CN210104060U - 磁控靶及其靶芯 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种磁控靶的靶芯，包括靶基座、第一磁体以及第二磁体。靶基座具有安装面。第一磁体设置于安装面。第一磁体具有第一磁极面。第一磁极面远离安装面设置。第二磁体与第一磁体相邻设置于安装面。第二磁体具有与第一磁极面极性相反的第二磁极面，且第二磁极面远离安装面设置。第二磁极面在远离第一磁体的方向上高度逐渐降低。本实用新型可以使磁场跑道的范围增大，使溅射范围得以增大。同时使得使磁力路径变长，更多的等离子体聚集在靶表面。在相同电场E的作用下，更多的等离子轰击靶材，溅射出更多的沉积物质，使沉积物质更多的沉积附着在正对的基片表面。因此，可以在相同时间，使溅射速率更快，靶材利用率提高。

Description

磁控靶及其靶芯

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射技术领域，特别是涉及一种磁控靶及其靶芯。

背景技术

磁控溅射主要用于镀膜，在各领域有广泛的应用，如各种功能性薄膜、装饰领域、微电子领域、光学领域、机械加工领域，都有大量的应用，还在高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜研究方面发挥重要作用。磁控溅射镀膜应用日益广泛，作为磁控溅射核心部件的磁控靶直接关系着成膜质量、成本等。

磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。新电子飞向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，在靶表面附近做螺旋状运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar正离子来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。

传统的磁控靶溅射的均匀性差，在较短的时间内靶上就产生显著的不均匀刻蚀，使得靶材的利用率不高。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的磁控溅射靶的利用率不高的问题，提供一种磁控靶及其靶芯。

一种磁控靶的靶芯，包括：

靶基座，所述靶基座具有安装面；

第一磁体，所述第一磁体设置于所述安装面，所述第一磁体远离所述安装面的一端的端面为第一磁极面；以及

第二磁体，所述第二磁体固定于所述安装面上，且所述第二磁体与所述第一磁体相邻设置，所述第二磁体远离所述安装面的一端的端面为第二磁极面，且所述第一磁极面和所述第二磁极面的极性相反，所述第二磁极面在远离所述第一磁体的方向上高度逐渐降低。

在其中一个实施例中，所述磁控靶的靶芯还包括第三磁体，所述第三磁体固定于所述安装面上，且所述第三磁体与所述第二磁体相对的设置于所述第一磁体的两侧，所述第三磁体远离所述安装面的一端的端面为第三磁极面，所述第三磁极面与所述第二磁极面极性相同。

在其中一个实施例中，所述第三磁极面在远离所述第一磁体的方向上高度逐渐降低。

在其中一个实施例中，所述第三磁极面与所述安装面的法线的夹角为69°-75°。

在其中一个实施例中，所述第三磁体和所述第二磁体对称设置，且所述第二磁极面与所述第三磁极面的参数相同。

在其中一个实施例中，所述磁控靶的靶芯还包括：

第一隔板，所述第一隔板设置于所述安装面上，且位于所述第一磁体与所述第二磁体之间，所述第一隔板远离所述安装面的一端的端面的高度等于或高于所述第二磁极面的高度；

第二隔板，所述第二隔板设置于所述安装面，且位于所述第一磁体与所述第三磁体之间，所述第二隔板远离所述安装面的一端的端面的高度等于或高于所述第三磁极面的高度。

在其中一个实施例中，所述第二磁极面与所述安装面的法线的夹角为69°-75°。

在其中一个实施例中，所述第一磁极面高于所述第二磁极面。

在其中一个实施例中，所述磁控靶的靶芯还包括：

水冷通道，所述水冷通道贯穿所述靶基座。

在其中一个实施例中，所述磁控靶的靶芯还包括：

第一靶头和第二靶头，所述第一靶头和所述第二靶头分别设置于所述靶基座的两端，且所述水冷通道贯穿所述第一靶头和所述第二靶头。

一种磁控靶，包括上述任一项所述的靶芯以及环绕所述靶芯设置的靶材筒。

上述磁控靶及其靶芯，通过使所述第二磁极面朝向远离所述第一磁体的方向进行倾斜，使得靠近所述第二磁极面的磁感线向远离所述第一磁体的方向扩展，即，使跑道的范围增大，使溅射范围得以增大。同时使得使磁力路径变长，从而使束缚在靶面的等离子体运行路径变长，更多的等离子体聚集在靶表面。在相同电场E的作用下，可以使得更多的等离子轰击靶材，靶材溅射出更多的沉积物质，该沉积物质会更多的沉积附着在正对的基片表面。因此，本申请可以在相同时间，使溅射速率更快，靶材利用率提高。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的磁控靶的靶芯的结构示意图；

图2为图1圈A部分的局部放大示意图；

图3为本申请一实施例提供的磁控靶的靶芯的结构分解示意图；

图4为本申请一实施例提供的磁控靶的靶芯的整体示意图；

图5为本申请一实施例提供的磁控靶的轴向结构示意图；

图6为图5中剖视角度的磁控靶的剖面结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的磁控靶的横截面结构示意图。

附图标号说明：

10 靶芯

100 靶基座

110 安装面

200 第一磁体

210 第一磁极面

300 第二磁体

310 第二磁极面

400 第一隔板

500 第三磁体

510 第三磁极面

600 第二隔板

710 第一靶头

720 第二靶头

800 水冷通道

900 盖板

20 磁控靶

21 靶材筒

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参见图1，本申请一实施例提供一种磁控靶的靶芯10，包括靶基座100、第一磁体200以及第二磁体300。所述靶基座100具有安装面110。所述第一磁体200设置于所述安装面110。所述第一磁体200远离所述安装面110的一端的端面为第一磁极面210。所述第二磁体300固定于所述安装面110上，且所述第二磁体300与所述第一磁体200相邻设置。所述第二磁体300远离所述安装面110的一端的端面为第二磁极面310，且所述第一磁极面210和所述第二磁极面310的极性相反。所述第二磁极面310在远离所述第一磁体200的方向上高度逐渐降低。

可以理解，所述靶基座100可以为所述第一磁体200和所述第二磁体300提供安装平台和支撑。在一个实施例中，所述靶基座100包括用于容纳所述第一磁体200的第一凹槽。在一个实施例中，所述靶基座100还包括用于容纳所述第二磁体300的第二凹槽。在一个实施例中，所述安装面110可以设置于所述靶基座100的一侧。在一个实施例中，所述安装面110可以为一平面。在一个实施例中，所述第二磁体300的截面形状可以为带有切角的矩形，所述切角所在的切面即为所述第二磁极面310，所述切面朝向远离所述第一磁体200的方向。在一个实施例中，所述第二磁体300的截面可以为图1所示的直角梯形，其斜腰所在平面即为所述第二磁极面310。

可以理解，所述第一磁体200和所述第二磁体300均包括相对的N、S两个磁极。在一个实施例中，所述第一磁体200的N极设置于所述第一磁极面210，所述第一磁体200的S极与所述安装面110接触。同时，所述第二磁体300的S极设置于所述第二磁极面310，所述第二磁体300的N极与所述安装面110接触。

在另一个实施例中，所述第一磁体200的S极设置于所述第一磁极面210，所述第一磁体200的N极与所述安装面110接触。同时，所述第二磁体300的N极设置于所述第二磁极面310，所述第二磁体300的S极与所述安装面110接触。

在一个实施例中，所述第二磁极面310的倾斜角度不限，可以根据实际需要进行设计和调整。可以理解，所述第二磁极面310为朝向远离所述第一磁体200的方向的斜面，且与所述安装面110之间存在夹角。在一个实施例中，所述第一磁极面210可以与所述安装面110平行。在一个实施例中，所述第二磁体300与所述第一磁体200之间的距离不限，可以根据实际需要进行设计。在一个实施例中，如图1和图2所示，所述第二磁体300的截面图中，所述第二磁体300包括所述第二磁极面310两侧的短侧边与长侧边。所述长侧边的长度与所述第一磁体200的高度相同。在一个实施例中，所述第一磁体200的磁极连线与所述第二磁体300的磁极连线平行。

可以理解，所述第一磁极面210与所述第二磁极面310的之间的磁感线均垂直于所述第一磁极面210和所述第二磁极面310。所述第一磁极面210与所述第二磁极面310之间的磁感线可以描绘出环形的磁场“跑道”。在本实施例中，通过使所述第二磁极面310朝向远离所述第一磁体200的方向进行倾斜，使得靠近所述第二磁极面310的磁感线向远离所述第一磁体200的方向扩展，即使跑道的范围增大，使溅射范围得以增大。同时使得使磁力路径变长，从而使束缚在靶面的等离子体运行路径变长，更多的等离子体聚集在靶表面。在相同电场E的作用下，可以使得更多的等离子轰击靶材，靶材溅射出更多的沉积物质，该沉积物质会更多的沉积附着在正对的基片表面。因此，本申请实施例可以在相同时间，使溅射速率更快，靶材利用率提高。

在一个实施例中，所述第一磁体200和所述第二磁体300均由多个小磁块排列为条状。在一个实施例中，每条磁体中的多个所述小磁块具有相同形状、大小和排布。在一个实施例中，所述第一磁体200和所述第二磁体300可以为磁钢。在一个实施例中，以所述安装面110为参照面，所述第一磁体200中每个所述小磁块的高度为22mm，长度为22mm，宽度为18mm。

请一并参见图2。在一个实施例中，所述第二磁极面310与所述安装面110的法线的夹角可以为69°-75°。设此夹角为α。可以理解，所述α角的数值即指所述第二磁极面310与所述第一磁体200的磁极连线的夹角。在一个实施例中，所述第二磁极面310与所述安装面110的法线的夹角α可以为72°。

在本实施例中，所述α角为69°-75°时，所述第一磁极面210与所述第二磁极面310之间的磁场分布使得磁场跑道范围增加更大，溅射利用率更高。

如图1所示，在一个实施例中，所述磁控靶的靶芯10还包括第三磁体500。所述第三磁体500固定于所述安装面110上，且所述第三磁体500与所述第二磁体300相对的设置于所述第一磁体200的两侧。所述第三磁体500具有第三磁极面510。所述第三磁极面510为所述第三磁体500远离所述安装面110的一端的端面。所述第三磁极面510与所述第二磁极面310极性相同。

可以理解，所述第三磁体500包括相对的N、S两个磁极。在一个实施例中，所述第三磁极面510可以为N极或S极，只要与所述第二磁极面310极性相同即可。在一个实施例中，所述第二磁极面310、所述第一磁极面210和所述第三磁极面510的磁极依次为S-N-S，在所述第一磁体200两侧形成两个环形磁场，对应于靶材上的溅射区域。在一个实施例中，所述第三磁体500与所述第一磁体200相邻设置。在一个实施例中，所述第三磁体500与所述第一磁体200之间的间距不限，可以根据实际需要进行设计。在一个实施例中，所述第三磁极面510可以与所述安装面110平行。在一个实施例中，所述第三磁体500由多个小磁块依次排列为条状。在一个实施例中，所述第三磁体500中的多个所述小磁块具有相同形状、大小和排布。在一个实施例中，所述第三磁体500可以为磁钢。

在本实施例中，所述第三磁体500与所述第一磁体200之间形成新的磁场，拓宽了溅射区域，使得溅射效率和靶材利用率提高。

在一个实施例中，所述安装面110可以设置多组所述第一磁体200和所述第二磁体300组成的磁体组，使得相邻磁体的磁性相反。在一个实施例中，所述安装面110可以设置多组所述第一磁体200、所述第二磁体300和所述第三磁体500组成的磁体组，使相邻磁体的磁性相反。

在一个实施例中，所述第三磁极面510在远离所述第一磁体200的方向上高度逐渐降低。可以理解，所述第三磁极面510为朝向远离所述第一磁体200的方向的斜面，且与所述安装面110之间存在夹角。在一个实施例中，所述第三磁极面510的倾斜角度不限，可以根据实际需要进行设计。在一个实施例中，所述第三磁极面510与所述第二磁极面310的倾斜角度相同。

在本实施例中，通过使所述第三磁极面510朝向远离所述第一磁体200的方向倾斜，使得靠近所述第三磁极面510的磁感线向远离所述第一磁体200的方向扩展，即，使跑道的范围增大，使溅射范围得以增大。同时使得使磁力路径变长，从而使束缚在靶面的等离子体运行路径变长，更多的等离子体聚集在靶表面。在相同电场E的作用下，可以使得更多的等离子轰击靶材，靶材溅射出更多的沉积物质，该沉积物质会更多的沉积附着在正对的基片表面。因此，本实施例可以在相同时间，使溅射速率更快，靶材利用率提高。

在一个实施例中，所述第三磁极面510与所述安装面110的法线的夹角可以为69°-75°。设此夹角为β。在一个实施例中，所述夹角β可以为72°。在一个实施例中，所述夹角α和所述夹角β均为72°。

在本实施例中，所述β角为69°-75°时，所述第一磁极面210与所述第三磁极面510之间的磁场分布使得磁场跑道范围增加更大，溅射利用率更高。

在一个实施例中，所述第三磁体500和所述第二磁体300对称设置，且所述第二磁极面310与所述第三磁极面510的参数相同。在一个实施例中，如图2所示，所述第三磁体500与所述第二磁体300对称设置，可以指所述第三磁体500和所述第二磁体300的形状以所述第一磁体200垂直于所述安装面110的中心线为对称轴而完全对称。在一个实施例中，所述第二磁极面310与所述第三磁极面510的参数包括倾斜角度、面积大小、形状等。

在本实施例中，通过使所述第三磁体500和所述第二磁体300对称设置，所述第三磁体500和所述第二磁体300分别与所述第一磁体200形成的磁场也是对称的，从而形成整体均匀的磁场，使得对靶材的溅射刻蚀更加均匀，从而提高靶材的利用率。

在一个实施例中，所述磁控靶的靶芯10还包括第一隔板400以及第二隔板600。所述第一隔板400设置于所述安装面110上，且位于所述第一磁体200与所述第二磁体300之间。所述第一隔板400远离所述安装面110的一端的端面的高度等于或高于所述第二磁极面310的高度。所述第二隔板600设置于所述安装面110，且位于所述第一磁体200与所述第三磁体500之间。所述第二隔板600远离所述安装面110的一端的端面的高度等于或高于所述第三磁极面510的高度。

可以理解，所述第一隔板400的厚度即所述第一磁体200与所述第二磁体300的间距。所述第二隔板600的厚度即所述第一磁体200与所述第三磁体500的间距。在一个实施例中，所述第一隔板400和所述第二隔板600的厚度不限，可以根据实际需要进行调整。在一个实施例中，所述第一隔板400和所述第二隔板600远离所述安装面110的端面的高度低于或等于所述第一磁磁极面210的高度，避免影响所述第一磁体200与所述第二磁体300和所述第三磁体500之间的磁场。在一个实施例中，如图1所示，所述第一隔板400和所述第二隔板600的横截面可以为矩形。在一个实施例中，所述第一隔板400和所述第二隔板600的材质可以为非导磁材质。在一个实施例中，所述第一隔板400和所述第二隔板600可以为铜、铝或绝缘材质。

在本实施例中，所述第一隔板400设置于所述第一磁体200与所述第二磁体300之间，所述第二隔板600设置于所述第一磁体200与所述第三磁体500之间，并且使远离所述安装面110的一端的端面的高度等于或高于所述第二磁极面310和所述第三磁极面510的高度，可以屏蔽所述第一磁体200、所述第二磁体300和所述第三磁体500本身的磁场，使得更多的磁力线垂直于所述第二磁极面310和所述第三磁极面510，避免所述第一磁极面210与所述第二磁极面310和所述第三磁极面510之间的磁场受到磁体本身磁场的影响，从而保证溅射的质量。

在一个实施例中，所述第二隔板600的形状大小与所述第一隔板400相同。在一个实施例中，所述第一隔板400和所述第二隔板600均为条状。在一个实施例中，所述第一隔板400可以与所述第二隔板600相对于所述第一磁体200对称设置。

在一个实施例中，所述第一磁极面210高于所述第二磁极面310。可以理解，所述第一磁极面210高于所述第二磁极面310是两磁极面相对于同一水平面的高度，并不是指所述两个磁体本身的高度。在一个实施例中，所述第一磁体200两磁极所在两端的距离与所述第二磁体300两磁极所在两端的距离相等。在一个实施例中，所述安装面110设置有凸台。所述第一磁体200设置于所述凸台上，从而使所述第一磁极面210高于所述第二磁极面310所述凸台的高度即为所述第一磁极面210与所述第二磁极面310的高度差。所述凸台的高度可以根据实际需要进行设计。在一个实施例中，所述第一磁体200与所述第二磁体300设置于同一水平面，所述第一磁体200的高度高于所述第二磁体300。

可以理解，在磁控溅射时，磁场的水平分量才会对溅射起到作用。在所述第一磁极面210与所述第二磁极面310形成的磁场“跑道”中，在跑道的中央区域磁场强度的水平分量最大，从中央向两边水平磁场强度逐渐变小。在跑道的边缘磁场的水平分量低于200Gs，刻蚀现象已经不明显。在本实施例中，通过使所述磁极面210高于所述第二磁极面310，可以使得磁场跑道边缘的水平场强分量增加，从而使增大跑道面积，增大刻蚀面积，提高溅射效率。

在一个实施例中，所述第一磁极面210还高于所述第三磁极面510。在一个实施例中，所述第二磁极面310与所述第三磁极面510的高度相同。可以理解，所述第一磁体200、所述第二磁体300和所述第三磁体500形成“山”字形。

在本实施例中，所述第一磁极面210高于所述第三磁极面510，可以使所述第一磁极面210和所述第三磁极面510之间的磁场跑道边缘的水平场强分量增大，从而使增大跑道面积，增大刻蚀面积，提高溅射效率，可以使得靶材利用率达到70％。

在一个实施例中，所述第二磁体300与所述第三磁体500对称设置于所述第一磁体200两侧，可以使磁场更加均匀，增加刻蚀的均匀性，提高靶材利用率。

请一并参见图3-图6。在一个实施例中，所述磁控靶的靶芯10还包括水冷通道800。所述水冷通道800贯穿所述靶基座100。在一个实施例中，所述水冷通道800与所述靶芯10的延伸方向相同。在一个实施例中，所述水冷通道800靠近所述安装面110设置。在一个实施例中，所述水冷通道800包括进水通道和回水通道。所述进水通道和所述回水通道靠近所述安装面110设置。

在本实施例中，所述水冷通道800用于给所述第一磁体200、所述第二磁体300和所述第三磁体500降温，使得所述靶芯10的工作稳定性更高，减小温度对磁体及进一步对磁场的影响。

在一个实施例中，所述磁控靶的靶芯10还包括第一靶头710和第二靶头720。所述第一靶头710和第二靶头720分别设置于所述靶基座100的两端。所述水冷通道800贯穿所述第一靶头710和所述第二靶头720。可以理解，所述第一靶头710和所述第二靶头720可以用于固定所述靶基座100。并且所述第一靶头710和所述第二靶头720可以使所述靶基座100内的水冷通道800与外部水路连通。所述第一靶头710和所述第二靶头720的具体形状不限，可以根据实际需要进行设计。

在一个实施例中，所述磁控靶的靶芯10还包括盖板900。所述盖板900扣设于所述安装面110，以固定所述第一磁体200和所述第二磁体300。在一个实施例中，所述盖板900可以通过螺栓固定于所述安装面110。在一个实施例中，当所述盖板900安装完成时，所述盖板900内侧与所述第一磁体200、所述第二磁体300以及所述第三磁体500接触，以固紧所述第一磁体200、所述第二磁体300以及所述第三磁体500。在一个实施例中，所述盖板900还包括设置于边缘的密封圈，用于封闭所述第一磁体200、所述第二磁体300以及所述第三磁体500，起到防水作用。

请一并参见图7。本申请一实施例还提供一种磁控靶20，包括上述任一项实施例所述的靶芯10以及环绕所述靶芯10设置的靶材筒21。可以理解，所述磁控靶20使用时，所述靶材筒21旋转，所述靶芯10保持静止不动，从而使所述靶材筒21表面的靶材在所述靶芯10的磁场作用下发生溅射。

可以理解，所述靶材筒21表面覆盖靶材，并套设于所述靶芯10。在一个实施例中，所述靶材在所述靶芯10磁场的作用范围内。在一个实施例中，所述磁控靶20还包括所述第三磁体500，所述第三磁极面510朝向所述靶材筒21内壁。

在一个实施例中，所述第二磁极面310的中心法线与所述靶材筒21相交于一点，所述靶材筒21在所述相交点的切面与所述第二磁极面310平行。设置基片时，使基片与所述第二磁极面310平行，使得溅射物质更易沉积至基材。

综上所述，本申请实施例提供的靶芯10以及具有该靶芯10的磁控靶20，通过使所述第一磁极面210高于所述第二磁极面310和所述第三磁极面510，并且所述第二磁极面310和所述第三磁极面510分别在远离所述第一磁体200的方向上高度逐渐降低。使得所述第一磁极面210与所述第二磁极面310和所述第三磁极面510之间形成的两个环形磁场的磁场跑道边缘的水平磁场强度增大，且拓宽了磁场跑道的面积，达到增大溅射区域的目的。由此变长的磁力路径可以使更多的等离子体轰击靶材，从而增大靶材利用率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种磁控靶的靶芯，其特征在于，包括：

靶基座(100)，所述靶基座(100)具有安装面(110)；

第一磁体(200)，所述第一磁体(200)设置于所述安装面(110)，所述第一磁体(200)远离所述安装面(110)的一端的端面为第一磁极面(210)；以及

第二磁体(300)，所述第二磁体(300)固定于所述安装面(110)上，且所述第二磁体(300)与所述第一磁体(200)相邻设置，所述第二磁体(300)远离所述安装面(110)的一端的端面为第二磁极面(310)，且所述第一磁极面(210)和所述第二磁极面(310)的极性相反，所述第二磁极面(310)在远离所述第一磁体(200)的方向上高度逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，还包括第三磁体(500)，所述第三磁体(500)固定于所述安装面(110)上，且所述第三磁体(500)与所述第二磁体(300)相对的设置于所述第一磁体(200)的两侧，所述第三磁体(500)远离所述安装面(110)的一端的端面为第三磁极面，所述第三磁极面(510)与所述第二磁极面(310)极性相同。

3.根据权利要求2所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，所述第三磁极面(510)在远离所述第一磁体(200)的方向上高度逐渐降低。

4.根据权利要求3所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，所述第三磁极面(510)与所述安装面(110)的法线的夹角为69°-75°。

5.根据权利要求3所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，所述第三磁体(500)和所述第二磁体(300)对称设置，且所述第二磁极面(310)与所述第三磁极面(510)的参数相同。

6.根据权利要求3所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，还包括：

第一隔板(400)，所述第一隔板(400)设置于所述安装面(110)上，且位于所述第一磁体(200)与所述第二磁体(300)之间，所述第一隔板(400)远离所述安装面(110)的一端的端面的高度等于或高于所述第二磁极面(310)的高度；以及

第二隔板(600)，所述第二隔板(600)设置于所述安装面(110)，且位于所述第一磁体(200)与所述第三磁体(500)之间，所述第二隔板(600)远离所述安装面(110)的一端的端面的高度等于或高于所述第三磁极面(510)的高度。

7.根据权利要求1所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，所述第二磁极面(310)与所述安装面(110)的法线的夹角为69°-75°。

8.根据权利要求1所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，所述第一磁极面(210)高于所述第二磁极面(310)。

9.根据权利要求1所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，还包括：

水冷通道(800)，所述水冷通道(800)贯穿所述靶基座(100)。

10.根据权利要求9所述的磁控靶的靶芯，其特征在于，还包括：

第一靶头(710)和第二靶头(720)，所述第一靶头(710)和所述第二靶头(720)分别设置于所述靶基座(100)的两端，且所述水冷通道(800)贯穿所述第一靶头(710)和所述第二靶头(720)。

11.一种磁控靶，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的靶芯(10)以及环绕所述靶芯(10)设置的靶材筒(21)。

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