CN210723011U - 衬底和包含该衬底的存储器装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种衬底和存储装置。该衬底包括：芯层，由电介质材料形成，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一导电图案，形成在芯层的第一表面上，第一导电图案包括第一信号线、第二信号线和电镀工艺线，并且第一信号线包括形成于其一端的第一电接触部分，第一电接触部分具有电镀层，并且第二信号线包括形成于其一端的第二电接触部分，第二电接触部分具有电镀层，电镀工艺线还包括第一开口区域，第一信号线与第二信号线在第一开口区域断开电连接；以及第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面上的第一导电图案，并填充第一开口区域，第一电接触部分和第二电接触部分通过第一阻焊掩模中的开口暴露。

Description

衬底和包含该衬底的存储器装置

技术领域

本实用新型涉及一种衬底，并且更具体地，涉及一种在信号线与电镀工艺线的断开处被阻焊掩模覆盖的衬底。此外，本实用新型涉及包含该衬底的存储器装置。

背景技术

便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。

随着电子产业的快速发展，电子产品的尺寸日益缩小，集成度日益提高。相应地，为将更多的电子元件和电接触结构集成于更小的面积之上，应用于电子产品的衬底也面临制造上的挑战。通常，衬底具有形成于其芯层表面上的导电图案，电信号通过导电图案中的信号线从安装在衬底上的电子元件(诸如，存储器裸芯)传导并路由到衬底上的外部电连接结构，诸如，接触指、焊球、焊垫等。通常在电接触结构之上电镀镍(Ni)/金(Au)等导电材料的镀层，以起到保护和提高导电性能的作用。

在电接触结构之上电镀上述导电材料的镀层过程期间，需要将外部电流源提供的电流提供至这些电接触结构。作为示例，在使用金属阳离子化合物的电解质溶液进行的电镀过程期间，将电子供给到这些电接触结构，使电解质溶液中的金属阳离子得到电子而被还原，并沉积在这些电接触结构的表面之上，从而形成金属的镀层。

在常规的衬底的制造过程中，通常将两条或更多条信号线连接到同一电镀工艺线，以提供在电镀过程期间所需的电流。因此，需要在阻焊掩模留出开口，以在电镀工艺之后通过这些开口施加回蚀刻工艺来移除开口中的电镀工艺线的部分，从而将信号线之间断开电连接和/或将电镀工艺线与信号线断开电连接。然而，由于阻焊掩模具有为回蚀刻工艺预留的开口，降低了这些衬底的结构完整度，并且不被衬底的一些定制者所接受。

实用新型内容

根据本实用新型的衬底至少部分地克服上述缺点。具体地，根据本实用新型的衬底可以使用电镀工艺线电镀，并且在衬底两侧的阻焊掩模均没有为回蚀刻工艺而提供的开口的情况下，在电镀后断开信号线之间的电连接。

如本文中所使用的，信号线之间断开电连接是指信号线之间的任意位置处通过导电结构的断开而不相互电连接，尤其是信号线各自具有的电接触结构不相互连接，而不是指两个信号线之间任何部分物理上都不相互连接。同样，如本文中所使用的，信号线与电镀工艺线之间断开电连接是指通过信号线和/或电镀工艺线上的任意位置处的导电结构的断开而不相互电连接，尤其是信号线的电接触结构与电镀工艺线的主体部分不相互电连接，而不是指信号线和电镀工艺线之间任何部分物理上都不相互连接。

根据本实用新型的一方面，提供了一种衬底，其包括：芯层，由电介质材料形成，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一导电图案，形成在芯层的第一表面上，第一导电图案包括第一信号线、第二信号线和电镀工艺线，并且第一信号线包括形成于其一端的第一电接触部分，第一电接触部分具有电镀层，并且第二信号线包括形成于其一端的第二电接触部分，第二电接触部分具有电镀层，电镀工艺线在第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层的电镀过程期间与第一信号线和第二信号线同时电连接，从而提供电镀所需的电流，其中，电镀工艺线还包括第一开口区域，第一信号线与第二信号线在第一开口区域断开电连接；以及第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面上的第一导电图案，并填充第一开口区域，第一电接触部分和第二电接触部分通过第一阻焊掩模中的开口暴露。

在一个实施例中，第一信号线与电镀工艺线在第一开口区域断开电连接，第二信号线与电镀工艺线电连接。

在一个实施例中，第一信号线和第二信号线在第一开口区域均与电镀工艺线断开电连接。

在一个实施例中，第一开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除电镀工艺线的一部分而形成。

在一个实施例中，电镀工艺线还包括与第一开口区域在电镀工艺线上的位置不同的位置处的第二开口区域，第二信号线与电镀工艺线在第二开口区域断开电连接，并且第一阻焊掩模填充第二开口区域。

在一个实施例中，第二开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除电镀工艺线的一部分而形成。

在一个实施例中，第一阻焊掩模是一体形成的。

在一个实施例中，第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层由Ni、Au或其组合的材料形成。

在一个实施例中，根据本实用新型的衬底还包括：第二导电图案，形成在芯层的第二表面上，并且包括第三信号线，第三信号线包括形成于其一端的第三电接触部分，第三电接触部分具有电镀层，电镀工艺线在第三电接触部分的电镀层的电镀过程期间，与第三信号线通过穿过芯层的导电通孔电连接，从而提供电镀所需的电流；第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面上的第二导电图案，且第三电接触部分通过第二阻焊掩模中的开口暴露；其中，第三信号线与电镀工艺线在第一开口区域断开电连接；并且其中，第一阻焊掩模和第二阻焊掩模填充导电通孔内的空间。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种存储器装置，其包括上述任一实施中所述的衬底。

附图说明

附图图示了根据本实用新型的实施例以及常规的衬底，其未按比例绘制，且不以任何方式限制本申请所要求保护的主题含义和范围。相反地，附图仅出于说明性目的，而不应理解为附图中出现的全部特征都是技术方案的必要或优选的特征。为了图示清楚，某些视图中可能未示出部分特征或结构。在流程图中，方法步骤的顺序不应理解为限制于图示顺序。附图通篇，相同的附图标记表示相同的特征，附图中：

图1A是根据本技术的实施例的衬底的俯视图；

图1B是沿着图1A中的线I-I所截取的截面图；

图2A是根据本技术的另一实施例的衬底的俯视图；

图2B是沿着图2A中的线II-II所截取的截面图；

图3是根据本技术的又另一实施例的衬底的俯视图；

图4是根据本技术的又另一实施例的衬底的俯视图；

图5A是根据本技术的又一实施例的衬底的俯视图；

图5B是沿着图5A中的线III-III所截取的截面图；

图6是根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例的流程框图；

图7A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤610之后的过程中结构的俯视图；

图7B是沿着图7A中的线IV-IV所截取的截面图；

图8A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤620之后的过程中结构的俯视图；

图8B是沿着图8A中的线V-V所截取的截面图；

图9是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤630之后的过程中结构的截面图；

图10是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤640之后的过程中结构的截面图；

图11A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤650之后的过程中结构的俯视图；

图11B是沿着图11A中的线VI-VI所截取的截面图；

图12A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤660之后的过程中结构的俯视图；

图12B是沿着图12A中的线VII-VII所截取的截面图；

图13A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤670之后的过程中结构的俯视图；

图13B是沿着图13A中的线VIII-VIII所截取的截面图；

图14A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤680之后的过程中结构的俯视图；

图14B是沿着图14A中的线IX-IX所截取的截面图；

图15A是现有技术衬底的俯视图；

图15B是沿着图15A中的线X-X所截取的截面图；

图16A是另一现有技术衬底的俯视图；并且

图16B是沿着图16A中的线XI-XI所截取的截面图。

具体实施方式

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域普通技术人员所理解的通常意义。专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语可以用于描述各种元件、组件、区域、层、步骤和/或区段，但并不表示任何顺序、数量或者重要性，只是用来区分一个元件、组件、区域、层、步骤和/或区段。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。

空间上相关的术语，诸如“在…上”、“在…下”、“上部”、“下部”、“上方”、“下方”等，可以在本文中出于易于描述的目的来描述一个元件或特征与至少一个其他元件或特征的如图所示的关系。这些空间上相关的术语旨在于涵盖除了附图中所描绘的取向之外在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果装置翻转，则描述为在另一个元件或特征“下”、“下方”、“之下”的某个元件或特征则将取向在另一个元件的上方。此外，还将理解的是，当元件或特征被描述为“在”两个元件或特征“之间”，可以认为该元件或特征是这两个元件或特征之间的唯一元件或特征，或者还存在至少一个中介的元件或特征。还将理解的是，当元件或特征被描述为“在…上”、“连接到”、“耦接到”、“附接到”另一个元件或特征时，它可以是直接地“在…上”、“连接到”、“耦接到”、“附接到”另一个元件或特征，或者还可以出现至少一个中介的元件或特征。与此相反，当元件或特征被描述为“直接在…上”、“直接地连接到”、“直接地耦接到”、“直接地附接到”另一个元件或特征时，则不存在中介的元件或特征。

如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，应理解为“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的术语“或”和“和”指术语“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。

图15A是常规的衬底800的俯视图；图15B是沿着图15A中的线X-X所截取的截面图。该衬底800包含：芯层820，芯层820具有相对的第一表面822和第二表面824；形成在芯层820的第一表面822上的第一导电图案，包含第一信号线844a、第二信号线844b和电镀工艺线846。第一信号线844a包含用于外部电连接的第一电接触部分842a，第一电接触部分842a电镀有电镀层842a。第二信号线844b包含用于外部电连接的第二电接触部分842b，第二电接触部分842b也电镀有镀层(未示出)。电镀工艺线846包含与第一信号线844a电连接的部分846a、与第二信号线844b电连接的部分846b，和用于与外部电流源电连接的供电端部分846c。衬底800还包括分别设置在其两侧的第一阻焊掩模860a和第二阻焊掩模860b。第一阻焊掩模860a覆盖第一导电图案和芯层820的第一表面822。第一阻焊掩模860a具有开口，使得第一电接触部分842a和第二电接触部分842a通过开口暴露，以便于外部电连接。第二阻焊掩模860b覆盖芯层820的第二表面824。

在该衬底800中，为了共同地提供电镀期间所需的电流，在衬底的芯层820的第一表面822上，导电图案中的第一信号线844a、第二信号线844b分别经由电镀工艺线846的部分864a和部分846b同时电连接到电镀工艺线846的供电端部分846c。在电镀期间，外部电流源电连接到供电端部分846c，电流经由电镀工艺线846、第一信号线844a和第二信号线844b提供至第一信号线844a的第一电接触部分842a和第二信号线844b的第二电接触部分842b，以同时为第一电接触部分842a和第二电接触部分842b提供电镀所需的电流。在完成电镀工艺之后，第一信号线844a、第二信号线844b和电镀工艺线846三者均相互电连接。可以理解的是，为了使第一信号线844a和第二信号线844b能够分别传递不同的电信号，需要进一步断开它们之间的电连接。此外，在高频操作下，信号线与较长的电镀工艺线连接，将造成较高的天线效应，带来对电信号的潜在干扰，因此可以优选地在电镀工艺后断开信号线与电镀工艺线的电连接。为了断开第一信号线844a和第二信号线844b之间的电连接，该衬底800的第一阻焊掩模860a在对应于电镀工艺线846的部分846a处留有开口862a，并通过施加回蚀刻工艺，以移除电镀工艺线846的部分846a中在开口862a位置的一部分848a，从而使第一信号线844a和第二信号线844b之间的电连接断开。相似地，也可以在电镀工艺线846的其他位置处通过回蚀刻移除电镀工艺线846一部分(未示出)，从而附加地使第二信号线844b与电镀工艺线648断开电连接，以降低天线效应。

然而，在该衬底800中，需要在第一阻焊掩模860a中留有开口，从而使得施加回蚀刻工艺之后，芯层820的第一表面822不利地直接暴露于外部。这降低了第一阻焊掩模860a对于衬底800整体的保护的完整性，并且不符合衬底的许多定制者的设计要求。

图16A是另一常规的衬底900的俯视图；图16B是沿着图16A中的线XI-XI所截取的截面图。为了图示清楚，俯视图16A中未示出衬底900的第一阻焊掩模960a。与衬底800类似，衬底900在芯层920的第一表面922上具有第一信号线944a，第一信号线944a具有电镀有镀层943a的第一电接触部分942a。衬底900与衬底800不同之处在于，电镀工艺线946’形成在芯层920的第二表面924上，并经由穿过芯层920的导电通孔949电连接到第一信号线944a，并且芯层920的第二表面924上的第二阻焊掩模960b的某位置处形成有开口962。在电镀过程期间，外部电流源连接至电镀工艺线946’，电流经由电镀工艺线946’、导电通孔949和第一信号线944a提供至第一信号线944a的第一电接触部分942a。在完成电镀工艺之后，通过开口962施加回蚀刻工艺，以移除开口962位置的电镀工艺线946’的一部分948，从而使第一信号线944a与电镀工艺线946’断开电连接。

衬底900的第一阻焊掩模960a没有为回蚀刻工艺而设置的开口，但仍需要在第二阻焊掩模960b中留有开口962。这同样降低了第二阻焊掩模960b对于衬底900整体的保护的完整性，并且不符合衬底的许多定制者的设计要求。此外，如果衬底的设计中原本不需要导电通孔949，单独地制造、电镀导电通孔949将提高制造复杂度和成本，降低产率。

根据本实用新型的衬底至少部分地克服上述常规衬底800、900的缺点。以下将参考附图1A-5B，具体描述根据本实用新型的衬底的实施例。

图1A是根据本技术的一个实施例的衬底100的俯视图；图1B是沿着图1A中的线I-I所截取的截面图。为了图示清楚，俯视图1A中未示出衬底100的第一阻焊掩模160a。如图1A和图1B所示，在该实施例中，衬底100包含电介质材料形成的芯层120，芯层120具有相对的第一表面122和第二表面124。衬底100还包含第一导电图案140(如图1A中的虚线框140所示)，第一导电图案140形成在芯层120的第一表面122上。第一导电图案140包含第一信号线144a、第二信号线144b和电镀工艺线146(如图1A中的虚线框146所示)。第一信号线144a包含形成于其一端的第一电接触部分142a，第一电接触部分142a具有电镀层143a。第二信号线144b包含形成于其一端的第二电接触部分142b，第二电接触部分142b具有电镀层(未示出)。在第一电接触部分142a和第二电接触部分142b的电镀层的电镀过程期间，电镀工艺线146的一端146c电连接到外部电流源(未示出)，且电流分别经由电镀工艺线146的部分146a和146b提供至第一信号线144a和第二信号线144b，从而将电镀所需的电流提供到第一电接触部分142a和第二电接触部分142b。电镀工艺线146还包含第一开口区域148a。在电镀完成之后，第一信号线144a与第二信号线144b在第一开口区域148a处断开电连接。衬底100还包含一体地形成的第一阻焊掩模160a，其覆盖芯层120的第一表面122和第一表面122上的第一导电图案140，并填充第一开口区域148a。第一阻焊掩模160a包含开口，第一电接触部分142a和第二电接触部分142b通过第一阻焊掩模160a中的开口暴露。衬底100还可选地包含一体地形成的第二阻焊掩模160b，其覆盖芯层120的第二表面124。如本文所使用的，一体地形成是指使用均质的材料在一次施加过程中形成。举例来说，衬底100的第一阻焊掩模160a一体地形成是指第一阻焊掩模160a是使用均质的材料一次施加形成的，而不是施加具有为回蚀刻工艺开口的阻焊掩模材料部分之后，再填充该开口。可以理解，一体地形成第一阻焊掩模160a消除了多次施加阻焊掩模将会造成的材料界面，提高了阻焊掩模对衬底结构保护的完整性。

在图1A和图1B中所示的衬底100中，在电镀工艺线146的第一开口区域148a填充了绝缘的第一阻焊掩模160a的材料，第一信号线144a与电镀工艺线146断开电连接，而第二信号线144b仍与电镀工艺线146保持电连接。

在图1A和图1B中所示的衬底100中，芯层120可由任意适当的电介质材料形成，包含有机(聚合物)电介质材料，例如但不限于酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂(双马来酰亚胺-三嗪树脂)、聚亚酰胺、聚四氟乙烯等，以及无机电介质材料，例如但不限于玻璃、玻璃纤维、硅、氮化镓等，以及任意其他适当电介质材料，或其组合。衬底100的第一导电图案140，包含第一信号线144a、第二信号线144b和电镀工艺线146，可以采用任意适当技术施加，例如但不限于印刷、喷涂、电镀、蚀刻、光刻法等或其组合，并且可由任意适当的导电材料形成，包含金属导电材料，例如但不限于铜、金、铝合金等，以及任意其他适当导电材料，例如但不限于分散在溶剂或介质内的纳米或微米导电颗粒、聚合物导电材料等，或其组合。衬底100的电镀层可以采用任意适当电镀技术施加，并且可由任意适当材料形成，包含但不限于Ni、Au，或其合金或组合。衬底100的第一阻焊掩模160a、第二阻焊掩模160b在一些情景下也称为绿油层、阻焊膜等，其可以采用任意适当技术施加，例如但不限于液体湿工艺、干薄膜叠层工艺等，并且可以由任意适当的绝缘材料形成，例如但不限于环氧树脂、绝缘油墨等。

在图1A和图1B所示的实施例中，第一开口区域148a设置于电镀工艺线146的与第一信号线144a接近并电连接的部分146a上。在其他实施例中，第一开口区域148a也可以形成在电镀工艺线146的其他位置，例如与第二信号线144b接近并电连接的部分146b，或形成在电镀工艺线146的部分146a、部分146b与一端146c的交会处，也可以实现使第一信号线144a与第二信号线144b在第一开口区域148a处断开电连接。此外，在图1A和图1B中仅示出了两条信号线与一条电镀工艺线连接。在其他实施例中，也可以存在更多条信号线与一条电镀工艺线连接，或者两条或更多条附加的信号线与附加的一条或多条电镀工艺线连接，或者芯层的第二表面上的附加的信号线和电镀工艺线，从而满足布线的设计要求，同时满足电镀期间提供电流的需求。这些附加的一条或多条电镀工艺线可以采用与以上描述相似的附加的开口区域与信号线断开电连接，附加的信号线之间也可以采用与以上描述相似的附加的开口区域与信号线断开电连接，并且一体地形成的阻焊掩模也将填充这些附加的开口区域。

如上所述，在常规衬底800中，为了使第一信号线844a和第二信号线844b之间的电连接断开，常规衬底800的第一阻焊掩模860a需要在对应于电镀工艺线846的部分846a处留有开口862a，以便通过施加回蚀刻工艺移除电镀工艺线846的在开口862a位置处的一部分848a。因此，造成常规衬底800的芯层820的第一表面822在开口862a处暴露于外部环境，从而降低了衬底800的结构完整性。即使后续地使用第一阻焊掩模860a的绝缘材料将开口862a和电镀工艺线846被移除的一部分848a填充，后续填充的绝缘材料与之前施加的第一阻焊掩模860a的绝缘材料之间将存在材料界面，不利地影响第一阻焊掩模860a对衬底800结构保护的完整性。与常规衬底800相比，根据本技术的一个实施例的衬底100在第一阻焊掩模160a上没有为回蚀刻工艺预留开口，并且第一阻焊掩模160a为一体地形成的，不存在第一阻焊掩模160a的绝缘材料的材料界面，从而使第一阻焊掩模160a对衬底100结构保护更加完整。根据本技术的衬底100的上述优点通过根据本技术的衬底的制造方法实现。在该制造方法中，在电接触部分的电镀工艺之后，首先借助于蚀刻掩模施加回蚀刻工艺，以在电镀工艺线上形成断开电连接的开口区域，然后再一体地形成阻焊掩模，从而使得阻焊掩模覆盖芯层和导电图案，并且同时填充该电镀工艺线的开口区域，如后文中将参考图7A-14B更详细描述的。

另外，如上所述，在常规衬底900中，为了避免在第一阻焊掩模960a中为回蚀刻工艺预留开口，电镀工艺线946’形成在芯层920的第二表面924上，并且在第二表面924上的第二阻焊掩模960b的与电镀工艺线946’的一部分对应的位置处形成有开口962。在完成电镀之后，通过第二阻焊掩模960b的开口962移除电镀工艺线946’的该部分，从而将第一信号线944a与较长的电镀工艺线946’断开电连接以降低天线效应。常规衬底900虽然在第一阻焊掩模960a中没有为回蚀刻工艺预留的开口，然而却在第二阻焊掩模960b上存在为回蚀刻工艺预留的开口，不利地影响第二阻焊掩模960b对衬底900结构保护的完整性。另一方面，如果常规衬底900在第二阻焊掩模960b上没有为回蚀刻工艺预留的开口，则在电镀工艺线946’完全被第二阻焊掩模960b覆盖之后无法通过回蚀刻工艺将较长的电镀工艺线946’与第一信号线944a断开，造成第一信号线944a在高频操作下的较大的天线效应。与常规衬底900相比，根据本技术的一个实施例的衬底100在第一阻焊掩模160a或第二阻焊掩模160b上没有为回蚀刻工艺预留开口，并且第一阻焊掩模160a、第二阻焊掩模160b均为一体地形成的，不存在阻焊掩模的绝缘材料的材料界面，从而使第一阻焊掩模160a、第二阻焊掩模160b对衬底100结构保护更加完整。此外，在关于图1A和1B所描述的实施例中，衬底100中，较长的电镀工艺线146与第一信号线144a断开电连接，实现了降低天线效应的效果。另外，可以理解的是，如果要求芯层不包含通孔的衬底，或者期望芯层的第二表面上的第一、第二阻焊掩模都不包含为回蚀刻工艺预留的开口，则常规衬底900无法满足要求；相反，根据本技术的衬底100可以满足上述要求。如上文关于常规衬底800与根据本技术的衬底100的比较中所提及的，衬底100的上述优点通过根据本技术的衬底的制造方法实现，如后文中将参考图7A-14B更详细描述的。图2A是根据本技术的另一实施例的衬底200的俯视图；图2B是沿着图2A中的线II-II所截取的截面图。为了图示清楚，俯视图2A中未示出衬底200的第一阻焊掩模260a。衬底200的芯层220、第一信号线244a、第二信号线244b、电镀工艺线246、第一阻焊掩模260a和第二阻焊掩模260b等特征与衬底100中对应的特征实质上相似，并且可由相同的工艺和材料形成，因此不再重复描述。附加地，在本实施例中，如图2A和图2B所示，除电镀工艺线246的第一开口区域248a之外，衬底200的电镀工艺线246还包含第二开口区域248b。一体地形成的第一阻焊掩模260a除第一开口区域248a之外也填充第二开口区域248b。在图2A和图2B中所示的衬底200中，第一信号线244a与第二信号线244b在第一开口区域248a处断开电连接，第一信号线244a与电镀工艺线246在第一开口区域248a处断开电连接，并且第二信号线244b与电镀工艺线246在第二开口区域248b处断开电连接。在使第一信号线244a与第二信号线244b在第一开口区域248a处断开电连接的基础上，通过使第二信号线244b与电镀工艺线246在第二开口区域248b处断开电连接，减小了与第二信号线244b电连接的导体的面积，从而进一步降低了高频操作下的天线效应。

图2A和2B中，第二开口区域248b在电镀工艺线246的远离第一信号线244a、第二信号线244b的部分，在其他实施例中，第二开口区域248b也可以形成在电镀工艺线246的不同位置。

图3是根据本技术的又一实施例的衬底300的俯视图。为了图示清楚，图3未示出衬底300的第一阻焊掩模。衬底300的芯层320、第一信号线344a、第二信号线344b、电镀工艺线346、第一阻焊掩模和第二阻焊掩模等特征与衬底100中对应的特征实质上相似，并且可由相同的工艺和材料形成，因此不再重复描述。在实施例中，衬底300的第二开口区域348c形成在电镀工艺线346的与第二信号线344b接近并电连接的部分346b，同样可以使第二信号线344b与电镀工艺线346在第二开口区域348c处断开电连接。在使第一信号线344a与第二信号线344b在第一开口区域348a处断开电连接的基础上，通过使第二信号线344b与电镀工艺线346在第二开口区域348c处断开电连接，减小了与第二信号线344b电连接的导体的面积，从而进一步降低了高频操作下的天线效应。

图4是根据本技术的又一实施例的衬底400的俯视图。为了图示清楚，图4未示出衬底400的第一阻焊掩模。衬底400的芯层420、第一信号线444a、第二信号线444b、第一阻焊掩模和第二阻焊掩模等特征与衬底100中对应的特征实质上相似，并且可由相同的工艺和材料形成，因此不再重复描述。在该实施例中，衬底400的电镀工艺线446所包含的第一开口区域448d形成在电镀工艺线446的部分446a、部分446b与一端446c的交会处，并将电镀工艺线446的部分446a、部分446b和一端446c三者相互断开，并且从而使第一信号线444a、第二信号线444b、电镀工艺线446中的任意两者之间断开电连接。通过使第一信号线444a、第二信号线444b、电镀工艺线446中的任意两者之间断开电连接，在使第一信号线444a和第二信号线444b在第一开口区域448d处断开电连接的基础上，同时减小了与第一信号线444a和第二信号线444b电连接的导体的面积，从而进一步降低了高频操作下的天线效应。此外，通过形成一个第一开口区域448d起到与上文的实施例中的衬底200中的第一开口区域248a和第二开口区域248b两者或者衬底300中的第一开口区域348a和第二开口区域348c两者的作用，降低了后文将更详细描述的蚀刻工艺的复杂度，例如但不限于蚀刻掩模的复杂度。

图5A是根据本技术的又一实施例的衬底500的俯视图；图5B是沿着图5A中的线III-III所截取的截面图。为了图示清楚，图5A未示出衬底500的第一阻焊掩模560a。衬底500的芯层520、第一信号线544a、第二信号线544b、第三信号线544c、电镀工艺线546、第一阻焊掩模560a和第二阻焊掩模560b等特征与衬底100中对应的特征实质上相似，并且可由相同的工艺和材料形成，因此不再重复描述。附加地，在实施例中，如图5A和图5B所示，衬底500包含在芯层520的第二表面524上的第二导电图案。第二导电图案包含第三信号线544c，第三信号线544c包含形成于其一端的第三电接触部分542c，第三电接触部分542c具有电镀层543c。衬底500还包含第二阻焊掩模560b，其覆盖芯层520的第二表面524和第二导电图案。在本实施例中，第三电接触部分542c通过第二阻焊掩模560b的开口暴露。在电镀过程期间，第三信号线544c经由穿过芯层520的导电通孔549与第一信号线544a和电镀工艺线546电连接，外部电流源电连接到电镀工艺线546的一端546c，电流经由电镀工艺线546、导电通孔549和第三信号线544c传导至第三电接触部分542c，以提供将电镀层543c电镀所需的电流。在完成电镀工艺之后，第一开口区域548a形成在电镀工艺线546的部分546a处，使得第三信号线544c在第一开口区域548a处与电镀工艺线546断开电连接。第二阻焊掩模560b覆盖芯层520的第二表面524上的第二导电图案，并且第一阻焊掩模560a和第二阻焊掩模560b填充导电通孔549中的空间。尽管没有示出，如果需要第三信号线544c与第一信号线544a传导不同的信号，则第三信号线544c也可以在附加地形成于自身中的或形成于第一信号线544a的部分中的开口区域处与第一信号线544a断开电连接。与上文实施例的衬底100、200、300和400相似，根据本技术的衬底500可以提高阻焊掩模对衬底结构的保护完整性，并降低高频操作下的天线效应。除此之外，衬底500还可以在仅在衬底的一侧设置电镀线的情况下，在衬底的两侧表面同时提供具有电镀层的电接触部分，从而以最小化对衬底表面积占用的方式满足衬底与两侧表面外部电连接的设计需求。

在图5A和图5B中所示的衬底500中，可以在第三电接触部分542c的电镀过程之前，通过以任意适当方式(例如但不限于，激光打孔、机械钻孔、蚀刻等)形成穿过芯层520的通孔，然后以任意适当方式(例如但不限于，电镀、非电镀、涂覆、填充等)采用任意适当导电材料(例如但不限于，铜、银、导电聚合物、纳米导电溶液等)在通孔表面形成导电通路。从而形成导电通孔549。

根据本实用新型的衬底100、200、300、400和500，信号线之间断开电连接，并且信号线与电镀工艺线之间可选地断开电连接，以降低天线效应；同时，具有一体地形成的阻焊掩模，并且阻焊掩模没有为回蚀刻工艺预留的开口，从而提高阻焊掩模对衬底的保护的完整性。

本实用新型还涉及存储器装置，其包含根据本实用新型的衬底100、200、300、400或500中的任意衬底，并且具有上述衬底所具有的相应特征和优点。

以下将参考流程图6和示意图7A-14B，描述根据本实用新型的衬底700的制造流程。制造流程中形成过程中结构和最终产品的各特征所采用的材料和方法实质上与上文关于相应结构的描述相同，并且因此在此不再重复描述。

首先，描述图6中的步骤610，并参考示意图7A和7B。图7A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤610之后的过程中结构700的俯视图；图7B是沿着图7A中的线IV-IV所截取的截面图。在步骤610，提供电介质材料的芯层720，芯层720包含相对的第一表面722和第二表面724。然后，在芯层720的第一表面722上形成第一导电图案740(如图7A中的虚线框740所示)。第一导电图案740形成为包含第一信号线744a、第二信号线744b、电镀工艺线746(如图7A中的虚线框746所示)，第一信号线744a在其一端形成有第一电接触部分742a，第二信号线744b在其一端形成有第二电接触部分742b，并且电镀工艺线746形成有与第一电镀工艺线744a接近并电连接的部分746a、与第二电镀工艺线744b接近并电连接的部分746b以及远离第一信号线744a和第二信号线744b的一端746c。

然后，描述图6中的步骤620，并参考示意图8A和8B。图8A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤620之后的过程中结构700的俯视图；图8B是沿着图8A中的线V-V所截取的截面图。为了图示清楚，俯视图8A中未示出衬底的过程中结构700的第一电镀掩模710a。在步骤620，在芯层720的第一表面722和第一导电图案740之上施加第一电镀掩模710a，第一电镀掩模710a覆盖第一信号线744a的除第一电接触部分742a之外的部分、第二信号线744b的除第二电接触部分742b之外的部分，以及电镀工艺线746；并且，第一电镀掩模710a预留开口，使得第一电接触部分742a和第二电接触部分742b通过预留的开口暴露。可选地，在芯层720的第二表面724形成第二电镀掩模710b。第一电镀掩模710a、可选的第二电镀掩模710b可以采用任意适当技术(例如但不限于，印刷、光刻法等)由任意适当材料形成。

然后，描述图6中的步骤630，并参考示意图9。图9是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤630之后的过程中结构700的截面图。在步骤630，将电镀所需的外部电流源连接到电镀工艺线746的一端746c，将电镀层743a、743b分别电镀到第一电接触部分742a和第二电接触部分742b上。作为示例，在采用金属阳离子化合物电解质溶液来进行电镀的情况下，将电解质溶液施加到第一电接触部分742a和第二电接触部分742b位置处，并将外部电流源的阴极连接到电镀工艺线746的一端746c，外部电流源的阳极连接到电解质溶液，以将作为电流的载流子的电子经由第一电接触部分742a和第二电接触部分742b提供给电解质溶液中的金属阳离子，使得金属阳离子被还原并沉积在第一电接触部分742a和第二电接触部分742b上，从而形成覆盖第一电接触部分742a的电镀层743a和覆盖第二电接触部分742b的电镀层(未示出)。

接下来，描述图6中的步骤640，并参考示意图10。图10是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤640之后的过程中结构700的截面图。在步骤640，将第一电镀掩模710a、可选的第二电镀掩模710b从过程中结构700移除，从而使芯层720的第一表面722、第二表面724和第一导电图案740重新暴露。将第一电镀掩模710a、可选的第二电镀掩模710b移除的方法取决于形成它们的材料和方法，例如但不限于，加热分解、溶解、剥除。作为示例，当第一电镀掩模710a、可选的第二电镀掩模710b由可被溶剂溶解的材料形成的情况下，可以施加相应的溶剂将其溶解。

接下来，描述框图6中的步骤650，并参考示意图11A和11B。图11A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤650之后的过程中结构700的俯视图；图11B是沿着图11A中的线VI-VI所截取的截面图。在步骤650，在芯层720的第一表面722和第一导电图案740之上施加第一蚀刻掩模730a，第一蚀刻掩模730a在除预留的回蚀刻开口732a之外的区域覆盖芯层720的第一表面722和第一导电图案740，回蚀刻开口732a的位置对应于将要在电镀工艺线746上形成的第一开口区域(后文将更详细描述)的位置。在实施例中，回蚀刻开口732a的位置对应于电镀工艺线746的接近并电连接到第一信号线744a的部分746a，使得该部分746a的至少一部分通过回蚀刻开口732a暴露。可以理解，回蚀刻开口732a可以具有任意适当形状，其尺寸至少不小于电镀工艺线746的该部分746a的宽度，以在后续的回蚀刻过程期间使该部分746a完全断开。可选地，在芯层720的第二表面724上形成第二蚀刻掩模730b。第一蚀刻掩模730a、可选的第二蚀刻掩模730b可以采用任意适当技术(例如但不限于，印刷、光刻法等)由任意适当材料形成。

接下来，描述图6中的步骤660，并参考示意图12A和12B。图12A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤660之后的过程中结构700的俯视图；图12B是沿着图12A中的线VII-VII所截取的截面图。在步骤660，施加回蚀刻工艺，以移除第一信号线744a的部分746a的通过第一蚀刻掩模730a的回蚀刻开口732a暴露的部分，形成电镀工艺线746的该部分746a中的第一开口区域748a，从而使该部分746a断开连接。

接下来，描述图6中的步骤670，并参考示意图13A和13B。图13A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤670之后的过程中结构700的俯视图；图13B是沿着图13A中的线VIII-VIII所截取的截面图。在步骤670，将第一蚀刻掩模730a、可选的第二蚀刻掩模730b从过程中结构700移除，从而使芯层720的第一表面722、第二表面724和第一导电图案740重新暴露。如图13A所示，在实施例中，电镀工艺线746的部分746a在被回蚀刻工艺移除的第一开口区域748a处断开电连接，并且从而使第一信号线744a与第二信号线744b在形成的第一开口区域748a处断开电连接，同时使第一信号线744a与电镀工艺线746也在形成的第一开口区域748a处断开电连接。将第一蚀刻掩模730a、可选的第二蚀刻掩模730b移除的方法取决于形成它们的材料和方法，例如但不限于，加热分解、溶解、剥除。作为示例，当第一蚀刻掩模730a、可选的第二蚀刻掩模730b被高温分解挥发的情况下，可以通过施加高温将其移除。

接下来，描述图6中的步骤680，并参考示意图14A和14B。图14A是图示在根据本技术的形成衬底的示例性方法的实施例中步骤680之后的过程中结构700的俯视图；图14B是沿着图14A中的线IX-IX所截取的截面图。为了图示清楚，俯视图14A中未示出第一阻焊掩模760a。在步骤680，在芯层720的第一表面722和第一导电图案740之上施加一体地形成的第一阻焊掩模760a，第一阻焊掩模760a覆盖芯层720的第一表面722和第一导电图案740，除第一电接触部分742a、第二电接触部分742b通过第一阻焊掩模760a的开口暴露之外，并且第一阻焊掩模760a填充第一开口区域748a。可选地，在芯层720的第二表面724之上施加一体地形成的第二阻焊掩模760a。至此，如图14A和14B所示，所得的结构700实质上相似于根据本实用新型的实施例的衬底100。

图7A-14B示出了实质上相似于衬底100的实施例的制造方法。该方法同样适于制造根据本实用新型的衬底200、300、400、500以及其他未图示的衬底的实施例。可以理解，在电镀工艺线上的开口区域位置改变的情况下，仅需相应地改变蚀刻掩模的开口位置，而导电通孔可以通过上文所描述的方法和材料形成，它们都在根据本说明书的衬底的制造方法的范围内。

虽然上文涉及特定的实现方式，但是应当理解，本实用新型不限于此。本领域普通技术人员将会想到，可以对所公开的实施方式进行各种修改，并且这些修改在本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种衬底，其特征在于，包括：

芯层，由电介质材料形成，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；

第一导电图案，形成在所述芯层的第一表面上，所述第一导电图案包括第一信号线、第二信号线和电镀工艺线，并且所述第一信号线包括形成于其一端的第一电接触部分，所述第一电接触部分具有电镀层，并且所述第二信号线包括形成于其一端的第二电接触部分，所述第二电接触部分具有电镀层，所述电镀工艺线在第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层的电镀过程期间与所述第一信号线和第二信号线同时电连接，从而提供电镀所需的电流，其中，所述电镀工艺线还包括第一开口区域，第一信号线与所述第二信号线在所述第一开口区域断开电连接；以及

第一阻焊掩模，覆盖所述芯层的第一表面上的第一导电图案，并填充所述第一开口区域，所述第一电接触部分和第二电接触部分通过所述第一阻焊掩模中的开口暴露。

2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一信号线与所述电镀工艺线在所述第一开口区域断开电连接，所述第二信号线与所述电镀工艺线电连接。

3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一信号线和所述第二信号线在所述第一开口区域均与所述电镀工艺线断开电连接。

4.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除所述电镀工艺线的一部分而形成。

5.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述电镀工艺线还包括与第一开口区域在所述电镀工艺线上的位置不同的位置处的第二开口区域，所述第二信号线与所述电镀工艺线在所述第二开口区域断开电连接，并且

所述第一阻焊掩模填充所述第二开口区域。

6.如权利要求5所述的衬底，其特征在于：

所述第二开口区域的形状设置为通过回蚀刻工艺移除所述电镀工艺线的一部分而形成。

7.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一阻焊掩模是一体形成的。

8.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：

所述第一电接触部分和第二电接触部分的电镀层由Ni、Au或其组合的材料形成。

9.如权利要求1-8中任一项所述的衬底，其特征在于，还包括：

第二导电图案，形成在所述芯层的第二表面上，并且包括第三信号线，所述第三信号线包括形成于其一端的第三电接触部分，所述第三电接触部分具有电镀层，所述电镀工艺线在第三电接触部分的电镀层的电镀过程期间，与所述第三信号线通过穿过所述芯层的导电通孔电连接，从而提供电镀所需的电流；

第二阻焊掩模，覆盖所述芯层的第二表面上的第二导电图案，且所述第三电接触部分通过所述第二阻焊掩模中的开口暴露；

其中，所述第三信号线与所述电镀工艺线在所述第一开口区域断开电连接；并且

其中，所述第一阻焊掩模和第二阻焊掩模填充所述导电通孔内的空间。

10.一种存储器装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的衬底。

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