CN210325846U - 一种封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种封装结构，包括封装基座、至少一个半导体芯片、荧光薄膜及封装膜，所述封装基座上按间隔距离设置有第一粘合剂，所述半导体芯片通过该第一粘合剂固定于该封装基座上，所述荧光薄膜包覆于该半导体芯片上方，所述封装膜上对应该半导体芯片纵向贯穿设置有封装槽，该封装膜将荧光薄膜压合于该封装基座、半导体芯片上，且所述封装槽内壁与荧光薄膜外表面贴合。本实用新型结构简单合理，设计巧妙，通过在半导体芯片以及封装膜之间设置有荧光薄膜，且荧光薄膜为半固化膜，当荧光薄膜加热固化后，荧光薄膜会包覆在半导体芯片上，然后再进行封装膜压合，使封装膜与荧光膜、半导体芯片紧密贴合，从而使产品一致性高。
Description
技术领域
本实用新型涉及封装技术领域，特别涉及一种封装结构。
背景技术
LED是一种半导体二极管，能够将电能转化成光能，其在电子显示设备中的运用极广。
传统的LED产品将晶片固定在陶瓷基板上，然后将白墙膜压合在晶片以及陶瓷基板上，再将荧光膜贴附在晶片以及白墙膜上，而通常采用的模压技术常常存在着模压一致性不好控制的问题，导致白墙膜与晶片之间成型失败率偏高，影响加工成品率以及加工效率。
发明内容
本实用新型的目的在于，针对上述问题，提供一种封装结构。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案为：
一种封装结构，包括封装基座、至少一个半导体芯片、荧光薄膜及封装膜，所述封装基座上按间隔距离设置有第一粘合剂，所述半导体芯片通过该第一粘合剂固定于该封装基座上，所述荧光薄膜包覆于该半导体芯片上方，所述封装膜上对应该半导体芯片纵向贯穿设置有封装槽，该封装膜将荧光薄膜压合于该封装基座、半导体芯片上，且所述封装槽内壁与荧光薄膜外表面贴合。
作为优选，所述封装基座为陶瓷板。
作为优选，所述半导体芯片为LED晶片或IC芯片。
作为优选，所述封装膜为白墙膜。
作为优选，所述白墙膜的厚度大于所述半导体芯片的厚度，且该白墙膜上表面与所述荧光薄膜外表面平齐。
作为优选，所述荧光薄膜为B阶树脂构件。
作为优选，所述荧光薄膜的厚度至少为100μm。
本实用新型的有益效果为：本实用新型结构简单合理，设计巧妙，通过在半导体芯片以及封装膜之间设置有荧光薄膜，且荧光薄膜为半固化膜，当荧光薄膜加热固化后，荧光薄膜会包覆在半导体芯片上，然后再进行封装膜压合，使封装膜与荧光膜、半导体芯片紧密贴合，从而使产品一致性高。
下面结合附图与实施例，对本实用新型进一步说明。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种封装结构，包括封装基座1、至少一个半导体芯片2、荧光薄膜3及封装膜4，所述封装基座1上按间隔距离设置有第一粘合剂，所述半导体芯片2通过该第一粘合剂固定于该封装基座1上，具体地，封装底座上按间隔距离设置有十字定位部，第一粘合剂点在十字定位部上，然后将半导体芯片22通过机械手放在十字定位部上，由该第一粘合剂粘合，并经过回流焊工序；
所述荧光薄膜3包覆于该半导体芯片2上方，所述封装膜4上对应该半导体芯片2纵向贯穿设置有封装槽，该封装膜4将荧光薄膜3压合于该封装基座1、半导体芯片2上，且所述封装槽内壁与荧光薄膜3外表面贴合。
本实施例中，所述封装基座1为陶瓷板。
本实施例中，所述半导体芯片2为LED晶片或IC芯片。
本实施例中，所述封装膜4为白墙膜。具体地，封装膜4呈网格状，根据半导体芯片2在封装基座1上的位置，将封装膜4切割成网格状并形成封装槽，然后再放在封装基座1上，并使半导体芯片2、粘合胶层置于封装槽中，再经过压合烘烤成型；网格状的封装膜4能经过加工直接成型得到，减少加工工序，并且节约加工时间，能直接将封装膜4压合在封装基座1上，直接使用。
本实施例中，所述白墙膜的厚度大于所述半导体芯片2的厚度，且该白墙膜上表面与所述荧光薄膜3外表面平齐。具体地，使封装结构上表面平整，并保证荧光薄膜3中的荧光分层均匀分布在封装结构上。
本实施例中，所述荧光薄膜3为B阶树脂构件。
本实施例中，所述荧光薄膜3的厚度至少为100μm。
具体封装方法如下：
S1、在封装基座11的十字定位部上点胶，吸取半导体芯片2粘在封装基座1上，并经回流焊工艺；
S2、根据封装基座11的尺寸裁切荧光薄膜3，并将荧光薄膜3贴附在半导体芯片2表面，真空加热层压贴合半导体芯片2，贴合温度为80-90℃，贴合时间为1-2min，贴合真空度为小于-98Kpa；再在120℃环境下烘烤1小时，然后再在160℃环境下烘烤2小时；
S3、压合封装膜4在半导体芯片2上，并在150℃中烘烤；
S4、切割成单个灯珠。
本实用新型结构简单合理，设计巧妙，通过在半导体芯片2以及封装膜4之间设置有荧光薄膜3，且荧光薄膜3为半固化膜，当荧光薄膜3加热固化后，荧光薄膜3会包覆在半导体芯片2上，然后再进行封装膜4压合，使封装膜4与荧光膜、半导体芯片2紧密贴合，从而使产品一致性高。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。故凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型之形状、构造及原理所作的等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围内。
Claims (7)
1.一种封装结构，其特征在于：包括封装基座、至少一个半导体芯片、荧光薄膜及封装膜，所述封装基座上按间隔距离设置有第一粘合剂，所述半导体芯片通过该第一粘合剂固定于该封装基座上，所述荧光薄膜包覆于该半导体芯片上方，所述封装膜上对应该半导体芯片纵向贯穿设置有封装槽，该封装膜将荧光薄膜压合于该封装基座、半导体芯片上，且所述封装槽内壁与荧光薄膜外表面贴合。
2.根据权利要求1所述一种封装结构，其特征在于，所述封装基座为陶瓷板。
3.根据权利要求1所述一种封装结构，其特征在于，所述半导体芯片为LED晶片或IC芯片。
4.根据权利要求1所述一种封装结构，其特征在于，所述封装膜为白墙膜。
5.根据权利要求4所述一种封装结构，其特征在于，所述白墙膜的厚度大于所述半导体芯片的厚度，且该白墙膜上表面与所述荧光薄膜外表面平齐。
6.根据权利要求1所述一种封装结构，其特征在于，所述荧光薄膜为B阶树脂构件。
7.根据权利要求1所述一种封装结构，其特征在于，所述荧光薄膜的厚度至少为100μm。
Priority Applications (1)
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| CN201921613308.8U CN210325846U (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 一种封装结构 |
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| CN201921613308.8U CN210325846U (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 一种封装结构 |
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Family Applications (1)
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| CN201921613308.8U Active CN210325846U (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 一种封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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2019
- 2019-09-26 CN CN201921613308.8U patent/CN210325846U/zh active Active
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