联；所述电感L11与电容C20并联；所述电感L12与电容C21并联；所述电L13与电容C22并联；所述电感L14与电容C23并联；所述电感L15与电容C24并联；所述电感L7与电容C16并联的第一端连接小数N分频锁相环的输出端，所述电感L7与电容C16并联的第二端连接电感L8与电容C17并联的第一端；所述电感L8与电容C17并联的第二端连接电感L9与电容C18并联的第一端；电感L9与电容C18并联的第二端连接所述电感L10与电容C19并联的第一端；所述电感L10与电容C19并联的第二端连接微波宽带频率合成器的输入端；所述电感L11与电容C20并联的第一端连接在小数N分频锁相环的输出端和电感L7与电容C16并联的第一端之间，所述电感L11与电容C20并联的第二端接地；所述电感L12与电容C21并联的第一端连接在电感L7与电容C16并联的第二端与电感L8与电容C17并联的第一端之间，所述电感L12与电容C21并联的第二端接地；所述电L13与电容C22并联的第一端连接在电感L8与电容C17并联的第二端和电感L9与电容C18并联的第一端之间，所述电L13与电容C22并联的第二端接地；所述电感L14与电容C23并联的第一端连接在电感L9与电容C18并联的第二端和电感L10与电容C19并联的第一端之间，所述电感L14与电容C23并联的第二端接地；所述电感L15与电容C24并联的第一端连接在电感L10与电容C19并联的第一端与微波宽带频率合成器的输入端之间，所述电感L15与电容C24并联的第二端接地。

所述第一高通滤波器与第一单刀双掷开关之间设置有数控衰减器和第一放大器；所述数控衰减器的输入端连接第一高通滤波器的输出端；所述数控衰减器的输出端连接第一放大器的输入端；所述第一放大器的输出段连接第一单刀双掷开关的RFC端连接。

如图10、11所示，所述第一滤波放大电路包括依次串联的第一π型衰减电路、第二低通滤波器、第二π型衰减电路、第三低通滤波器、第二放大器；所述第一π型衰减电路的输入端连接第一单刀双掷开关的RF2端；所述第二放大器的输出端连接第二单刀双掷开关的一个RF1端；所述第二滤波放大电路包括依次串联的第三π型衰减电路、第四低通滤波器、第四π型衰减电路、第五低通滤波器、第三放大器；所述第三π型衰减电路与第二单刀双掷开关的RF2端，所述第三放大器连接第二单刀双掷开关的RF2端。

所述第一π型衰减电路包括电阻R34、电阻R40、电阻R41；所述电阻R40和电阻R41的一端均接地，所述电阻R40和电阻R41的另一端分别连接在电阻R34的两端；所述电阻R34的电阻为12R；所述电阻R40、R41的电阻均为430R；所述第二π型衰减电路和第四π型衰减电路均与第一π型衰减电路结构相同；所述电阻R34的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和第二低通滤波器。

所述第三π型衰减电路包括电阻R70、电阻R75、电阻R76；所述电阻R75、电阻R76的一端均接地；所述所述电阻R75、电阻R76的另一端分别连接在电阻R70的两端；所述电阻R70的电阻我5.77R；所述电阻R75和电阻R76的电阻分别为869R；所述电阻R70的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF1端和第四低通滤波器。

所述第一π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第一π型衰减电路与第二低通滤波器之间、第三低通滤波器与第二单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第四低通滤波器之前、第五低通滤波器与第二单刀双之间之间均设置有过滤电容C。

如图12所示，所述第三单刀双掷开关的RF1端连接合路器的输入端；所述第三单刀双掷开关的RF2端依次连接电容C1、电阻R50后接地。所述第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关串联，形成两级SPDT，达到更好的隔离，防止泄露；并且在每一个第三单刀双掷开关的RF2端接入50欧姆的负载，以保证第一中频源电路和第二中频源电路的单独输出。

所述第一中频源电路和第二中频源电路输入的本振信号参考均为100MHz；所述第一中频源电路和第二中频源电路的频率合成电路合成1.9~4.3GHz的中频信号；所述第一中频源电路和第二中频源电路的第一单刀双掷开关分别将第一中频源电路和第二中频源电路的1.9~4.3GHz中频信号均进行二路分段，划分为1.9~2.7GHz和2.7GHz~4.3GHz两路频率范围。

所述第一单刀双掷开关采用HMC270MS8GE，所述第二单刀双掷开关采用HMC270A、所述第三单刀双掷开关采用HMC270A。所述第一高通滤波器的型号采用HFCN-1760+；所述数控衰减器的型号采用PE43705；所述第一放大器的型号采用PMA-83LN-D+；所述第二放大器的型号采用PHA-202+；所述第三放大器的型号采用LHA-1+；所述第二低通滤波器和第三低通滤波器的型号均为LFCN-2850+；所述第四低通滤波器和第五低通滤波器的型号均为LFCN-3800+。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.中频信号源电路，其特征在于：包括第一中频源电路、第二中频源电路、合路器；所述第一中频源电路和第二中频源电路均采用低相位噪声晶振输入本振信号参考输入；所述合路器设置有两个输入端和一个输出端，所述第一中频源电路和第二中频源电路的输出端分别连接合路器的两个输入端；所述第一中频源电路和第二中频源电路均包括频率合成电路、第一单刀双掷开关、第一滤波放大电路、第二滤波放大电路、第二单刀双掷开关、第三单刀双掷开关；所述频率合成电路的输入端连接低相位噪声晶振的输出端；所述频率合成电路的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和RF1端；所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路分别连接第二单刀双掷开关的RF1端和RF2端；所述第二单刀双掷开关和第三单刀双掷开关串联，所述第一滤波放大电路和第二滤波放大电路并联；所述第三单刀双掷开关的RFC端与第二单刀双掷开关的RFC端连接。

2.根据权利要求1所述的中频信号源电路，其特征在于：所述频率合成电路包括依次串联的小数N分频锁相环、第一低通滤波器、微波宽带频率合成器、第一高通滤波器；所述第一高通滤波器的输出端连接第一单刀双掷开关的RFC端。

3.根据权利要求2所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一低通滤波器包括6个LC振荡电路和5个LC滤波电路依次交替串联；所述小数N分频锁相环的输出端连接第一个LC振荡电路；最后一个LC振荡电路连接的第一端与微波宽带。

4.根据权利要求3所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一高通滤波器与第一单刀双掷开关之间设置有数控衰减器和第一放大器；所述数控衰减器的输入端连接第一高通滤波器的输出端；所述数控衰减器的输出端连接第一放大器的输入端；所述第一放大器的输出段连接第一单刀双掷开关的RFC端连接。

5.根据权利要求2所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一滤波放大电路包括依次串联的第一π型衰减电路、第二低通滤波器、第二π型衰减电路、第三低通滤波器、第二放大器；所述第一π型衰减电路的输入端连接第一单刀双掷开关的RF2端；所述第二放大器的输出端连接第二单刀双掷开关的一个RF1端；所述第二滤波放大电路包括依次串联的第三π型衰减电路、第四低通滤波器、第四π型衰减电路、第五低通滤波器、第三放大器；所述第三π型衰减电路与第二单刀双掷开关的RF2端，所述第三放大器连接第二单刀双掷开关的RF2端。

6.根据权利要求5所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一π型衰减电路包括电阻R34、电阻R40、电阻R41；所述电阻R40和电阻R41的一端均接地，所述电阻R40和电阻R41的另一端分别连接在电阻R34的两端；所述电阻R34的电阻为12R；所述电阻R40、R41的电阻均为430R；所述第二π型衰减电路和第四π型衰减电路均与第一π型衰减电路结构相同；所述电阻R34的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF2端和第二低通滤波器。

7.根据权利要求5所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第三π型衰减电路包括电阻R70、电阻R75、电阻R76；所述电阻R75、电阻R76的一端均接地；所述电阻R75、电阻R76的另一端分别连接在电阻R70的两端；所述电阻R70的电阻我5.77R；所述电阻R75和电阻R76的电阻分别为869R；所述电阻R70的两端分别连接第一单刀双掷开关的RF1端和第四低通滤波器。

8.根据权利要求5所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第一π型衰减电路与第二低通滤波器之间、第三低通滤波器与第二单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第一单刀双掷开关之间、第三π型衰减电路与第四低通滤波器之前、第五低通滤波器与第二单刀双之间之间均设置有过滤电容C。

9.根据权利要求1～8任一项所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第三单刀双掷开关的RF1端连接合路器的输入端；所述第三单刀双掷开关的RF2端依次连接电容C1、电阻R50后接地。

10.根据权利要求2～8任一项所述的中频信号源电路，其特征在于：所述第一中频源电路和第二中频源电路输入的本振信号参考均为100MHz；所述第一中频源电路和第二中频源电路的频率合成电路合成1.9～4.3GHz的中频信号；所述第一中频源电路和第二中频源电路的第一单刀双掷开关分别将第一中频源电路和第二中频源电路的1.9～4.3GHz中频信号均进行二路分段，划分为1.9～2.7GHz和2.7GHz～4.3GHz。