CN210724596U - 基于场效应管的整流电路、二总线和仪表总线通讯系统 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种基于场效应管的整流电路、二总线通讯系统和仪表总线通讯系统，包括储能负载和多个电压整流单元，每个电压整流单元包括第一输出端和第二输出端，储能负载串联在每个电压整流单元的第一输出端和第二输出端之间，用于对储能负载进行充放电。每个电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一场效应管和第二场效应管，用于对输入的电压信号进行整流。由于场效应管替代整流二极管对输入的电压信号进行整流，使得整流电路消耗的电功率降低，发热量减少，和实现可集成化以减少电路的占用面积。

Description

基于场效应管的整流电路、二总线和仪表总线通讯系统

技术领域

本申请及电压整形滤波技术领域，具体涉及一种基于场效应管的整流电路、二总线通讯系统和仪表总线通讯系统。

背景技术

现有技术中常用的整流电路是采用整流二极管作为整流元件，搭建整流电路，把交流整流成直流，实现极性独立。由于二极管自身的管压比较高(通常整流二极管的正向导通压降为0.5-1.5V，全桥整流桥电路的二极管的导通压降为 1.4-3V)，所以直接用二极管搭建的整流桥电路在大电流的工作下其消耗的电功率是比较大的，而且发热也较为严重(需要单独配置降温装置，如散热片和风扇等)，则在PCB上占用面积较大，且也不易集成。如果采用定制工艺进行集成，其成本也较高。

场效应管本身有寄生二极管，通常将其称之为场效应管的体二极管(以下简称为体二极管)，具有整流作用，其管压降约为0.2-0.5V，且当体二极管导通时，触发场效应管的栅极，使场效应管正向导通，此时管压降将进一步降低到0.1- 0.3V，因此可应用场效应管的体二极管的特性来设计整流电路，以解决二极管整流电路存在的消耗电功率大，发热严重，占用空间大等技术问题。

发明内容

本申请提供一种基于场效应管的整流电路、二总线通讯系统和仪表总线通讯系统，解决现有技术中二极管整流电路消耗电功率大、发热严重和占用空间大的技术问题。

根据第一方面，一种基于场效应管的整流电路，包括储能负载和多个电压整流单元；每个所述电压整流单元包括第一输出端和第二输出端，所述储能负载串联在每个所述电压整流单元的第一输出端和第二输出端之间，用于对所述储能负载进行充放电；

每个所述电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一场效应管和第二场效应管；

第一场效应管的第一极与第一反相器的输入端连接，作为所述电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号的输入；

第一场效应管的第二极与第一反相器的电压输入端连接，作为所述电压整流单元的第一输出端；

第一场效应管的控制极与第一反相器的输出端连接；

第一反相器的接地端接地；

第二场效应管的第一极与所述电压整流单元的输入端连接；

第二场效应管的第二极用于作为所述电压整流单元的第二输出端；

第二场效应管的控制极与第二反相器的输出端连接；

第二反相器的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

第二反相器的电压输入端与所述电压整流单元的第一输出端连接；

第二反相器的接地端接地。

进一步，所述电压整流单元的数量为两个；

其中一个整流单元的输入端，作为所述整流电路的第一输入端，用于一被整流电压信号的输入；其中另一个整流单元的输入端，作为所述整流电路的第二输入端，用于另一被整流电压信号的输入；

所述其中一个电压整流单元的第一输出端与所述其中另一个电压整流单元的第一输出端连接，作为所述整流电路的第一输出端；

所述其中一个电压整流单元的第二输出端与所述其中另一个电压整流单元的第二输出端连接，作为所述整流电路的第二输出端。

进一步，所述储能负载包括电容，串联在每个所述电压整流单元的第一输出端与第二输出端之间。

进一步，第一场效应管是PMOS管或NMOS管，则第二场效应管是NMOS管或PMOS管。

进一步，每个电压整流单元的第一反相器和第二反相器相同；第一反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管；

PMOS管和NMOS管的控制极连接用于作为所述第一反相器的输入端；

PMOS管的第一极作为所述第一反相器的电压输入端；

PMOS管的第二极与NMOS管的第二极连接作为所述第一反相器的输出端；

NMOS管的第一极作为所述第一反相器的接地端。

根据第二方面，一种基于场效应管的整流电路，包括储能负载和多个电压整流单元；每个所述电压整流单元包括第一输出端和第二输出端，所述储能负载串联在每个所述电压整流单元的第一输出端和第二输出端之间，用于对所述储能负载进行充放电；

每个所述电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一整流模块和第二整流模块；

所述第一整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当所述第一整流模块的控制端输入负电压信号时，将所述第一整流模块输入端的电压信号输出到所述第一整流模块的输出端；

所述第二整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当所述第二整流模块的控制端输入正电压信号时，将所述第二整流模块输入端的电压信号输出到所述第二整流模块的输出端；

所述第一整流模块的输入端与第一反相器的输入端连接，作为所述电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号的输入；

所述第一整流模块的输出端与第一反相器的电压输入端连接，作为所述电压整流单元的第一输出端；

所述第一整流模块的控制端与第一反相器的输出端连接；

第一反相器的接地端接地；

所述第二整流模块的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

所述第二整流模块的输出端用于作为所述电压整流单元的第二输出端；

所述第二整流模块的控制端与第二反相器的输出端连接；

第二反相器的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

第二反相器的电压输入端与所述电压整流单元的第一输出端连接；

第二反相器的接地端接地；

所述第一整流模块包括多个PMOS管；

所述第二整流模块包括多个NMOS管。

进一步，所述第一整流模块包括N个级联的PMOS管，N为自然数；

N个PMOS管的控制极连接在一起作为所述第一整流模块的控制端；

第一个PMOS管的第一极作为所述第一整流模块的输入端；

第一个PMOS管的第二极与第二个PMOS管的第一极连接；

第N个PMOS管的第一极与第N-1个PMOS管的第二极连接；

第N个PMOS管的第二极作为所述第一整流模块的输出端。

进一步，所述第二整流模块包括N个级联的NMOS管，N为自然数；

N个NMOS管的控制极连接在一起作为所述第二整流模块的控制端；

第一个NMOS管的第一极作为所述第二整流模块的输入端；

第一个NMOS管的第二极与第二个NMOS管的第一极连接；

第N个NMOS管的第一极与第N-1个NMOS管的第二极连接；

第N个NMOS管的第二极作为所述第二整流模块的输出端。

根据第三方面，一种二总线通讯系统，包括第一或第二方面所述的整流电路。

根据第三方面，一种仪表总线通讯系统，包括第一或第二方面所述的整流电路。

依据上述实施例的基于场效应管的整流电路、二总线通讯系统和仪表总线通讯系统，包括反相器和场效应管，通过反相器对输入电压信号的反相特性控制场效应管的导通与截至，实现对输入电压信号的整流。场效应管替代整流二极管对输入的电压信号进行整流，使得整流电路消耗的电功率降低，发热量减少，和实现可集成化以减少电路的占用面积。

附图说明

图1为基于整流二极管的半桥整流电路示意图；

图2为基于MOS管的半桥整流电路示意图；

图3为一种实施例中电压整流单元的电路示意图；

图4为整流桥电路示意图；

图5为一种实施例中整流电路的电路示意图；

图6为一种实施例中反相器的电路示意图；

图7为另一种实施例中电压整流单元的电路示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本申请作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。

下面先对本申请所涉及到的一些术语作一个说明。

本申请中的晶体管可以是任何结构的晶体管，比如双极型晶体管(BJT)或者场效应晶体管(FET)。当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的栅极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“发射极”和“集电极”可以依据信号流向而互换；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极，在实际应用过程中，“源极”和“漏极”可以依据信号流向而互换。需要说明的是，为了描述方便，也为了使本领域技术人员更清楚地理解本申请的技术方案，在申请中涉及的各个电路、单元或模块的输入端、输出端和控制端不应理解为本申请技术方案的技术特征。

请参考图1，为基于整流二极管的半桥整流电路示意图，包括两个电压输入端用于输入V1和V2，二极管D1、二极管D2、电容C1。该两相半波整流电路在进行电源整流时，当V1为正电压，且V2为负电压时，则通过D1对电容C1充电；当V1为负电压，且V2为正电压时，则通过D2对电源充电，这样就实现了电源的整流。但是在集成电路里，对于高压的应用需求，高压二极管相对不容易实现，且成本也较高，所以选择容易实现的MOS场效应管来实现该整流电路。

如图2所示，为基于MOS管的半桥整流电路示意图，包括两个电压输入端用于输入电源V11和电源V12，场效应晶体管Q11、场效应晶体管Q12、电容 C11、反相器INV11、反相器INV12。场效应晶体管Q11的第一极与反相器 INV11的输入端连接，作为该整流电路的一输入端，用于电源V11的输入。场效应晶体管Q11的控制极与反相器INV11的输出端连接，场效应晶体管Q11的第二极与反相器INV11的电压输入端连接，用于作为该整流电路的输出端。反相器INV11的接地端接地。场效应晶体管Q12的第一极与反相器INV12的输入端连接，作为该整流电路的另一输入端，用于电源V12的输入。场效应晶体管 Q12的控制极与反相器INV12的输出端连接，场效应晶体管Q12的第二极与反相器INV11的电压输入端连接，并与该整流电路的输出端连接。反相器INV11 的接地端接地。电容C11连接在该整流电路的输出端与地之间。而现有技术中，当反相器INV11和反相器INV12导通时，只是将场效应晶体管Q11和场效应晶体管Q12的体二极管D11和体二极管D12代替高压二极管，基本工作原理同上，也是可以完成电源的整流。

在本申请实施例中，公开了一种基于场效应管的整流电路、二总线通讯系统和仪表总线通讯系统，包括一个或多个电压整流单元，每个电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一场效应管和第二场效应管，用于对输入的电压信号进行整流。由于场效应管替代整流二极管对输入的电压信号进行整流，使得整流电路消耗的电功率降低，发热量减少，和实现可集成化以减少电路的占用面积。

实施例一

请参照图3，为一种实施例中电压整流单元的电路示意图，本申请公开的基于场效应管的整流电路包括一个或多个电压整流单元，每个电压整流单元包括第一反相器INV31、第二反相器INV32、第一场效应管器Q31和第二场效应管Q32，用于对输入的电压信号VBUS31进行整流。第一场效应管Q31的第一极与第一反相器INV31的输入端连接，作为电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号VBUS31的输入。第一场效应管Q31的第二极与第一反相器INV31 的电压输入端连接，作为电压整流单元的第一输出端。第一场效应管Q31的控制极与第一反相器INV31的输出端连接。第一反相器INV31的接地端接地。第二场效应管Q32的第一极与电压整流单元的输入端连接。第二场效应管Q32的第二极用于作为电压整流单元的第二输出端。第二场效应管Q32的控制极与第二反相器INV32的输出端连接。第二反相器INV32的输入端与电压整流单元的输入端连接。第二反相器INV32的电压输入端与电压整流单元的第一输出端连接。第二反相器INV32的接地端接地。一实施例中，第一场效应管是PMOS 管，则第二场效应管是NMOS管。一实施例中，第一场效应管是NMOS管，则第二场效应管是PMOS管。本申请实施例的整流电路还包括储能负载，一实施例中，储能负载包括负载电容C31，连接在每个电压整流单元的第一输出端与第二输出端之间。

请参照图4，为整流桥电路示意图，是基于整流二极管搭建的整流电路，包括四个依次连接的整流二极管D21、D22、D23和D24，两个输入电压信号分别连接在D21与D23及D22与D24之间，整流后的电压信号为负载电容C21充放电。本实施例为了将整流电路集成在芯片内设计了基于场效应管的整流电路。

请参照图5，为一种实施例中整流电路的电路示意图，整流电路包括第一电压整流单元和第二电压整流单元，第一电压整流单元的输入端作为整流电路的第一输入端，用于一被整流电压信号VBUS31的输入。第二电压整流单元的输入端作为整流电路的第二输入端，用于另一被整流电压信号VBUS32的输入。第一电压整流单元的第一输出端与第二电压整流单元的第一输出端连接，作为整流电路的第一输出端。第一电压整流单元的第二输出端与第二电压整流单元的第二输出端连接，作为整流电路的第二输出端。一实施例中，整流电路还包括负载电容C31，连接在每个电压整流单元的第一输出端与第二输出端之间。

如图5所示，第一电压整流单元包括第一反相器INV31、第二反相器 INV32、第一场效应管器Q31和第二场效应管Q32。第二电压整流单元包括第三反相器INV33、第四反相器INV34、第三场效应管器Q33和第四场效应管Q34。其中，第一场效应管和第三场效应管是PMOS管，第二场效应管和第四场效应管是NMOS管。第一电压整流单元的输入端输入一被整流电压信号VBUS31，第二电压整流单元的输入端输入另一被整流电压信号VBUS32。当一被整流电压信号VBUS31为正电压，另一被整流电压信号VBUS32为负电压时，在初始时刻，负载电容C31的一端VDD电压为0，此时刻第一场效应管Q31、第二场效应管 Q32、第三场效应管Q33和第四场效应管Q34的第一极(即栅极)电压是不确定的值，所以第一场效应管Q31和第四场效应管Q34不一定按正常开关原理导通。由PMOS管的物理结构可知第一场效应管Q31和第三场效应管Q33有寄生二极管D31和D33，同理由NMOS管的物理结构可知第一场效应管Q32和第三场效应管Q34有寄生二极管D32和D34，所以在初始时刻，电流回路是通过寄生二极管D31向负载电容C31缓慢充电，再通过寄生二极管D34回到电压信号 VBUS32，这样经过一段时间负载电容C31的VDD端会缓慢上升，当上升到促使第一反相器INV31和第二INV32工作时，这时第一反相器INV31输出为低电平，第四反相器INV34输出高电平，此时第一场效应管Q31和第二场效应管 Q34，电压信号VBUS31通过第一场效应管Q31向负载电容C31充电，最后通过第四场效应管Q34回到电压信号VBUS32。同时在初始时刻，因为负载电容C31 的VDD端为0V，电压信号VBUS32为负电压，所以在此时第二场效应管Q32和第三场效应管Q33的寄生二极管是D32和D33是截止的，随着负载电容C31的 VDD端电压缓慢上升，当上升到促使第二反相器INBV32和第三反相器INV33工作时，这时第三反相器INV33的输出为高电平，第二反相器INV32输出为低电平，寄生二极管是D32和D33均截止。

当一被整流电压信号VBUS31为负电压，另一被整流电压信号VBUS32为正电压时，在初始时刻，负载电容C31的一端VDD电压为0，此时刻第一场效应管Q31、第二场效应管Q32、第三场效应管Q33和第四场效应管Q34的第一极 (即栅极)电压是不确定的值，所以第二场效应管Q32和第三场效应管Q33不一定按正常开关原理导通。在初始时刻，电流回路是通过寄生二极管D33向负载电容C31缓慢充电，再通过寄生二极管D32回到电压信号VBUS1，这样经过一段时间负载电容C31的VDD端电压会缓慢上升，当上升到促使第三反相器 INV33和第二反相器INV32工作时，这时第三反相器INV33输出为低电平，第二反相器INV32输出高电平，此时第三场效应管Q33和第二场效应管Q32导通，电压信号VBUS2通过第三场效应管Q33向负载电容C31充电，最后通过第二场效应管Q32回到电压信号VBUS31。同时在初始时刻，因为负载电容C31的 VDD端电压为0，电压信号VBUS31为负电压，所以在此时第一场效应管Q31和第四场效应管Q34的寄生二极管D31和D34是截止的，随着负载电容C31的 VDD电压缓慢上升，当上升到促使第一反相器INV31和第四反相器INV34工作时，这时第一反相器INV31的输出为高电平，第四反相器INV34输出为低电平，第三场效应管Q33和第二场效应管Q32均截止。

请参照图6，为一种实施例中反相器的电路示意图，每个电压整流单元的第一反相器和第二反相器相同。第一反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管。 PMOS管和NMOS管的控制极连接用于作为第一反相器的输入端。PMOS管的第一极作为第一反相器的电压输入端。PMOS管的第二极与NMOS管的第二极连接作为第一反相器的输出端。NMOS管的第一极作为第一反相器的接地端。

本申请实施例中，公开了一种基于场效应管的整流电路，包括一个或多个电压整流单元，每个电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一场效应管和第二场效应管，用于对输入的电压信号进行整流,在工作时，两个输入端无论是正极还是负极，输出端的一个为固定的高电平，一个为固定的低电平 (参考地)，从而实现了极性独立。由于场效应管替代整流二极管对输入的电压信号进行整流，使得整流电路消耗的电功率降低，发热量减少，和实现可集成化以减少电路的占用面积。尤其对于高压整流应用电路来说，相比高压整流二级极管，高压的MOS管更容易实现集成，所以该电路能在CMOS工艺下集成在芯片里面，减少PCB面积，节省成本。并且MOS管在导通时，其压降损失很小，所以功耗也会相应的降低。

实施例二

请参照图7，为另一种实施例中电压整流单元的电路示意图，本申请还公开了一种基于场效应管的整流电路，包括一个或多个电压整流单元，每个电压整流单元包括负载电容C71、第一反相器INV71、第二反相器INV72、第一整流模块和第二整流模块，用于对输入的电压信号进行整流。第一整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当第一整流模块的控制端输入负电压信号时，将第一整流模块输入端的电压信号输出到第一整流模块的输出端。还用于当第一整流模块的控制端输入正电压信号时，不将第一整流模块输入端的电压信号输出到第一整流模块的输出端。第二整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当第二整流模块的控制端输入正电压信号时，将第二整流模块输入端的电压信号输出到第二整流模块的输出端。还用于当第二整流模块的控制端输入负电压信号时，不将第一整流模块输入端的电压信号输出到第一整流模块的输出端。第一整流模块的输入端与第一反相器INV71的输入端连接，作为电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号VBUS71的输入。第一整流模块的输出端与第一反相器 INV71的电压输入端连接，作为电压整流单元的第一输出端。第一整流模块的控制端与第一反相器INV71的输出端连接。第一反相器INV71的接地端接地。第二整流模块的输入端与电压整流单元的输入端连接。第二整流模块的输出端用于作为电压整流单元的第二输出端。第二整流模块的控制端与第二反相器INV72 的输出端连接。第二反相器INV72的输入端与电压整流单元的输入端连接。第二反相器INV72的电压输入端与电压整流单元的第一输出端连接。第二反相器 INV72的接地端接地。本申请实施例的整流电路还包括储能负载，一实施例中，储能负载包括负载电容C71，连接在每个电压整流单元的第一输出端与第二输出端之间。第一整流模块包括多个PMOS管，第二整流模块包括多个NMOS管。一实施例中，第一整流模块包括N个级联的PMOS管，N为自然数。N个PMOS管的控制极连接在一起作为第一整流模块的控制端，第一个PMOS管的第一极作为第一整流模块的输入端，第一个PMOS管的第二极与第二个PMOS管的第一极连接，第N个PMOS管的第一极与第N-1个PMOS管的第二极连接，第N个PMOS管的第二极作为第一整流模块的输出端。第二整流模块包括N个级联的NMOS管，N为自然数。N个NMOS管的控制极连接在一起作为第二整流模块的控制端，第一个 NMOS管的第一极作为第二整流模块的输入端，第一个NMOS管的第二极与第二个 NMOS管的第一极连接，第N个NMOS管的第一极与第N-1个NMOS管的第二极连接，第N个NMOS管的第二极作为第二整流模块的输出端。一实施例中，第一整流模块包括第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管和第二PMOS管的控制极连接在一起作为第一整流模块的控制端，第一PMOS管的第一极作为第一整流模块的输入端，第一PMOS管的第二极与第二PMOS管的第一极连接，第二PMOS管的第二极作为第一整流模块的输出端。一实施例中，第二整流模块包括第一NMOS 管和第二NMOS管，第一NMOS管和第二NMOS管的控制极连接在一起作为第二整流模块的控制端，第一NMOS管的第一极作为第二整流模块的输入端，第一NMOS管的第二极与第二NMOS管的第一极连接，第二NMOS管的第二极作为第二整流模块的输出端。

本申请实施例中公开的整流电路可以应用在各种涉及到电压整形滤波的电路中。优选应用于二总线通讯系统，尤其优选应用在仪表总线通讯系统(Mbus 系统)中设备端电源的整流电路。

以上应用了具体个例对本申请进行阐述，只是用于帮助理解本申请，并不用以限制本申请。对于本申请所属技术领域的技术人员，依据本申请的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。

Claims (10)

1.一种基于场效应管的整流电路，其特征在于，包括储能负载和多个电压整流单元；每个所述电压整流单元包括第一输出端和第二输出端，所述储能负载串联在每个所述电压整流单元的第一输出端和第二输出端之间，用于对所述储能负载进行充放电；

每个所述电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一场效应管和第二场效应管；

第一场效应管的第一极与第一反相器的输入端连接，作为所述电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号的输入；

第一场效应管的第二极与第一反相器的电压输入端连接，作为所述电压整流单元的第一输出端；

第一场效应管的控制极与第一反相器的输出端连接；

第一反相器的接地端接地；

第二场效应管的第一极与所述电压整流单元的输入端连接；

第二场效应管的第二极用于作为所述电压整流单元的第二输出端；

第二场效应管的控制极与第二反相器的输出端连接；

第二反相器的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

第二反相器的电压输入端与所述电压整流单元的第一输出端连接；

第二反相器的接地端接地。

2.如权利要求1所述的整流电路，其特征在于，所述电压整流单元的数量为两个；

其中一个整流单元的输入端，作为所述整流电路的第一输入端，用于一被整流电压信号的输入；其中另一个整流单元的输入端，作为所述整流电路的第二输入端，用于另一被整流电压信号的输入；

所述其中一个电压整流单元的第一输出端与所述其中另一个电压整流单元的第一输出端连接，作为所述整流电路的第一输出端；

所述其中一个电压整流单元的第二输出端与所述其中另一个电压整流单元的第二输出端连接，作为所述整流电路的第二输出端。

3.如权利要求1所述的整流电路，其特征在于，所述储能负载包括电容，串联在每个所述电压整流单元的第一输出端与第二输出端之间。

4.如权利要求1所述的整流电路，其特征在于，第一场效应管是PMOS管或NMOS管，则第二场效应管是NMOS管或PMOS管。

5.如权利要求1所述的整流电路，其特征在于，每个电压整流单元的第一反相器和第二反相器相同；第一反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管；

PMOS管和NMOS管的控制极连接用于作为所述第一反相器的输入端；

PMOS管的第一极作为所述第一反相器的电压输入端；

PMOS管的第二极与NMOS管的第二极连接作为所述第一反相器的输出端；

NMOS管的第一极作为所述第一反相器的接地端。

6.一种基于场效应管的整流电路，其特征在于，包括储能负载和多个电压整流单元；每个所述电压整流单元包括第一输出端和第二输出端，所述储能负载串联在每个所述电压整流单元的第一输出端和第二输出端之间，用于对所述储能负载进行充放电；

每个所述电压整流单元包括第一反相器、第二反相器、第一整流模块和第二整流模块；

所述第一整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当所述第一整流模块的控制端输入负电压信号时，将所述第一整流模块输入端的电压信号输出到所述第一整流模块的输出端；

所述第二整流模块包括控制端、输入端和输出端，用于当所述第二整流模块的控制端输入正电压信号时，将所述第二整流模块输入端的电压信号输出到所述第二整流模块的输出端；

所述第一整流模块的输入端与第一反相器的输入端连接，作为所述电压整流单元的输入端，以用于被整流电压信号的输入；

所述第一整流模块的输出端与第一反相器的电压输入端连接，作为所述电压整流单元的第一输出端；

所述第一整流模块的控制端与第一反相器的输出端连接；

第一反相器的接地端接地；

所述第二整流模块的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

所述第二整流模块的输出端用于作为所述电压整流单元的第二输出端；

所述第二整流模块的控制端与第二反相器的输出端连接；

第二反相器的输入端与所述电压整流单元的输入端连接；

第二反相器的电压输入端与所述电压整流单元的第一输出端连接；

第二反相器的接地端接地；

所述第一整流模块包括多个PMOS管；

所述第二整流模块包括多个NMOS管。

7.如权利要求6所述的整流电路，其特征在于，所述第一整流模块包括N个级联的PMOS管，N为自然数；

N个PMOS管的控制极连接在一起作为所述第一整流模块的控制端；

第一个PMOS管的第一极作为所述第一整流模块的输入端；

第一个PMOS管的第二极与第二个PMOS管的第一极连接；

第N个PMOS管的第一极与第N-1个PMOS管的第二极连接；

第N个PMOS管的第二极作为所述第一整流模块的输出端。

8.如权利要求6所述的整流电路，其特征在于，所述第二整流模块包括N个级联的NMOS管，N为自然数；

N个NMOS管的控制极连接在一起作为所述第二整流模块的控制端；

第一个NMOS管的第一极作为所述第二整流模块的输入端；

第一个NMOS管的第二极与第二个NMOS管的第一极连接；

第N个NMOS管的第一极与第N-1个NMOS管的第二极连接；

第N个NMOS管的第二极作为所述第二整流模块的输出端。

9.一种二总线通讯系统，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的整流电路。

10.一种仪表总线通讯系统，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的整流电路。

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