CN210297681U - 一种无线射频发射装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种无线射频发射装置，包括调制器、压控振荡器、频率合成芯片、射频发射模块；压控振荡器分别与调制器、频率合成芯片、射频发射模块相连接，调制器与频率合成芯片相连接；频率合成芯片将发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率进行比较，实现了对发射高频信号的频率是否发生了偏移的检测；并当发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等时，即表示发射高频信号的频率发生了偏移，则频率合成芯片生成反馈信号发送至压控振荡器，压控振荡器经过内部的变容二极管根据反馈信号将发射高频信号调整为目标射频信号，实现了对发射高频信号的频率调整的效果，达到了将准确的目标射频信号发射出去目的。

Description

一种无线射频发射装置

技术领域

本实用新型涉及无线射频电子技术领域，具体涉及一种无线射频发射装置。

背景技术

无线射频发射机在通信领域中的应用十分广泛，现有技术中的无线射频发射机，其前端电路由频率合成芯片、调制器、振荡器、功率放大电路等组成。频率合成芯片产生预设频率的电信号经调制、振荡、放大等将射频电流进行处理后，得到无线电波并发射出去。

大部分无线发射器在转换信号过程中，容易受到其他频道或者环境的干扰，造成转换后得到的射频信号的频率发生偏移问题，使得无法将准确的射频信号发射出去。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种无线射频发射装置，解决了现有技术中无线发射器发射的射频信号不准确的目的。

为实现以上目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种无线射频发射装置，包括：调制器、压控振荡器、频率合成芯片、射频发射模块；所述压控振荡器分别与所述调制器、所述频率合成芯片、所述射频发射模块相连接，所述调制器与所述频率合成芯片相连接；

所述调制器，用于接收目标设备的输入信号，将所述输入信号与所述调制器内的第一本振信号进行调制，得到发射中频信号，将所述发射中频信号分别传输至所述频率合成芯片和所述压控振荡器；

所述压控振荡器将所述发射中频信号转换为发射高频信号，并将所述发射高频信号发送至所述频率合成芯片；

所述频率合成芯片将所述发射高频信号与所述频率合成芯片内部的第二本振信号进行混频，得到发射鉴频信号，将所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率进行比较，若所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率不相等，则生成反馈信号发送至所述压控振荡器；

所述压控振荡器还用于根据所述反馈信号经所述压控振荡器内部的变容二极管将所述发射高频信号的频率调整为目标频率，得到目标射频信号，并通过所述射频发射模块将所述目标射频信号进行发射。

进一步的，还包括鉴相器，所述调制器通过所述鉴相器与所述压控振荡器相连接；

所述鉴相器，用于对所述发射中频信号的相位进行调整。

进一步的，还包括：与所述频率合成芯片相连接的微控制器；

所述微控制器用于控制所述频率合成芯片的第二本振信号频率的大小。

具体的，所述频率合成芯片包括：第二本振电路、混频器和鉴频器；

所述混频器分别与所述压控振荡器和所述第二本振电路相连接；

所述鉴频器分别与所述混频器、所述调制器和所述压控振荡器相连接；

所述第二本振电路用于产生第二本振信号并将所述第二本振信号发送至所述混频器；

所述混频器用于接收所述压控振荡器的发射高频信号，与所述第二本振信号进行混频，得到发射鉴频信号，将所述发射鉴频信号的频率发送至所述鉴频器；

所述鉴频器将所述发射鉴频信号与所述发射中频信号的频率进行比较；

若所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率不相等，则生成反馈信号发送至所述压控振荡器。

进一步的，所述调制器包括第一本振电路和调制电路；

所述第一本振电路与所述调制电路相连接，所述调制电路分别与所述压控振荡器和所述频率合成芯片相连接；

所述第一本振电路用于产生第一本振信号，并将所述第一本振信号传输至所述调制电路；

所述调制电路用于接收目标设备的输入信号，将所述输入信号与所述第一本振信号进行调制，得到发射中频信号。

进一步的，所述射频发射模块包括多级放大电路、阻抗匹配电路和发射天线；

所述多级放大电路分别与所述压控振荡器、所述阻抗匹配电路相连接，所述阻抗匹配电路和所述发射天线相连接；

所述多级放大电路用于接收所述目标射频信号，将所述目标射频信号进行放大，得到放大目标射频信号，并将所述放大目标射频信号输入至所述阻抗匹配电路；

所述阻抗匹配电路根据目标距离对所述放大目标射频信号进行阻抗匹配并传输至所述发射天线。

具体的，所述多级放大电路包括一级放大电路、二级放大电路和功率控制器；

所述一级放大电路分别与所述压控振荡器和所述二级放大电路相连接，所述二级放大电路与所述阻抗匹配电路相连接，所述功率控制器分别与所述一级放大电路和所述二级放大电路相连接；

所述功率控制器用于控制所述一级放大电路和所述二级放大电路的开启或关闭。

进一步的，所述调制器、所述压控振荡器、所述频率合成芯片、所述射频发射模块设置于PCB板上；

所述PCB板的四周侧壁用横切面敷铜包边。

进一步的，还包括开孔屏蔽罩；

所述PCB板设置于所述开孔屏蔽罩内。

可选的，所述压控振荡器由分立器件组成。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本实用新型通过频率合成芯片将发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率进行比较，实现了对发射高频信号的频率是否发生了偏移的检测；并当发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等时，即表示发射高频信号的频率发生了偏移，则频率合成芯片生成反馈信号发送至压控振荡器，压控振荡器再经过内部的变容二极管根据反馈信号将发射高频信号调整为目标射频信号，实现了对发射高频信号的频率的调整，达到了将准确的目标射频信号发射出去目的。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的无线射频发射装置的一种结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的调制器的一种电路引脚连接图；

图3是本实用新型实施例提供的频率合成芯片的一种电路引脚连接图；

图4是本实用新型实施例提供的压控振荡器的一种电路引脚连接图；

图5是本实用新型实施例提供的无线射频发射装置的又一种结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

图1是本实用新型实施例提供的无线射频发射装置的一种结构示意图。

如图1所示，本实施例的无线射频发射装置包括：

调制器11、压控振荡器12、频率合成芯片13、射频发射模块14；压控振荡器12分别与调制器11、频率合成芯片13、射频发射模块14相连接，调制器11与频率合成芯片13相连接。

调制器11，用于接收目标设备的输入信号，将输入信号与调制器11内的第一本振信号进行调制，得到发射中频信号，将发射中频信号分别传输至频率合成芯片13和压控振荡器12。

输入信号可以为输入的码流信号，输入的码流信号可以由用户使用的目标设备发射出来的，目标设备可以为遥控装置等。

调制器11接收目标设备发射出来的输入信号，将输入信号与调制器11内的第一本振信号进行调制，调制的结果为将输入信号加载到了第一本振信号的频率上，使其得到了一个发射中频信号，该发射中频信号上装载着调制后的输入信号和调制后的第一本振信号，该输入信号的频率能够随着第一本振信号的频率而变化。

其中调制器11可以为数字调频(Frequency Shift Keying，简称FSK)调制器，数字调频调制器是一种载波频率随数字信号而变化的调制方式，利用基带数字信号离散取值特点控制载波频率以传递信息的一种数字调制技术，其抗干扰能力较强，不易受信道参数变化的影响。

调制器11可以包括第一本振电路和调制电路，第一本振信号由第一本振电路产生，调制电路将第一本振电路的第一本振信号与输入信号进行调制，调制后得到的发射中频信号，并将发射中频信号分别传输至频率合成芯片13和压控振荡器12中。

具体的调制器11可以是型号为FX604D4调制器，调制器11的第一本振信号的频率可以为3.5795兆赫兹。

图2示例性的给出调制器的一种电路引脚连接图，如图2所示，其中引脚1(XTALN)分别与本振晶体Y2的一端、电容C18的一端相连接，引脚2(XTAL/CLOCK)分别与本振晶体Y2的另一端、电容C19的一端相连接，引脚5(RXIN)与电容C18的另一端和电容C19的另一端相连接后接地；引脚3(M0)接电源V1；引脚7(XTOP)与电容C20的一端相连接，电容C20的另一端分别与电阻R13的一端和电阻R12的一端相连接，电阻R13的另一端分别与电阻R14的一端、电阻R15的一端、电容C21的一端和变容二极管T1的一端相连接，电阻R14的另一端连接在电阻R12上，电阻R14与电阻R12形成可调电阻，可调电阻R12的另一端接地，电容C21的另一端与电阻R15的另一端相连后接地，变容二极管T1的另一端分别与压控振荡器12和频率合成芯片13相连接；引脚8(VSS)接地；引脚9(VBIAS)通过电容C22接地；引脚10(RXEQ)直接接地；引脚12(CLK)接电源V1；引脚16接电源V1。

压控振荡器12将发射中频信号转换为发射高频信号，并将发射高频信号发送至频率合成芯片13。

压控振荡器12可以是由电压控制输出频率的电容三点式振荡电路，为一集成的小电路板。当接收到合适工作电压后进行振荡产生相应的频率信号，将调制器11输出的发射中频信号转换为基站能接收的890兆赫兹到915兆赫兹频率的通用通信信号。

频率合成芯片13将发射高频信号与频率合成芯片13内部的第二本振信号进行混频，得到发射鉴频信号，将发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率进行比较，若发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等，则生成反馈信号发送至压控振荡器12；

频率合成芯片13是利用一个或多个标准信号，产生大量离散频率信号的一种器件，离散信号是从连续信号中采样得到的信号。该频率合成芯片13从离散频率信号中选择设定频率信号作为参考信号进行锁定输出，以达到准确、稳定的功能。频率合成芯片13能够以数字信号处理为基础，从信号的幅度相位关系出发进行频率合成，具有极高的频率分辨率，能够输出任意波形，具有很强大的数字调制功能。

本实施例采用的频率合成芯片13具体包括第二本振电路、混频器和鉴频器，混频器分别与压控振荡器和第二本振电路相连接；鉴频器分别与混频器、调制器和压控振荡器相连接。

第二本振信号由第二本振电路产生，第二本振电路将产生的第二本振信号传输至混频器，混频器将接收到的第二本振信号和发射高频信号进行混频，经选频后得到发射鉴频信号，输送至鉴频器，在鉴频器中将发射鉴频信号的频率与接收到调制器11的发射中频信号的频率进行比较，如果发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等，即发射鉴频信号的频率不符合系统内预设输出的工作信号通道的频率，则鉴频器就会产生一个反馈信号发送至压控振荡器12中，该反馈信号为0到4伏的跳变电压，0到4伏的跳变电压即为一个高电平信号，通过跳变电压去调节控制压控振荡器12。

此外，频率合成芯片13内还包括时钟源，时钟源与鉴频器相连接，用于在发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等时，为鉴频器根据发射鉴频信号和发射中频信号对反馈信号进行选择。具体的，当鉴频器在比较发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等时，根据系统预设输出的工作信号通道的频率在发射鉴频信号和发射中频信号中选择预设时间段的信号，以时钟源选定的预设时间段内的信号作为反馈信号。

频率合成芯片13可以采用ADF4111BRUZ芯片。ADF4111BRUZ芯片内部具有鉴频器、混频器和第二本振电路。

图3示例性的给出频率合成芯片的一种电路引脚连接图，如图3所示，其中引脚1(RESET)通过电阻R5接地；引脚2(CP)分别与电容C4的一端、电阻R4的一端和电阻R3的一端相连接，电容C4的另一端接地，电阻R4的另一端与电容C3的一端相连接，电容C3的另一端与电容C4的另一端相连接；电阻R3的另一端分别与电容C2的一端、电阻R2的一端相连接，电容C2的另一端接地，电阻R2的另一端分别与电容C1的一端和电阻R1的一端相连接，电容C1的另一端接地，电阻R1的另一端分别与调制器11和压控振荡器12相连接；引脚3(CPGND)与引脚4(AGND)接地；引脚5(RFINB)通过电容C5接地；引脚6(RFINA)通过电容C6与压控振荡器12相连接；引脚7(AVDD)接电源VC2，引脚8(REFIN)与电容C7和本振晶体元件Y1连接；引脚9(DGND)接地；引脚10(CE)接电源VC2；引脚14(MUXOUT)通过电阻R5接电源VC2；引脚15(DVDD)与引脚16(VP)接电源VC2。

压控振荡器12还用于根据反馈信号经压控振荡器12内部的变容二极管将发射高频信号的频率调整为目标频率，得到目标射频信号，并通过射频发射模块14将目标射频信号进行发射。

压控振荡器12根据反馈电信号去控制内部变容二极管的电容量，根据电容量与频率的关系，调整发射高频信号的频率为目标频率，得到目标射频信号，通过射频发射模块14将目标射频信号进行发射。

图4示例性的给出压控振荡器的一种电路引脚连接图，如图4所示，压控振荡器的连接图中，引脚1(VCC1)和引脚4(SHDN)相连接，引脚1(VCC1)和引脚4(SHDN)相连接后与电容C18的一端相连接，电容C18的另一端接地；引脚2(TANK)分别与电容C12的一端和电容C16的一端连接，电容C12的另一端与电容C13的一端相连接，电容C13的另一端接地；电容C16的另一端分别与电容C14的一端、可调电容C15的一端、电感L2的一端和电容C17的一端相连接，电容C14的另一端和可调电容C15的另一端与电感L2的另一端相连后接地；电容C17的另一端分别与调制器11和频率合成芯片13相连接；引脚3(FBBK)与电容C13的一端相连接；引脚5(OUT)与电阻R10的一端相连接，电阻R10的另一端通过电容C11与射频发射模块14相连接；引脚6(GND)接地；引脚7(VCC2)分别与电阻R9的一端、电阻R8的一端、电阻R11的一端、电容C10的一端、电容C9的一端和电容C8的一端相连接，电阻R11的另一端与电容C18的一端相连接，电容C10的另一端、电容C9的另一端和电容C8的另一端相连后接地，电感L1的另一端接电源V1；引脚8(OUT)与电阻R7的一端和电阻R8的另一端相连接，电阻R7的另一端与频率合成芯片13相连接。

本实施例通过频率合成芯片将发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率进行比较，实现了对发射高频信号的频率是否发生了偏移的检测；并当发射鉴频信号的频率与发射中频信号的频率不相等时，即表示发射高频信号的频率发生了偏移，则频率合成芯片生成反馈信号发送至压控振荡器，压控振荡器再经过内部的变容二极管根据反馈信号将发射高频信号调整为目标射频信号，实现了对发射高频信号的频率的调整，达到了将准确的目标射频信号发射出去目的。

图5是本实用新型实施例提供的无线射频发射装置的又一种结构示意图。

如图5所示，本实施例的无线射频发射装置除上述外，还包括：鉴相器15，调制器11通过鉴相器15与压控振荡器12连接，鉴相器15，用于对发射中频信号的相位进行调整。鉴相器15，又称为相位比较器，是将输入的发射中频信号中的相位进行调整的射频器件。输入信号与调制器11内的第一本振信号进行调制，调制结果为将输入信号加在了第一本振信号中，得到了适用于系统预设信号通道传输的已调信号，已调信号即为发射中频信号，其中发射中频信号中携带两种信号。鉴相器15对发射中频信号中的两种信号的进行相位调整，使发射中频信号中的两种信号的相位差值保持预设差值，得到一个预设相位差值信号，该预设相位差值信号即为调整相位后的发射中频信号。

在一些具体的实施例中，还可以包括：与频率合成芯片13相连接的微控制器16；微控制器16用于控制频率合成芯片13的第二本振信号频率的大小。

微控制器16可以采用独立的单片机主控芯片，该芯片内设置有二重优化时钟源，时钟源内设置有可调电容，可调电容调节时钟源内选定的基准频率，频率合成芯片13根据基准频率得到第二本振信号的频率。

在一些具体的实施例中，射频发射模块14包括多级放大电路141、阻抗匹配电路142和发射天线143；多级放大电路141分别与压控振荡器12、阻抗匹配电路142相连接，阻抗匹配电路142和发射天线143相连接；多级放大电路141用于接收目标射频信号，将目标射频信号进行放大，得到放大目标射频信号，输入阻抗匹配电路142。

多级放大电路141通常由多个单级放大电路串联起来形成的，多级放大电路141将信号依次经过多次放大，从而得到所需放大倍数的信号。多级放大电路141通常由二极管、电容、电阻、电感组成。

具体的，多级放大电路141可以进一步包括一级放大电路、二级放大电路和功率控制器；一级放大电路分别与压控振荡器12和二级放大电路相连接，二级放大电路与阻抗匹配电路142相连接，功率控制器分别与一级放大电路和二级放大电路相连接；通过功率控制器控制一级放大电路和二级放大电路的开启或关闭。

一级放大电路和二级放大电路采用MOS管放大器，MOS管是金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)场效应晶体管，通过MOS管放大器的高输入阻抗将目标射频信号进行阻抗变换而放大，得到放大后的目标射频信号。

通过采用一级放大电路和二级放大电路，使得目标射频信号能够发射更远的距离，实现了目标射频信号高增益的目的，解决无线信号发射距离短的问题。

阻抗匹配电路142根据目标距离对放大目标射频信号进行阻抗匹配并传输至发射天线143。

假设目标距离为50米，则阻抗匹配电路142根据目标距离进行阻抗匹配，使放大目标射频信号达到预设发射功率，使放大目标射频信号能够准确的发射到发射天线143上。发射天线143将放大目标射频信号转换为电磁波的形式准确的发射出去。

可选的，调制器11、压控振荡器12、频率合成芯片13、射频发射模块14设置于PCB板上；PCB板的四周侧壁用横切面敷铜包边。

PCB板外边沿采用横切面敷铜包边工艺，实现低阻抗，提高抗干扰能力，减小了其他无线信号干扰，从而避免了其他无线信号干扰导致信号通道冲突、信号不稳定问题。

进一步的，还包括开孔屏蔽罩；PCB板设置于开孔屏蔽罩内。使用开孔式屏蔽罩，避免了金属和水分的物件或环境的对目标射频信号造成的干扰问题。

PCB板上设立有独立电源，该电源为调制器11、压控振荡器12、鉴相器15、频率合成芯片13、微控制器16进行供电。电源型号可以为直流5伏的电源转换芯片，为PCB板的正常工作提供了高质量、高可靠性的电源。

可选的，压控振荡器12由分立器件组成。使用分立器件组成压控振荡器12，设计更灵活，调节更精确，同时在压控振荡器12中采用变容二极管作为温度补偿电容，对发射高频信号的频率随时进行调整，使输出的信号解决了温度变化或器件老化引起的频率性能衰减快和发射不稳定的问题。

本实施例还涉及一种无线射频电子设备，包括上述实施例所记载的无线射频发射装置。

可以理解的是，上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考，在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种无线射频发射装置，其特征在于，包括：调制器、压控振荡器、频率合成芯片、射频发射模块；所述压控振荡器分别与所述调制器、所述频率合成芯片、所述射频发射模块相连接，所述调制器与所述频率合成芯片相连接；

所述调制器，用于接收目标设备的输入信号，将所述输入信号与所述调制器内的第一本振信号进行调制，得到发射中频信号，将所述发射中频信号分别传输至所述频率合成芯片和所述压控振荡器；

所述压控振荡器将所述发射中频信号转换为发射高频信号，并将所述发射高频信号发送至所述频率合成芯片；

所述频率合成芯片将所述发射高频信号与所述频率合成芯片内部的第二本振信号进行混频，得到发射鉴频信号，并将所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率进行比较，若所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率不相等，则生成反馈信号发送至所述压控振荡器；

所述压控振荡器还用于根据所述反馈信号经所述压控振荡器内部的变容二极管将所述发射高频信号的频率调整为目标频率，得到目标射频信号，并通过所述射频发射模块将所述目标射频信号进行发射。

2.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，还包括鉴相器，所述调制器通过所述鉴相器与所述压控振荡器连接；

所述鉴相器，用于对所述发射中频信号的相位进行调整。

3.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，还包括：与所述频率合成芯片相连接的微控制器；

所述微控制器用于控制所述频率合成芯片的第二本振信号频率的大小。

4.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述频率合成芯片包括：第二本振电路、混频器和鉴频器；

所述混频器分别与所述压控振荡器和所述第二本振电路相连接；

所述鉴频器分别与所述混频器、所述调制器和所述压控振荡器相连接；

所述第二本振电路用于产生第二本振信号并将所述第二本振信号发送至所述混频器；

所述混频器用于接收所述压控振荡器的发射高频信号，与所述第二本振信号进行混频，得到发射鉴频信号，将所述发射鉴频信号的频率发送所述鉴频器；

所述鉴频器将所述发射鉴频信号与所述发射中频信号的频率进行比较；

若所述发射鉴频信号的频率与所述发射中频信号的频率不相等，则生成反馈信号发送至所述压控振荡器。

5.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述调制器包括第一本振电路和调制电路；

所述第一本振电路与所述调制电路相连接，所述调制电路分别与所述压控振荡器和所述频率合成芯片相连接；

所述第一本振电路用于产生第一本振信号，并将所述第一本振信号传输至所述调制电路；

所述调制电路用于接收目标设备的输入信号，将所述输入信号与所述第一本振信号进行调制，得到发射中频信号。

6.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述射频发射模块包括多级放大电路、阻抗匹配电路和发射天线；

所述多级放大电路分别与所述压控振荡器、所述阻抗匹配电路相连接，所述阻抗匹配电路和所述发射天线相连接；

所述多级放大电路用于接收所述目标射频信号，将所述目标射频信号进行放大，得到放大目标射频信号，并将所述放大目标射频信号输入至所述阻抗匹配电路；

所述阻抗匹配电路根据目标距离对所述放大目标射频信号进行阻抗匹配并传输至所述发射天线。

7.根据权利要求6所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述多级放大电路包括一级放大电路、二级放大电路和功率控制器；

所述一级放大电路分别与所述压控振荡器和所述二级放大电路相连接，所述二级放大电路与所述阻抗匹配电路相连接，所述功率控制器分别与所述一级放大电路和所述二级放大电路相连接；

所述功率控制器用于控制所述一级放大电路和所述二级放大电路的开启或关闭。

8.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述调制器、所述压控振荡器、所述频率合成芯片、所述射频发射模块均设置于PCB板上；

所述PCB板的四周侧壁用横切面敷铜包边。

9.根据权利要求8所述的无线射频发射装置，其特征在于，还包括开孔屏蔽罩；

所述PCB板设置于所述开孔屏蔽罩内。

10.根据权利要求1所述的无线射频发射装置，其特征在于，所述压控振荡器由分立器件组成。

Images