CN210773869U

CN210773869U - 磁阻位置传感器

Info

Publication number: CN210773869U
Application number: CN201920207618.3U
Authority: CN
Inventors: J·施密特; E·E·恩格利什
Original assignee: Analog Devices Global ULC
Current assignee: Analog Devices International ULC
Priority date: 2018-02-16
Filing date: 2019-02-18
Publication date: 2020-06-16
Anticipated expiration: 2029-02-18
Also published as: US11175353B2; TWI731306B; DE202019100886U1; US20190257894A1; KR20200068539A; TW201942536A; JP2019144242A; JP6820367B2

Abstract

本公开涉及位置传感器。提供了一种用于至少沿第一方向测量位置的磁阻位置传感器，该传感器包括：磁体，设置成至少沿所述第一方向移动；和差分场传感器，布置成检测所述磁体沿所述第一方向的移动，并补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

Description

磁阻位置传感器

技术领域

本公开涉及一种位置传感器，其补偿传感器组件在不与检测方向对齐的任何方向上的移动。

背景技术

位置传感器通常使用简单的磁体和场传感器构造。当磁体相对于场传感器移动时，场传感器产生指示移动程度的输出信号。这种位置传感器易于制造并且通常以大批量生产。磁体和场传感器之间的距离与传感器处的磁场强度相关。

虽然这种类型的传感器制造简单且便宜，但它们对杂散场和磁体的未对准高度敏感。例如，在垂直于预期的行进移动的方向上移动磁体将改变场传感器处的场强，从而影响位置测量。

实用新型概述

本实用新型提供一种用于检测特定方向上的位置的磁阻场传感器。传感器包括成对布置的多个磁阻元件。布置相同对的元件使得它们的灵敏度方向朝向相同方向。不同对的元件被定向成使得它们的灵敏度方向定向在不同的方向上，优选地基本垂直于另一对。磁阻传感器及其灵敏度方向通常布置在一个平面中，该平面垂直于装置的测量方向。每对元件串联布置在两个节点之间以形成桥式电路。这样，在第一平面中移动磁体导致每对元件的基本相等的变化，从而补偿输出信号中的这种移动。

依照第一方面，提供一种用于至少沿第一方向测量位置的磁阻位置传感器，该传感器包括：磁体，设置成至少沿所述第一方向移动；和差分场传感器，布置成检测所述磁体沿所述第一方向的移动，并补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

这样，传感器被配置为测量磁体在一个特定方向(即，检测方向)上的移动，同时磁体在至少第二方向上的移动由差分场传感器补偿。也就是说，传感器补偿磁体在不同方向上的移动，使得在该另一方向上的任何移动不会影响磁体在检测方向上的移动的测量。例如，磁体可以悬挂在传感器上方并且被配置为在z方向上朝向和远离传感器移动，传感器测量磁场强度在该方向上移动时的变化。然后，差分场传感器可以被配置为补偿当磁体在检测方向上移动时由磁体的任何横向移动引起的场强的变化。

差分场传感器可包括多个磁阻元件。例如，磁阻元件可以是巨磁阻 (GMR)自旋阀、隧道磁阻(TMR)元件、各向异性磁阻元件(AMR)、或对磁场在特定方向上的变化敏感的任何其他合适的磁阻装置。

多个磁阻元件中的每一个可具有感测方向，并且至少第一对磁阻元件可被布置成使得它们的感测方向对齐。多个磁阻元件的感测方向可布置在第一平面中，并且所述第一平面可相对于所述第一方向偏移。例如，第一平面可基本垂直于所述第一方向。至少第二方向可位于所述第一平面中。

通过对齐磁阻元件对的感测方向，通过磁体在感测方向的方向上的移动将导致类似或相同的电阻变化，磁阻元件对在这样的连接中连接。这将导致传感器输出零或基本为零的变化。因此，通过将感测方向对准在一个特定平面中，可以补偿该平面中的任何移动。

传感器还可包括第二对磁阻元件，被布置成使得它们的感测方向是对齐的，并且使得它们的感测方向相对于所述第一对磁阻元件偏移。第一对磁阻元件的感测方向可基本上垂直于所述第二对磁阻元件的感测方向。

例如，在检测方向是z方向的情况下，磁阻元件的感测方向可以布置在x-y平面中。一对磁阻元件可以使它们的感测方向在x方向上对齐以补偿沿该方向的移动，而另一对磁阻元件可以使它们的感测方向在y方向上对齐以补偿沿那个方向的移动。

多个磁阻元件可布置在所述第一平面中，使得至少第一和第二对磁阻元件均匀地分布在所述传感器周围，一对磁阻元件的每个相应元件被设置在所述传感器的相对侧并且相对于所述磁体处于等距位置。例如，每对磁阻元件可以布置在传感器的相对拐角处，或者它们可以布置在传感器的相对边缘的中心处。

多个磁阻元件能够以桥式布置连接，并且所述桥的输出可指示所述磁体沿所述第一方向的移动。例如，桥式布置可以是惠斯通电桥电路。

至少第二方向可以位于第一平面中，基本垂直于所述第一方向，其中所述桥式布置的输出不指示所述磁体在所述第一平面中的移动。这样，桥式布置的输出可以仅提供第一方向上的移动的指示，而差分场传感器被配置为补偿第一平面中的任何移动。也就是说，差分场传感器被配置成使得第一平面中的磁体的任何移动导致输出中的零或基本上零变化。因此，输出与第一平面中的移动无关，因为它基本上不受第一平面内磁体横向移动引起的磁场强度的任何变化的影响。

在一些布置中，第一对磁阻元件可串联连接在第一节点和第二节点之间，并且第二对元件串联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，以及桥式电路的输出取自每对之间的节点。

在这些情况中，多个磁阻元件中的每一个可具有感测方向。第一对磁阻元件可被布置成使得它们的感测方向是对齐的，并且第二对磁阻元件可被布置成使得它们的感测方向是对齐的，其中所述第二对磁阻元件的感测方向相对于所述第一对磁阻元件的感测方向偏移。例如，第一对磁阻元件的感测方向可以基本上垂直于第二对磁阻元件的感测方向。

多个磁阻元件中的一个可以是参考电阻。在一些布置中，参考电阻可以是屏蔽的，使得其输出不依赖于磁场。

根据有一方面，提供一种使用磁阻位置传感器沿至少第一方向测量位置的方法，该方法包括：使用差分场传感器沿第一方向检测磁体的位置；和使用所述差分场传感器补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

所述至少第二方向可位于第一平面中，所述第一平面基本垂直于所述第一方向。

依照第三方面，提供一种用于执行第二方面的方法的位置传感器。

依照第四方面，提供一种用于至少沿第一方向测量位置的磁阻位置传感器，该传感器包括：磁体，设置成至少沿所述第一方向移动；和基板，其上具有多个磁阻元件布置，所述磁阻元件设置成检测所述磁体沿第一方向的移动；其中所述磁阻元件布置为桥式布置，以补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

附图简述

现在将仅通过示例的方式参考附图来描述本公开，其中：

图1是根据本公开的实施例的传感器的示意性透视图；

图2是图1的传感器的传感元件的平面图；

图3是根据本实用新型实施例的桥式电路；

图4是表示根据本实用新型的一个实施例的GMR自旋阀的传递曲线的图表；

图5是表示当磁体悬挂在传感元件上方时图2的传感元件表面的场强的图表；

图6A是根据本实用新型另一实施例的传感元件的平面图；

图6B是根据本实用新型实施例的桥式电路；

图7A至7D是表示图6的传感元件的每个元件处的磁场的图表，以及表示磁体和传感元件的相对位置的图表。

图8是表示磁体在z方向上移动的整体磁场强度的图表。

图9是根据本实用新型另一实施例的桥式电路；

图10是根据本实用新型另一实施例的传感元件的平面图；

图11是根据本实用新型另一实施例的桥式电路；

图12是显示根据本实用新型的一个实施方案的GMR多层的典型转移曲线的图表。

图13A至13D是表示图10的传感元件的每个元件处的磁场的图表。

图14是表示对于图10的传感元件，磁体在z方向上移动的整体磁场强度的图表。

实用新型详述

位置传感器通常包括悬挂在传感元件上方的磁体。磁体产生磁场，传感元件测量磁场强度。磁体可以悬挂，使得它可以相对于传感元件来回移动。例如，它可以使用充当弹簧的金属连接件悬挂。当磁体靠近传感元件移动时，传感元件处的磁场强度相应增加。相反，当磁体远离传感元件移动时，传感元件处的磁场强度相应减小。因此，传感元件的输出是磁场强度的量度。这表示磁体和传感元件之间的距离。作为示例，传感元件可以是霍尔效应传感器或磁阻装置，例如巨磁阻(GMR)传感器。

制造位置传感器使得磁体仅能够在需要位置检测的方向上移动。这通常表示为z方向。然而，并不总是能够完全防止磁体在x-y平面中从一侧移动到另一侧，也就是说，在垂直于检测方向的平面中移动。由磁体产生的磁场不仅随着磁体在z方向上的端部的距离而变化，而且还在x-y平面中从一侧到另一侧变化。因此，磁体从一侧到另一侧的任何横向移动可以在感测元件处产生输出的变化。这可能被误解为在主要行进方向上的移动，给出错误的位置读数。此外，如果传感器在另一个产生磁场的设备附近移动，传感元件可以检测这些场。这可能被误解为设备在主方向上的移动。

在本公开的实施例中，传感器设置有成对的感测元件，其被布置成补偿由于x-y平面中的移动或者由于外部磁场引起的磁场的变化。这是使用成对的磁阻元件来实现的，磁阻元件可以在惠斯通桥式布置中连接在一起。每对元件的每个元件位于磁体的相对侧并且与磁体等距。磁体两侧的磁场强度通常相等，但方向相反。磁阻传感元件被布置成使得每对元件具有它们的感测方向，即它们的灵敏度，在同一方向上对齐。因此，其中一个元件具有非常高的电阻，而另一个元件在磁体在x-y平面中心时具有低电阻。随着磁体在感测方向的方向上在x-y平面内移动，该对中的两个元件将经历类似或相同的电阻变化。因此，惠斯通电桥的分压比以及因此惠斯通电桥的输出将保持相同或基本相同。

通过布置两对元件，在x-y平面内具有彼此垂直的感测方向，并且均匀地分布在磁体周围，在x-y平面内的磁体移动得到很大程度的补偿。此外，例如从外部设备施加均匀的外部磁场对惠斯通电桥的输出没有影响或影响很小。

图1示出了根据本公开的实施例的位置传感器100的示意性透视图。如图1所示，传感器包括磁体101和传感元件102。磁体101悬挂在传感元件102上方并且布置成沿主方向移动。在该示例中，主方向是z方向，并且因此磁体布置成远离并朝向感测元件102移动。然而，磁体也能够在 x-y平面中移动到很小的程度。这是因为以这样的方式悬挂磁体非常困难，即在x-y平面中没有移动，同时允许在z方向上移动。例如，磁体可以由金属片连接器支撑，金属片连接器将磁体连接到传感器。金属连接器的作用类似于弹簧，从而允许z方向移动。然而，由于它们是类似弹簧的，因此可能在x-y平面中发生少量移动。

图2示出了图1中所示的传感元件102的平面图。在该示例中，传感元件102包括基板103，基板103可以由硅或玻璃形成。基板具有形成在基板103的上表面上的四个磁阻元件R1、R2、R3和R4。磁阻元件是薄膜器件，其可以使用标准半导体制造工艺形成。在该示例中，磁阻装置是巨磁阻(GMR)自旋阀。然而，磁阻元件可以是隧道磁阻(TMR)元件或各向异性磁阻元件(AMR)。通常，这些设备可以称为xMR元件。在进一步的实施例中，可以使用对磁场在特定方向上的变化敏感的任何类型的磁阻装置。

在该示例中，每个磁阻元件R1-R4可以朝向方形基板的相应拐角形成。在该示例中，传感元件102的相对角处的磁阻元件被布置成使其灵敏方向对准。这样，元件R1和R4的灵敏度方向对齐，元件R2和R3的灵敏度方向对齐。元件R2和R3的灵敏度方向被布置成使得它垂直于元件R1和 R4的灵敏度方向。然而，应该理解，其他布置也是可能的。例如，磁阻元件的R1-R4中的每一个可以朝向基板的边缘的中心形成。

在另一实施例中，传感元件可包括两对以上的磁阻元件。元件对的数量越多，传感器在补偿x-y平面中的磁体移动方面将越好。对于任何给定数量的磁阻元件对，对的灵敏度方向可以均匀地分布在360度附近。也就是说，磁阻元件对可以均匀地分布在要补偿移动的平面周围，每对磁极元件位于磁体的相对侧并且与磁体等距。

图3是示出磁阻元件R1至R4可以在桥式布置中连接以便检测磁场的变化的方式的电路图。在该示例中，元件R1和R4可以串联连接在第一节点和第二节点之间。第一节点耦合到第一电源轨，第二节点连接到第二电源轨或地。以相应的方式，元件R3和R2串联连接在第一和第二节点之间。这样，元素R1和R4的组合与元素R2和R3的组合并联连接。然后从元件R1和R4之间的第三节点以及元件R2和R3之间的第四节点获取桥式电路的输出。元件的电阻的变化可以引起输出的变化，从而提供磁体在z 方向上的移动的指示。

图4显示了GMR旋转阀的典型传递曲线。此图表显示设备电阻的百分比变化如何相对于应用磁场而变化。对于高正磁场，应用于GMR自旋阀的灵敏度方向，电阻较低。对于在GMR自旋阀的灵敏度方向上施加的高负磁场，电阻很高。上述实施例的磁阻元件可以具有这些特性。

图5示出了当磁体位于表面上方2mm的距离并且直接在传感器表面上居中时感测元件102的表面的x-y平面中的磁场，即在x-y平面上没有移动。该图表显示了平面内组件(Hx和Hy)，但不包括平面外组件(Hz)。场强在感测元件表面的正中心处基本上为零，而对于传感器的边缘则相对较强。

现在将描述传感器100的操作。参照图2所示的布置，当磁体处于稳定状态时，R1和R2的电阻低，因为在与R1和R2的灵敏度方向相同的方向上施加高磁场。相反，R3和R4的电阻很高，因为在与R3和R4的灵敏度方向相反的方向上施加高磁场。这导致桥式电路输出处的电压差。该电压可以被记录为用于在z方向上零移动的预设电压。

假设磁体101固定在x-y平面中，当磁体远离传感元件102移动时，磁场强度在传感元件的表面处减弱。这样，元件R1和R2的电阻增加，因为场的方向与元件R1和R2的灵敏度方向相同。相反，元件R3和R4的电阻减小，因为磁场的方向与元件R3和R4的灵敏度方向相反。这样，元素R1和R4的电阻比减小，而元素R3和R2的电阻比增加。因此，桥式电路的输出也会改变。当磁体朝向传感元件移动时发生相反的情况。

再次参考图2，磁阻元件和桥式电路的配置使得磁体在x-y平面中的移动对桥式电路的输出具有最小或零影响。例如，在R1和R4的灵敏度方向上x-y平面内的磁体的任何移动将引起R1和R4的电阻的相应变化。例如，参照图5，如果磁体朝向R1横向移动，则磁场略微减小，导致电阻略微增加。当磁体移向R1时，它会远离R4。这导致R4处磁场的轻微增加。然而，由于场与R4的灵敏度方向相反，并且R4处于高电阻，R4也经历相应的电阻增加。因此，R1和R4的分频器网络不会在分频比上发生任何显着变化。因此，桥式电路的输出保持相同或基本相同。作为具有两对磁阻元件的结果，实现了对在x-y平面内的其他方向上的移动的类似补偿。

图6A示出了根据另一实施例的传感元件600。传感元件600与图2 所示的元件102相同，除了磁阻元件H1至H4沿着基板的边缘而不是在角落中定位。图6A中所示的箭头对应于每个元件的灵敏度方向。这样，在该示例中，传感元件600的相对边缘处的磁阻元件被布置成使其灵敏方向对准。元素H1和H3的灵敏度方向对齐，元素H2和H4的灵敏度方向对齐。元件H2和H4的灵敏度方向被布置成使得其垂直于元件H1和H3的灵敏度方向。就桥式电路而言，H1和H3在桥的一侧串联连接，而H2和 H4在另一侧串联连接，如图6B所示。

当磁体在z方向上移动时，操作方法基本上与上面结合图2和3所述的相同。当磁体处于稳定状态时，H1和H2的电阻低，因为高磁场应用于与H1和H2的灵敏度方向相同的方向。相反，H3和H4的电阻高，因为在与H3和H4的灵敏度方向相反的方向上施加高磁场。因此，当磁体远离传感元件600移动时，磁场强度在传感元件的表面处减弱，导致元件H1 和H2的电阻增加，并且元件H3和H4的电阻减小。这样，元件H1和H3 的电阻比减小，而元件H4和H2的电阻比增加，导致桥式电路的输出发生变化。如前所述，当磁体朝向传感元件600移动时发生相反的情况。

图7A至7D示出了在传感元件600的每个单独元件处的磁场强度测量值，以便证明传感器工作的方式。实际上，不会进行这样的测量。图8示出了传感元件600的总输出。应当注意，图7和8中所示的图表基于模拟，其中磁体在z方向上的起始位置或零位置从磁体到传感器表面大约2mm。这样，图7A至7D和8中所示的曲线图示出了当磁体从该零位置开始移开并朝向传感器时z方向上的磁场强度的变化。

图7A示出了当磁体以传感元件为中心时每个元件的输出。传感元件相对于磁体的位置显示在图表的右侧。y轴表示测量的场强，而x轴表示磁体在z方向上的位移，以毫米为单位。如图7A所示，无论磁体在z方向上的位移如何，H1和H2处的测量场强都是相同的。由H3和H4测量的场强也是相同的，并且与在H1和H2处测量的场强相等且相反。因此，随着z增加，场强在H1、H2、H3和H4处减小。因此，来自桥式电路的输出仅反映z方向上的移动。

图7B示出了当磁体在x方向上移位(在该示例中向左)时的相同布置。如图所示，H2的曲线图和H4的曲线图不改变，或者改变到非常小的程度，因为在元素H2和H4的区域中场强没有显着变化。但是，代表H1 的图表向上移动表明场强增加。代表H3的图也向上移动，表示场强的减小。因此，H1和H3的阻力都会减小。由于H1和H3在桥式布置中串联形成，因此两个电阻之间的电势不会显着改变。实际上，H1和H3补偿x 方向上的移动。

图7C示出了当磁体在y方向上移位(在该示例中为顶部)时的相同布置。如图所示，H1的图和H3的图不会改变，或者改变到非常小的程度，因为场强在元素H1和H3的区域中没有显着改变。然而，表示H2的曲线向上移动表明场强增加。代表H4的图也向上移动，表示场强下降。因此， H2和H4的电阻都会降低。由于H2和H4在桥式布置中串联形成，两个电阻之间的电势不会显着改变。实际上，H2和H4补偿y方向上的移动。

图7D示出了当磁体在x方向和y方向上移位时的相同布置。这里，表示H1的曲线表示元素H1区域中场强的增加，而表示H3的曲线表示元素H3区域中场强的增加，元素H1和H3由此经历相应的电阻减小。类似地，表示H2的曲线表示元素H2区域中场强的增加，而表示H4的曲线表示元素H4区域中场强的减小。然而，由于元素H2和H4的灵敏度方向垂直于元素H1和H3的灵敏度方向，场强的这种变化导致元素H2和H4的电阻相应增加。因此，每个相应元件对H1和H3以及H2和H4处的电桥输出将保持相同或基本相同。因此，H1和H3补偿x方向上的移动，而 H2和H4补偿y方向上的任何移动。

图8是表示由桥式电路检测到的磁场强度对磁体在z方向上的位移的图表。在这个例子中，图表显示了磁体居中时的图表，当它在x方向上移位0.2mm时的图表，当它在y方向上移位0.2mm时的图表和当它在x方向和y方向上移位0.2mm时的图表。虽然由于x-y移动导致输出存在小的差异，但与单个元件类型的检测器相比，这在很大程度上得到了补偿。

图9示出了根据替代实施例的桥式电路。在该实施例中，R1至R4各自由两个相同的磁阻元件R1a、R1b、R2a、R2b、R3a、R3b、R4a和R4b 形成。例如，通过将形成R1的条带切成两半来形成R1a和R1b。R1a和 R1b位于传感元件的相同部分，具有相同的灵敏度方向。然后将这些元件中的每一个连接在图9所示的桥式布置中。这种布置的好处是它显示出改进的温度匹配特性。当磁体在z方向上移动时，操作方法基本上与上面结合图2和3所述的相同，在z方向上的移动引起桥式电路的输出的相应变化。与图2和图3一样，x-y平面中的磁体的任何移动将由传感器的相对侧上的成对传感元件补偿，所述传感元件具有对准且在相同方向上的灵敏度。例如，传感元件对R1a和R4b、R1b和R4a、R2a和R3b以及R2b和 R3a中的每一个将补偿x-y平面内的位移。

图10示出了根据本公开的另一实施例的感测元件900。在该实施例中，除了磁阻元件R1至R4之外，屏蔽参考电阻器901包括在传感元件900的中心。在该实施例中，磁阻元件是GMR多层元件。图11示出了与图10 中所示的布置一起使用的桥式布置。R1至R4可以以串联或并联布置的方式耦合。R1至R4的串联或并联布置的总电阻应等于或近似等于参考电阻器901的电阻。每对相应的元件对R1和R4以及R2和R3以与前面的例子基本相同的方式补偿x-y平面中的移动。作为替代方案，R1至R4可以各自由两个相同的磁阻元件R1a、R1b、R2a、R2b、R3a、R3b、R4a和R4b 形成。在这种情况下，图11的左上手电阻器可以由R1a至R4a形成，右下方可以由R1b至R4b形成。作为另一替代方案，左上手电阻器可以由 R1和R2形成，而右下手电阻器可以由R3和R4形成。

图12是显示根据本公开的实施方案的GMR多层的典型转移曲线的图表。在该示例中，该图表示出了GMR电阻与本文公开的电阻器的磁场强度之间的一般关系。电阻的变化与磁场方向无关。

图13A至13D示出了另一实施例中的电阻器R1至R4的各个场强测量的模拟。在该实施例中，磁阻元件以与图6A中所示的布置类似的方式布置在边缘的中心处，而不是布置在拐角处。图14示出了使用用于图13A 至13D的磁阻布置的图11中所示的桥式布置的输出的模拟。可以看出，这种布置显示出对上述实施例的进一步改进，在x-y平面中的移动导致的输出几乎没有差异。

图13A示出了当磁体在传感器上方居中时磁体在z方向上移位的所有四个电阻器R1-R4的磁场强度的变化，也就是说，在x和y方向上没有位移。这里，所有四个电阻器的磁场强度是相同的。图13B、13C和13D示出了当磁体也从其中心位置横向移位时由于z方向上的位移引起的磁场强度的变化。在图13B中，磁体在x方向上移位，电阻器R1和R3表现出磁场强度和电阻的相应变化，从而补偿了这种横向移动。在图13C中，磁体在y方向上移位，电阻器R2和R4经历磁场强度和电阻的相应变化，从而补偿这种横向移动。在图13D中，磁体在x和y方向上都移位，每对磁体再次经历磁场强度和电阻的相应变化，从而解决了两个方向上的横向移动。

根据本公开的一些实施例，还提供了一种使用磁阻位置传感器沿至少第一方向测量位置的方法，该方法包括：使用差分场传感器沿第一方向检测磁体的位置；和使用所述差分场传感器补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

在一些实施例中，所述至少第二方向位于第一平面中，所述第一平面基本垂直于所述第一方向。

本公开适用于许多应用，其中在一个方向上检测磁体的移动可能通过在其他方向上的移动而受到干扰。示例应用包括数码相机中的驱动马达、显微镜中的驱动马达和接近检测器。

Claims

1.一种用于至少沿第一方向测量位置的磁阻位置传感器，其特征在于，该传感器包括：

磁体，设置成至少沿所述第一方向移动；和

差分场传感器，布置成检测所述磁体沿所述第一方向的移动，并补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述差分场传感器包括多个磁阻元件。

3.根据权利要求2所述的传感器，其中所述多个磁阻元件中的每一个具有感测方向，并且至少第一对磁阻元件被布置成使得它们的感测方向对齐。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述多个磁阻元件的感测方向布置在第一平面中，并且所述第一平面相对于所述第一方向偏移。

5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述第一平面垂直于所述第一方向。

6.根据权利要求4所述的传感器，其中所述至少第二方向位于所述第一平面中。

7.根据权利要求3所述的传感器，其中第二对磁阻元件被布置成使得它们的感测方向是对齐的，并且使得它们的感测方向相对于所述第一对磁阻元件偏移。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中所述第一对磁阻元件的感测方向垂直于所述第二对磁阻元件的感测方向。

9.根据权利要求7所述的传感器，其中所述多个磁阻元件布置在第一平面中，使得至少第一和第二对磁阻元件均匀地分布在所述传感器周围，一对磁阻元件的每个相应元件被设置在所述传感器的相对侧并且相对于所述磁体处于等距位置。

10.根据权利要求2所述的传感器，其中所述多个磁阻元件以桥式布置连接，并且所述桥的输出指示所述磁体沿所述第一方向的移动。

11.根据权利要求10所述的传感器，其中所述桥式布置是惠斯通电桥电路。

12.根据权利要求10所述的传感器，其中所述至少第二方向位于第一平面中，垂直于所述第一方向，并且其中所述桥式布置的输出不指示所述磁体在所述第一平面中的移动。

13.根据权利要求10所述的传感器，其中第一对磁阻元件串联连接在第一节点和第二节点之间，并且第二对元件串联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，以及桥式电路的输出取自每对之间的节点。

14.根据权利要求13所述的传感器，其中所述多个磁阻元件中的每一个具有感测方向，第一对磁阻元件被布置成使得它们的感测方向是对齐的，并且第二对磁阻元件被布置成使得它们的感测方向是对齐的，其中所述第二对磁阻元件的感测方向相对于所述第一对磁阻元件的感测方向偏移。

15.根据权利要求14所述的传感器，其中所述第一对磁阻元件的感测方向垂直于所述第二对磁阻元件的感测方向。

16.根据权利要求2所述的传感器，其中所述多个磁阻元件中的一个是参考电阻。

17.根据权利要求16所述的传感器，其中所述参考电阻是屏蔽的，使得其输出不依赖于磁场。

18.一种用于至少沿第一方向测量位置的磁阻位置传感器，其特征在于，该传感器包括：

磁体，设置成至少沿所述第一方向移动；和

基板，其上布置有多个磁阻元件，所述磁阻元件设置成检测所述磁体沿第一方向的移动；

其中所述磁阻元件布置为桥式布置，以补偿所述磁体沿至少第二方向的移动。