CN210041798U - 一种波特率控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种波特率控制电路，包括信号源、第一电阻和微处理器，所述信号源连接于所述微处理器的RXO接口，所述微处理器的RXO接口还通过所述第一电阻与微处理器的HOSCI接口信号连接；还包括与所述微处理器电连接的供电电路。第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，可以实现微处理器同时匹配多种波特率，通过简单的电路设计，改善具有波特率控制电路电子产品的节能效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种波特率控制电路。
背景技术
伴随着我国工业化进程的前进步伐，对产品的能耗要求非常高，低功耗产品一直都是一个技术难题。节能的全球化热潮下，电子产品在通信方面都需要匹配多种波特率，但是能够接收多种波特率的控制电路通常比较复杂，需要多种电子元器件，生产成本较高。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种结构简单的波特率控制电路。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种波特率控制电路，包括信号源、第一电阻和微处理器，所述信号源连接于所述微处理器的RXO接口，所述微处理器的RXO接口还通过所述第一电阻与微处理器的HOSCI接口信号连接；
还包括与所述微处理器电连接的供电电路，所述供电电路包括电容、第二电阻、二极管、第一稳压二极管、三极管和外部电源，所述电容的一侧与所述微处理器相连，电容的另一侧依次与所述第二电阻、二极管和三极管的集电极相连，三极管的基极通过所述第一稳压二极管接地，三极管的发射极与外部电源相连。
进一步的，所述微处理器为微电能计量芯片，型号为RN8211。
进一步的，所述第一电阻的阻值为10欧姆。
进一步的，第一稳压二极管的负极与所述三极管的基极相连接。
进一步的，还包括第一双向稳压管、第二双向稳压管、极性电容和第二稳压二极管，所述电容的两侧分别通过所述第一双向稳压管和第二双向稳压管与所述微处理器电连接；所述极性电容的正极连接于二极管的负极，第二稳压二极管的正极连接于二极管的正极，极性电容的负极和第二稳压二极管的负极分别与微处理器相连。
本实用新型的有益效果在于：第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，可以实现微处理器同时匹配多种波特率，通过简单的电路设计，改善具有波特率控制电路电子产品的节能效果。
附图说明
图1为本实用新型实施例一的波特率控制电路图；
图2为本实用新型实施例一的波特率控制电路的供电电路图。
标号说明：
R1、第一电阻；
R2、第二电阻；
U、微处理器；
C、电容；
D、二极管；
ZD1、第一稳压二极管；
ZD2、第二稳压二极管；
Q、三极管；
VZ1、第一双向稳压管；
VZ2、第二双向稳压管；
EC、极性电容。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本实用新型最关键的构思在于：第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，可以实现微处理器同时匹配多种波特率。
请参照图1和图2，一种波特率控制电路，包括信号源、第一电阻R1和微处理器U，所述信号源连接于所述微处理器U的RXO接口，所述微处理器U的RXO接口还通过所述第一电阻R1与微处理器U的HOSCI接口信号连接；
还包括与所述微处理器U电连接的供电电路，所述供电电路包括电容C、第二电阻R2、二极管D、第一稳压二极管ZD1、三极管Q和外部电源，所述电容C的一侧与所述微处理器U相连，电容C的另一侧依次与所述第二电阻R2、二极管D和三极管Q的集电极相连，三极管Q的基极通过所述第一稳压二极管ZD1接地，三极管Q的发射极与外部电源相连。
本实用新型的工作原理简述如下：第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，当微处理器的RXO接口被其他波特率占用时，从RXO接口传入的波特率将经由第一电阻传输至微处理器的HOSCI接口被微处理器接收。
从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，可以实现微处理器同时匹配多种波特率，通过简单的电路设计，改善具有波特率控制电路电子产品的节能效果。
进一步的，所述微处理器U为微电能计量芯片，型号为RN8211。
进一步的，所述第一电阻R1的阻值为10欧姆。
进一步的，第一稳压二极管ZD1的负极与所述三极管Q的基极相连接。
由上述描述可知，第一稳压二极管主要起稳定电压的作用，尤其在反向击穿情况下，三极管基极的电路可以在一定范围内保持稳定，持续导通三极管。
进一步的，还包括第一双向稳压管VA1、第二双向稳压管VZ2、极性电容EC和第二稳压二极管ZD2，所述电容C的两侧分别通过所述第一双向稳压管VA1和第二双向稳压管VZ2与所述微处理器U电连接；所述极性电容EC的正极连接于二极管D的负极，第二稳压二极管ZD2的正极连接于二极管D的正极，极性电容EC的负极和第二稳压二极管ZD2的负极分别与微处理器U相连。
实施例一
请参照图1和图2，本实用新型的实施例一为：一种波特率控制电路，包括信号源、第一电阻R1和微处理器U，所述信号源连接于所述微处理器U的RXO接口，所述微处理器U的RXO接口还通过所述第一电阻R1与微处理器U的HOSCI接口信号连接；
还包括与所述微处理器U电连接的供电电路，所述供电电路包括电容C、第二电阻R2、二极管D、第一稳压二极管ZD1、三极管Q和外部电源，所述电容C的一侧与所述微处理器U相连，电容C的另一侧依次与所述第二电阻R2、二极管D和三极管Q的集电极相连，三极管Q的基极通过所述第一稳压二极管ZD1接地，三极管Q的发射极与外部电源相连。
请参考附图2，详细的，还包括第一双向稳压管VA1、第二双向稳压管VZ2、极性电容EC和第二稳压二极管ZD2，所述电容C的两侧分别通过所述第一双向稳压管VA1和第二双向稳压管VZ2与所述微处理器U电连接；所述极性电容EC的正极连接于二极管D的负极，第二稳压二极管ZD2的正极连接于二极管D的正极，极性电容EC的负极和第二稳压二极管ZD2的负极分别与微处理器U相连。具体的，第一稳压二极管ZD1的负极与所述三极管Q的基极相连接，第一稳压二极管ZD1具有稳点电路中电压的作用。
请参照附图1，供电电路通过I1+和I1-接口分别对应微处理器U的IAPHE IAN接口。
在本实施例中，所述微处理器U为微电能计量芯片，所述微电能计量芯片的型号为RN8211。
可选的，所述第一电阻R1的阻值为10欧姆。
综上所述，本实用新型提供的波特率控制电路，第一电阻连接在微处理器的RXO接口与HOSCI接口之间，可以实现微处理器同时匹配多种波特率，通过简单的电路设计，改善具有波特率控制电路电子产品的节能效果。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种波特率控制电路，其特征在于：包括信号源、第一电阻和微处理器，所述信号源连接于所述微处理器的RXO接口，所述微处理器的RXO接口还通过所述第一电阻与微处理器的HOSCI接口信号连接；
还包括与所述微处理器电连接的供电电路，所述供电电路包括电容、第二电阻、二极管、第一稳压二极管、三极管和外部电源，所述电容的一侧与所述微处理器相连，电容的另一侧依次与所述第二电阻、二极管和三极管的集电极相连，三极管的基极通过所述第一稳压二极管接地，三极管的发射极与外部电源相连。
2.根据权利要求1所述的波特率控制电路，其特征在于：所述微处理器为微电能计量芯片，型号为RN8211。
3.根据权利要求1所述的波特率控制电路，其特征在于：所述第一电阻的阻值为10欧姆。
4.根据权利要求1所述的波特率控制电路，其特征在于：第一稳压二极管的负极与所述三极管的基极相连接。
5.根据权利要求1所述的波特率控制电路，其特征在于：还包括第一双向稳压管、第二双向稳压管、极性电容和第二稳压二极管，所述电容的两侧分别通过所述第一双向稳压管和第二双向稳压管与所述微处理器电连接；所述极性电容的正极连接于二极管的负极，第二稳压二极管的正极连接于二极管的正极，极性电容的负极和第二稳压二极管的负极分别与微处理器相连。
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Publications (1)
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2019
- 2019-09-25 CN CN201921614198.7U patent/CN210041798U/zh active Active
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