CN210364884U - 一种mos芯片真空存储器 - Google Patents
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Abstract
一种MOS芯片真空存储器，包括箱体、置于所述箱体内的若干载物盘及盖设在所述箱体上的密封盖；所述箱体的内壁上设有填充层，所述填充层内设有若干竖直设置的隔板，相邻的两个隔板之间设有防潮剂，若干载物盘层叠置于所述箱体内，每个载物盘内设有若干呈矩阵分布的收容格且上表面盖设有海绵盖板，所述密封盖盖设在所述箱体上的开口处且设有单向阀；与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：采用海绵盖板分隔，加强保护；通过在密封盖上设置单向阀，可以使得所述MOS芯片真空存储器内成为真空状态，所述填充层内的防潮剂能够持续吸收内部的残留水分，保持长期干燥，防止MOS芯片氧化，方便运输与保存。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及MOS芯片存储技术领域，具体的涉及一种MOS芯片真空存储器。
【背景技术】
随着MOS集成电路产业的高速发展，越来越多的MOS芯片应用在各种电子产品中，在电子产品系统的设计过程中，随着MOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本，提高了芯片的运算速度。
现有技术MOS芯片加工完成后，从收料机出来自动装载到载物盘后，需要将载物盘中的MOS芯片全部拿出来，再依次放到存储器中进行打包存储，中间流程繁琐，并且MOS芯片上的晶体管等元器件在空气中很容易受到氧化与腐蚀，影响使用寿命。
鉴于此，实有必要提供一种MOS芯片真空存储器以克服现有技术的不足。
【实用新型内容】
本实用新型的目的是提供一种MOS芯片真空存储器，旨在实现MOS芯片从收料机装入载物盘后可直接存储，加强保护，保持长期干燥，防止MOS芯片氧化，方便运输与保存。
为了实现上述目的，本实用新型提供一种MOS芯片真空存储器，包括箱体、置于所述箱体内的若干载物盘及盖设在所述箱体上的密封盖；
所述箱体的内壁上设有填充层，所述填充层内设有若干竖直设置的隔板，相邻的两个隔板之间设有防潮剂，若干载物盘层叠置于所述箱体内，每个载物盘内设有若干呈矩阵分布的收容格且上表面盖设有海绵盖板，所述密封盖盖设在所述箱体上的开口处且设有单向阀。
在一个优选实施方式中，所述箱体的开口边缘还有凸缘结构。
在一个优选实施方式中，所述凸缘结构上还设有一对扣耳。
在一个优选实施方式中，所述单向阀上还盖设有防尘盖。
在一个优选实施方式中，所述MOS芯片真空存储器还包括密封圈，所述密封圈设置在所述密封盖与所述箱体的接触面。
与现有技术相比，本实用新型提供的一种MOS芯片真空存储器的有益效果在于：通过在所述箱体内依次层叠多个载物盘，MOS芯片从收料机装入载物盘后可直接存储在箱体内，采用海绵盖板分隔，加强保护；通过在密封盖上设置单向阀，可以使得所述MOS芯片真空存储器内成为真空状态，所述填充层内的防潮剂能够持续吸收内部的残留水分，保持长期干燥，防止MOS芯片氧化，方便运输与保存。
【附图说明】
图1为本实用新型提供的MOS芯片真空存储器的爆炸图。
图2为图1所示A区域的放大图。
图3为图1所示载物盘的立体图。
图4为图1所示密封盖的爆炸图。
【具体实施方式】
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。
请参阅图1至图3，本实用新型提供一种MOS芯片真空存储器100。
在本实用新型的实施例中，所述MOS芯片真空存储器100包括箱体10、置于所述箱体10内的若干载物盘20及盖设在所述箱体10上的密封盖30。
具体的，所述箱体10的内壁上设有填充层11，所述填充层11内设有若干竖直设置的隔板12，相邻的两个隔板12之间设有防潮剂13，若干载物盘20层叠置于所述箱体10内，每个载物盘20内设有若干呈矩阵分布的收容格21且上表面盖设有海绵盖板22，所述密封盖30盖设在所述箱体10上的开口处且设有单向阀31。
可以理解的是，所述载物盘20从收料机装满MOS芯片后，工作人员直接将整个载物盘20放在箱体10内，每个载物盘20盖上一层海绵盖板22，同时可以叠加多个载物盘20，然后盖上密封盖30，采用真空泵连接密封盖30上的单向阀31，可以吸取所述MOS芯片真空存储器100内的空气，使得所述MOS芯片真空存储器100内成为真空状态，同时所述填充层11内的防潮剂13能够持续吸收内部的残留水分，保持长期干燥，防止MOS芯片氧化，方便运输与保存。
进一步地，所述箱体10的开口边缘还有凸缘结构14。通过所述凸缘结构14方便人工与机械搬运。
进一步地，所述凸缘结构14上还设有一对扣耳15。通过所述扣耳15可以扣在密封盖30上，将所述密封盖30固定。
进一步地，请参阅图4，所述单向阀31上还盖设有防尘盖32。
进一步地，所述MOS芯片真空存储器100还包括密封圈40，所述密封圈40设置在所述密封盖30与所述箱体10的接触面。
与现有技术相比，本实用新型提供的一种MOS芯片真空存储器的有益效果在于：通过在所述箱体内依次层叠多个载物盘，MOS芯片从收料机装入载物盘后可直接存储在箱体内，采用海绵盖板分隔，加强保护；通过在密封盖上设置单向阀，可以使得所述MOS芯片真空存储器内成为真空状态，所述填充层内的防潮剂能够持续吸收内部的残留水分，保持长期干燥，防止MOS芯片氧化，方便运输与保存。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种MOS芯片真空存储器，其特征在于：包括箱体、置于所述箱体内的若干载物盘及盖设在所述箱体上的密封盖；
所述箱体的内壁上设有填充层，所述填充层内设有若干竖直设置的隔板，相邻的两个隔板之间设有防潮剂，若干载物盘层叠置于所述箱体内，每个载物盘内设有若干呈矩阵分布的收容格且上表面盖设有海绵盖板，所述密封盖盖设在所述箱体上的开口处且设有单向阀。
2.如权利要求1所述的MOS芯片真空存储器，其特征在于：所述箱体的开口边缘还有凸缘结构。
3.如权利要求2所述的MOS芯片真空存储器，其特征在于：所述凸缘结构上还设有一对扣耳。
4.如权利要求1所述的MOS芯片真空存储器，其特征在于：所述单向阀上还盖设有防尘盖。
5.如权利要求1所述的MOS芯片真空存储器，其特征在于：还包括密封圈，所述密封圈设置在所述密封盖与所述箱体的接触面。
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