CN210669893U - 雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路，其中偏置电压源电路包括：雪崩光电二极管；电源；升压模块，其连接在电源和雪崩光电二极管的阴极之间，用于将电源电压进行升压后为雪崩光电二极管提供偏置电压；分压反馈模块，其连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，且分压反馈模块的分压节点与升压模块的反馈端相连，分压反馈模块用于在不同环境温度下对偏置电压形成不同的分压，并将分压输入到升压模块的反馈端，升压模块根据反馈端输入的分压调节偏置电压的大小。本实用新型采用随温度变化的分压反馈到升压模块来调节升压模块输出偏置电压的大小，使其根据雪崩光电二极管工作温度的不同而同步变化。

Description

雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路

技术领域

本实用新型涉及半导体光检测领域，具体涉及一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路。

背景技术

雪崩光电二极管(APD)是一种PN结型的光电检测二极管，主要用于微弱信号的检测，其利用了载流子的雪崩倍增效应对微弱光信号进行放大以提高检测的灵敏度，雪崩光电二极管工作时存在一个最佳工作增益，而达到该最佳工作增益的条件是为雪崩光电二极管提供一定的偏置电压，其一般比雪崩光电二极管击穿电压低2V到5V左右，大量实验表明雪崩光电二极管的最佳工作增益偏置电压随温度升高而线性变化。

因此，在实际应用中，环境温度的变化对雪崩光电二极管长时间稳定工作有着重要的影响,而现有的雪崩光电二极管增益稳定的温度补偿方法大多是利用测温传感器测量雪崩光电二极管环境温度，然后利用模数转换 (ADC)对温度采样、数模转换(DAC)或脉冲宽度调制(PWM)加以滤波电路对雪崩光电二极管的偏置电压源进行温度补偿，从而稳定APD增益。这些方法需要额外的温度传感器以及硬件资源ADC、DAC单元或PWM口，且需要灵活而复杂的算法，成本高。另外，从微控制单元(MCU)来的ADC、DAC 或PWM信号往往带有数字杂波，容易对雪崩光电二极管需要的偏置电压造成干扰，致使无法实现雪崩光电二极管的增益稳定。

发明内容

本实用新型主要解决的技术问题是如何不依靠复杂传感器或算法对雪崩光电二极管的偏置电压进行温度补偿。

根据第一方面，一种实施例中提供一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路,包括：

雪崩光电二极管；

电源；

升压模块，其连接在电源和雪崩光电二极管的阴极之间，用于将电源电压进行升压后为雪崩光电二极管提供偏置电压；

分压反馈模块，其连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，且所述分压反馈模块的分压节点与升压模块的反馈端相连，所述分压反馈模块用于在不同环境温度下对偏置电压形成不同的分压，并将分压输入到升压模块的反馈端，所述升压模块根据反馈端输入的分压调节偏置电压的大小。

进一步地，所述升压模块包括：

电流储能件，所述电流储能件的输入端连接电源，所述电流储能件的输出端连接到雪崩光电二极管的阴极；

电压储能件，所述电压储能件连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，用于给雪崩光电二极管提供偏置电压；

可控升压单元，其输入端与电源连接，反馈端与分压反馈模块的分压节点相连，可控升压单元的输出端与电流储能件的输出端相连，可控升压单元的输入端与电流储能件的输入端相连，用于根据所输入反馈电压的大小对电源电压进行升压，并将升压后的电压转换为电流储存在电流储能件中。

进一步地，所述升压模块还包括电压放大模块，所述电压放大模块连接在可控升压单元的输出端和电流储能件的输出端之间，用于将升压后的电压再转换为电流储存在电流储能件中。

进一步地，所述电压放大模块包括场效应管或三极管，所述场效应管或三极管包括用于控制场效应管或三极管导通/关断的控制极、第一极和第二极，可控升压单元的输出端分别与控制极和第一极连接，第二极与电流储能件的输出端连接。

进一步地，所述升压模块还包括连接在所述电流储能件和雪崩光电二极管的阴极之间的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极连接电流储能件，肖特基二极管的阴极连接雪崩光电二极管的阴极。

进一步地，所述电流储能件为电感，电压储能件为电容。

进一步地，所述分压反馈模块包括串联的第一电阻和热敏电阻，第一电阻和热敏电阻连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间。

进一步地，所述分压反馈模块还包括第二电阻和第三电阻，第二电阻并联在热敏电阻两端，第三电阻连接在热敏电阻和地之间，第一电阻与雪崩光电二极管的阴极相连。

进一步地，所述第二电阻还可以并联在热敏电阻和第三电阻串联支路的两端。

根据第二方面，一种实施例中提供一种半导体光检测器，包括雪崩光电二极管、电荷积蓄模块和检测模块，所述雪崩光电二极管用于将光信号转换为电荷，所述电荷积蓄模块用于对所转换成的电荷进行积蓄以供检测模块进行检测和输出，其中，还包括偏置电压源电路，所述偏置电压源电路用于为雪崩光电二极管提供偏置电压。

依据上述实施例的雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路，由于热敏电阻随着温度的变化表现出不同的阻值，阻值的不同又使得输入到升压模块的反馈电压的大小也跟随温度进行变化，采用随温度变化的反馈电压来调节升压模块所输出偏置电压的大小，使其根据雪崩光电二极管工作温度的不同而同步变化，实现雪崩光电二极管的增益稳定；此外，本实用新型采用普通NTC热敏电阻与普通电阻串并联的电路拓扑结构，可以显著改变分压反馈模块整体电阻阻值温度系数，简单可行，无需高性能ADC、 DAC或PWM产生MCU，也无需增加复杂的软件控制算法；由于只有热敏电阻的参与，无需温度传感器与MCU的通信，也无需MCU与可控电压源的反馈调节，通过纯模拟电路实现雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿，大大降低了外围电路对雪崩光电二极管的高频干扰，有利于微弱光信号测量。

附图说明

图1为一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路的结构示意图；

图2为一种实施例的偏置电压源电路示意图；

图3为另一种实施例的偏置电压源电路示意图；

图4为一种实施例中雪崩光电二极管偏置电压随温度变化曲线示意图；

图5为现有技术一种偏置电压源电路示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。

如图5所示为现有技术中的一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路，其选用DC-DC开关型电源芯片对电源VIN的输入电压进行升压，当DC-DC开关型电源芯片的SW端输出低电平时，电感L1储存能量，当DC-DC 开关型电源芯片通过内部控制使SW端断开时，电感L1通过肖特基二极管 D1对电容C2充电，DC-DC开关型电源芯片通过FB端的输入来调节SW端的连通和关断，FB的输入电压通过电阻对电容C2上的电压进行分压后得到，这样电容C2上的电压通过电阻分压后输入FB端来调节DC-DC开关型电源芯片SW端输出PWM的占空比，从而稳定电容C2两端的电压，电容C2两端的电压即为雪崩光电二极管的偏置电压，其电压输出为 Vout＝Vref(1+R1/R2)。由于大部分DC-DC开关型电源芯片SW端最大耐压值只有30V-60V左右，而在激光雷达或单光子领域中APD的击穿电压一般为 100V到200V，因此需要扩充其输出电压范围。

由于雪崩光电二极管的最佳工作增益偏置电压随温度升高而线性变化，故当雪崩光电二极管的工作温度发生变化后，图5所示偏置电压源电路所提供的偏置电压是不变的，致使其无法为雪崩光电二极管提供最佳工作增益的偏置电压。本实施例在偏置电压源的分压反馈模块通过热敏电阻对偏置电压进行分压后作为反馈电压，由于热敏电阻和雪崩光电二极管处于同一工作温度下，使得反馈电压随着雪崩光电二极管工作温度的不同而不同，从而使偏置电压源输出的偏置电压随雪崩光电二极管工作温度的不同而不同，实现了雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿。

实施例一：

请参见图1、2，本实施例提供了一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路,包括：

雪崩光电二极管3；本实施例可选用目前常应用的三种雪崩光电二极管，分别为硅雪崩光电二极管(Si-APD)、锗雪崩光电二极管(Ge-APD)和铟镓砷雪崩光电二极管(InGaAs-APD)，其所需偏置电压也不相同，其中常用的Si-APD,其在达到增益稳定时的偏置电压为120V-300V。

电源1；本实施例中的电源为恒压直流源，如图2所示，其电源1VIN 为偏置电压源电路的输入电源,电压范围2.5V-16V。

升压模块2，如图2，其连接在电源1和雪崩光电二极管3的阴极之间，用于将电源电压进行升压后为雪崩光电二极管3提供偏置电压；本实施例可采用能够实现DC-DC转换功能的专用升压芯片进行升压或倍压来达到雪崩光电二极管3的足够增益的偏置电压，或者直接采用微控制单元(MCU) 控制升压电路输出高压信号。

本实施例中的升压模块2包括电流储能件2-1，电流储能件2-1的输入端连接电源1，电流储能件2-1的输出端连接到雪崩光电二极管3的阴极；

电压储能件2-2，电压储能件2-2连接在雪崩光电二极管3的阴极和地之间，用于给雪崩光电二极管3提供偏置电压；

可控升压单元2-3，通过可控升压单元2-3根据其反馈端输入的分压的调节，对电源电压进行升压，其电压输入端与电源1连接，反馈端与分压反馈模块4的分压节点相连，可控升压单元2-3的输出端与电流储能件 2-1的输出端相连，可控升压单元2-3的输入端与电流储能件2-1的输入端相连，用于根据所输入反馈电压的大小对电源电压进行升压，并将升压后的电压转换为电流储存在电流储能件2-1中。

由于大部分DC-DC开关型电源芯片SW端最大耐压值只有30V-60V左右，而APD的击穿电压一般为100V到200V，因此为了扩充升压模块的输出电压范围，本实施例中的升压模块2还包括电压放大模块2-4，电压放大模块2-4连接在可控升压单元2-3的输出端和电流储能件2-1的输出端之间，用于将升压后的电压再转换为电流储存在电流储能件2-1中。

此时，升压模块2的输入端与电流储能件2-1的输入端相连，升压模块2的输出端为电压放大模块的输出端，将该输出端与电流储能件2-1的输出端相连，故电压放大模块升压后，使得电流储能件2-1两端的电压升高，从而使得电流储能件2-1上流过的电流变大，提升了电流储能件2-1 中储存的能量。

电压放大模块2-4包括场效应管或三极管，场效应管或三极管包括用于控制场效应管或三极管导通/关断的控制极、第一极和第二极，可控升压单元2-3的输出端分别与控制极和第一极连接，第二极与电流储能件2-1 的输出端连接。

当电压放大模块2-4为三极管时，其控制极是三极管的基极，第一极为三极管的发射极或集电极，第二极为发射极或集电极；当电压放大模块 2-4为场效应管时，其控制极是场效应管的栅极，第一极为场效应管的源极或漏极，第二极为源极或漏极。

如图2提供了一种通过N沟道场效应管进行升压放大的电路，其最大耐压值大于200V，如可选HAT2077R、H5N2510DL等芯片，N沟道场效应管的栅极为控制关断/导通的控制极，源极为第一极，漏极为第二极，源极与 DC-DC开关型电源芯片的输出端SW相连，漏极与电感L1的输出端相连接，栅极处引出两条支路，一条支路与DC-DC开关型电源芯片的输入端IN相连，另一条支路通过二极管与DC-DC开关型电源芯片的输出端SW相连，栅极与二极管的阴极相连，二极管的阳极与输出端SW相连。N沟道场效应管为电压控制型，当输出端SW拉低电平，栅极电压大于场效应管的开启电压，场效应管M1导通，进而电感L1开始储能，即增加了DC-DC开关型电源芯片的输出电压，电感L1的储能变大，当输出端SW断开时，电感L1通过肖特基二极管D1对C2充电，使得C2上的电压也增大，使得雪崩光电二极管通过雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度，其只增加了一个二极管和场效应管，成本低、电路简单易行。本实施例中的升压模块增加了电压放大模块后，其可为雪崩光电二极管提供20V-300V的偏置电压，增大了偏置电压的范围。

本实施例中的升压模块2还包括连接在电流储能件2-1和雪崩光电二极管3的阴极之间的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极连接电流储能件 2-1，肖特基二极管的阴极连接雪崩光电二极管3的阴极。电流储能件2-1 中储存的能量通过肖特基二极管输入到电压储能件2-2中，电压储能件2-2 中的电压即为雪崩光电二极管的偏置电压。

本实施例中的电流储能件2-1可为电感，电压储能件2-2可为电容，如图2所示，可控升压单元2-3包括输入端、输出端和调节反馈端，其中输入端IN与电感L1的一端相连接，电感L1的另一端与电压放大模块2-4 输出端相连接，电感L1通过肖特基二极管D1与电容C2相连接，直流输入电源VIN输出2.5V-16V的直流电压,本实施例中的可控升压单元2-3采用专用的DC-DC开关型电源芯片(如LM2733),可控升压单元2-3的输入端IN 与电源1的输出相连接,且输入端IN与电感L1的一端相连接,输出端SW 与电压放大模块2-4的一端相连接,电感L1会在可控升压单元2-3的SW 输出低电平时储存能量，SW内部断开时电感L1通过肖特基二极管D1对C2 充电,输出端SW由调节反馈端FB进行反馈调节,其电平为Vref,这样C2 上的电压通过电阻对FB脚的反馈比较，使得SW脚调节PWM的占空比，从而稳定C2两端的电压值,电容C2两端的电压输出即为偏置电压。

分压反馈模块4，其连接在雪崩光电二极管3的阴极和地之间，且分压反馈模块4的分压节点与升压模块2的反馈端相连，分压反馈模块4用于在不同环境温度下对偏置电压形成不同的分压，并将分压输入到升压模块2的反馈端，升压模块2根据反馈端输入的分压调节偏置电压的大小。

在不同环境温度下，对偏置电压形成不同的分压，将不同环境温度下的分压输入到升压模块的反馈端，这样，升压模块可根据环境温度的不同调节偏置电压的大小，实现了雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿，使得雪崩光电二极管能在不同工作温度下实现稳定增益。

在不同环境温度下，对偏置电压形成不同的分压，可根据温度传感器或控制算法实现，也可采用热敏电阻实现。本实施例通过普通的热敏电阻实现了不同环境温度下对偏置电压进行分压，其中分压反馈模块包括串联的第一电阻和热敏电阻，第一电阻和热敏电阻连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间。

由于不同环境温度下，热敏电阻表现出不同的阻值，热敏电阻阻值的不同又进一步影响热敏电阻上的分压大小，实现了在不同环境温度下，对偏置电压形成不同的分压。

为了保证偏置电压温度补偿的精度，本实施例中的热敏电阻与雪崩光电二极管处于同一环境温度下，可以选择将其放置在雪崩光电二极管旁以使两者处于同一温度下，热敏电阻可以采用线性热敏电阻，也可以采用普通的热敏电阻。

若采用线性热敏电阻，由于雪崩光电二极管偏置电压随温度的不同呈现线性变化，而线性热敏电阻的阻值也随着温度的不同呈现线性变化，这时可以直接用线性热敏电阻对偏置电压进行分压，即将线性热敏电阻两端的电压作为反馈电压，由于流过线性热敏电阻的电流是恒定的，故反馈电压随着温度不同也呈线性变化，使得偏置电压源能够输出雪崩光电二极管到达最佳增益时的所需的偏置电压。

为了补偿APD环境温度变化引起的APD最佳工作增益偏置电压变化，电容C2上电压Vout需要随环境温度变化而线性变化。具体的，当APD的工作温度为T时，APD的偏置电压为：

V＝V0+c(T-T0) 公式(1)，

公式(1)中，V表示偏置电压，c表示APD的温度系数，T0表示基准温度，V0表示基准温度时APD的最佳工作电压。

本实施例还可以选用普通的热敏电阻。如图2所示，分压反馈模块还包括第二电阻R2和第三电阻R3，第二电阻R2并联在热敏电阻RT两端，第三电阻R3连接在热敏电阻RT和地之间，第一电阻R1与雪崩光电二极管的阴极相连。

本实施例通过DC-DC升压后输出偏置电压Vout为：

Vout＝Vref(1+R1/((RT//R2)+R3)) 公式(2)

公式(2)中，Vref为芯片内部参考电平，//表示RT与R2电阻并联。

本实施例中反馈电压为热敏电阻RT和第三电阻R3两端的电压，这样将热敏电阻RT与第二电阻R2先并联然后再与第三电阻R3串联的拓扑结构可产生与线性热敏电阻等效的温度系数，在上述拓扑结构下，只需确定第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3的阻值即可，本实施例提供了下述方法来确定分压反馈模块的电阻参数：

设RT1、RT2、RT3为测量温度变化范围的热敏电阻RT在低温T1、中温T2、高温T3温度点的电阻值,且T3-T2＝T2-T1，则相应温度下的输出偏置高压为Voutn＝Vref(1+R1/((RTn//R2)+R3),其中n＝1,2,3；Voutn表示在Tn温度下升压模块所输出的偏置电压；Vref表示内部参考电平；RTn 表示在Tn温度下热敏电阻RT的阻值。

R1、R2、R3的阻值可由下面的方程组求得：

Vout3-Vout2＝Vout2-Vout1 公式(3)

Vout1+c*(T2-T1)＝Vout2 公式(4)

Vout2＝V0 公式(5)

公式(5)中，V0为温度为中温T2时雪崩光电二极管的最佳工作电压。

若对上述方程求解时，R1、R2、R3为无解情况，则将图2中的分压反馈模块设置为图3所示的电路拓扑结构，如图3所示，升压模块2包括电压放大模块时分压反馈模块的连接方式，在图2中已进一步说明，此处不再赘述，此时第二电阻R2还可以并联在热敏电阻RT和第三电阻R3串联支路的两端，其相应温度下的输出偏置高压值为：Vout＝Vref(1+R1/ ((RT+R3)//R2))。

此时求取R1、R2、R3的阻值的方程与上述方程一致，此处不再赘述。

在一种实施例中，当雪崩光电二极管的温度系数c＝0.9V/K。当DC-DC 开关型电源芯片内部参考电平Vref＝1.25V时,温度分别为T1＝263.15K， T2＝303.15K,T3＝343.15K，则当V0＝160V时，T1、T2、T3温度对应的热敏电阻阻值为RT1＝52759欧姆，RT2＝8070欧姆，RT3＝1731欧姆。由公式(3)、 (4)、(5)组成的方程组求得R1＝2379290欧姆、R2＝13087.7欧姆、 R3＝13742.6欧姆，而在实际电路中R1、R2、R3取近似值。该实施例的试验结果如图4，图4为雪崩光电二极管偏置电压随温度变化曲线示意图，其中纵坐标为雪崩光电二极管偏置电压值(单位为V)，横坐标为温度值(单位为℃)。从图4中可以发现，经温度补偿后的电路输出电压随温度变化的曲线线性度较好，从而实现了在比较宽的温度范围(-10到+70摄氏度)能够有效的稳定雪崩光电二极管的增益。

实施例二：

本实施例提供了一种半导体光检测器，包括雪崩光电二极管、电荷积蓄模块和检测模块，雪崩光电二极管用于将光信号转换为电荷，电荷积蓄模块用于对所转换成的电荷进行积蓄以供检测模块进行检测和输出，其中，还包括偏置电压源电路，所述偏置电压源电路用于为雪崩光电二极管提供偏置电压。

本实施例中的半导体光检测器主要用于对微弱光进行准确测量，常应用在医疗、生物、放射线测量等领域，当微弱光信号到达雪崩光电二极管，雪崩光电二极管通过雪崩倍增效应，可将微弱光信号转换为电荷，这些转换成的电荷积蓄在电荷积蓄模块中，检测模块再将电荷积蓄模块中的电荷转换为电压，并将电压放大后进行输出，即根据所输出的电压值，可通过预设的电压与光信号关系，得到微弱光信号的大小，其偏置电压用于给雪崩光电二极管加一个击穿电压，使其处于雪崩效应下。

以上应用了具体个例对本实用新型进行阐述，只是用于帮助理解本实用新型，并不用以限制本实用新型。对于本实用新型所属技术领域的技术人员，依据本实用新型的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。

Claims (9)

1.一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路,其特征在于，包括：

雪崩光电二极管；

电源；

升压模块，其连接在电源和雪崩光电二极管的阴极之间，用于将电源电压进行升压后为雪崩光电二极管提供偏置电压；

分压反馈模块，其连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，且所述分压反馈模块的分压节点与升压模块的反馈端相连，所述分压反馈模块用于在不同环境温度下对偏置电压形成不同的分压，并将分压输入到升压模块的反馈端，所述升压模块根据反馈端输入的分压调节偏置电压的大小。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压模块包括：

电流储能件，所述电流储能件的输入端连接电源，所述电流储能件的输出端连接到雪崩光电二极管的阴极；

电压储能件，所述电压储能件连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，用于给雪崩光电二极管提供偏置电压；

可控升压单元，其输入端与电源连接，反馈端与分压反馈模块的分压节点相连，可控升压单元的输出端与电流储能件的输出端相连，可控升压单元的输入端与电流储能件的输入端相连，用于根据所输入反馈电压的大小对电源电压进行升压，并将升压后的电压转换为电流储存在电流储能件中。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述升压模块还包括电压放大模块，所述电压放大模块连接在可控升压单元的输出端和电流储能件的输出端之间，用于将升压后的电压再转换为电流储存在电流储能件中。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电压放大模块包括场效应管或三极管，所述场效应管或三极管包括用于控制场效应管或三极管导通/关断的控制极、第一极和第二极，可控升压单元的输出端分别与控制极和第一极连接，第二极与电流储能件的输出端连接。

5.如权利要求2或3所述的电路，其特征在于，所述升压模块还包括连接在所述电流储能件和雪崩光电二极管的阴极之间的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极连接电流储能件，肖特基二极管的阴极连接雪崩光电二极管的阴极。

6.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电流储能件为电感，电压储能件为电容。

7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述分压反馈模块包括串联的第一电阻和热敏电阻，第一电阻和热敏电阻连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间。

8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述分压反馈模块还包括第二电阻和第三电阻，第二电阻并联在热敏电阻两端，第三电阻连接在热敏电阻和地之间，第一电阻与雪崩光电二极管的阴极相连。

9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第二电阻还可以并联在热敏电阻和第三电阻串联支路的两端。

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