CN210111592U - Dc-dc半桥驱动倍压变换电源过流保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种DC‑DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路。所述DC‑DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路包括MOS管(Q8)、控制芯片(U2)、稳压管(Z2)、第一电阻(R5)、第二电阻(R6)、第三电阻(R7)、第一电容(C12)、第二电容(C13)以及过流检测电阻(R8)。本实用新型所提供的过流保护电路串接在DC‑DC半桥驱动倍压变换电源初级，具有电路简单、可靠性高、保护电路响应快速等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电源变换器的过流保护方法，具体地说是一种DC-DC半桥驱动倍压变换电源的过流保护方法。
背景技术
目前在工业自动化控制中，小功率DC-DC开关电源被广泛应用，在传统的DC-DC开关电源中过流保护电路大多数采用简单自恢复保险丝作为过流保护，但自恢复保险丝作过流保护时，保护动作时间慢很容易导致功率开关管损坏，同时在短路已消除情况下自恢复保险丝仍处于自锁状态而无法复原，且自恢复保险丝温度很高，需较长时间使温度下降后才能自恢复。
实用新型内容
本实用新型提供了一种DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，可以有效解决上述问题。
本实用新型是这样实现的：
一种DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，其特征在于，包括MOS管(Q8)、控制芯片(U2)、稳压管(Z2)、第一电阻(R5)、第二电阻(R6)、第三电阻(R7)、第一电容(C12)、第二电容(C13)以及过流检测电阻(R8)；所述MOS管(Q8)的漏极连接半桥驱动倍压变换电源开关电源的负端；所述MOS管(Q8)的源极及所述控制芯片(U2)的负端串接所述过流检测电阻(R8)后接地设置，所述MOS管(Q8)的栅极连接所述控制芯片(U2)的OUT端；所述控制芯片(U2)的正端先后与所述第二电阻(R6)以及所述第一电阻(R5)串联后接18V电源；所述稳压管(Z2)以及所述第一电容(C12)并联设置，且其一端连接于所述第一电阻(R5)以及所述第二电阻(R6)之间，另一端接地设置；所述第三电阻(R7)以及所述第二电容(C13)并联设置，且其一端连接于所述控制芯片(U2)的正端，另一端接地设置。
作为进一步改进的，所述MOS管(Q8)采用T2N7002BK。
作为进一步改进的，所述稳压管(Z2)采用低功耗稳压管MMSZ4689-V。
本实用新型的有益效果是：本实用新型DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路,可以提供一种结构简单、动作可靠性高、保护电路响应快速的DC-DC开关电源的过流保护电路。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实用新型实施例提供的DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路的原理图。
图2是本实用新型实施例提供的DC-DC双变压器自激振荡式半桥驱动倍压变换电路的原理图及保护电路的总原理图。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
参照图1-2所示，本实用新型提供一种DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，包括：
MOS管(Q8)、控制芯片(U2)、稳压管(Z2)、第一电阻(R5)、第二电阻(R6)、第三电阻(R7)、第一电容(C12)、第二电容(C13)以及过流检测电阻(R8)；所述MOS管(Q8)的漏极连接半桥驱动倍压变换电源开关电源的负端；所述MOS管(Q8)的源极及所述控制芯片(U2)的负端串接所述过流检测电阻(R8)后接地设置，所述MOS管(Q8)的栅极连接所述控制芯片(U2)的OUT端；所述控制芯片(U2)的正端先后与所述第二电阻(R6)以及所述第一电阻(R5)串联后接18V电源；所述稳压管(Z2)以及所述第一电容(C12)并联设置，且其一端连接于所述第一电阻(R5)以及所述第二电阻(R6)之间，另一端接地设置；所述第三电阻(R7)以及所述第二电容(C13)并联设置，且其一端连接于所述控制芯片(U2)的正端，另一端接地设置。
具体地，外部直流供电电源负端通过共模电感滤波后作为过流保护电路的地参考端，外部直流供电电源正端经共模电感滤波后由LDO低压差稳压芯片变换呈所需18V的直流电压，加在过流保护电路的所述第一电阻(R5)上，经过所述稳压管(Z2)稳压成5.1V直流电压，作为过流保护电路运放所述控制芯片(U2)的供电电源，经所述稳压管(Z2)稳压的5.1V直流电压经过所述第二电阻(R6)，所述第三电阻(R7)分压提供取样基准电压，加在运放所述控制芯片(U2)的正端；运放所述控制芯片(U2)的OUT端接所述MOS管(Q8)场效应管的栅极。所述控制芯片(U2)的漏极接半桥驱动倍压变换电源初级负端，所述控制芯片(U2)的源极连接所述过流检测电阻(R8)，再通过所述过流检测电阻(R8)连接所述控制芯片(U2)的负端，检测电压，与所述控制芯片(U2)的正端取样基准电压进行比较，当检测电压超过取样基准电压时，使场效应管断开，开关电源停止输出，从而避免开关电源的元器件因过流而损坏。
进一步地，DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路可以包括所述MOS管(Q8)采用T2N7002BK。
进一步地，DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路可以包括所述稳压管(Z2)采用低功耗稳压管MMSZ4689-V。
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，其特征在于，包括MOS管(Q8)、控制芯片(U2)、稳压管(Z2)、第一电阻(R5)、第二电阻(R6)、第三电阻(R7)、第一电容(C12)、第二电容(C13)以及过流检测电阻(R8)；所述MOS管(Q8)的漏极连接半桥驱动倍压变换电源开关电源的负端；所述MOS管(Q8)的源极及所述控制芯片(U2)的负端串接所述过流检测电阻(R8)后接地设置，所述MOS管(Q8)的栅极连接所述控制芯片(U2)的OUT端；所述控制芯片(U2)的正端先后与所述第二电阻(R6)以及所述第一电阻(R5)串联后接18V电源；所述稳压管(Z2)以及所述第一电容(C12)并联设置，且其一端连接于所述第一电阻(R5)以及所述第二电阻(R6)之间，另一端接地设置；所述第三电阻(R7)以及所述第二电容(C13)并联设置，且其一端连接于所述控制芯片(U2)的正端，另一端接地设置。
2.如权利要求1所述的DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，其特征在于，所述MOS管(Q8)采用T2N7002BK。
3.如权利要求1所述的DC-DC半桥驱动倍压变换电源过流保护电路，其特征在于，所述稳压管(Z2)采用低功耗稳压管MMSZ4689-V。
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