CN210157099U - 一种压电陶瓷功率驱动装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种压电陶瓷功率驱动装置，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，MOS管驱动电路的输出端连接H桥驱动电路的输入端，H桥驱动电路的输出端连接变压器T，变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接压电陶瓷；本实用新型的优点在于：消除变压器偏磁，降低磁饱和现象以及实现高频率大功率驱动。

Description

一种压电陶瓷功率驱动装置

技术领域

本实用新型涉及压电陶瓷功率驱动领域，更具体涉及一种压电陶瓷功率驱动装置。

背景技术

压电材料的压电效应和逆压电效应可以实现机械能与电能之间的相互转换，压电材料在高压高频电信号的驱动下产生高频振动，进而激发出超声波。超声波因其指向性好，在水中衰减小，广泛应用在工业管道探伤，管道流量检测以及水下定位等方面。

中国专利公布号CN 108847780 A，公开了一种压电陶瓷驱动电路及其驱动方法，驱动电路包括：开关控制电路、储能电感和压电陶瓷；其中：所述开关控制电路，用于通过开关管的导通或截止来循环驱动所述压电陶瓷微动；所述储能电感，一是能够与开关控制电路的部分开关管构成升压直流斩波电路，利用从低压电源吸收的能量(充电过程)，将压电陶瓷工作电源升压(放电过程)至工作状态所需高压；二是在压电陶瓷微动工作过程(逆压电效应)代替电阻，限制压电陶瓷正向充电电流，减少电能损耗；同时回收反向充电(压电效应)时的能量。该专利的优点在于，能够利用标准供电低压电源自升压驱动压电陶瓷，并能有效降低功耗，节能环保，但是其采用单电源驱动变压器，易出现变压器偏磁现象，造成磁饱和，导致变压器及其连接的器件过流损坏的问题。

中国专利公布号CN 108614469 A，公开了一种压电陶瓷的驱动装置，所压电陶瓷的驱动装置包括微处理器、数模转换器、电压基准和电压放大器；所述微处理器产生数字信号提供给数模转换器；所述数模转换器使用所述电压基准作为数模转换的参考电压，并将所述数字信号转换为模拟信号传输至所述电压放大器；所述模拟信号经电压放大器放大后传输至压电陶瓷的两端。该专利提供的压电陶瓷的驱动装置的优点在于能提高定位系统的定位精度，但是其采用低压低频的方式，无法满足特定场合下超声波高频率大功率发射。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于现有技术的压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法易出现变压器偏磁现象以及无法满足特定场合下超声波高频率大功率发射的问题。

本实用新型是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种压电陶瓷功率驱动装置，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，所述变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，所述光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，所述MOS管驱动电路的输出端连接所述H桥驱动电路的输入端，所述H桥驱动电路的输出端连接变压器T，所述变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接所述压电陶瓷。所述光电隔离电路隔离输入控制信号的控制回路和变压器驱动电路，其中输入控制信号的控制回路为低压，变压器驱动电路为高压，光电隔离电路还能抑制由连续变化的高压信号产生的电磁干扰。H桥驱动电路驱动变压器T初级线圈，H桥驱动电路输出交变电压使得变压器T驱动电压峰值增加一倍，同时消除变压器T偏磁，降低磁饱和现象。变压器T提供高压驱动压电陶瓷，阻抗变换电路起到阻抗变换与调谐的作用，调整发射频率与负载功率，提高发射效率。

优选的，所述光电隔离电路为光电耦合器，所述光电耦合器的型号为PC817。

优选的，所述光电耦合器有四个，分别为光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4的第一引脚均接电源VDD，所述光电耦合器U1的第二引脚均接入控制信号PWM1，所述光电耦合器U2的第二引脚均接入控制信号PWM2，所述光电耦合器U3的第二引脚均接入控制信号PWM3，所述光电耦合器U4的第二引脚均接入控制信号PWM4；

所述MOS管驱动电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4分别与第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路连接，第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路均与H桥驱动电路连接。

优选的，所述第一驱动电路包括电阻R1、三极管Q1B、三极管Q2A以及电阻R2，所述电阻R1的一端连接光电耦合器U1的第四引脚，另一端连接三极管Q2A的集电极，所述三极管Q2A的基极与三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U1的第三引脚并接地；所述电阻R2的一端连接所述三极管Q2A的集电极，所述电阻R2的另一端接三极管Q2A的发射极。

优选的，所述第二驱动电路包括电阻R3、三极管Q2B、三极管Q1A以及电阻R3，所述电阻R4的一端连接光电耦合器U2的第四引脚，另一端连接三极管Q1A的集电极，所述三极管Q1A的基极与三极管Q2B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2的第三引脚并接地；所述电阻R3的一端连接所述三极管Q1A的集电极，所述电阻R3的另一端接三极管Q1A的发射极。

优选的，所述第三驱动电路包括电阻R7、三极管Q5B、三极管Q5A以及电阻R5，所述电阻R7的一端连接光电耦合器U3的第四引脚，另一端连接三极管Q5A的集电极并接电源VCC，所述电阻R5的一端接电阻R7的一端，电阻R5的另一端接三极管Q5A的基极，所述三极管Q5A的基极与三极管Q5B的基极连接，所述三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的第三引脚并接地。

优选的，所述第四驱动电路包括电阻R10、三极管Q6B、三极管Q6A以及电阻R6，所述电阻R10的一端连接光电耦合器U4的第四引脚，另一端连接三极管Q6A的集电极并接电源VCC，所述电阻R6的一端接电阻R10的一端，电阻R6的另一端接三极管Q6A的基极，所述三极管Q6A的基极与三极管Q6B的基极连接，所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连接，三极管Q6B的集电极接光电耦合器U4的第三引脚并接地。

优选的，所述H桥驱动电路包括MOS管Q4B、MOS管Q3B、MOS管Q3A、MOS管Q4A、电阻R8以及电阻R9，所述MOS管Q4B的源极接电阻R2的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q4B的栅极接电阻R2的一端，所述MOS管Q4B的漏极接MOS管Q3A的漏极，MOS管Q3A的栅极接三极管Q5A的发射极，MOS管Q3A的源极通过电阻R8接地；所述MOS管Q3B的源极接电阻R3的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q3B的栅极接电阻R3的一端，所述MOS管Q3B的漏极接MOS管Q4A的漏极，MOS管Q4A的栅极接三极管Q6A的发射极，MOS管Q4A的源极通过电阻R9接地。

优选的，所述变压器T的初级线圈的同名端接MOS管Q4B的漏极，所述变压器T的初级线圈的异名端接MOS管Q3B的漏极，所述变压器T的次级线圈的同名端和异名端分别通过阻抗变换电路与压电陶瓷的输入端连接。

本实用新型相比现有技术具有以下优点：

本实用新型的光电隔离电路，抑制由连续变化的高压信号产生的电磁干扰，采用两个互补晶体管的形式构成MOS管驱动电路；H桥驱动电路用于驱动变压器初级线圈，四个低功耗MOS管构成桥式输出的D类功放，H桥驱动电路输出交变电压驱动变压器，消除变压器偏磁，降低磁饱和现象。一个周期内，H桥驱动电路输出交变电压驱动变压器，变压器T的初级线圈两端电压峰值增加一倍，实现高频率大功率驱动，另外，变压器提供高压驱动压电陶瓷，阻抗变换电路起到阻抗变换与调谐的作用，调整发射频率与负载功率，提高发射效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的结构框图；

图2为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的电路原理图；

图3为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的变压器次级线圈和阻抗变换电路的等效电路图；

图4为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的阻抗匹配结果图；

图5为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中控制信号时序图；

图6为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中变压器初级线圈驱动电压波形图。

具体实施方式

下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。

如图1所示，为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的结构框图，一种压电陶瓷功率驱动装置，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，所述变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，所述光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，所述MOS管驱动电路的输出端连接所述H桥驱动电路的输入端，所述H桥驱动电路的输出端连接变压器T，所述变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接所述压电陶瓷。所述光电隔离电路隔离控制信号所在控制回路和变压器驱动电路，其中控制信号所在控制回路为低压，变压器驱动电路为高压，光电隔离电路还能抑制由连续变化的高压信号产生的电磁干扰。H桥驱动电路驱动变压器T初级线圈，H桥驱动电路输出交变电压使得变压器T驱动电压峰值增加一倍，同时消除变压器T偏磁，降低磁饱和现象。变压器T提供高压驱动压电陶瓷，阻抗变换电路起到阻抗变换与调谐的作用，调整发射频率与负载功率，提高发射效率。

如图2所示，为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的电路原理图，所述光电隔离电路为光电耦合器，所述光电耦合器的型号为PC817。

所述光电耦合器有四个，分别为光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4的第一引脚均接电源VDD，所述光电耦合器U1的第二引脚均接入控制信号PWM1，所述光电耦合器U2的第二引脚均接入控制信号PWM2，所述光电耦合器U3的第二引脚均接入控制信号PWM3，所述光电耦合器U4的第二引脚均接入控制信号PWM4；其中，各个控制信号分别通过各自的控制回路单独控制，对于每个控制信号的控制回路属于现有技术，且本实用新型的改进点不在于控制信号的控制，故对于控制回路的具体电路结构可以为现有技术能够实现的任一电路结构，本实用新型不做赘述。

所述MOS管驱动电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4分别与第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路连接，第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路均与H桥驱动电路连接。MOS管驱动电路连接光电耦合器的输出与H桥驱动电路的输入，由于结电容的存在，MOS管开关是要先对结电容的充放电，影响开关速度，为了提高MOS管的开关速度，所以采用两个互补晶体管的形式构成MOS管驱动电路。

具体的，所述第一驱动电路包括电阻R1、三极管Q1B、三极管Q2A以及电阻R2，所述电阻R1的一端连接光电耦合器U1的第四引脚，另一端连接三极管Q2A的集电极，所述三极管Q2A的基极与三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U1的第三引脚并接地；所述电阻R2的一端连接所述三极管Q2A的集电极，所述电阻R2的另一端接三极管Q2A的发射极。

具体的，所述第二驱动电路包括电阻R3、三极管Q2B、三极管Q1A以及电阻R3，所述电阻R4的一端连接光电耦合器U2的第四引脚，另一端连接三极管Q1A的集电极，所述三极管Q1A的基极与三极管Q2B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2的第三引脚并接地；所述电阻R3的一端连接所述三极管Q1A的集电极，所述电阻R3的另一端接三极管Q1A的发射极。

具体的，所述第三驱动电路包括电阻R7、三极管Q5B、三极管Q5A以及电阻R5，所述电阻R7的一端连接光电耦合器U3的第四引脚，另一端连接三极管Q5A的集电极并接电源VCC，所述电阻R5的一端接电阻R7的一端，电阻R5的另一端接三极管Q5A的基极，所述三极管Q5A的基极与三极管Q5B的基极连接，所述三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的第三引脚并接地。

具体的，所述第四驱动电路包括电阻R10、三极管Q6B、三极管Q6A以及电阻R6，所述电阻R10的一端连接光电耦合器U4的第四引脚，另一端连接三极管Q6A的集电极并接电源VCC，所述电阻R6的一端接电阻R10的一端，电阻R6的另一端接三极管Q6A的基极，所述三极管Q6A的基极与三极管Q6B的基极连接，所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连接，三极管Q6B的集电极接光电耦合器U4的第三引脚并接地。

具体的，所述H桥驱动电路包括MOS管Q4B、MOS管Q3B、MOS管Q3A、MOS管Q4A、电阻R8以及电阻R9，所述MOS管Q4B的源极接电阻R2的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q4B的栅极接电阻R2的一端，所述MOS管Q4B的漏极接MOS管Q3A的漏极，MOS管Q3A的栅极接三极管Q5A的发射极，MOS管Q3A的源极通过电阻R8接地；所述MOS管Q3B的源极接电阻R3的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q3B的栅极接电阻R3的一端，所述MOS管Q3B的漏极接MOS管Q4A的漏极，MOS管Q4A的栅极接三极管Q6A的发射极，MOS管Q4A的源极通过电阻R9接地。H桥驱动电路用于驱动变压器T的初级线圈，四个低功耗MOS管构成桥式输出的D类功放，H桥驱动电路输出交变电压可使变压器驱动电压峰峰值增加一倍，同时消除变压器偏磁，降低磁饱和现象。

如图2和图3所示，所述变压器T的初级线圈的同名端接MOS管Q4B的漏极，所述变压器T的初级线圈的异名端接MOS管Q3B的漏极，所述变压器T的次级线圈的同名端和异名端分别通过阻抗变换电路与压电陶瓷的输入端连接。图2中变压器T的次级线圈的同名端为TO1，变压器T的次级线圈的异名端为TO2，如图3所示，变压器T的次级线圈的等效电路为一个电感L_P和一个电阻R_P，电感L_P的一端与电阻R_P的一端连接，电感L_P的另一端与电阻R_P的另一端连接，电阻R_P的一端为变压器T的次级线圈的同名端TO1，电阻R_P的另一端为变压器T的次级线圈的异名端TO2；压电陶瓷等效为一个电阻R_D和一个电容C_D，电阻R_D的一端与电容C_D的一端连接，电阻R_D的另一端与电容C_D的另一端连接，电阻R_D和电容C_D加上一个电容C组成压电陶瓷的阻抗变换电路，电阻R_D的一端与电容C的一端连接，电阻R_D的另一端与电容C的另一端连接；电阻R_P的一端分别连接二极管D1的阴极以及二极管D2的阳极，电阻R_P的另一端连接电容C的另一端，电容C的一端分别连接二极管D1的阳极以及二极管D2的阴极。

压电陶瓷的阻抗变换电路的阻抗匹配方式及变压器T绕制参数如下：

假设一个压电陶瓷串联谐振频率fs为70.4khz kHz，谐振状态下测得其串联等效阻抗Zs＝Rs+Xs＝134.6-j38.7，其中Rs是等效阻抗的实部，Xs是等效阻抗的虚部。所以压电陶瓷并联等效电阻R_D和电抗Xp可按下式计算：

计算得到R_D为145.7Ω，Xp为506.8Ω。假设Xp是容性的，压电陶瓷的并联等效电容的值为

计算得到C_D为4460pF。匹配后等效电路的品质因数Q取6，通过公式

解得感抗为24.3Ω，通过公式

计算得到变压器T的次级线圈等效电感L_P为54.9uH，由公式

解得C为88621pF。

假设变压器T匝数比为1:20，R_I为变压器T一次线圈阻抗，则根据公式

解得R_I为0.36Ω，如果一个等效电感L_P为54.9uH的变压器T的次级线圈需要100匝，那么初级线圈为5匝，最终匹配结果如图4所示，图中S1为变压器T的初级线圈所在回路的开关。

本实用新型提供的一种压电陶瓷功率驱动装置具有其相对应的驱动方法，如图5所示，为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中控制信号时序图，在控制信号的一个周期内将控制信号按时序划分为T1时段、T2时段、T3时段以及T4时段，T1时段，MOS管Q4B与MOS管Q4A导通，MOS管Q3B与MOS管Q3A截止，此时变压器T的初级线圈两端电压u为VCC；T2时段，MOS管Q4B与MOS管Q3B截止，MOS管Q4A与MOS管Q3A导通，此时变压器T的初级线圈的电流通过MOS管Q4A与MOS管Q3A释放；T3时段，MOS管Q3B与MOS管Q3A导通，MOS管Q4B与MOS管Q4A截止，此时电压电流反向，变压器T的初级线圈两端电压u为-VCC；T4时段，MOS管Q4B与MOS管Q3B截止，MOS管Q4A与MOS管Q3A导通，此时变压器T的初级线圈的电流通过MOS管Q4A与MOS管Q3A释放，一个周期内，变压器T的初级线圈两端电压峰值增加一倍，实现高频率大功率驱动，如图6所示为本实用新型实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中变压器初级线圈驱动电压波形图，从图中可以看出T3时段，电压相比T2时段增加了一倍，相比T1时段增加了两倍，实现高频率大功率驱动。

通过以上技术方案，本实用新型提供的一种压电陶瓷功率驱动装置具有消除变压器偏磁，降低磁饱和现象以及能够实现高频率大功率驱动的优点，通过控制回路向光电耦合器输入控制信号，控制信号的按照时序划分为4个时段，每个时段严格控制H桥驱动电路中每个MOS管的导通和截止时间，使得H桥驱动电路输出交变电压，同时H桥驱动电路驱动变压器T，使得变压器T的初级线圈两端电压峰值增加一倍，实现高频率大功率驱动，同时由于H桥驱动电路输出交变电压来驱动变压器，通过交变电压驱动变压器，避免因单电源驱动引起的变压器偏磁现象，降低磁饱和现象。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述装置包括光电隔离电路、变压器驱动电路、变压器T、阻抗变换电路以及压电陶瓷，控制信号经光电隔离电路输入到变压器驱动电路，所述变压器驱动电路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，所述光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，所述MOS管驱动电路的输出端连接所述H桥驱动电路的输入端，所述H桥驱动电路的输出端连接变压器T，所述变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接所述压电陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述光电隔离电路为光电耦合器，所述光电耦合器的型号为PC817。

3.根据权利要求2所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述光电耦合器有四个，分别为光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4的第一引脚均接电源VDD，所述光电耦合器U1的第二引脚均接入控制信号PWM1，所述光电耦合器U2的第二引脚均接入控制信号PWM2，所述光电耦合器U3的第二引脚均接入控制信号PWM3，所述光电耦合器U4的第二引脚均接入控制信号PWM4；

所述MOS管驱动电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路，所述光电耦合器U1、光电耦合器U2、光电耦合器U3以及光电耦合器U4分别与第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路连接，第一驱动电路、第二驱动电路、第三驱动电路以及第四驱动电路均与H桥驱动电路连接。

4.根据权利要求3所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述第一驱动电路包括电阻R1、三极管Q1B、三极管Q2A以及电阻R2，所述电阻R1的一端连接光电耦合器U1的第四引脚，另一端连接三极管Q2A的集电极，所述三极管Q2A的基极与三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U1的第三引脚并接地；所述电阻R2的一端连接所述三极管Q2A的集电极，所述电阻R2的另一端接三极管Q2A的发射极。

5.根据权利要求4所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述第二驱动电路包括电阻R3、三极管Q2B、三极管Q1A以及电阻R3，所述电阻R4的一端连接光电耦合器U2的第四引脚，另一端连接三极管Q1A的集电极，所述三极管Q1A的基极与三极管Q2B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2的第三引脚并接地；所述电阻R3的一端连接所述三极管Q1A的集电极，所述电阻R3的另一端接三极管Q1A的发射极。

6.根据权利要求5所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述第三驱动电路包括电阻R7、三极管Q5B、三极管Q5A以及电阻R5，所述电阻R7的一端连接光电耦合器U3的第四引脚，另一端连接三极管Q5A的集电极并接电源VCC，所述电阻R5的一端接电阻R7的一端，电阻R5的另一端接三极管Q5A的基极，所述三极管Q5A的基极与三极管Q5B的基极连接，所述三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的第三引脚并接地。

7.根据权利要求6所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述第四驱动电路包括电阻R10、三极管Q6B、三极管Q6A以及电阻R6，所述电阻R10的一端连接光电耦合器U4的第四引脚，另一端连接三极管Q6A的集电极并接电源VCC，所述电阻R6的一端接电阻R10的一端，电阻R6的另一端接三极管Q6A的基极，所述三极管Q6A的基极与三极管Q6B的基极连接，所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连接，三极管Q6B的集电极接光电耦合器U4的第三引脚并接地。

8.根据权利要求7所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述H桥驱动电路包括MOS管Q4B、MOS管Q3B、MOS管Q3A、MOS管Q4A、电阻R8以及电阻R9，所述MOS管Q4B的源极接电阻R2的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q4B的栅极接电阻R2的一端，所述MOS管Q4B的漏极接MOS管Q3A的漏极，MOS管Q3A的栅极接三极管Q5A的发射极，MOS管Q3A的源极通过电阻R8接地；所述MOS管Q3B的源极接电阻R3的另一端并接电源VCC，所述MOS管Q3B的栅极接电阻R3的一端，所述MOS管Q3B的漏极接MOS管Q4A的漏极，MOS管Q4A的栅极接三极管Q6A的发射极，MOS管Q4A的源极通过电阻R9接地。

9.根据权利要求8所述的一种压电陶瓷功率驱动装置，其特征在于，所述变压器T的初级线圈的同名端接MOS管Q4B的漏极，所述变压器T的初级线圈的异名端接MOS管Q3B的漏极，所述变压器T的次级线圈的同名端和异名端分别通过阻抗变换电路与压电陶瓷的输入端连接。

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