CN210668384U - 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。薄膜晶体管位于衬底基板上且包括位于衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极；栅极包括第一主体部分和第一延伸部分；第一主体部分沿第一方向延伸；第一延伸部分沿第一方向延伸，与第一主体部分电连接，且与第一主体部分间隔开第一间隔；第一电极包括第一重叠端、第一补偿端和第一居间部分；第一重叠端在衬底基板上的正投影与第一主体部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一补偿端位于第一重叠端的远离第一主体部分的一侧，在衬底基板上的正投影的与第一延伸部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一居间部分连接第一重叠端和第一补偿端，在衬底基板上的正投影位于第一间隔在衬底基板上的正投影内。

Description

薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

可以采用局域调光技术以提高显示对比度，例如液晶显示装置可以包括层叠的显示液晶面板与光控液晶面板，来自背光单元的光经由光控液晶面板进行调节后再进入显示液晶面板中，从而提高显示的对比度。显示液晶面板和光控液晶面板分别包括阵列基板，阵列基板包括驱动电路，驱动电路包括薄膜晶体管阵列。在光控液晶面板的驱动电路中，栅线和数据线可以为折线走线或直线走线；光控液晶面板包括光控阵列，光控阵列包括多个呈阵列分别的光控单元；每一列光控单元对应一条数据线，在该列光控单元中，薄膜晶体管可以均位于该条数据线的同一侧，或者，相邻行的光控单元中的薄膜晶体管分别位于该条数据线的不同侧。

实用新型内容

本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极；所述栅极包括：第一主体部分和第一延伸部分；第一主体部分沿第一方向延伸；第一延伸部分基本沿所述第一方向延伸，与所述第一主体部分电连接，且与所述第一主体部分间隔开第一间隔；所述第一电极包括：第一重叠端、第一补偿端和第一居间部分；第一重叠端在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一补偿端位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧，在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一居间部分连接所述第一重叠端和所述第一补偿端，在所述衬底基板上的正投影位于所述第一间隔在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第一居间部分包括沿所述第一方向延伸的条形部；所述第一电极包括多个第一部分和多个第二部分；多个第一部分与所述条形部连接，位于所述条形部的靠近所述第一主体部分的第一侧，且沿所述第一方向间隔排列；多个第二部分与所述条形部连接，位于所述条形部的靠近所述第一延伸部分的第二侧，且沿所述第一方向间隔排列，并且，所述第一重叠端包括所述多个第一部分的每个的至少部分，所述第一补偿端包括所述多个第二部分的每个的至少部分。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述多个第一部分与所述多个第二部分一一对应，所述多个第一部分和所述多个第二部分以所述条形部为对称轴呈轴对称。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述多个第一部分与所述第一方向垂直，且所述多个第二部分与所述第一方向垂直。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；所述第二电极包括沿所述第一方向排列且沿远离所述第一延伸部分的方向凹陷的多个第一凹陷部分，所述第一电极还包括与所述多个第一部分一一对应的多个第一突出部分，所述多个第一突出部分的每个和与其对应的所述第一部分连接，所述多个第一突出部分分别一一对应地延伸入所述多个第一凹陷部分中；并且所述第一重叠端还包括所述多个第一突出部分。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第一主体部分具有靠近所述第一延伸部的边缘，该边缘在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述多个第一部分的每个的在所述第一方向上的宽度大于与其连接的所述第一突出部的在所述第一方向上的宽度。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度大于0，并且小于或等于3μm；第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度与第一主体部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度的比为0.2～0.3。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅极还包括第一连接部分，所述第一连接部分连接所述第一主体部分和所述第一延伸部分，所述第一连接部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影均不重叠。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第一延伸部分在所述第一方向上具有第一端和第二端，所述第一主体部分在所述第一方向上具有第一端和第二端；所述第一连接部分连接所述第一延伸部分的第一端与所述第一主体部分的第一端；并且所述第一延伸部分的第二端和所述第一主体部分的第二端位于所述第一连接部分的同一侧。

例如，本公开一实施例提供的薄膜晶体管中，所述第一方向与水平方向之间的夹角大于0度且小于90度。

本公开至少一实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板包括：设置在所述衬底基板上沿第二方向延伸的多条第一信号线和沿第三方向延伸的多条第二信号线，所述第二方向和所述第三方向相互交叉，所述多条第一信号线和所述多条第二信号线交叉限定出呈阵列排布的多个光控单元；每个所述光控单元包括本公开实施例提供的任意一种薄膜晶体管，所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向二者相交，所述薄膜晶体管的栅极与所述多条第一信号线中的一条电连接，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述多条第二信号线中的一条电连接，并且所述多条第一信号线及所述多条第二信号线均设置在所述衬底基板上。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述多个光控单元包括第一光控单元和第二光控单元；所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向相交。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管连接同一条第二信号线并且分别位于该同一条第二信号线的第一侧和第二侧，该第一侧和该第二侧在所述第二方向上互为相反侧。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一光控单元和所述第二光控单元分别位于沿所述第三方向排列的相邻两个光控单元行当中，且所述第一光控单元和所述第二光控单元分别位于沿所述第二方向排列的相邻两个光控单元列当中。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，对于所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管，所述第一电极的第一补偿端在所述衬底基板上的正投影的面积为第一面积，所述第一电极的第一重叠端在所述衬底基板上的正投影的面积为第三面积，对于所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管，所述第一电极的第一补偿端在所述衬底基板上的正投影的面积为第二面积，所述第一电极的第一重叠端在所述衬底基板上的正投影的面积为第四面积；所述第一面积与所述第二面积不同，所述第三面积与所述第四面积不同，所述第一面积与所述第二面积之和与所述第三面积与所述第四面积之和相同。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管相对于沿所述第三方向的对称轴呈轴对称；或者，所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管沿所述第三方向平移之后与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管相对于沿所述第三方向的对称轴呈轴对称。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述多条第一信号线的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第一折线单元，一个所述第一折线单元对应一个所述光控单元；一个所述第一折线单元包括沿第四方向延伸的第一线段和沿第五方向延伸的第二线段，第四方向与第五方向相交，所述第四方向和所述第五方向均与所述第二方向和所述第三方向相交；所述第一线段和所述第二线段沿所述第二方向顺次排列，所述第一线段包括与所述第二线段连接的第一端，所述第二线段包括与所述第一线段的第一端连接的第一端，所述第一线段的第一端和所述第二线段的第一端的连接点为所述第一折线单元的拐点；在所述第一光控单元中，所述第一主体部分与所述第一折线单元的第一线段连接；并且，在所述第二光控单元中，所述第一主体部分与所述第一折线单元的第二线段连接。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第五方向相同，所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第四方向相同。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一线段包括和与其相邻的所述第一折线单元的所述第二线段连接的第二端，所述第二线段包括和与其相邻的所述第一折线单元的所述第一线段的第二端连接的第二端；所述第一线段的第二端和所述第二线段的第二端的连接点在所述衬底基板上的正投影位于所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影上；在所述第一光控单元中，所述第一线段的第二端比所述第一线段的第一端更靠近所述薄膜晶体管；并且，在所述第二光控单元中，所述第二线段的第二端比所述第二线段的第一端更靠近所述薄膜晶体管。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述多条第二信号线的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第二折线单元，一个所述第二折线单元对应一个所述光控单元；一个所述第二折线单元包括沿第六方向延伸的第一线段和沿第七方向延伸的第二线段，第六方向与第七方向相交，所述第六方向和所述第七方向均与所述第二方向和所述第三方向相交；所述第一线段和所述第二线段沿所述第三方向顺次排列，所述第一线段包括与所述第二线段连接的第一端，所述第二线段包括与所述第一线段的第一端连接的第一端，所述第一线段的第一端和所述第二线段的第一端的连接点为所述第二折线单元的拐点；在所述第一光控单元中，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述第二折线单元的第一线段连接；并且，在所述第二光控单元中，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述第二折线单元的第一线段连接。

例如，本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二信号线的至少部分为直线。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板，其中，所述阵列基板为光控基板，所述显示装置还包括光控面板、显示液晶面板和背光单元；所述光控面板包括所述光控基板，所述显示液晶面板与所述光控面板堆叠设置，且包括多条沿所述第二方向延伸的第一显示信号线和多条沿所述第三方向延伸的第二显示信号线，所述多条第一显示信号线和所述多条第二显示信号线交叉限定出呈阵列排布的多个子像素单元；背光单元位于所述光控面板的远离所述显示液晶面板的一侧，其中，所述光控面板配置为允许来自背光单元的背光经由其入射至所述显示液晶面板。

本公开实施例提供的薄膜晶体管可以用于任何需要使用薄膜晶体管的电路或基板中。该基板例如为阵列基板，例如显示基板或光控基板等；该电路例如为显示驱动电路、光控基板的光控驱动电路等，以解决阵列基板或电路中薄膜晶体管栅极和源/漏极对位偏差引起的电容差异问题，达到补偿电容差异的技术效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。

图1A为本公开一实施例提供的一种薄膜晶体管的平面示意图；

图1B为沿图1A中的A-A’线的截面示意图；

图2A为本公开一实施例提供的另一种薄膜晶体管的平面示意图；

图2B为沿图2A中的B-B’线的截面示意图；

图2C为沿图2A中的C-C’线的截面示意图；

图3A为一种薄膜晶体管发生对位偏差使得寄生电容发生改变的示意图；

图3B为本公开一实施例提供的薄膜晶体管发生对位偏差时电容补偿的示意图；

图3C为本公开另一实施例提供的薄膜晶体管发生对位偏差时电容补偿的示意图；

图4A为本公开一实施例提供的一种光控基板的结构示意图；

图4B为图4A所示的光控基板的第一光控单元和第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图；

图5A为本公开一实施例提供的另一种光控基板的结构示意图；

图5B为图5A所示的光控基板的第一光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图；

图5C为图5A所示的光控基板的第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图；

图6A为本公开一实施例提供的又一种光控基板的结构示意图；

图6B为图6A中的局部105的放大示意图；

图6C为图6A所示的光控基板的第一光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图；

图6D为图6A所示的光控基板的第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图；

图6E为沿图6C中的B-B’线和D-D’线的截面示意图；

图7为本公开一实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本公开中的附图并不是严格按实际比例绘制，光控基板中的光控单元和晶体管的个数也不是限定为图中所示的数量，各个结构的具体地尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。

通常，在液晶面板的驱动电路中，彼此交叉的栅线和数据线限定出呈阵列排布的多个像素单元。驱动电路还包括薄膜晶体管阵列，包括呈阵列排布的多个薄膜薄膜晶体管。每列像素对应一根数据线，每列像素单元中的薄膜晶体管可以均设置在该数据线的同一侧，也可以是相邻行的薄膜晶体管分别设置在该数据线的两侧。在制作显示面板的薄膜晶体管阵列的过程中，常常由于不同层金属之间存在相对位置偏差而产生不同行的像素单元或不同列的像素单元之间的薄膜晶体管的寄生电容存在负载差异，造成面板显示异常，例如产生显示横纹，影响显示质量。

图3A为一种薄膜晶体管发生上述对位偏差使得寄生电容发生改变的示意图，如图3A所示，第一薄膜晶体管包括栅极1001和源极1002，第二薄膜晶体管包括栅极1003和源极1004。水平方向与栅极1001、源极1002、栅极1003和源极1004的延伸方向均不同，栅极1001与栅极1003的延伸方向不同，源极1002与源极1004的延伸方向不同。对于图3A中的第一薄膜晶体管，由于工艺误差，当源极1002相对于栅极1001在水平方向上存在相对偏移，例如源极1002向右偏移，会使得第一薄膜晶体管的栅极1001与源极1002的交叠面积减小，源极1004向右偏移；对于图3A中的第一薄膜晶体管，由于工艺误差，当源极1004相对于栅极1003在水平方向上存在相对偏移，例如源极1004向右偏移，会使得第二薄膜晶体管的栅极1001与源极1002的交叠面积增大。

以第一薄膜晶体管的区域R₁和第二薄膜晶体管的区域R₂为例进行介绍。根据平板电容的计算公式：

例如，如图3A所示，与栅极1001连接的栅线1005和与栅极1003连接的栅线1006与水平方向的夹角均为θ，当源极1002相对于栅极1001存在位移偏差

(大小等于|ρ|，与水平方向的夹角为α)时，第一薄膜晶体管的栅极1001与源极1002的交叠面积的减小量为

同理，当栅极1004相对于源极1002存在位移偏差

(大小等于|ρ|，与水平方向的夹角为α)时，第一薄膜晶体管的栅极1001与源极1002的交叠面积的减小量为

如果在显示面板中，薄膜晶体管的上述位移偏差不同，则不同薄膜晶体管的寄生电容的大小不同，会造成显示面板不同位置显示不均，影响显示质量。例如，当图3A所示的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于显示面板的相邻行像素单元且分别位于相邻列像素单元，则奇偶行像素单元的之间的耦合电容就会出现差异，从而造成显示横纹。

本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极；所述栅极包括：第一主体部分和第一延伸部分；第一主体部分沿第一方向延伸；第一延伸部分基本沿所述第一方向延伸，与所述第一主体部分电连接，且与所述第一主体部分间隔开第一间隔；所述第一电极包括：第一重叠端、第一补偿端和第一居间部分；第一重叠端在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一补偿端位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧，在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；第一居间部分连接所述第一重叠端和所述第一补偿端，在所述衬底基板上的正投影位于所述第一间隔在所述衬底基板上的正投影内。本公开实施例提供的薄膜晶体管可以用于任何需要使用薄膜晶体管的电路或基板中。该基板例如为阵列基板，例如显示基板或光控基板等；该电路例如为显示驱动电路、光控基板的光控驱动电路等，以解决阵列基板或电路中薄膜晶体管栅极和源/漏极对位偏差引起的电容差异问题，达到补偿电容差异的技术效果。

图1A为本公开一实施例提供的一种薄膜晶体管的平面示意图，图1B为沿图1A中的A-A’线的截面示意图。如图1A和图1B所示，薄膜晶体管10包括位于衬底基板5上的栅极3、第一电极1和第二电极2。栅极3包括第一主体部分31和第一延伸部分32。第一主体部分31沿第一方向延伸；第一延伸部分32沿基本第一方向延伸，与第一主体部分31电连接，且与第一主体部分31间隔开第一间隔41。第一电极1包括：第一重叠端11、第一补偿端12和第一居间部分13；第一重叠端11在衬底基板5上的正投影与第一主体部分31在衬底基板5上的正投影至少部分重叠；第一补偿端12位于第一重叠端11的远离第一主体部分31的一侧，第一补偿端12在衬底基板5上的正投影的与第一延伸部分32在衬底基板5上的正投影的一部分重叠；在其他实施例中，第一补偿端12在衬底基板5上的正投影的也可以与第一延伸部分32在衬底基板5上的整个正投影重。第一居间部分13连接第一重叠端11和第一补偿端12，第一居间部分13在衬底基板5上的正投影位于第一间隔41在衬底基板5上的正投影内，即第一居间部分13位于第一间隔41内，在垂直于衬底基板5的方向上与栅极3不重叠。例如，如图1A所示，第一居间部分13为沿第一方向延伸的条形。例如，第二电极2在衬底基板5上的正投影与第一主体部分31在衬底基板上的正投影至少部分重叠。例如在图1A中，第二电极2在衬底基板5上的正投影位于第一主体部分31在衬底基板上的正投影内。

如图1B所示，薄膜晶体管10还包括与栅极3在垂直于衬底基板5的方向上重叠的半导体层6，以及覆盖栅极3的栅绝缘层7；半导体层6在衬底基板5上的正投影位于栅极3在衬底基板5上的正投影内，以利于提高采用该薄膜晶体管10的面板(例如光控面板或显示面板)的光透过率。

在制作该薄膜晶体管10的过程中，如果存在上述位移偏差，第一延伸部分32与第一补偿端11可以补偿这种位移偏差。具体地，图3B为本公开一实施例提供的薄膜晶体管发生对位偏差时电容补偿的示意图，如图3B所示，当用于形成第一电极1和第二电极2的金属层相对于栅极3存在位移偏差时，形成的第一电极1和第二电极2与栅极3会存在位移偏差，例如存在位移偏差

(大小等于|ρ|，与水平方向的夹角为α)。第一主体部分31和第一延伸部分32与水平方向的夹角均为θ，当第一电极1相对于栅极3存在位移偏差

(大小等于|ρ|，与水平方向的夹角为α)时，栅极3的第一主体部分31与第一电极1的交叠面积的减小量为

同时，栅极3的第一延伸部分32与第一电极1的交叠面积的增大量为

从而，栅极3与第一电极1的交叠面积基本保持不变。因此，本公开实施例提供的薄膜晶体管10能够防止上述位移偏差造成的耦合电容差异问题，从而在采用该薄膜晶体管的显示面板中，能够避免由于该耦合电容差异造成的显示异常。

需要说明的是，水平方向为参考方向，如图1A所示，水平方向例如为衬底基板5的边缘51的延伸方向。

例如，第一方向可以是任意方向，第一方向与水平方向之间的夹角大于0度且小于90度，也就是第一方向相对于水平方向是倾斜的，这样，在显示面板包括多个本公开实施例提供的薄膜晶体管，且多个薄膜晶体管中的第一方向彼此不同的情况下，当薄膜晶体管的栅极与第一电极在水平方向或在与水平方向垂直的方向上或同时在水平方向与垂直方向上存在位移偏差时，例如存在上述偏差

栅极3与第一电极1的交叠面积都能够基本保持不变，实现电容补偿，从而防止上述位移偏差造成的耦合电容差异问题。

本公开实施例中，例如，第一电极1为源极，第二电极2为漏极，或者，第一电极1为漏极，第二电极2为源极。

例如，栅极3还包括第一连接部分33，第一连接部分33连接第一主体部分31和第一延伸部分32，第一连接部分33在衬底基板5上的正投影与第一电极1和第二电极2在衬底基板5上的正投影均不重叠，以避免第一连接部分33由于位移误差而对栅极3与第一电极1、第二电极2的交叠面积改变而造成不薄膜晶体管的耦合电容差别。

例如，第一延伸部分32在第一方向上具有第一端321和第二端322，第一主体部分31在第一方向上具有第一端311和第二端312；第一连接部分33连接第一延伸部分32的第一端321与第一主体部分31的第一端311；并且第一延伸部分32的第二端322和第一主体部分31的第二端312位于第一连接部分33的同一侧，这样有利于使薄膜晶体管10的结构紧凑，减小薄膜晶体管的体积，减少薄膜晶体管在应用其的显示面板中所占的空间。

例如，第一延伸部分32的在与第一方向垂直的方向上的宽度大于0，并且小于或等于3μm；第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度与第一主体部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度的比为0.2～0.3。当然，本公开实施例对此不作限定，可根据实际的工艺误差进行设计。

图2A为本公开一实施例提供的另一种薄膜晶体管的平面示意图，图2B为沿图2A中的B-B’线的截面示意图，图2C为沿图2A中的C-C’线的截面示意图。如图2A-2C所示，第一居间部分13包括沿第一方向延伸的条形部14。第一电极1包括多个第一部分15和多个第二部分16；多个第一部分15与条形部14连接，位于条形部14的靠近第一主体部分31的第一侧，且沿第一方向间隔排列；多个第二部分16与条形部14连接，位于条形部14的靠近第一延伸部分32的第二侧，且沿第一方向间隔排列。并且，第一重叠端11包括多个第一部分15的每个的至少部分，例如，如图2A所示，多个第一部分15的每个包括第一区域151和第二区域152，第一区域151在衬底基板5上的正投影位于第一主体部分31在衬底基板5上的正投影内；第一补偿端12包括多个第二部分16的每个的至少部分，以解决每个第一部分15的由于上述偏移误差造成的电容差异问题，实现电容补偿。例如，如图2A所示，多个第二部分16的每个包括第一区域161和第二区域162，第一区域161在衬底基板5上的正投影位于第一延伸部分32在衬底基板5上的正投影内。如图3C所示，对于薄膜晶体管10中的每个第一部分15和与其对应的第二部分16，区域D的电容补偿情况均与图3B所示的相同，请参考之前的描述。

例如，如图2A所示，多个第一部分15与第一方向垂直，且多个第二部分16与第一方向垂直；多个第一部分15、条形部14和多个第二部分16构成的结构整体呈鱼骨状。并且，多个第一部分15与多个第二部分16一一对应，多个第一部分15和多个第二部分16以条形部14为对称轴呈轴对称。从而，多个第一部分15的每个的在垂直于第一方向的方向上的宽度等于与其对应的第二部分16的在垂直于第一方向的方向上的宽度。在这种情况下，结构简单且电容补偿效果最好。例如，多个第一部分15与第一方向垂直，且多个第二部分16与第一方向垂直。这种情况下，能够在发生上述位移误差时，每个第一部分15与第一主体部分31的交叠面积的改变量和每个第二部分16与第一延伸部分32的交叠面积的改变量更加接近，补偿效果更好。当然，在其他实施例中，多个第一部分15的每个也可以与第一方向不垂直，且多个第二部分16的每个与第一方向不垂直。例如，多个第一部分15的每个的平面图形为矩形，多个第二部分16的每个的平面图形为矩形，相对于其他图形，以使在发生上述位移误差时，每个第一部分15与第一主体部分31的交叠面积的改变量和每个第二部分16与第一延伸部分32的交叠面积的改变量更加接近，补偿效果更好，且易于制作。当然，多个第一部分15的每个的平面图形和多个第二部分16的每个的平面图形也可以为其他图形，例如平行四边形等，本公开实施例对此不作限定。

例如，如图2A所示，第二电极2也基本上沿第一方向延伸；第二电极2在衬底基板5上的正投影与第一主体部分31在衬底基板5上的正投影的一部分重叠；第二电极2包括沿第一方向排列且沿远离第一延伸部分32的方向凹陷的多个第一凹陷部分21，第一电极1还包括与多个第一部分15一一对应的多个第一突出部分17，多个第一突出部分17的每个和与其对应的第一部分15连接，多个第一突出部分17分别一一对应地延伸入多个第一凹陷部分21中；并且，第一重叠端11还包括多个第一突出部17，以使薄膜晶体管的结构紧凑，减小薄膜晶体管的体积。

例如，在图2A所示的实施例中，第一凹陷部分21为U形，当然，第一凹陷部分21的形状不限于U形，也可以为V形或不规则凹陷形状等等，本公开实施例对第一凹陷部分的具体形状不作限定。

例如，如图2A和图2B所示，薄膜晶体管10还包括与栅极3在垂直于衬底基板5的方向上重叠的半导体层6，以及覆盖栅极3的栅绝缘层7。第一主体部分31具有靠近第一延伸部分32的边缘311，该边缘311在衬底基板5上的正投影与多个第一部分15在衬底基板5上的正投影至少部分交叠，多个第一部分15的每个的在第一方向上的宽度大于与其连接的第一突出部17的在第一方向上的宽度，以防止第一电极1在第一主体部分31的边缘311的位置出现断线。因为第一电极1与边缘311交叠，在边缘311的位置处具有层间高度差，如果第一电极1的宽度过小，则容易出现断线问题，如图2B所示。

图2A-2C所示的实施例，没有提及的特征和技术效果均与图1A中的相同，请参考之前的描述。在此不再赘述。

本公开至少一实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板包括：沿第二方向延伸的多条第一信号线和沿第三方向延伸的多条第二信号线，所述第二方向和所述第三方向相互交叉，所述多条第一信号线和所述多条第二信号线交叉限定出呈阵列排布的多个光控单元；每个所述光控单元包括本公开实施例提供的任意一种薄膜晶体管，所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向二者相交，所述薄膜晶体管的栅极与所述多条第一信号线中的一条电连接，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述多条第二信号线中的一条电连接，并且所述多条第一信号线及所述多条第二信号线均设置在所述衬底基板上。例如，该阵列基板可以为显示基板或光控基板。

在液晶显示装置中，为了使用局域调光技术，例如在使用直下式背光单元或侧入式背光单元的情况下，可以在显示液晶面板和背光单元之间增加光控面板，该光控面板可以为液晶光控面板。该光控面板可控制预定区域中的透光率，对于画面亮度(灰阶)较高部分，光控面板的相应区域的透光率也高，允许来自背光单元的更多光通过，对于画面亮度较低的部分，光控面板的相应区域的透光率也低，允许来自背光单元的较少光通过，从而达到提高显示画面的对比度，增强显示画质的目的。例如，该光控面板可包括本公开实施例提供的光控基板，该光控基板用于对光控面板中的液晶转向进行控制以达到控光的目的。当然，本公开实施例提供的光控基板不限于是用于双层液晶盒显示面板中，也可以用于其他任何需要使用薄膜晶体管的面板中，以解决薄膜晶体管栅极和源/漏极对位偏差引起的电容差异问题，达到补偿电容差异的技术效果。该阵列基板可以为上述光控基板，下面以阵列基板为上述光控基板为例进行介绍。

示例性地，图4A为本公开一实施例提供的一种光控基板的结构示意图，图4B为图4A所示的光控基板的第一光控单元和第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图。如图4A和图4B所示，光控基板100包括沿第二方向延伸的多条第一信号线103和沿第三方向延伸的多条第二信号线104；第二方向和第三方向相互交叉，多条第一信号线103和多条第二信号线104交叉限定出呈阵列排布的多个光控单元106/107；每个光控单元106/107包括本公开实施例提供的任意一种薄膜晶体管，第一方向与第二方向和相交且与第三方向相交，薄膜晶体管的栅极3与多条第一信号线103中的一条电连接，薄膜晶体管的第一电极1或第二电极2与多条第二信号线104中的一条电连接，并且多条第一信号线103及多条第二信号线104均设置在衬底基板5上。在该光控基板100中，由于第一方向与第二方向和相交且与第三方向相交，因此，在薄膜晶体管的栅极与第一电极在水平方向或在与水平方向垂直的方向上或同时在水平方向与垂直方向上存在位移偏差的情况下，例如存在上述偏差

栅极3与第一电极1的交叠面积都能够基本保持不变，实现电容补偿，从而防止上述位移偏差造成的耦合电容差异问题。即，防止由于栅极金属层和源/漏极金属层之间存在位移偏差而产生的不同行之间薄膜晶体管的栅极和源/漏极之间的耦合电容差异，从而防止由此造成的面板显示异常，例如显示细纹。

需要说明的是，多条第一信号线和多条第二信号线相交不是二者电连接，光控基板还包括绝缘层，位于多条第一信号线和多条第二信号线之间以使第一信号线和多条第二信号彼此绝缘。

例如，第一信号线103为第一栅线，第二信号线104为第一数据线。第一栅线和第一数据线配置为分别提供用于驱动光控基板100的光控单元106/107中的液晶分子(未示出)的旋转的第一栅信号和第一数据信号，以实现光控基板100对背光的出射角角度或强度的调整。又例如，在本公开的另一个实施例中，第一信号线103为第一栅线，第二信号线104为第一数据线。每个光控单元7包括的薄膜晶体管作为开关元件，每个光控单元7还包括像素电极、公共电极。如图4B所示，薄膜晶体管的栅极3与第一栅线103连接以接收第一栅信号，薄膜晶体管的第二电极2(例如源极)与第一数据线连接以接收第一数据信号，薄膜晶体管的第一电极1(例如漏极)与像素电极(图未示出)连接，以在其处于导通状态时对像素电极充电；公共电极和像素电极与液晶层一同形成液晶电容，当像素电极充电之后，则在公共电极和像素电极之间形成电场从而控制液晶层中的液晶分子的旋转。根据光控面板为垂直电场型或水平电场型，公共电极和像素电极可以位于同一基板上且彼此相邻设置，或位于不同的基板上并彼此正对。图未示出像素电极和公共电极，本领域技术人员可参考常规技术。

例如，在图4A和图4B所示的实施例中，多条第一信号线103和多条第二信号线104均为直线。多个光控单元包括第一光控单元106和第二光控单元107，第一光控单元106和第二光控单元107分别位于沿第三方向排列的相邻两个光控单元行当中，且第一光控单元106和第二光控单元107分别位于沿第二方向排列的相邻两个光控单元列当中。例如，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102连接同一条第二信号线104并且分别位于该同一条第二信号线104的同一侧，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101中的第一方向与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102中的第一方向基本平行。

图5A为本公开一实施例提供的另一种光控基板的结构示意图，图5B为图5A所示的光控基板的第一光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图，图5C为图5A所示的光控基板的第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图。第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101中的第一方向与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102中的第一方向相交。例如，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102连接同一条第二信号线104并且分别位于该同一条第二信号线104的第一侧和第二侧，该第一侧和该第二侧在第二方向上互为相反侧，即薄膜晶体管呈“Z”翻转设计，可以防止采用该光控基板的显示面板出现摇头纹现象，尤其在大尺寸面板(例如大于等于65英寸)中，这一优点更加突出。例如，多个光控单元包括第一光控单元106和第二光控单元107，第一光控单元106和第二光控单元107分别位于沿第三方向排列的相邻两个光控单元行当中，且第一光控单元106和第二光控单元107分别位于沿第二方向排列的相邻两个光控单元列当中，从而，在采用该光控基板的显示面板中，能够防止相邻行显示单元或相邻列显示单元中的薄膜晶体管出现上述位移偏差造成的显示不良问题，从而防止显示横纹或竖纹。

例如，在图5A-5C所示的实施例中，对于第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101，第一电极1的第一补偿端12在衬底基板5上的正投影的面积为第一面积，第一电极1的第一重叠端11在衬底基板5上的正投影的面积为第三面积，对于第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102，第一电极1的第一补偿端12在衬底基板5上的正投影的面积为第二面积，第一电极1的第一重叠端11在衬底基板5上的正投影的面积为第四面积；第一面积与第二面积不同，第三面积与第四面积不同，第一面积与第二面积之和与第三面积与第四面积之和相同，以达到更好的补偿效果。

例如，在图5A-5C所示的实施例中，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102相对于沿第三方向的对称轴呈轴对称；或者，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101沿第三方向平移之后与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102相对于与第二信号线104平行的对称轴呈轴对称，以使得整个光控基板的补偿情况均匀一致，也便于整个光控基板的薄膜晶体管的制作。并且，在这种情况下，本实施例提供的光控基板能够解决图3A所示的电容补偿问题，当发生所述位移偏差时，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101和第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102的耦合电容均能够基本保持不变，避免由此导致的显示不良，例如显示横纹。

例如，在另一个实施例提供的光控基板中，多条第一信号线103和多提第二信号线104的至少部分为折线走线。示范性地，例如，图6A为本公开一实施例提供的又一种光控基板的结构示意图，图6B为图6A中的局部105的放大示意图，图6C为图6A所示的光控基板的第一光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图，图6D为图6A所示的光控基板的第二光控单元中的包括薄膜晶体管的局部的放大示意图。通常，显示液晶面板的多条信号线为沿相互交叉的第二方向和第三方向延伸的直线，这些彼此交叉的信号线所限定出的多个子像素单元的平面形状均为矩形。由于多条第一信号线103和多提第二信号线104的至少部分为折线走线，因此，光控单元106/107的平面形状不是矩形，光控单元106/107的平面形状与子像素单元的平面形状不同，排布规律不同，从而使人眼感受不到摩尔纹，达到消除或改善摩尔纹的效果。在这种情况下，例如，如图6A-6D所示，多条第一信号线103的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第一折线单元1030，一个第一折线单元1030对应一个光控单元106/107；一个第一折线单元1030包括沿第四方向延伸的第一线段1031和沿第五方向延伸的第二线段1032，第四方向与第五方向相交，第四方向和第五方向均与第二方向和第三方向相交；第一线段1031和第二线段1032沿第二方向顺次排列，第一线段1031包括与第二线段1032连接的第一端，第二线段1032包括与第一线段1031的第一端连接的第一端，第一线段1031的第一端和第二线段1032的第一端的连接点A为第一折线单元1030的拐点；在第一光控单元106中，第一主体部分31与第一折线单元1030的第一线段1031连接，例如这两者一体成型；并且，在第二光控单元107中，第一主体部分31与第一折线单元1030的第二线段1032连接，例如这两者一体成型，以使得薄膜晶体管的栅极3接收用于驱动光控基板100的光控单元中的液晶分子旋转的第一栅信号。多个第一折线单元1030的至少一个的第一线段1031和第二线段1032相对于该第一折线单元1030所对应的光控单元106/107的在第三方向上的中轴线108对称。在本实施例中，能够在改善摩尔纹的同时，防止相邻行显示单元或相邻列显示单元中的薄膜晶体管出现上述位移偏差造成的显示不良问题，从而防止显示横纹或竖纹。

例如，如图6B所示，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101沿第三方向平移之后与第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102相对于与第二信号线104平行的对称轴108呈轴对称，以使得整个光控基板的补偿情况均匀一致，也便于整个光控基板的薄膜晶体管的制作。

例如，如图6B所示，第一光控单元106所包括的薄膜晶体管101中的第一方向与第五方向相同，第二光控单元107所包括的薄膜晶体管102中的第一方向与第四方向相同，以便于栅极3与与其连接的第一信号线103一体形成时的构图，且使得薄膜晶体管与第一信号线103的结构紧凑，提高光控单元内的空间利用率。

例如，在图6A-6D所示的实施例中，第一线段1031包括和与其相邻的第一折线单元1030的第二线段1032连接的第二端，第二线段1032包括和与其相邻的第一折线单元的第一线段的第二端连接的第二端；第一线段的第二端和第二线段的第二端的连接点在衬底基板上的正投影位于第二信号线在衬底基板5上的正投影上；在第一光控单元106中，第一线段1031的第二端比第一线段1031的第一端更靠近薄膜晶体管101；并且在第二光控单元107中，第二线段1032的第二端比第二线段1032的第一端更靠近薄膜晶体管102。

例如，在图6A-6D所示的实施例中，多条第二信号线104的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第二折线单元1040，一个第二折线单元1040对应一个光控单元106/107；一个第二折线单元1040包括沿第六方向延伸的第一线段1041和沿第七方向延伸的第二线段1042，第六方向与第七方向相交，第六方向和第七方向均与第二方向和第三方向相交；第一线段1041和第二线段1042沿第三方向顺次排列，第一线段1041包括与第二线段1042连接的第一端，第二线段1042包括与第一线段1041的第一端连接的第一端，第一线段1041的第一端和第二线段1042的第一端的连接点B为第二折线单元1040的拐点；在第一光控单元106中，薄膜晶体管101的第一电极1或第二电极2与第二折线单元107的第一线段1041连接；并且在第二光控单元107中，薄膜晶体管102的第一电极1或第二电极2与第二折线单元1040的第一线段1041连接，以使得薄膜晶体管的第一电极1或第二电极2接收用于驱动光控基板100的光控单元中的液晶分子旋转的第一数据信号。

当然，在其他实施例中，第二信号线104的至少部分也可以为直线。例如，第一信号线103为图6A所示的折线，第二信号线104为图5A所示的直线。

如图6C和图6D所示，第一延伸部分12在第一方向上具有第一端和第二端，第一主体部分11在第一方向上具有第一端和第二端；在第一光控单元中，第一延伸部分12的第一端比第一延伸部分12的第二端更靠近与该第一光控单元连接的第二信号线104，第一主体部分11的第一端比第一主体部分11的第二端更靠近与该第一光控单元连接的第二信号线104；并且，在第二光控单元中，第一延伸部分12的第一端比第一延伸部分12的第二端更靠近与该第二光控单元连接的第二信号线104，第一主体部分11的第一端比第一主体部分11的第二端更靠近与该第二光控单元连接的第二信号线104。

图6E为沿图6C中的B-B’线和D-D’线的截面示意图。如图6E所示，沿B-B’线的截面参考之前的描述，如沿D-D’线的截面示意图所示，光控面板还包括位于衬底基板5上的公共电极44、层间绝缘层43和像素电极45。层间绝缘层43覆盖第一电极1或第二电极2，第一电极1还包括外连部分18，外连部分18与条形部14连接且沿与第一方向相交的方向延伸，外连部分18的远离条形部14的端部的沿第一方向的尺寸大于外连部分18的其他部分在第一方向上的线宽。层间绝缘层43包括暴露外连部分18的远离条形部14的端部的过孔，像素电极45通过该过孔与外连部分18电连接，从而实现像素电极45与第一电极1电连接。如图6A所示，公共电极44的平面图形为折线，即公共电极44为折线走线，像素电极45的走向与公共电极44的一致，以与公共电极44形成狭缝电场。例如光控面板为液晶光控面板，液晶在该狭缝电场的作用下偏转以实现控光。

图6A所示的实施例的其他未提及的特征及相应的技术效果均与图5A中的相同，请参考之前的描述。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种光控基板。示例性地，图7为本公开一实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图7所示，显示装置1000包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板100，例如阵列基板100为光控基板。显示装置1000包括堆叠设置的光控液晶面板1001、显示液晶面板1002和背光单元87。光控液晶面板1001包括上述光控基板100；背光单元87位于光控面板2的远离显示液晶面板1的一侧，以使得来自背光单元9的背光先进入光控液晶面板1001，根据需要经光控液晶面板1001对背光的出射角度或强度进行调整后再入射至显示液晶面板1002，例如实现窄视角与宽视角之间的转换的需求、控制显示面板各个位置的发光强度不同的需求等。背光单元87可以为直下式背光单元或侧入式背光单元，本公开的实施例对此没有限制。

光控液晶面板1001包括光控基板100、光控液晶层85和第二黑矩阵88，光控基板100包括光控驱动电路层81，光控驱动电路层81包括本公开实施例提供的光控基板100中的第一数据线、第二数据线和薄膜晶体管。

例如，显示液晶面板1002包括且包括多条信号线，多条信号线包括沿所述第二方向延伸的多条第一显示信号线和沿第三方向延伸的多条第二显示信号线，多条第一显示信号线和多条第二显示信号线交叉限定出呈阵列排布的多个子像素单元。例如，显示液晶面板1002还包括显示驱动电路层83、显示液晶层86、显示像素9、第二黑矩阵89。例如显示像素9包括三个不同颜色的子像素，分别为第一子像素91、第二子像素92和第三子像素93，本公开实施例对子像素单元的个数和颜色不作限定。例如，显示液晶面板1002的驱动电路层83也可以包括本公开实施例提供的薄膜晶体管，以在该显示液晶面板1002中达到防止由于薄膜晶体管的栅极与源/漏极发生位移偏差造成的薄膜晶体管的耦合电容差异，从而避免由于该耦合电容差异造成的显示异常。

例如多条第一显示信号线为第二栅线，多条第二显示信号线为第二数据线，第二栅线和第二数据线配置为分别提供用于驱动显示液晶面板1002的彩色子像素单元中的液晶分子的旋转的第二栅信号和第二数据信号，或者，多条第一显示信号线和读条第二显示信号线构造为第二黑矩阵。

该显示装置1000为液晶显示装置。例如，该显示装置可以实现为如下的产品：手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、ATM机等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置1000能够控制入射至显示液晶面板1的背光的方向或强弱，并且能够达到防止由于薄膜晶体管的栅极与源/漏极发生位移偏差造成的薄膜晶体管的耦合电容差异，从而避免由于该耦合电容差异造成的显示异常。

以上所述仅是本实用新型的示范性实施方式，而非用于限制本实用新型的保护范围，本实用新型的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (21)

1.一种薄膜晶体管，设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极，其特征在于，

所述栅极包括：

第一主体部分，沿第一方向延伸；以及

第一延伸部分，基本沿所述第一方向延伸，与所述第一主体部分电连接，且与所述第一主体部分间隔开第一间隔；

所述第一电极包括：

第一重叠端，在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

第一补偿端，位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧，在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；以及

第一居间部分，连接所述第一重叠端和所述第一补偿端，在所述衬底基板上的正投影位于所述第一间隔在所述衬底基板上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一居间部分包括沿所述第一方向延伸的条形部；

所述第一电极包括：

多个第一部分，与所述条形部连接，位于所述条形部的靠近所述第一主体部分的第一侧，且沿所述第一方向间隔排列；以及

多个第二部分，与所述条形部连接，位于所述条形部的靠近所述第一延伸部分的第二侧，且沿所述第一方向间隔排列，并且

所述第一重叠端包括所述多个第一部分的每个的至少部分，所述第一补偿端包括所述多个第二部分的每个的至少部分。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多个第一部分与所述多个第二部分一一对应，所述多个第一部分和所述多个第二部分以所述条形部为对称轴呈轴对称。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述多个第一部分与所述第一方向垂直，且所述多个第二部分与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

所述第二电极包括沿所述第一方向排列且沿远离所述第一延伸部分的方向凹陷的多个第一凹陷部分，所述第一电极还包括与所述多个第一部分一一对应的多个第一突出部分，所述多个第一突出部分的每个和与其对应的所述第一部分连接，所述多个第一突出部分分别一一对应地延伸入所述多个第一凹陷部分中；并且

所述第一重叠端还包括所述多个第一突出部分。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一主体部分具有靠近所述第一延伸部的边缘，该边缘在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述多个第一部分的每个在所述第一方向上的宽度大于与其连接的所述第一突出部的在所述第一方向上的宽度。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度大于0，并且小于或等于3μm；

第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度与第一主体部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度的比为0.2～0.3。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极还包括第一连接部分，所述第一连接部分连接所述第一主体部分和所述第一延伸部分，所述第一连接部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影均不重叠。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一延伸部分在所述第一方向上具有第一端和第二端，所述第一主体部分在所述第一方向上具有第一端和第二端；

所述第一连接部分连接所述第一延伸部分的第一端与所述第一主体部分的第一端；并且

所述第一延伸部分的第二端和所述第一主体部分的第二端位于所述第一连接部分的同一侧。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向与水平方向之间的夹角大于0度且小于90度。

11.一种阵列基板，包括根据权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板包括：

设置在所述衬底基板上沿第二方向延伸的多条第一信号线和沿第三方向延伸的多条第二信号线，所述第二方向和所述第三方向相互交叉，所述多条第一信号线和所述多条第二信号线交叉限定出呈阵列排布的多个光控单元；

每个所述光控单元包括根据权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管，所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向二者相交，所述薄膜晶体管的栅极与所述多条第一信号线中的一条电连接，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述多条第二信号线中的一条电连接。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，

所述多个光控单元包括第一光控单元和第二光控单元；

所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向相交。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管连接同一条第二信号线并且分别位于该同一条第二信号线的第一侧和第二侧，该第一侧和该第二侧在所述第二方向上互为相反侧。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第一光控单元和所述第二光控单元分别位于沿所述第三方向排列的相邻两个光控单元行当中，且所述第一光控单元和所述第二光控单元分别位于沿所述第二方向排列的相邻两个光控单元列当中。

15.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，

对于所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管，所述第一电极的第一补偿端在所述衬底基板上的正投影的面积为第一面积，所述第一电极的第一重叠端在所述衬底基板上的正投影的面积为第三面积，

对于所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管，所述第一电极的第一补偿端在所述衬底基板上的正投影的面积为第二面积，所述第一电极的第一重叠端在所述衬底基板上的正投影的面积为第四面积；

所述第一面积与所述第二面积之和与所述第三面积与所述第四面积之和相同。

16.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管相对于沿所述第三方向的对称轴呈轴对称；或者，

所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管沿所述第三方向平移之后与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管相对于沿所述第三方向的对称轴呈轴对称。

17.根据权利要求12-16任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述多条第一信号线的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第一折线单元，一个所述第一折线单元对应一个所述光控单元；

一个所述第一折线单元包括沿第四方向延伸的第一线段和沿第五方向延伸的第二线段，第四方向与第五方向相交，所述第四方向和所述第五方向均与所述第二方向和所述第三方向相交；

所述第一线段和所述第二线段沿所述第二方向顺次排列，所述第一线段包括与所述第二线段连接的第一端，所述第二线段包括与所述第一线段的第一端连接的第一端，所述第一线段的第一端和所述第二线段的第一端的连接点为所述第一折线单元的拐点；

在所述第一光控单元中，所述第一主体部分与所述第一折线单元的第一线段连接；并且

在所述第二光控单元中，所述第一主体部分与所述第一折线单元的第二线段连接。

18.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第五方向相同，所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第四方向相同。

19.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一线段包括和与其相邻的所述第一折线单元的所述第二线段连接的第二端，所述第二线段包括和与其相邻的所述第一折线单元的所述第一线段的第二端连接的第二端；所述第一线段的第二端和所述第二线段的第二端的连接点在所述衬底基板上的正投影位于所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影上；

在所述第一光控单元中，所述第一线段的第二端比所述第一线段的第一端更靠近所述薄膜晶体管；并且

在所述第二光控单元中，所述第二线段的第二端比所述第二线段的第一端更靠近所述薄膜晶体管。

20.根据权利要求12-16任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述多条第二信号线的至少部分为折线且包括呈连续周期排列的多个第二折线单元，一个所述第二折线单元对应一个所述光控单元；

一个所述第二折线单元包括沿第六方向延伸的第一线段和沿第七方向延伸的第二线段，第六方向与第七方向相交，所述第六方向和所述第七方向均与所述第二方向和所述第三方向相交；

所述第一线段和所述第二线段沿所述第三方向顺次排列，所述第一线段包括与所述第二线段连接的第一端，所述第二线段包括与所述第一线段的第一端连接的第一端，所述第一线段的第一端和所述第二线段的第一端的连接点为所述第二折线单元的拐点；

在所述第一光控单元中，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述第二折线单元的第一线段连接；并且

在所述第二光控单元中，所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述第二折线单元的第一线段连接。

21.一种显示装置，包括根据权利要求12-20任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为光控基板，所述显示装置还包括：

光控面板，包括所述光控基板；

显示液晶面板，与所述光控面板堆叠设置，包括多条沿所述第二方向延伸的第一显示信号线和多条沿所述第三方向延伸的第二显示信号线，所述多条第一显示信号线和所述多条第二显示信号线交叉限定出呈阵列排布的多个子像素单元；以及

背光单元，位于所述光控面板的远离所述显示液晶面板的一侧，其中，所述光控面板配置为允许来自所述背光单元的背光经由其入射至所述显示液晶面板。

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