CN210072908U - 有限脉冲解调方波整形电路及其构成的红外线接收芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种红外线接收模组中有限脉冲解调方波整形电路及由此构成的红外线接收模组，该有限脉冲解调方波整形电路包括第一级电路、第二级电路、第三级电路、第四级电路以及输出电路，该电路能替代传统的红外接收模组中的脉冲解调电路、斯密特电路以及输出电路。包含此有限脉冲解调方波整形电路的红外接收模块可以最大限度缩小红外接收模组在半导体晶圆上所占面积，可以用少量的晶体管复制相同的功能，改进复杂的半导体制造工艺引起的不良率。

Description

有限脉冲解调方波整形电路及其构成的红外线接收芯片

【技术领域】

本实用新型涉及半导体集成电路，具体涉及一种有限脉冲解调方波整形电路及其构成的红外线接收芯片。

【背景技术】

红外线接收模组是利用红外线实现数据通信。如图1所示，传统的红外线接收模组包括光电感应电路101、电流电压转换电路103、放大电路105、带通滤波电路107、自动增益放大电路109、比较电路111、脉冲解调电路113、斯密特触发电路115及输出电路117。传统的红外线接收模组的工作过程如图2所示，脉冲解调电路113对输入的脉冲串进行积分，当脉冲数超过规定数量时将具备固定的最大值，后续脉冲都将在脉冲持续期间维持该最大值，在脉冲串结束后，脉冲解调电路113输出信号开始从最大值下降，斯密特电路115的作用是接收脉冲解调电路113输出的信号，当脉冲解调电路113输出信号高于Vt1时，输出电路117输出为低电平，当脉冲解调电路113输出信号低于Vt2，输出电路117输出高电平。当脉冲解调电路113输出信号高于Vt2，同时低于Vt1时，输出电路117的输出电平不变，这样可以抑制噪声或者干扰信号。

由于传统的红外接收模组中的脉冲解调电路113、斯密特电路115及输出电路117需要很多晶体管、电流源及功能块，占据了红外线芯片上很大面积，并且由于使用很多晶体管，半导体制造工序上的任意一个晶体管特性不正常时都会使红外线接收机运行不正常，导致性能下降。

【实用新型内容】

针对现有技术的不足，本实用新型目的在于提供一种只配置少数几个占用面积小的晶体管即可替代传统红外接收模组中的脉冲解调电路、斯密特电路以及输出电路的有限脉冲解调方波整形电路。

本实用新型还提供了一种由所述有限脉冲解调方波整形电路构成的红外线接收芯片。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种有限脉冲解调方波整形电路，该电路包括对输入脉冲串进行响应并用于输出脉冲串时段对应信号的第一级电路、用于接收所述第一级电路的输出信号并输出脉冲串时段对应信号的第二级电路、用于接收所述第二级电路的输出信号并输出脉冲串时段结束的延时电平信号的第三级电路、用于接收所述第三级电路的输出信号并输出脉冲串时段的起始时间的延时电平时间信号的第四级电路及将所述第四级电路的输出信号进行反相并放大的输出电路，所述第一级电路的输出端与第二级电路的输入端连接，所述第二级电路的输出端与第三级电路的输入端连接，所述第三级电路的输出端与第四级电路的输入端连接，所述第四级电路的输出端与输出电路的输入端连接。

所述第一级电路包括第十一晶体管Q11、第十一电流源I11及第一电容C1，所述第十一晶体管Q11的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va与所述第十一电流源I11的输出端及第一电容C1的一端连接，所述第十一电流源I11的输入端接电源Vcc，所述第一电容C1的另一端接地。

所述第一级电路包括第二十一晶体管Q21、第二十一电流源I21、第四电容C4、第一比较器COMP1及第一参考电压Vf1，所述第二十一晶体管Q21的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va’与第二十一电流源I21的输出端、第四电容的C4一端及第一比较器COMP1的同向输入端连接，所述第二十一电流源I21的输入端接电源Vcc，所述第四电容C4的另一端接地，所述第一比较器COMP1的反相输入端接第一参考电压Vf1，其输出端与第二十二晶体管Q22的基极连接。

所述第二级电路包括第十二晶体管Q12、第十二电流源I12及第二电容C2，所述第十二晶体管Q12的基极接Va，其射极接地，其集电极输出信号Vb与所述第十二电流源I12的输出端及第二电容C2的一端连接，所述第十二电流源I12的输入端接电源Vcc，所述第二电容C2的另一端接地。

所述第二级电路包括第二十二晶体管Q22、第二十二电流源I22、第五电容C5、第二比较器COMP2及第二参考电压Vf2，所述第二十二晶体管Q22的基极与第一比较器COMP1的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vb’与第二十二电流源I22的输出端、第五电容C5的一端及第二比较器COMP2的同向输入端连接，所述第二十二电流源I22的输入端接电源Vcc，所述第五电容C5的另一端接地，所述第二比较器COMP2的反相输入端接第二参考电压Vf2，其输出端与第二十三晶体管Q23的基极连接。

所述第三级电路包括第十三晶体管Q13、第十三电流源I13及第三电容C3，所述第十三晶体管Q13的基极接Vb，其射极接地，其集电极输出信号Vc与第十三电流源I13的输出端及第三电容C3的一端连接，所述第十三电流源I13的输入端接电源Vcc，所述第三电容C3的另一端接地。

所述第三级电路包括第二十三晶体管Q23、第二十三电流源I23、第六电容C6、第三比较器COMP3及第三参考电压Vf3，所述第二十三晶体管Q23的基极与第二比较器COMP2的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vc’与第二十三电流源I23的输出端、第六电容器C6一端及第三比较器COMP3的同向输入端连接，所述第二十三电流源I23的输入端接电源Vcc，所述第六电容C6的另一端接地，所述第三比较器COMP3的反相输入端接第三参考电压Vf3，其输出端与第二十四晶体管Q24的基极连接，所述第四级电路包括第二十四晶体管Q24及第二十四电流源I24，所述第二十四晶体管Q24的基极与第三比较器COMP3的输出端连接，其射极接地，其集电极与第二十四电流源I24的输出端及输出电路(309)连接，所述第二十四电流源I24的输入端接电源Vcc。

所述第四级电路包括第十四晶体管Q14、第十五晶体管Q15及第十四电流源I14，所述第十四晶体管Q14的基极接Vc，其集电极接电源Vcc，其射极接第十五晶体管Q15的基极，所述第十五晶体管Q15的射极接地，其集电极输出信号Vd与第十四电流源I14的输出端连接，所述第十四电流源I14的输入端接电源Vcc。

所述输出电路包括第十六晶体管Q16及第十一电阻R11，所述第十六晶体管Q16的基极接Vd，其射极接地，其集电极输出信号Vout与第十一电阻R11的一端连接，所述第十一电阻R11的另一端接电源Vcc。

本实用新型还提供了一种由上述有限脉冲解调方波整形电路构成的红外线接收芯片。

本实用新型的有益效果为：通过将多个晶体管及多个电容器接收来自红外线接收芯片比较电路的输入信号、将信号有限脉冲串整形输出为有限脉冲串的方波。本实用新型通过几个较少小面积的晶体管替代传统的调解电路、斯密特电路及输出电路，实现红外线接收芯片的脉冲串解调整形输出电路，因而可减少红外线接收模组在半导体芯片上所占面积，避免制造工艺的复杂度、提高效率。

【附图说明】

图1是传统的红外接收模组的电路框图。

图2是传统的红外接收脉冲解调电路、斯密特电路及输出电路时序图。

图3是本实用新型实施例1的电路图。

图4是本实用新型实施例1的各级电路时序图。

图5是本实用新型实施例2的电路图。

图6是本实用新型实施例2的各级电路时序图。

图7是本实用新型实施例3的电路框图。

【具体实施方式】

下列实施例是对本实用新型的进一步解释和补充，对本实用新型不构成任何限制。

实施例1

如图3所示，该有限脉冲解调方波整形电路包括第一级电路301、第二级电路303、第三级电路305、第四级电路307以及输出电路309。

其中，第一级电路301的输入端信号为Vin，其输出端信号Va与第二级电路303的输入端连接，第二级电路303的输出端信号Vb与第三级电路305的输入端连接，第三级电路305的输出端信号Vc与第四级电路307的输入端连接，第四级电路307的输出端Vd与输出电路309的输入端连接，输出电路309的输出端信号为Vout。

具体地，第一级电路301包括第十一晶体管Q11，第十一电流源I11，以及第一电容C1，其中第十一晶体管Q11的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va与第十一电流源I11的输出端以及第一电容C1的一端连接，第十一电流源I11的输入端接电源Vcc，第一电容C1的另一端接地。

第二级电路303包括第十二晶体管Q12，第十二电流源I12及第二电容C2，其中，第十二晶体管Q12的基极接Va，其射极接地，其集电极输出信号Vb与第十二电流源I12的输出端以及第二电容C2的一端连接，第十二电流源I12的输入端接电源Vcc，第二电容C2的另一端接地。

第三级电路305包括第十三晶体管Q13，第十三电流源I13及第三电容C3，其中，第十三晶体管Q13的基极接Vb，其射极接地，其集电极输出信号Vc与第十三电流源I13的输出端以及第三电容C3的一端连接，第十三电流源I13的输入端接电源Vcc，第三电容C3的另一端接地。

第四级电路307包括第十四晶体管Q14，第十五晶体管Q15以及第十四电流源I14，其中第十四晶体管Q14的基极接Vc，集电极接电源Vcc，射极接第十五晶体管Q15的基极，第十五晶体管Q15的射极接地，集电极输出信号Vd与第十四电流源I14的输出端连接，第十四电流源I14的输入端接电源Vcc。

输出电路309包括第十六晶体管Q16及第十一电阻R11，其中，第十六晶体管Q16的基极接Vd，其射极接地，其集电极输出信号Vout与第十一电阻R11的一端连接，第十一电阻R11的另一端接电源Vcc。

当第一级电路301的输入信号Vin为低电平时，第十一晶体管Q11不导通，第十一电流源I11对第一电容C1充电，第一级电路301的输出信号Va为高电平，第十二晶体管Q12导通，第二电容C2通过第十二晶体管Q12放电，第二级电路303的输出信号Vb为低电平，第十三晶体管Q13不导通，第十三电流源I13对第三电容C3充电，第三级电路305的输出信号Vc为高电平，第十四晶体管Q14导通，第十五晶体管Q15也导通，第四级电路307的输出信号Vd为低电平，第十六晶体管Q16不导通，输出电路309的输出信号Vout为高电平。

当第一级电路301的输入信号Vin为高电平时，第十一晶体管Q11导通，第一电容C1通过第十一晶体管Q11放电，第一级电路301的输出信号Va为低电平，第十二晶体管Q12不导通，第十二电流源I12对第二电容C2充电，第二级电路303的输出信号Vb为高电平，第十三晶体管Q13导通，第三电容C3通过第十三晶体管Q13放电，第三级电路305的输出信号Vc为低电平，第十四晶体管Q14不导通，第十五晶体管Q15也不导通，在第十四电流源I14的作用下，第四级电路307的输出信号Vd升高，第十六晶体管Q16导通，输出电路309的输出信号Vout为低电平。

当第一级电路301的输入信号Vin从低电平变高电平时，第十一晶体管Q11由不导通状态变成导通状态，第一电容C1通过第十一晶体管Q11放电，当输入信号Vin从高电平变低电平时，第十一晶体管Q11由导通状态变成不导通状态，第十一电流源I11对第一电容C1充电，由于第一电容C1的充电和放电需要时间，当Vin输入为高频的脉冲串时，第一级电路301的输出信号Va无法作出敏感反应，保持为低电平，第二级电路303的输出信号Vb为高电平，第三级电路305的输出信号Vc为低电平，第四级电路307的输出信号Vd为高电平，输出电路309的输出信号Vout为低电平。

如图4所示为实施例1中各级电路时序图，第一级电路301的输入信号Vin为高电平或者高频的脉冲串时，第一级电路301的输出信号Va为低电平，第二级电路303的输出信号Vb为高电平，第三级电路305的输出信号Vc为低电平，第四级电路307的输出信号Vd为高电平，输出电路309的输出信号Vout为低电平。第一级电路301的输入信号Vin为低电平时，第一级电路301的输出信号Va为高电平，第二级电路303的输出信号Vb为低电平，第三级电路305的输出信号Vc为高电平，第四级电路307的输出信号Vd为低电平，输出电路309的输出信号Vout为高电平。因此本实施例的有限脉冲解调方波整形电路能替代传统的脉冲解调电路、斯密特触发电路以及输出电路的功能。

实施例2

如图5所示，该有限脉冲解调方波整形电路包括第一级电路401、第二级电路403、第三级电路405、第四级电路407以及输出电路409。

实施例2方案与实施例1方案相比，在四级电路中都加了一个比较电路，使每一级的波形更加稳定，并增加了电容，用于抑制高频干扰。

其中，第一级电路401的输入端信号为Vin，其输出信号Va’与第一参考电压Vf1经过第一比较器COMP1比较后与第二级电路403的输入端连接，第二级电路403的输出端信号Vb’与第二参考电压Vf2经过第二比较器COMP2比较后与第三级电路405的输入端连接，第三级电路405的输出端信号Vc’与第三参考电压Vf3经过第三比较器COMP3比较后与第四级电路407的输入端连接，第四级电路407的输出端与输出电路409的输入端连接，输出电路409的输出端信号为Vout。

具体地，第一级电路401包括第二十一晶体管Q21，第二十一电流源I21，第四电容C4，第一比较器COMP1以及第一参考电压Vf1，其中，第二十一晶体管Q21的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va’与第二十一电流源I21的输出端、第四电容的C4一端以及第一比较器COMP1的同向输入端连接，第二十一电流源I21的输入端接电源Vcc，第四电容C4的另一端接地，第一比较器COMP1的反相输入端接第一参考电压Vf1，输出端与第二十二晶体管Q22的基极连接。

第二级电路403包括第二十二晶体管Q22，第二十二电流源I22，第五电容C5，第二比较器COMP2以及第二参考电压Vf2，其中，第二十二晶体管Q22的基极与第一比较器COMP1的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vb’与第二十二电流源I22的输出端、第五电容C5的一端以及第二比较器COMP2的同向输入端连接，第二十二电流源I22的输入端接电源Vcc，第五电容C5的另一端接地，第二比较器COMP2的反相输入端接第二参考电压Vf2，输出端与第二十三晶体管Q23的基极连接。

第三级电路405包括第二十三晶体管Q23，第二十三电流源I23，第六电容C6，第三比较器COMP3以及第三参考电压Vf3，其中，第二十三晶体管Q23的基极与第二比较器COMP2的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vc’与第二十三电流源I23的输出端、第六电容器C6一端以及第三比较器COMP3的同向输入端连接，第二十三电流源I23的输入端接电源Vcc，第六电容C6的另一端接地，第三比较器COMP3的反相输入端接第三参考电压Vf3，输出端与第二十四晶体管Q24的基极连接。

第四级电路407包括第二十四晶体管Q24，第二十四电流源I24，其中，第二十四晶体管Q24的基极与第三比较器COMP3的输出端连接，其射极接地，其集电极与第二十四电流源I24的输出端以及第二十五晶体管Q25的基极连接，第二十四电流源I24的输入端接电源Vcc。

输出电路409包括第二十五晶体管Q25，第二十一电阻R21，其中，第二十五晶体管Q25的基极与第二十四晶体管Q24的集电极连接，其射极接地，其集电极与第二十一电阻R21的一端连接，第二十一电阻R21的另一端接电源Vcc。

当第一级电路401的输入信号Vin为低电平时，第二十一晶体管Q21不导通，第二十一电流源I21对第四电容C4充电，Va’为高电平，大于第一比较电压Vf1，第一比较器COMP1输出高电平，第二十二晶体管Q22导通，第五电容C5通过第二十二晶体管Q22放电，Vb’为低电平，小于第二比较电压Vf2，第二比较器COMP2输出低电平，第二十三晶体管Q23不导通，第二十三电流源I23对第六电容C6充电，Vc’为高电平，大于第三比较电压Vf3，第三比较器COMP3输出高电平，第二十四晶体管Q24导通，第二十五晶体管Q25不导通，输出电路409的输出信号Vout为高电平。

当第一级电路401的输入信号Vin为高电平时，第二十一晶体管Q21导通，第四电容C4通过第二十一晶体管Q21放电，Va’为低电平，小于第一比较电压Vf1，第一比较器COMP1输出低电平，第二十二晶体管Q22不导通，第二十二电流源I22对第五电容C5充电，Vb’为高电平，大于第二比较电压Vf2，第二比较器COMP2输出高电平，第二十三晶体管Q23导通，第六电容C6通过第二十三晶体管Q23放电，Vc’为低电平，小于第三比较电压Vf3，第三比较器COMP3输出低电平，第二十四晶体管Q24不导通，在第二十四电流源I24的作用下，第二十五晶体管Q25导通，输出电路409的输出信号Vout为低电平。

当第一级电路401的输入信号Vin从低电平变高电平时，第二十一晶体管Q21由不导通状态变成导通状态，第四电容C4通过第二十一晶体管Q21放电，当Vin从高电平变低电平时，第二十一晶体管Q21由导通状态变成不导通状态，第二十一电流源I21对第四电容C4充电，由于第四电容C4的充电和放电需要时间，当Vin的输入为高频的脉冲串时，第一级电路401的输出信号Va’无法做成敏感反应，保持为低电平，第二级电路403的输出信号Vb’为高电平，第三级电路405的输出信号Vc’为低电平，第四级电路407的输出为高电平，输出电路409的输出信号Vout为低电平。

如图6所示为实施例2中各级电路时序图，第一级电路401的输入信号Vin为高电平或者高频的脉冲串时，第一级电路401的输出信号Va’为低电平，第二级电路403的输出信号Vb’为高电平，第三级电路405的输出信号Vc’为低电平，输出电路409的输出信号Vout为低电平。第一级电路401的输入信号Vin为低电平时，第一级电路401的输出信号Va’为高电平，第二级电路403的输出信号Vb’为低电平，第三级电路405的输出信号Vc’为高电平，输出电路409的输出信号Vout为高电平。因此本实施例的有限脉冲解调方波整形电路能替代传统的脉冲解调电路、斯密特触发电路以及输出电路的功能。

实施例3

如图7所示，本实用新型的红外线接收芯片包括光电感应电路501、电流电压转换电路503、放大电路505、带通滤波电路507、自动增益控制电路509、比较电路511及有限脉冲解调方波整形电路513。

其中，光电感应电路501用于感应红外线信号并将其转换成电流信号。

电流电压转换电路503用于将流经光电二极管的电流信号转换成电压信号。

放大电路505对电流电压转换电路503的输出电压信号进行放大。

带通滤波电路507对放大电路505输出的信号进行带通滤波，只输出频带内的信号。

自动增益控制电路509对带通滤波电路507的输出信号fout及设定临界电压Vt进行比较后生成自动增益控制信号VAGC，控制放大电路505的增益。

比较电路511将带通滤波电路507的输出的电压信号fout和基准电压VREF进行比较后将比较电压结果输出到有限脉冲解调方波整形电路513。

有限脉冲解调方波整形电路513将比较电路511的输出信号解调整形后输出。

本实施例中的光电感应电路501、电流电压转换电路503、放大电路505、带通滤波电路507、自动增益控制电路509、比较电路511的结构可以与现有的红外线接收模组中的光电感应电路101、电流电压转换电路103、放大电路105、带通滤波电路107、自动增益放大电路109、比较电路111相同，而有限脉冲解调方波整形电路513为实施例1或实施例2的有限脉冲解调方波整形电路。

由于传统的脉冲解调电路、斯密特触发电路及输出电路的功能可由上述有限脉冲解调方波整形电路替代，因而可最大限度地缩小红外线接收模组在半导体晶圆上所占面积。而且，可用少量的晶体管复制相同的功能，因而可改进复杂的半导体制造工艺引起的不良率。

尽管通过以上实施例对本实用新型进行了揭示，但本实用新型的保护范围并不局限于此，在不偏离本实用新型构思的条件下，对以上各构件所做的变形、替换等均将落入本实用新型的权利要求范围内。

Claims (10)

1.一种有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，该电路包括对输入脉冲串进行响应并用于输出脉冲串时段对应信号的第一级电路、用于接收所述第一级电路的输出信号并输出脉冲串时段对应信号的第二级电路、用于接收所述第二级电路的输出信号并输出脉冲串结束的延时电平信号的第三级电路、用于接收所述第三级电路的输出信号并输出脉冲串起始时间的延时电平信号的第四级电路及将所述第四级电路的输出信号进行反相并放大的输出电路，所述第一级电路的输出端与第二级电路的输入端连接，所述第二级电路的输出端与第三级电路的输入端连接，所述第三级电路的输出端与第四级电路的输入端连接，所述第四级电路的输出端与输出电路的输入端连接。

2.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第一级电路包括第十一晶体管Q11、第十一电流源I11及第一电容C1，所述第十一晶体管Q11的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va与所述第十一电流源I11的输出端及第一电容C1的一端连接，所述第十一电流源I11的输入端接电源Vcc，所述第一电容C1的另一端接地。

3.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第一级电路包括第二十一晶体管Q21、第二十一电流源I21、第四电容C4、第一比较器COMP1及第一参考电压Vf1，所述第二十一晶体管Q21的基极接Vin，其射极接地，其集电极输出信号Va’与第二十一电流源I21的输出端、第四电容的C4一端及第一比较器COMP1的同向输入端连接，所述第二十一电流源I21的输入端接电源Vcc，所述第四电容C4的另一端接地，所述第一比较器COMP1的反相输入端接第一参考电压Vf1，其输出端与第二十二晶体管Q22的基极连接。

4.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第二级电路包括第十二晶体管Q12、第十二电流源I12及第二电容C2，所述第十二晶体管Q12的基极接Va，其射极接地，其集电极输出信号Vb与所述第十二电流源I12的输出端及第二电容C2的一端连接，所述第十二电流源I12的输入端接电源Vcc，所述第二电容C2的另一端接地。

5.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第二级电路包括第二十二晶体管Q22、第二十二电流源I22、第五电容C5、第二比较器COMP2及第二参考电压Vf2，所述第二十二晶体管Q22的基极与第一比较器COMP1的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vb’与第二十二电流源I22的输出端、第五电容C5的一端及第二比较器COMP2的同向输入端连接，所述第二十二电流源I22的输入端接电源Vcc，所述第五电容C5的另一端接地，所述第二比较器COMP2的反相输入端接第二参考电压Vf2，其输出端与第二十三晶体管Q23的基极连接。

6.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第三级电路包括第十三晶体管Q13、第十三电流源I13及第三电容C3，所述第十三晶体管Q13的基极接Vb，其射极接地，其集电极输出信号Vc与第十三电流源I13的输出端及第三电容C3的一端连接，所述第十三电流源I13的输入端接电源Vcc，所述第三电容C3的另一端接地。

7.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第三级电路包括第二十三晶体管Q23、第二十三电流源I23、第六电容C6、第三比较器COMP3及第三参考电压Vf3，所述第二十三晶体管Q23的基极与第二比较器COMP2的输出端连接，其射极接地，其集电极输出信号Vc’与第二十三电流源I23的输出端、第六电容器C6一端及第三比较器COMP3的同向输入端连接，所述第二十三电流源I23的输入端接电源Vcc，所述第六电容C6的另一端接地，所述第三比较器COMP3的反相输入端接第三参考电压Vf3，其输出端与第二十四晶体管Q24的基极连接，所述第四级电路包括第二十四晶体管Q24及第二十四电流源I24，所述第二十四晶体管Q24的基极与第三比较器COMP3的输出端连接，其射极接地，其集电极与第二十四电流源I24的输出端及第二十五晶体管Q25的基极连接，所述第二十四电流源I24的输入端接电源Vcc。

8.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述第四级电路包括第十四晶体管Q14、第十五晶体管Q15及第十四电流源I14，所述第十四晶体管Q14的基极接Vc，其集电极接电源Vcc，其射极接第十五晶体管Q15的基极，所述第十五晶体管Q15的射极接地，其集电极输出信号Vd与第十四电流源I14的输出端连接，所述第十四电流源I14的输入端接电源Vcc。

9.如权利要求1所述的有限脉冲解调方波整形电路，其特征在于，所述输出电路(309)包括第十六晶体管Q16及第十一电阻R11，所述第十六晶体管Q16的基极接Vd，其射极接地，其集电极输出信号Vout与第十一电阻R11的一端连接，所述第十一电阻R11的另一端接电源Vcc。

10.一种红外线接收芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的有限脉冲解调方波整形电路。

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