CN210006870U - 可优化谐波抑制的介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种可优化谐波抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体、包覆于本体表面的导电层、以及开设于所述本体内的多个谐振腔，所述本体的电极面的两端分别形成有电极接触面，所述电极面与开路面相邻，所述导电层包覆所述谐振腔内表面，至少一个与所述开路面相邻的侧面形成有矩形去导电层。本实用新型优点在于对远端谐波处有一定抑制要求的情况，此方法可以起到较好的效果且基本上不影响滤波器近端的其它主要指标，还可以省去加低通，降低制作成本及减小产品体积。

Description

可优化谐波抑制的介质滤波器

技术领域

本申请属于通信技术领域，特别是涉及一种介质滤波器。

背景技术

常规连体式(mono)结构的陶瓷介质滤波器远端抑制不是很理想，一般在不到二倍的中心频率位置已经出现了谐波，在对该频段有抑制要求的情况下只能通过外加低通滤波器处理才能达到一定的效果，但正常情况下叠加低通滤波器后不仅会带来插入损耗的叠加、整体体积也会增大，还增加了制作成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可优化谐波抑制的介质滤波器，以克服现有技术的不足。·

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开一种可优化谐波抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体、包覆于本体表面的导电层、以及开设于所述本体内的多个谐振腔，所述本体的电极面的两端分别形成有电极接触面，所述电极面与开路面相邻，所述导电层包覆所述谐振腔内表面，至少一个与所述开路面相邻的侧面形成有矩形去导电层。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述矩形去导电层延伸方向平行于所述电极面。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述矩形去导电层起始于所述开路面棱边中部。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述矩形去导电层形成于所述电极面相邻的侧面。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述矩形去导电层一端形成有垂直折弯。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述电极面的两端分别通过去导电层形成U形裸露面，该U形裸露面与所述电极面的一个边缘之间围成矩形的所述电极接触面。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述固态介电材料为陶瓷。

优选的，在上述的可优化谐波抑制的介质滤波器中，所述导电层材质为银。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：对远端谐波处有一定抑制要求的情况，此方法可以起到较好的效果且基本上不影响滤波器近端的其它主要指标，还可以省去加低通，降低制作成本及减小产品体积。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中可优化谐波抑制的介质滤波器的开路面在前端的立体结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例中可优化谐波抑制的介质滤波器的开路面在后端的立体结构示意图；

图3所示为本实用新型具体实施例中矩形去导电层垂直折弯时的状态图；

图4所示为常规技术手段中介质滤波器的测试曲线图；

图5所示为本实用新型具体实施例中可优化谐波抑制的介质滤波器的测试曲线图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面以一款中心频率2595MHz、通带2515～2690MHz的8谐振腔的陶瓷介质滤波器为例进行说明，将侧面未打磨形成矩形去导电层与打磨左侧面形成矩形去导电层后的远端抑制指标做对比。应当说明的是，本案同样适用于开路面相邻两个侧面同时打磨去导电层后达到改善谐波处抑制的效果，需要说明的是侧面矩形去导电层的长度及宽度尺寸对远端谐波的状态都会有影响，需依据实际要求的指标情况把打磨去银尺寸调整到较佳状态。

参图1-2所示，可优化谐波抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体100、包覆于本体100表面的导电层、以及开设于本体100内的8个谐振腔101，本体100的电极面105的两端分别形成有电极接触面104，电极面105与开路面102相邻，导电层包覆谐振腔101内表面，开路面102左侧面形成有矩形去导电层103。矩形去导电层103延伸方向平行于电极面105。矩形去导电层103优选起始于开路面102棱边中部。矩形去导电层103形成于电极面105相邻的侧面。矩形去导电层103一端形成有垂直折弯。

该技术方案中，矩形去导电层选择去银的位置优选设定在陶瓷的中间，从开路面与相邻侧面之间棱边开始延至后方短路面横向打磨去干净一定的银层，如横向打磨较多需继续打磨时可形成垂直折弯来加大打磨去银的整体长度，垂直折弯可以折弯一端，也可以形成一端分别向两侧折弯形成T形，如图3所示。开路面相邻的两个侧面中可至少选择一个面进行打磨去银，打磨一个侧面即可实现该技术效果，依据不同的指标要求进行选择。

进一步地，电极面105的两端分别通过去导电层形成U形裸露面106，该U形裸露面106与电极面105的一个边缘之间围成矩形的电极接触面104。

进一步地，固态介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数，硬度及耐高温的性能也比较好，因此成为射频滤波器领域常用的固态介电材料。

进一步地，所述导电层为银。

导电层优选为银等高导电率材料。

常规技术手段中介质滤波器不需要在侧面打磨形成矩形去导电层，下面对同一只介质滤波器分别进行侧面未去银和去银后的性能做对比。

参图4所示，为常规技术手段中介质滤波器的测试曲线图，远端抑制指标如下：

远端带外抑制：9.5dB@5150～5350MHz；8.7dB@5725～5850MHz

可以看出常规技术在5150MHz开始已经有谐波，5150～5350MHz和5725～5850MHz两处的抑制＜10dB。

参图5所示，为本方案具体实施例中可优化谐波抑制的介质滤波器的测试曲线图，可从图中看出远端抑制指标：

远端带外抑制：24.5dB@5150～5350MHz；27.1dB@5725～5850MHz

通过以上两种结果数据对比，通过在介质侧面打磨去除一定银层的方法可以提高远端谐波处的抑制，主要体现在上面实例中5150MHz～5850MHz的带外抑制指标。应当说明的是侧面打磨去银后对近端的性能影响很小，只需做微小的调整即可恢复至打磨前的状态，操作方便。

而且经试验，不同结构的产品(介质的腔数不同、开路面印刷电路不同)通过两侧面同时打磨去除一定的银层会达到更好的效果。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种可优化谐波抑制的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体、包覆于本体表面的导电层、以及开设于所述本体内的多个谐振腔，所述本体的电极面的两端分别形成有电极接触面，所述电极面与开路面相邻，所述导电层包覆所述谐振腔内表面，其特征在于，至少一个与所述开路面相邻的侧面形成有矩形去导电层。

2.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述矩形去导电层延伸方向平行于所述电极面。

3.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述矩形去导电层起始于所述开路面棱边中部。

4.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述矩形去导电层形成于所述电极面相邻的侧面。

5.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述矩形去导电层一端形成有垂直折弯。

6.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述电极面的两端分别通过去导电层形成U形裸露面，该U形裸露面与所述电极面的一个边缘之间围成矩形的所述电极接触面。

7.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述固态介电材料为陶瓷。

8.根据权利要求1所述的可优化谐波抑制的介质滤波器，其特征在于，所述导电层材质为银。

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