CN210490073U - 一种激光振荡器 - Google Patents

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尹志军
叶志霖
吴冰
许志城
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Nanjing Nanzhi Institute Of Advanced Optoelectronic Integration
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

本申请提供了一种激光振荡器。激光振荡器包括激光源和准相位相匹配晶体单元;准相位相匹配晶体单元为长方体形状,准相位相匹配晶体单元包括两个第一类晶体和第二类晶体单元,第二类晶体单元包括至少一个第二类晶体。激光从一个第一类晶体的第一侧面射入后经第三侧面射出,再射入第二类晶体单元的第一侧面,再经第二类晶体单元的第三侧面射出后,射入另一个第一类晶体的第三侧面,再从另一个第一类晶体的第一侧面射出。采用本申请实施例提供的激光振荡器,大大增加了准相位相匹配晶体单元的通光口径,能够匹配高功率飞秒脉冲,同时这种结构的激光振荡器制作成本较低,结构简单,便于生产。

Description

一种激光振荡器
技术领域
本申请涉及激光技术领域,特别涉及一种激光振荡器。
背景技术
随着激光应用范围的扩大,对激光功率的需求越来越高,导致对激光振荡器中准相位相匹配晶体的口径的要求也越来越高,需要越来越大的口径来匹配激光的功率及能量。如果准相位相匹配晶体的口径不能满足激光功率的话,一旦激光功率超过晶体的损伤阈值,晶体就容易被激光损伤。例如,目前的超快激光领域中的高功率飞秒光参量放大中,一般输入的飞秒脉冲达到了1mJ量级,就需要通光口径为5mm-10mm的准相位相匹配晶体才能承受该激光能量。
现有技术中,准相位相匹配晶体的制备过程如下:首先将晶体的上下两面抛光,通过微加工的方法在晶体上下两面镀周期性的金属电极,再在晶体电极上施加超过材料矫顽场电压,使得晶体中的电畴反转,形成与周期金属电极相对应的周期极化结构。通常情况下,晶体厚度为1mm时,需要的电压一般为数千伏,而晶体的厚度直接影响到准相位相匹配晶体的口径,晶体越厚,准相位相匹配晶体的口径也就越大。如果采用增加晶体厚度的方式来增大准相位相匹配晶体的口径,那么,在制备较厚的晶体时,需要施加非常高的电压才能够使得电畴反转,极易造成晶体被击穿,并且畴的反转会产生各种由于高电压而产生的缺陷。因此,目前常用的激光振荡器中准位相匹配晶体的厚度一般仅为1mm左右,其通光口径受到此尺寸限制。
实用新型内容
本申请提供了一种激光振荡器,可用于解决在现有技术中准相位相匹配晶体的口径较小的技术问题。
本申请实施例提供一种激光振荡器,所述激光振荡器包括激光源和准相位相匹配晶体单元;所述准相位相匹配晶体单元为长方体形状,所述准相位相匹配晶体单元包括两个第一类晶体和第二类晶体单元,所述第二类晶体单元包括至少一个第二类晶体;
所述第一类晶体为直三棱柱形状,所述第一类晶体的顶面和底面为直角三角形,第一侧面和第二侧面为矩形,第三侧面为平行四边形;
所述第二类晶体单元为直四棱柱形状,所述第二类晶体单元的所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
通过所述第二类晶体单元的第一侧面与一个第一类晶体的第三侧面相连接,所述第二类晶体单元的第三侧面与另一个第一类晶体的第三侧面相连接的方式组成所述准相位相匹配晶体单元;其中,两个第一类晶体的顶面和所述第二类晶体单元的顶面组成所述准相位相匹配晶体单元的前侧面,两个第一类晶体的底面和所述第二类晶体单元的底面组成所述准相位相匹配晶体单元的后侧面,一个第一类晶体的第二侧面和所述第二类晶体单元的第二侧面组成所述准相位相匹配晶体单元的顶面,另一个第一类晶体的第二侧面和所述第二类晶体单元的第四侧面组成所述准相位相匹配晶体单元的底面;
所述第二类晶体单元的畴极化方向垂直于所述准相位相匹配晶体单元的底面;
激光从一个第一类晶体的第一侧面射入后经第三侧面射出,再射入所述第二类晶体单元的第一侧面,再经所述第二类晶体单元的第三侧面射出后,射入另一个第一类晶体的第三侧面,再从所述另一个第一类晶体的第一侧面射出。
可选地,所述第二类晶体单元包括一个第二类晶体;
所述第二类晶体为直四棱柱形状,所述第二类晶体的所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且所述第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
所述第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面分别为所述第二类晶体单元的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面。
可选地,所述第二类晶体单元包括多个第二类晶体;
每个第二类晶体为直四棱柱形状,每个第二类晶体的所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且每个第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
针对任意两个相邻的第二类晶体,通过一个第二类晶体的第一侧面与另一个第二类晶体的第三侧面相连接的方式组成所述第二类晶体单元;其中,位于端部的一个第二类晶体的第一侧面组成所述第二类晶体单元的第一侧面,位于端部的另一个第二类晶体的第三侧面组成所述第二类晶体单元的第三侧面,每个第二类晶体的第二侧面组成所述第二类晶体单元的第二侧面,每个第二类晶体的第四侧面组成所述第二类晶体单元的第四侧面。
可选地,所述一个第二类晶体的第一侧面与所述另一个第二类晶体的第三侧面之间通过胶黏的方式连接。
可选地,每个第二类晶体的畴极化方向垂直于所述准相位相匹配晶体单元的底面。
可选地,所述第二类晶体单元的第一侧面与第二侧面之间的夹角是根据所述准相位相匹配晶体单元的通光口径确定的。
可选地,所述第二类晶体单元的第一侧面与第二侧面之间的夹角与所述第一类晶体的第二侧面与第三侧面之间的夹角大小相等。
可选地,所述第二类晶体单元的第一侧面与一个第一类晶体的第三侧面通过胶黏的方式连接,所述第二类晶体单元的第三侧面与另一个第一类晶体的第三侧面通过胶黏的方式连接。
可选地,其特征在于,所述第一类晶体和所述第二类晶体是同一种晶体。
可选地,所述第一类晶体和所述第二类晶体是铌酸锂晶体。
采用本申请实施例提供的激光振荡器,大大增加了准相位相匹配晶体单元的通光口径,能够匹配高功率飞秒脉冲,同时这种结构的激光振荡器制作成本较低,结构简单,便于生产。
附图说明
图1为本申请实施例适用的一种激光振荡器的结构示意图;
图2为本申请实施例适用的一种激光振荡器内部的结构示意图;
图3a为本申请实施例提供的一种第一类晶体的结构示意图;
图3b为本申请实施例提供的另一种第一类晶体的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种第二类晶体单元的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种第二类晶体纵截面的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的一种第二类晶体的畴极化方向的设置示意图;
图7为本申请实施例提供的一种包括一个第二类晶体的第二类晶体单元的结构示意图;
图8为本申请实施例提供的一种包括多个第二类晶体的第二类晶体单元的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的一种通光口径与有效长度的关系示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
请参考图1,其示例性示出了本申请实施例适用的一种激光振荡器的结构示意图。该激光振荡器1可以包括激光源2和准相位相匹配晶体单元3。
如图1所示,准相位相匹配晶体单元3的形状可以是长方体形状。其中,准相位相匹配晶体单元3包括六个面,分别是顶面301、底面(即与顶面301相对的面)、前侧面302、后侧面(即与前侧面302相对的面)、左侧面303和右侧面(即与左侧面303相对的面)。
需要说明的是,图1示出的仅为激光振荡器1整体上的结构示意图,对于激光振荡器1 内部具体的结构,需要结合图2来说明。
请参考图2,其示例性示出了本申请实施例适用的一种激光振荡器内部的结构示意图。如图2所示,准相位相匹配晶体单元3可以包括两个第一类晶体,分别是图1中示出的第一类晶体31和第一类晶体32。其中,第一类晶体31和第一类晶体32的形状、尺寸可以是相同的,两者的区别在于第一类晶体31设置于准相位相匹配晶体单元3的左侧,激光源2(图 2中未示出)发出的激光是从第一类晶体31中射入的;第一类晶体32设置于准相位相匹配晶体单元3的右侧,激光是从第一类晶体32中射出的。
进一步地,图3a示例性示出了本申请实施例提供的一种第一类晶体的结构示意图。第一类晶体(第一类晶体31或第一类晶体32)可以为直三棱柱形状。以第一类晶体31为例,第一类晶体31的顶面311(即图3a中点A’、B’、C’组成的平面)和底面312(即图3a中点A、B、C组成的平面)为直角三角形,第一侧面313(即图3a中点A、A’、B’、B组成的平面) 和第二侧面314(即图3a中点A、A’、C’、C组成的平面)为矩形,第三侧面315(即图3a 中点B、B’、C’、C组成的平面)为平行四边形。
类似地,图3b示例性示出了本申请实施例提供的另一种第一类晶体的结构示意图。以第一类晶体32为例,第一类晶体32的顶面321(即图3b中点A’、B’、C’组成的平面)和底面 322(即图3b中点A、B、C组成的平面)为直角三角形,第一侧面323(即图3b中点A、 A’、B’、B组成的平面)和第二侧面324(即图3b中点A、A’、C’、C组成的平面)为矩形,第三侧面325(即图3b中点B、B’、C’、C组成的平面)为平行四边形。
如图2所示,准相位相匹配晶体单元3还可以包括第二类晶体单元33,其中,第二类晶体单元33可以包括至少一个第二类晶体,例如图2中示出有一个第二类晶体,是第二类晶体 41。
进一步地,图4示例性示出了本申请实施例提供的一种第二类晶体单元的结构示意图。第二类晶体单元33可以为直四棱柱形状,第二类晶体单元33的第一侧面331(即图4中H、E、F、G组成的平面)和第三侧面333(即图4中H’、E’、F’、G’组成的平面)为平行四边形,第二侧面332(即图4中F、G、G’、F’组成的平面)和第四侧面334(即图4中H、E、 E’、H’组成的平面)为矩形,且第一侧面331、第二侧面332、第三侧面333和第四侧面334 依次首尾相连;第二类晶体单元33的的顶面(即图4中E、F、F’、E’组成的平面)和底面 (即图4中H、G、G’、H’组成的平面)为平行四边形。
进一步地,第二类晶体单元33的畴极化方向垂直于准相位相匹配晶体单元3的底面。
而第一类晶体的畴极化方向也是垂直于准相位相匹配晶体单元3的底面的,第一类晶体的畴极化方向与第二类晶体的畴极化方向之间的区别在于,第一类晶体全是正畴或负畴。第二类晶体是正负相间的畴。
结合图1、图2、图3和图4可以看出,准相位相匹配晶体单元3是通过以下方式组成的:通过第二类晶体单元33的第一侧面331与一个第一类晶体31的第三侧面315相连接,第二类晶体单元33的第三侧面333与另一个第一类晶体32的第三侧面325相连接的方式组成准相位相匹配晶体单元3。
其中,两个第一类晶体的顶面(即第一类晶体31的顶面311与第一类晶体32的顶面321) 和第二类晶体单元33的顶面335组成准相位相匹配晶体单元3的前侧面302;两个第一类晶体的底面(即第一类晶体31的底面312与第一类晶体32的底面322)和第二类晶体单元33 的底面336组成准相位相匹配晶体单元3的后侧面;一个第一类晶体31的第二侧面314和第二类晶体单元33的第二侧面332组成准相位相匹配晶体单元3的顶面301;另一个第一类晶体32的第二侧面324和第二类晶体单元33的第四侧面334组成准相位相匹配晶体单元3的底面;一个第一类晶体31的第一侧面313组成准相位相匹配晶体单元3的左侧面303;另一个第一类晶体32的第一侧面323组成准相位相匹配晶体单元3的右侧面。
进一步地,本申请实施例中,第一类晶体与第二类晶体单元之间可以通过多种方式连接,比如,可以通过胶黏的方式连接,即第二类晶体单元33的第一侧面331与一个第一类晶体31 的第三侧面315可以通过胶黏的方式连接,第二类晶体单元33的第三侧面333与另一个第一类晶体32的第三侧面325也可以通过胶黏的方式连接;此外,多个第二类晶体之间还可以通过粘合、光胶或键合等其它方式连接,具体不做限定。
更进一步地,本申请实施例中,第一类晶体和第二类晶体是同一种晶体,比如,第一类晶体和第二类晶体可以都是铌酸锂晶体。以图1为例,第一类晶体31、第一类晶体32和第二类晶体41是同一种晶体。如此,使得第一类晶体和第二类晶体之间的折射率相同。
在其它可能的实施例中,第一类晶体和第二类晶体除了可以是铌酸锂晶体以外,还可以是同化学成分的钽酸锂、同化学计量比的铌酸锂、同化学计量比的钽酸锂、掺杂的铌酸锂、掺杂的钽酸锂或磷酸钛氧钾(KTP)晶体等,具体不做限定。
如此,激光垂直于光轴(图1中光轴为垂直方向)入射,由于第一类晶体31、第一类晶体32和第二类晶体41之间的折射率相同,激光入射时,不会因为折射率变化而发生折射,从而能够保持原有方向不变。
具体地,激光从一个第一类晶体31的第一侧面313射入后经第一类晶体31的第三侧面 315射出,再射入第二类晶体单元33的第一侧面331,再经第二类晶体单元33的第三侧面 333射出后,射入另一个第一类晶体32的第三侧面325,再从另一个第一类晶体32的第一侧面323射出。
采用本申请实施例提供的激光振荡器,大大增加了准相位相匹配晶体单元的通光口径,能够匹配高功率飞秒脉冲,同时这种结构的激光振荡器制作成本较低,结构简单,便于生产。
进一步地,从图1中可以看出,第二类晶体单元33的第一侧面331与第二侧面332之间存在一定角度的夹角,这个夹角可以是根据准相位相匹配晶体单元3的通光口径确定的。
具体来说,如图5所示,为本申请实施例提供的一种第二类晶体纵截面的结构示意图。从图5中可以看出,第二类晶体41的畴极化方向(即图5中的z轴方向)与通光面(即激光的入射面)平行。假设第二类晶体纵截面长边的长度为L,准相位相匹配晶体单元的通光口径为D,那么第二类晶体纵截面的长边与短边之间的夹角θ可以根据公式(1)确定。
D=L×sinθ 公式(1)
公式(1)中,D为准相位相匹配晶体单元的通光口径;L为第二类晶体纵截面长边的长度;θ为第二类晶体纵截面的长边与短边之间的夹角。
进一步地,根据几何关系可以确定,第二类晶体纵截面的长边与短边之间的夹角就是第二类晶体单元41的第一侧面331与第二侧面332之间存在的夹角。
进一步地,假设图5中第二类晶体的纵截面厚度为d,那么,第二类晶体的有效长度Leff可以根据公式(2)确定。
Figure BDA0002293831390000051
公式(2)中,Leff为第二类晶体的有效长度;d为第二类晶体的纵截面厚度;θ为第二类晶体纵截面的长边与短边之间的夹角。
根据上文描述的内容可知,在第二类晶体的纵截面厚度d一定的情况下,第二类晶体纵截面的长边与短边之间的夹角θ越大,准相位相匹配晶体单元的通光口径D就越大。
进一步地,为了增加有效作用距离,可以采用多个第二类晶体级联的方式组成第二类晶体单元33。
更进一步地,第二类晶体单元33的第一侧面331与第二侧面332之间的夹角与第一类晶体31的第二侧面314与第三侧面315之间的夹角大小相等;或者,第二类晶体单元33的第一侧面331与第二侧面332之间的夹角与第一类晶体32的第二侧面324与第三侧面325之间的夹角大小相等。
本申请实施例中,第二类晶体单元33的畴极化方向垂直于准相位相匹配晶体单元3的底面,也就是说,第二类晶体单元33中的第二类晶体的畴极化方向也是垂直于准相位相匹配晶体单元3的底面。
图6示例性示出了本申请实施例提供的一种第二类晶体的畴极化方向的设置示意图。如
图6所示,第二类晶体可以是周期极化的铌酸锂晶体。按照与z轴(光轴)方向呈θ度切割。根据光参量放大(Optical Parametric Amplifier,OPA)的需求,采用0类位相匹配方案,即 Z->Z+Z,泵浦波长为800nm,信号光波长为1064nm,根据准相位匹配,偏振所需晶体的周期为Λ=22.35μm。在第二类晶体一面制作周期金属电极(即图6示出的正极部分)的周期为Λ/cos(θ)=23.1μm;在第二类晶体的另一面镀金属膜形成平板电极。在正负电极上加上电压后,形成垂直方向的电场。由于畴往下生长只能朝向沿z轴方向,垂直电场在z轴方向的分量引导畴的极化方向反转,形成如图6所示的正负畴周期排列的周期极化晶体。然后再将上下两个面的金属电极去除并进行机械抛光,从而制得图2中示出的第二类晶体。
本申请实施例中,第二类晶体单元33可以只包括一个第二类晶体,或者也可以包括多个第二类晶体,下面分别对这两种情况进行说明。
(一)第二类晶体单元33包括一个第二类晶体
图7示例性示出了本申请实施例提供的一种包括一个第二类晶体的第二类晶体单元的结构示意图。如图7所示,第二类晶体单元33包括一个第二类晶体41。
其中,第二类晶体41为直四棱柱形状,第二类晶体41的第一侧面411(即图4中O、P、M、N组成的平面)和第三侧面413(即图4中O’、P’、M’、N’组成的平面)为平行四边形,第二侧面412(即图4中P、M、M’、P’组成的平面)和第四侧面414(即图4中O、N、 N’、O’组成的平面)为矩形,且第一侧面411、第二侧面412、第三侧面413和第四侧面414 依次首尾相连;第二类晶体41的的顶面(即图4中O、P、P’、O’组成的平面)和底面(即图4中M、N、N’、M’组成的平面)为平行四边形。
进一步地,第二类晶体41的第一侧面411、第二侧面412、第三侧面413和第四侧面414 分别为第二类晶体单元33的第一侧面331、第二侧面332、第三侧面333和第四侧面334。
(二)第二类晶体单元33包括多个第二类晶体
图8示例性示出了本申请实施例提供的一种包括多个第二类晶体的第二类晶体单元的结构示意图。如图8所示,第二类晶体单元33包括三个第二类晶体,分别是第二类晶体41、第二类晶体42和第二类晶体43。采用多个第二类晶体组成的第二类晶体单元33,可以大大增加有效作用距离。
其中,每个第二类晶体均为直四棱柱形状,每个第二类晶体的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且每个第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连。例如,图6中示出的,第二类晶体41的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;第二类晶体42的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;第二类晶体43的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连。
需要说明的是,图8中第二类晶体41、第二类晶体42和第二类晶体43各自的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面的具体结构可以参考图7中对第二类晶体41的描述,图8中第二类晶体42和第二类晶体43的具体结构与图7中第二类晶体41的具体结构一致,此处不再赘述。
针对任意两个相邻的第二类晶体,可以通过一个第二类晶体的第一侧面与另一个第二类晶体的第三侧面相连接的方式组成第二类晶体单元;其中,位于端部的一个第二类晶体的第一侧面组成第二类晶体单元的第一侧面,位于端部的另一个第二类晶体的第三侧面组成第二类晶体单元的第三侧面,每个第二类晶体的第二侧面组成第二类晶体单元的第二侧面,每个第二类晶体的第四侧面组成第二类晶体单元的第四侧面。
以图8示出的第二类晶体单元33为例,第二类晶体42的第一侧面与第二类晶体41的第三侧面相连接,第二类晶体43的第一侧面与第二类晶体42的第三侧面相连接,从而组成第二类晶体单元33。其中,位于左端的第二类晶体41的第一侧面可以组成第二类晶体单元33 的第一侧面331;位于右端的第二类晶体43的第三侧面可以组成第二类晶体单元33的第三侧面333;第二类晶体41的第二侧面、第二类晶体42的第二侧面和第二类晶体43的第二侧面组成第二类晶体单元33的第二侧面332;第二类晶体41的第四侧面、第二类晶体42的第四侧面和第二类晶体43的第四侧面组成第二类晶体单元33的第四侧面334。
进一步地,本申请实施例中,多个第二类晶体之间可以通过多种方式连接,比如,可以通过胶黏的方式连接,即一个第二类晶体的第一侧面与另一个第二类晶体的第三侧面之间通过胶黏的方式连接,以图8示出的第二类晶体单元33为例,第二类晶体42的第一侧面421 与第二类晶体41的第三侧面413可以通过胶黏的方式相连接,第二类晶体43的第一侧面431 与第二类晶体42的第三侧面423可以通过胶黏的方式相连接;此外,多个第二类晶体之间还可以通过粘合、光胶或键合等其它方式连接,具体不做限定。
进一步地,每个第二类晶体的畴极化方向可以垂直于准相位相匹配晶体单元33的底面。
为了更好理解本实用新型的方案,下面通过具体实例来进行说明。
在超快光参量放大(Optical Parametric Amplifier,OPA)中,泵浦光的波长为800nm,脉冲能量达到1mJ,脉冲长度20fs,对非线性晶体的要求为通光口径D=10mm,有效长度Leff> 3mm。采用第二类晶体的纵截面厚度d=1mm,第二类晶体纵截面短边的长度10mm,第二类晶体纵截面长边的长度40mm的周期极化铌酸锂晶体作为非线性晶体。根据公式(1)和公式 (2)可以得到通光口径D与有效长度Leff的关系,参见公式(3)。
D×Leff=d×L 公式(3)
公式(3)中,D为准相位相匹配晶体单元的通光口径;L为第二类晶体纵截面长边的长度;Leff为第二类晶体的有效长度;d为第二类晶体的纵截面厚度。
根据公式(3)可知,随着倾斜角度θ的不同,D和Leff具有如图9所示的具体关系。
从图9中可以看出,通光口径D越大,有效长度Leff越短。在前述参数下,在通光口径D=10mm时,Leff=4mm;在需要更大的口径时,有效长度缩短。在通光口径D=10mm时,根据公式(1)可以确定,θ=14.5°。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实用新型后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种激光振荡器,其特征在于,所述激光振荡器包括激光源和准相位相匹配晶体单元;所述准相位相匹配晶体单元为长方体形状,所述准相位相匹配晶体单元包括两个第一类晶体和第二类晶体单元,所述第二类晶体单元包括至少一个第二类晶体;
所述第一类晶体为直三棱柱形状,所述第一类晶体的顶面和底面为直角三角形,第一侧面和第二侧面为矩形,第三侧面为平行四边形;
所述第二类晶体单元为直四棱柱形状,所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
通过所述第二类晶体单元的第一侧面与一个第一类晶体的第三侧面相连接,所述第二类晶体单元的第三侧面与另一个第一类晶体的第三侧面相连接的方式组成所述准相位相匹配晶体单元;其中,两个第一类晶体的顶面和所述第二类晶体单元的顶面组成所述准相位相匹配晶体单元的前侧面,两个第一类晶体的底面和所述第二类晶体单元的底面组成所述准相位相匹配晶体单元的后侧面,一个第一类晶体的第二侧面和所述第二类晶体单元的第二侧面组成所述准相位相匹配晶体单元的顶面,另一个第一类晶体的第二侧面和所述第二类晶体单元的第四侧面组成所述准相位相匹配晶体单元的底面;
所述第二类晶体单元的畴极化方向垂直于所述准相位相匹配晶体单元的底面;
激光从一个第一类晶体的第一侧面射入后经第三侧面射出,再射入所述第二类晶体单元的第一侧面,再经所述第二类晶体单元的第三侧面射出后,射入另一个第一类晶体的第三侧面,再从所述另一个第一类晶体的第一侧面射出。
2.根据权利要求1所述的激光振荡器,其特征在于,所述第二类晶体单元包括一个第二类晶体;
所述第二类晶体为直四棱柱形状,所述第二类晶体的所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且所述第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
所述第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面分别为所述第二类晶体单元的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面。
3.根据权利要求1所述的激光振荡器,其特征在于,所述第二类晶体单元包括多个第二类晶体;
每个第二类晶体为直四棱柱形状,每个第二类晶体的所述第二类晶体单元的第一侧面和第三侧面为平行四边形,第二侧面和第四侧面为矩形,且每个第二类晶体的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面依次首尾相连;
针对任意两个相邻的第二类晶体,通过一个第二类晶体的第一侧面与另一个第二类晶体的第三侧面相连接的方式组成所述第二类晶体单元;其中,位于端部的一个第二类晶体的第一侧面组成所述第二类晶体单元的第一侧面,位于端部的另一个第二类晶体的第三侧面组成所述第二类晶体单元的第三侧面,每个第二类晶体的第二侧面组成所述第二类晶体单元的第二侧面,每个第二类晶体的第四侧面组成所述第二类晶体单元的第四侧面。
4.根据权利要求3所述的激光振荡器,其特征在于,所述一个第二类晶体的第一侧面与所述另一个第二类晶体的第三侧面之间通过胶黏的方式连接。
5.根据权利要求3所述的激光振荡器,其特征在于,每个第二类晶体的畴极化方向垂直于所述准相位相匹配晶体单元的底面。
6.根据权利要求1所述的激光振荡器,其特征在于,所述第二类晶体单元的第一侧面与第二侧面之间的夹角是根据所述准相位相匹配晶体单元的通光口径确定的。
7.根据权利要求1所述的激光振荡器,其特征在于,所述第二类晶体单元的第一侧面与第二侧面之间的夹角与所述第一类晶体的第二侧面与第三侧面之间的夹角大小相等。
8.根据权利要求1所述的激光振荡器,其特征在于,所述第二类晶体单元的第一侧面与一个第一类晶体的第三侧面通过胶黏的方式连接,所述第二类晶体单元的第三侧面与另一个第一类晶体的第三侧面通过胶黏的方式连接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的激光振荡器,其特征在于,所述第一类晶体和所述第二类晶体是同一种晶体。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的激光振荡器,其特征在于,所述第一类晶体和所述第二类晶体是铌酸锂晶体。
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