CN210669566U - 一种带防反接功能的串并联切换电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带防反接功能的串并联切换电路，包括电容C1两端P+和P‑之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；其特征在于：还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和开关Q1；所述的二极管D1和二极管D2分别设置在电容C1的P+和电容C2的N+与负载R1的OUT端之间，二极管D1和二极管D2的N极接负载R1的OUT端；二极管D3设置在电容C1的P‑端与负载R1的GND端之间，二极管D3的P极接负载R1的GND端；开关Q1的源、漏极分别与电容C1的P‑和电容C2的N+端相连。本实用新型提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种带防反接功能的串并联切换电路。
背景技术
输出的两路电压，当串联起来时可得到更高的电压，当并联起来时可得到更大电流。传统的做法是用几个开关用来控制串联，再用其他的几个开关去控制并联。用于控制串并联切换的开关众多，对控制逻辑或者时序提出很高的要求，控制的可靠性较低。并且还不带防反接功能。
实用新型内容
本实用新型针对目前公知的串并联切换电路中，用于控制串并联切换的开关众多，控制逻辑复杂的情况下，通过用半导体二极管代替开关，仅用一个开关就可切换两路输出端的串并联，提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。
本实用新型所采用的技术方案是：一种带防反接功能的串并联切换电路，包括电容C1两端P+和P-之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二路输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；其特征在于：还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和开关Q1；所述的二极管D1和二极管D2分别设置在电容C1的P+和电容C2的N+与负载R1的OUT端之间，二极管D1和二极管D2的N极接负载R1的OUT端；二极管D3设置在电容C1的P-端与负载R1的GND端之间，二极管D3的P极接负载R1的GND端；开关Q1的源、漏极分别与电容C1的P-和电容C2的N+端相连。
本实用新型提供了一种高可靠性的新型的串并联切换电路。并且此电路自带输出端的防反接功能。
进一步的，上述的带防反接功能的串并联切换电路中：所述的开关Q1为可控半导体包括MOS、IGBT、三极管或者可控硅。
进一步的，上述的带防反接功能的串并联切换电路中：所述的开关Q1为可控开关包括继电器或者接触器。
以下将结合附图和实施例，对本实用新型进行较为详细的说明。
附图说明
图1是本实用新型实施例1原理图。
具体实施方式
实施例1，本实施例是一种新型带防反接功能的串并联切换电路，如图1所示：该电路包括电容C1两端P+和P-之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二路输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；通过控制开关Q1的导通或关闭，实现第一路输入电压和第二输入电压串联、并联切换。
本实施例的串并联切换电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3，以及可控开关Q1。根据实际需要，开关Q1可以是可控半导体如：MOS、IGBT、三极管或者可控硅。也可以是可控开关如继电器或者接触器。
其中，在电容C1的正极P+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D1；在电容C2的正极N+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D2，两个半导体二极管D1和D2的P极分别接电容C1的正极P+和电容C2的正极N+，防止电流流向电容C1的正极P+和电容C2的正极N+。
在电容C2的负极GND与电容C1的负极P-之间设置有半导体二极管D3，二极管D3的P极接电容C2的负极GND。
在电容C1的负极P-与电容C2的正极N+之间设置有可控开关Q1。电容C1两端P+和P-为一路输入电压，电容C2两端N+和GND为另一路输入电压，负载R1两端OUT和GND为输出电压。本实施例利用可控开关Q1的导通和关闭控制电容C1与电容C2的串并联输出。在可控开关Q1导通时，电容C1与电容C2串联给负载输出；当可控开关Q1关闭时，电容C1与电容C2并联给负载输出。电路结构简单，原理清楚。
本实施例的具体一种新型带防反接功能的串并联切换电路，包括二极管D1、二极管D2、二极管D3，以及可控开关Q1；在电容C1的正极P+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D1；在电容C2的正极N+与负载R1的正极之间设置有半导体二极管D2，在电容C2的负极GND与电容C1的负极P-之间设置有半导体二极管D3，在电容C1的负极P-与电容C2的正极N+之间设置有可控开关Q1。电容C1两端P+和P-为一路输入电压，电容C2两端N+和GND为另一路电压，负载R1两端OUT和GND为输出电压。
本实用新型中，输入的一路C1电容两端电压为P+和P-、另一路C2电容两端电压为N+和GND，在开关Q1吸合时C1电容和C2电容为串联输出，电流由C1电容的P+，经过二极管D1，流过负载R1回到C2电容的GND；在Q1断开时电容C1与电容C2为并联输出，电容C1的电流由P+经过二极管D1，流过负载R1，在经过二极管D3回到电容C1的P-。电容C2的电流由N+经过二极管D2，流过负载R1，回到C2电容的GND。电容C1与电容C2并联输出时的负极是通过二极管D3连接起来的，正极分别经过二极管D1和二极管D2实现公共点连接。整个电路结构简单，原理清楚。
Claims (3)
1.一种带防反接功能的串并联切换电路，包括电容C1两端P+和P-之间的第一路输入电压，电容C2两端N+和GND之间的第二输入电压；负载R1两端OUT和GND之间的输出电压；电容C2的GND端与负载R1的GND端相连；其特征在于：还包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和开关Q1；所述的二极管D1和二极管D2分别设置在电容C1的P+和电容C2的N+与负载R1的OUT端之间，二极管D1和二极管D2的N极接负载R1的OUT端；二极管D3设置在电容C1的P-端与负载R1的GND端之间，二极管D3的P极接负载R1的GND端；开关Q1的两端分别与电容C1的P-和电容C2的N+端相连。
2.根据权利要求1所述的带防反接功能的串并联切换电路，其特征在于：所述的开关Q1为可控半导体包括MOS、IGBT、三极管或者可控硅。
3.根据权利要求1所述的带防反接功能的串并联切换电路，其特征在于：所述的开关Q1为可控开关包括继电器或者接触器。
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