CN209982349U - 一种超低漏电流的医疗电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种超低漏电流的医疗电源，包括市电100V‑240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、PWM IC开关控制线路、次极MOS整流线路、输出滤波线路、稳压控制线路和同步IC信号控制线路；微处理器CPU1是PWM控制IC,微处理器CPU2是次极同步整流芯片,微处理器CPU3是可控精密稳压源,微处理器CPU4是智能同步整流控制IC,变压器T1的安全距离大于9.5mm,四端光电光电耦合器U2‑1的初极安全距离大于8.5mm,该医疗电源在实现医疗电源的各种所需条件下，能有效的将漏电流控制到超低。

Description

一种超低漏电流的医疗电源

技术领域：

本实用新型涉及医疗电源技术领域，特指一种超低漏电流的医疗电源。

背景技术：

在当今社会，医疗电子与其它定位于大众市场及在乎成本的消费电子、低价产品应用领域的电子和功率电子不同，医疗电子更需注重电源的安全性；

现代医疗器械特别是直接与人体相接触的电子仪器，医疗人员不仅对仪器的性能有高要求，仪器所需电源的安全性也备受医疗人员的关注与重视。

实用新型内容：

本实用新型的目的是克服现有产品的不足之处，提供一种超低漏电流的医疗电源。

本实用新型采用的技术方案是：一种超低漏电流的医疗电源，包括依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、PWM IC开关控制线路、次极MOS整流线路、输出滤波线路、稳压控制线路和同步IC信号控制线路；

所述市电100V-240V输入线路及抗雷击线路包括保险管F1、压敏电阻RZ1和热敏电阻RT1，保险管F1的输入端与火线L连接，保险管F1的输出端与热敏电阻RT1的输入端连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括励磁线圈LF1、电容XC1、电阻R4、电阻R2、电阻R1、电阻R3、电阻R5和励磁线圈LF2，励磁线圈LF1和励磁线圈LF2分别设有接口1Ⅰ、接口1Ⅱ、接口1Ⅲ、接口1Ⅳ、接口2Ⅰ、接口2Ⅱ、接口2Ⅲ和接口2Ⅳ，所述接口1Ⅰ与热敏电阻RT1的输出端连接，接口1Ⅱ与零线N连接，所述压敏电阻RZ1并联在热敏电阻RT1与保险管F1的连接线路和接口1Ⅱ与零线N的连接线路之间，所述接口1Ⅲ与接口2Ⅰ连接，接口1Ⅳ与接口2Ⅱ连接，电阻R3与电阻R1串联后，并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间，电阻R4与R2串联后，并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间，电容XC1也并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间；

所述桥式整流滤波线路包括桥式整流二极管BD1、有极性电容C1和有极性电容C2，桥式整流二极管BD1设有接口3Ⅰ、接口3Ⅱ、接口3Ⅲ和接口3Ⅳ，所述接口3Ⅳ与接口2Ⅲ连接，接口3Ⅱ与接口2Ⅳ连接；

所述功率变压器包括变压器T1，所述变压器设有接口4Ⅰ和接口4Ⅱ，所述接口4Ⅰ和接口4Ⅱ分别设有连接点1Ⅰ、连接点2Ⅰ、连接点1Ⅱ和连接点2Ⅱ，所述接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ连接，接口3Ⅰ分别与有极性电容C1和有极性电容C2的负极连接，有极性电容C1的负极接地，有极性电容C1和有极性电容C2的正极并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上；

所述RCD高压吸收线路包括电容C6、电阻R36、电阻R7、电阻R6、电阻R8、电阻R9和二极管D1，电容C6的输入端并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上，电容C6的输出端与电阻R36的输入端连接，电阻R36的输出端与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与电阻R6的输入端连接，电阻R6的输出端与二极管D1的负极连接，电阻R9并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路和电阻R6与二极管D1的连接线路之间，电阻R8的输入端并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上，电阻R8的输出端并联在电阻R9与二极管D1的连接线路上；

所述PWM IC开关控制线路包括电容C14、三极管Q1、二极管D3、电阻R16、电阻R17、电阻R14、电阻R15、电容C8、微处理器CPU1、电容C7、电阻R22、电阻R13、电阻R12、电阻R11、电阻R10、稳压二极管ZD1、四端光电光电耦合器U2-2、电阻R19、二极管D7、电阻R20、热敏电阻RT2、有极性电容C3、二极管D4、电阻R18、二极管D2和带磁心电感线圈L1，所述微处理器CPU1的具体型号为OB2365TAP,所述电容C14的输入端与二极管D1的正极连接，电容C14的输出端与电阻R13的输入端连接，连接点2Ⅰ并联在电容C14与二极管D1的连接线路上，三极管Q1的基极并联在电容C14与二极管D1的连接线路上并与连接点2Ⅰ连接，三极管Q1的发射极与电阻R12的输入端连接，三极管Q1的集电极与电阻R17的输入端连接，电阻R17的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D3的正极并联在三极管Q1与电阻R17的连接线路上，二极管D3的负极与电阻R16的输入端连接，电阻R16的输出端并联在电阻R17与微处理器CPU1的连接线路上；所述电阻R14的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R14的输入端并联在电容C14与电阻R13的连接线路上，电阻R13的输出端与带磁心电感线圈L1的输入端连接，带磁心电感线圈L1的输出端与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极与电阻R18的输入端连接，所述电阻R5的输入端分别并联在电阻R3与电阻R1的连接线路上和电阻R4与电阻R2的连接线路上，电阻R5的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R18的输出端并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，有极性电容C3的正极还并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，并且，有极性电容C3的负极接地，所述电阻R12、电阻R11、电阻R10和电容C8的输出端分别并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上，电阻R11和电阻R10的输入端分别并联在电阻R14与电阻R13的连接线路上，电容C8的输入端并联在电阻R14与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R15的输入端并联在电阻R17与二极管D3的连接线路上，电阻R15的输出端并联在电阻R10与电阻R14的连接线路上，所述二极管D4的正极并联在二极管D2与带磁心电感线圈L1的连接线路上，二极管D4的负极与电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D7的正极并联在电阻R19与微处理器CPU1的连接线路上，二极管D7的负极与电阻R20的输入端连接，电阻R20的输出端与热敏电阻RT2的输入端连接，热敏电阻RT2的输出端并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上；

所述四端光电光电耦合器U2-2设有接口6Ⅰ和接口6Ⅱ，四端光电光电耦合器U2-2的接口6Ⅰ与微处理器CPU1连接，接口6Ⅱ并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，电阻R22的输出端并联在四端光电光电耦合器U2-2与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R22的输入端与稳压二极管ZD1的负极连接，稳压二极管ZD1的正极并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，所述电容C7并联在电阻R22与四端光电光电耦合器U2-2的连接线路和电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路之间；

所述次极MOS整流线路包括电容C10、电阻R23、电阻R24、电容C13、接地端GND1和微处理器CPU2，所述微处理器CPU2的具体型号为OB2004，所述微处理器CPU2与连接点2Ⅱ连接，电容C10的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ的连接线路上，电容C10的输出端与电阻R24的输入端连接，电阻R24的输出端与接地端GND1连接，电阻R23的输入端并联在电容C10与电阻R24的连接线路上，电阻R23的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上，电容C13的输入端与微处理器CPU2连接，电容C13的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上；

所述输出滤波线路包括有极性电容C4、有极性电容C5、有极性电容C15和稳压二极管ZD3，所述连接点1Ⅱ与电源正极连接，微处理器CPU2与电源负极连接，所述稳压二极管ZD3的负极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的正极并联在连接点1Ⅱ与电源正极的连接线路上，稳压二极管ZD3的正极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的负极并联在微处理器CPU2与电源负极的连接线路上；

所述稳压控制线路包括电阻R28、四端光电光电耦合器U2-1、电阻R29、电阻R27、电阻R30、电容C9、微处理器CPU3、电阻R25、电阻R26和接地端GND2，所述微处理器CPU3的具体型号为TL431,所述四端光电光电耦合器U2-1设有接口5Ⅰ和接口5Ⅱ，电阻R26的输入端与电阻R27的输出端连接，电阻R27的输入端并联在连接点1Ⅱ与电源正极的连接线路上，电阻R28的输入端与电阻R29的输出端连接，电阻R28的输出端并联在电阻R27与电源正极的连接线路上，电阻R29的输入端与电容C9的输出端连接，四端光电光电耦合器U2-1的接口5Ⅰ并联在电阻R28与电阻R29的连接线路上，接口5Ⅱ并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，电容C9的输入端与电阻R30的输出端连接，电阻R30并联在电阻R26与电阻R27的连接线路上，所述微处理器CPU3的输出端并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，微处理器CPU3的输出端与接口5Ⅱ连接，微处理器CPU3的输入端与接地端GND2连接，电阻R26的输出端并联在微处理器CPU3与接地端GND2的连接线路上，电阻R26的输入端还与微处理器CPU3连接，电阻R25并联在电阻R26与微处理器CPU3的连接线路和电阻R26与接地端GND2的连接线路之间；

所述同步IC信号控制线路包括电阻R33、电阻R32、电阻R34、电阻R35、电阻R31、电容C11和微处理器CPU4，所述微处理器CPU4的具体型号为MPS6908，所述电阻R33的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ的连接线路上，电阻R33的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R32的输入端与微处理器CPU2连接，电阻R32的输出端与电阻R35的输入端连接，电阻R35的输出端与电容C11的输入端连接，电容C11的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R34的输入端并联在电阻R32与电阻R35的连接线路上，电阻R34的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R31的输入端并联在电容C11与微处理器CPU4的连接线路上，电阻R31的输出端与微处理器CPU4连接。

优选地，所述变压器T1的安全距离大于9.5mm。

优选地，所述四端光电光电耦合器U2-1的初极安全距离大于8.5mm。

本实用新型通过上述结构，市电100V-240V输入线路及抗雷击线路与EMI滤波电磁抗干扰线路连接，EMI滤波电磁抗干扰线路与桥式整流滤波线路，桥式整流滤波线路与功率变压器连接，功率变压器与RCD高压吸收线路相互连接，功率变压器与PWM IC开关控制线路相互连接，功率变压器与次极MOS整流线路连接，次极MOS整流线路与输出滤波线路连接，稳压控制线路与输出滤波线路连接，同步IC信号控制线路与次极MOS整流线路连接，该医疗电源在实现医疗电源的各种所需条件下，能有效的将漏电流控制到超低。

附图说明：

图1是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源的电路结构图；

图2是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源的原理框图；

图3是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中励磁线圈LF1的电路结构图；

图4是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中励磁线圈LF2的电路结构图；

图5是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中桥式整流二极管BD1的电路结构图；

图6是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中变压器T1的电路结构图；

图7是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中四端光电光电耦合器U2-1的电路结构图；

图8是本实用新型一种超低漏电流的医疗电源中四端光电光电耦合器U2-2的电路结构图。

图中：市电100V-240V输入线路及抗雷击线路1、EMI滤波电磁抗干扰线路2、桥式整流滤波线路3、功率变压器4、RCD高压吸收线路5、PWM IC开关控制线路6、次极MOS整流线路7、输出滤波线路8、稳压控制线路9、同步IC信号控制线路10、接口1Ⅰ11、接口1Ⅱ12、接口1Ⅲ13、接口1Ⅳ14、接口2Ⅰ21、接口2Ⅱ22、接口2Ⅲ23、接口2Ⅳ24、接口3Ⅰ31、接口3Ⅱ32、接口3Ⅲ33、接口3Ⅳ34、接口4Ⅰ41、连接点1Ⅰ411、连接点2Ⅰ412、接口4Ⅱ42、连接点1Ⅱ421、连接点2Ⅱ422、接口5Ⅰ51、接口5Ⅱ52、接口6Ⅰ61和接口6Ⅱ62。

具体实施方式：

下面结合具体实施例和附图对本实用新型进一步说明。

如图1～图8所示，一种超低漏电流的医疗电源，包括依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路1、EMI滤波电磁抗干扰线路2、桥式整流滤波线路3、功率变压器4、RCD高压吸收线路5、PWMIC开关控制线路6、次极MOS整流线路7、输出滤波线路8、稳压控制线路9和同步IC信号控制线路10；

所述市电100V-240V输入线路及抗雷击线路1包括保险管F1、压敏电阻RZ1和热敏电阻RT1，保险管F1的输入端与火线L连接，保险管F1的输出端与热敏电阻RT1的输入端连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路2包括励磁线圈LF1、电容XC1、电阻R4、电阻R2、电阻R1、电阻R3、电阻R5和励磁线圈LF2，励磁线圈LF1和励磁线圈LF2分别设有接口1Ⅰ11、接口1Ⅱ12、接口1Ⅲ13、接口1Ⅳ14、接口2Ⅰ21、接口2Ⅱ22、接口2Ⅲ23和接口2Ⅳ24，所述接口1Ⅰ11与热敏电阻RT1的输出端连接，接口1Ⅱ12与零线N连接，所述压敏电阻RZ1并联在热敏电阻RT1与保险管F1的连接线路和接口1Ⅱ12与零线N的连接线路之间，所述接口1Ⅲ13与接口2Ⅰ21连接，接口1Ⅳ14与接口2Ⅱ22连接，电阻R3与电阻R1串联后，并联在接口1Ⅲ13与接口2Ⅰ21的连接线路和接口1Ⅳ14与接口2Ⅱ22的连接线路之间，电阻R4与R2串联后，并联在接口1Ⅲ13与接口2Ⅰ21的连接线路和接口1Ⅳ14与接口2Ⅱ22的连接线路之间，电容XC1也并联在接口1Ⅲ13与接口2Ⅰ21的连接线路和接口1Ⅳ14与接口2Ⅱ22的连接线路之间；

所述桥式整流滤波线路3包括桥式整流二极管BD1、有极性电容C1和有极性电容C2，桥式整流二极管BD1设有接口3Ⅰ31、接口3Ⅱ32、接口3Ⅲ33和接口3Ⅳ34，所述接口3Ⅳ34与接口2Ⅲ23连接，接口3Ⅱ32与接口2Ⅳ24连接；

所述功率变压器4包括变压器T1，所述变压器设有接口4Ⅰ41和接口4Ⅱ42，所述接口4Ⅰ41和接口4Ⅱ42分别设有连接点1Ⅰ411、连接点2Ⅰ412、连接点1Ⅱ421和连接点2Ⅱ422，所述接口3Ⅲ33与连接点1Ⅰ411连接，接口3Ⅰ31分别与有极性电容C1和有极性电容C2的负极连接，有极性电容C1的负极接地，有极性电容C1和有极性电容C2的正极并联在接口3Ⅲ33与连接点1Ⅰ411的连接线路上；

所述RCD高压吸收线路5包括电容C6、电阻R36、电阻R7、电阻R6、电阻R8、电阻R9和二极管D1，电容C6的输入端并联在接口3Ⅲ33与连接点1Ⅰ411的连接线路上，电容C6的输出端与电阻R36的输入端连接，电阻R36的输出端与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与电阻R6的输入端连接，电阻R6的输出端与二极管D1的负极连接，电阻R9并联在接口3Ⅲ33与连接点1Ⅰ411的连接线路和电阻R6与二极管D1的连接线路之间，电阻R8的输入端并联在接口3Ⅲ33与连接点1Ⅰ411的连接线路上，电阻R8的输出端并联在电阻R9与二极管D1的连接线路上；

所述PWM IC开关控制线路6包括电容C14、三极管Q1、二极管D3、电阻R16、电阻R17、电阻R14、电阻R15、电容C8、微处理器CPU1、电容C7、电阻R22、电阻R13、电阻R12、电阻R11、电阻R10、稳压二极管ZD1、四端光电光电耦合器U2-2、电阻R19、二极管D7、电阻R20、热敏电阻RT2、有极性电容C3、二极管D4、电阻R18、二极管D2和带磁心电感线圈L1，所述微处理器CPU1的具体型号为OB2365TAP,所述电容C14的输入端与二极管D1的正极连接，电容C14的输出端与电阻R13的输入端连接，连接点2Ⅰ412并联在电容C14与二极管D1的连接线路上，三极管Q1的基极并联在电容C14与二极管D1的连接线路上并与连接点2Ⅰ412连接，三极管Q1的发射极与电阻R12的输入端连接，三极管Q1的集电极与电阻R17的输入端连接，电阻R17的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D3的正极并联在三极管Q1与电阻R17的连接线路上，二极管D3的负极与电阻R16的输入端连接，电阻R16的输出端并联在电阻R17与微处理器CPU1的连接线路上；所述电阻R14的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R14的输入端并联在电容C14与电阻R13的连接线路上，电阻R13的输出端与带磁心电感线圈L1的输入端连接，带磁心电感线圈L1的输出端与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极与电阻R18的输入端连接，所述电阻R5的输入端分别并联在电阻R3与电阻R1的连接线路上和电阻R4与电阻R2的连接线路上，电阻R5的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R18的输出端并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，有极性电容C3的正极还并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，并且，有极性电容C3的负极接地，所述电阻R12、电阻R11、电阻R10和电容C8的输出端分别并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上，电阻R11和电阻R10的输入端分别并联在电阻R14与电阻R13的连接线路上，电容C8的输入端并联在电阻R14与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R15的输入端并联在电阻R17与二极管D3的连接线路上，电阻R15的输出端并联在电阻R10与电阻R14的连接线路上，所述二极管D4的正极并联在二极管D2与带磁心电感线圈L1的连接线路上，二极管D4的负极与电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D7的正极并联在电阻R19与微处理器CPU1的连接线路上，二极管D7的负极与电阻R20的输入端连接，电阻R20的输出端与热敏电阻RT2的输入端连接，热敏电阻RT2的输出端并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上；

所述四端光电光电耦合器U2-2设有接口6Ⅰ61和接口6Ⅱ62，四端光电光电耦合器U2-2的接口6Ⅰ61与微处理器CPU1连接，接口6Ⅱ62并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，电阻R22的输出端并联在四端光电光电耦合器U2-2与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R22的输入端与稳压二极管ZD1的负极连接，稳压二极管ZD1的正极并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，所述电容C7并联在电阻R22与四端光电光电耦合器U2-2的连接线路和电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路之间；

所述次极MOS整流线路7包括电容C10、电阻R23、电阻R24、电容C13、接地端GND1和微处理器CPU2，所述微处理器CPU2的具体型号为OB2004，所述微处理器CPU2与连接点2Ⅱ422连接，电容C10的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ422的连接线路上，电容C10的输出端与电阻R24的输入端连接，电阻R24的输出端与接地端GND1连接，电阻R23的输入端并联在电容C10与电阻R24的连接线路上，电阻R23的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上，电容C13的输入端与微处理器CPU2连接，电容C13的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上；

所述输出滤波线路8包括有极性电容C4、有极性电容C5、有极性电容C15和稳压二极管ZD3，所述连接点1Ⅱ421与电源正极连接，微处理器CPU2与电源负极连接，所述稳压二极管ZD3的负极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的正极并联在连接点1Ⅱ421与电源正极的连接线路上，稳压二极管ZD3的正极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的负极并联在微处理器CPU2与电源负极的连接线路上；

所述稳压控制线路9包括电阻R28、四端光电光电耦合器U2-1、电阻R29、电阻R27、电阻R30、电容C9、微处理器CPU3、电阻R25、电阻R26和接地端GND2，所述微处理器CPU3的具体型号为TL431,所述四端光电光电耦合器U2-1设有接口5Ⅰ51和接口5Ⅱ52，电阻R26的输入端与电阻R27的输出端连接，电阻R27的输入端并联在连接点1Ⅱ421与电源正极的连接线路上，电阻R28的输入端与电阻R29的输出端连接，电阻R28的输出端并联在电阻R27与电源正极的连接线路上，电阻R29的输入端与电容C9的输出端连接，四端光电光电耦合器U2-1的接口5Ⅰ51并联在电阻R28与电阻R29的连接线路上，接口5Ⅱ52并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，电容C9的输入端与电阻R30的输出端连接，电阻R30并联在电阻R26与电阻R27的连接线路上，所述微处理器CPU3的输出端并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，微处理器CPU3的输出端与接口5Ⅱ52连接，微处理器CPU3的输入端与接地端GND2连接，电阻R26的输出端并联在微处理器CPU3与接地端GND2的连接线路上，电阻R26的输入端还与微处理器CPU3连接，电阻R25并联在电阻R26与微处理器CPU3的连接线路和电阻R26与接地端GND2的连接线路之间；

所述同步IC信号控制线路10包括电阻R33、电阻R32、电阻R34、电阻R35、电阻R31、电容C11和微处理器CPU4，所述微处理器CPU4的具体型号为MPS6908，所述电阻R33的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ422的连接线路上，电阻R33的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R32的输入端与微处理器CPU2连接，电阻R32的输出端与电阻R35的输入端连接，电阻R35的输出端与电容C11的输入端连接，电容C11的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R34的输入端并联在电阻R32与电阻R35的连接线路上，电阻R34的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R31的输入端并联在电容C11与微处理器CPU4的连接线路上，电阻R31的输出端与微处理器CPU4连接。

所述变压器T1的安全距离大于9.5mm。

所述四端光电光电耦合器U2-1的初极安全距离大于8.5mm。

综上所述，市电100V-240V输入线路及抗雷击线路1与EMI滤波电磁抗干扰线路连接2，EMI滤波电磁抗干扰线路2与桥式整流滤波线路3，桥式整流滤波线路3与功率变压器4连接，功率变压器4与RCD高压吸收线路5相互连接，功率变压器4与PWM IC开关控制线路6相互连接，功率变压器4与次极MOS整流线路7连接，次极MOS整流线路7与输出滤波线路8连接，稳压控制线路9与输出滤波线路8连接，同步IC信号控制线路10与次极MOS整流线路7连接，该医疗电源在实现医疗电源的各种所需条件下，能有效的将漏电流控制到超低。

Claims (3)

1.一种超低漏电流的医疗电源，其特征在于，包括依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、PWM IC开关控制线路、次极MOS整流线路、输出滤波线路、稳压控制线路和同步IC信号控制线路；

所述市电100V-240V输入线路及抗雷击线路包括保险管F1、压敏电阻RZ1和热敏电阻RT1，保险管F1的输入端与火线L连接，保险管F1的输出端与热敏电阻RT1的输入端连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括励磁线圈LF1、电容XC1、电阻R4、电阻R2、电阻R1、电阻R3、电阻R5和励磁线圈LF2，励磁线圈LF1和励磁线圈LF2分别设有接口1Ⅰ、接口1Ⅱ、接口1Ⅲ、接口1Ⅳ、接口2Ⅰ、接口2Ⅱ、接口2Ⅲ和接口2Ⅳ，所述接口1Ⅰ与热敏电阻RT1的输出端连接，接口1Ⅱ与零线N连接，所述压敏电阻RZ1并联在热敏电阻RT1与保险管F1的连接线路和接口1Ⅱ与零线N的连接线路之间，所述接口1Ⅲ与接口2Ⅰ连接，接口1Ⅳ与接口2Ⅱ连接，电阻R3与电阻R1串联后，并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间，电阻R4与R2串联后，并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间，电容XC1也并联在接口1Ⅲ与接口2Ⅰ的连接线路和接口1Ⅳ与接口2Ⅱ的连接线路之间；

所述桥式整流滤波线路包括桥式整流二极管BD1、有极性电容C1和有极性电容C2，桥式整流二极管BD1设有接口3Ⅰ、接口3Ⅱ、接口3Ⅲ和接口3Ⅳ，所述接口3Ⅳ与接口2Ⅲ连接，接口3Ⅱ与接口2Ⅳ连接；

所述功率变压器包括变压器T1，所述变压器设有接口4Ⅰ和接口4Ⅱ，所述接口4Ⅰ和接口4Ⅱ分别设有连接点1Ⅰ、连接点2Ⅰ、连接点1Ⅱ和连接点2Ⅱ，所述接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ连接，接口3Ⅰ分别与有极性电容C1和有极性电容C2的负极连接，有极性电容C1的负极接地，有极性电容C1和有极性电容C2的正极并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上；

所述RCD高压吸收线路包括电容C6、电阻R36、电阻R7、电阻R6、电阻R8、电阻R9和二极管D1，电容C6的输入端并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上，电容C6的输出端与电阻R36的输入端连接，电阻R36的输出端与电阻R7的输入端连接，电阻R7的输出端与电阻R6的输入端连接，电阻R6的输出端与二极管D1的负极连接，电阻R9并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路和电阻R6与二极管D1的连接线路之间，电阻R8的输入端并联在接口3Ⅲ与连接点1Ⅰ的连接线路上，电阻R8的输出端并联在电阻R9与二极管D1的连接线路上；

所述PWM IC开关控制线路包括电容C14、三极管Q1、二极管D3、电阻R16、电阻R17、电阻R14、电阻R15、电容C8、微处理器CPU1、电容C7、电阻R22、电阻R13、电阻R12、电阻R11、电阻R10、稳压二极管ZD1、四端光电光电耦合器U2-2、电阻R19、二极管D7、电阻R20、热敏电阻RT2、有极性电容C3、二极管D4、电阻R18、二极管D2和带磁心电感线圈L1，所述微处理器CPU1的具体型号为OB2365TAP,所述电容C14的输入端与二极管D1的正极连接，电容C14的输出端与电阻R13的输入端连接，连接点2Ⅰ并联在电容C14与二极管D1的连接线路上，三极管Q1的基极并联在电容C14与二极管D1的连接线路上并与连接点2Ⅰ连接，三极管Q1的发射极与电阻R12的输入端连接，三极管Q1的集电极与电阻R17的输入端连接，电阻R17的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D3的正极并联在三极管Q1与电阻R17的连接线路上，二极管D3的负极与电阻R16的输入端连接，电阻R16的输出端并联在电阻R17与微处理器CPU1的连接线路上；所述电阻R14的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R14的输入端并联在电容C14与电阻R13的连接线路上，电阻R13的输出端与带磁心电感线圈L1的输入端连接，带磁心电感线圈L1的输出端与二极管D2的正极连接，二极管D2的负极与电阻R18的输入端连接，所述电阻R5的输入端分别并联在电阻R3与电阻R1的连接线路上和电阻R4与电阻R2的连接线路上，电阻R5的输出端与微处理器CPU1连接，电阻R18的输出端并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，有极性电容C3的正极还并联在电阻R5与微处理器CPU1的连接线路上，并且，有极性电容C3的负极接地，所述电阻R12、电阻R11、电阻R10和电容C8的输出端分别并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上，电阻R11和电阻R10的输入端分别并联在电阻R14与电阻R13的连接线路上，电容C8的输入端并联在电阻R14与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R15的输入端并联在电阻R17与二极管D3的连接线路上，电阻R15的输出端并联在电阻R10与电阻R14的连接线路上，所述二极管D4的正极并联在二极管D2与带磁心电感线圈L1的连接线路上，二极管D4的负极与电阻R19的输入端连接，电阻R19的输出端与微处理器CPU1连接，二极管D7的正极并联在电阻R19与微处理器CPU1的连接线路上，二极管D7的负极与电阻R20的输入端连接，电阻R20的输出端与热敏电阻RT2的输入端连接，热敏电阻RT2的输出端并联在带磁心电感线圈L1与电阻R13的连接线路上；

所述四端光电光电耦合器U2-2设有接口6Ⅰ和接口6Ⅱ，四端光电光电耦合器U2-2的接口6Ⅰ与微处理器CPU1连接，接口6Ⅱ并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，电阻R22的输出端并联在四端光电光电耦合器U2-2与微处理器CPU1的连接线路上，电阻R22的输入端与稳压二极管ZD1的负极连接，稳压二极管ZD1的正极并联在电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路上，所述电容C7并联在电阻R22与四端光电光电耦合器U2-2的连接线路和电阻R13与带磁心电感线圈L1的连接线路之间；

所述次极MOS整流线路包括电容C10、电阻R23、电阻R24、电容C13、接地端GND1和微处理器CPU2，所述微处理器CPU2的具体型号为OB2004，所述微处理器CPU2与连接点2Ⅱ连接，电容C10的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ的连接线路上，电容C10的输出端与电阻R24的输入端连接，电阻R24的输出端与接地端GND1连接，电阻R23的输入端并联在电容C10与电阻R24的连接线路上，电阻R23的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上，电容C13的输入端与微处理器CPU2连接，电容C13的输出端并联在电阻R24与接地端GND1的连接线路上；

所述输出滤波线路包括有极性电容C4、有极性电容C5、有极性电容C15和稳压二极管ZD3，所述连接点1Ⅱ与电源正极连接，微处理器CPU2与电源负极连接，所述稳压二极管ZD3的负极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的正极并联在连接点1Ⅱ与电源正极的连接线路上，稳压二极管ZD3的正极、有极性电容C4、有极性电容C5和有极性电容C15的负极并联在微处理器CPU2与电源负极的连接线路上；

所述稳压控制线路包括电阻R28、四端光电光电耦合器U2-1、电阻R29、电阻R27、电阻R30、电容C9、微处理器CPU3、电阻R25、电阻R26和接地端GND2，所述微处理器CPU3的具体型号为TL431,所述四端光电光电耦合器U2-1设有接口5Ⅰ和接口5Ⅱ，电阻R26的输入端与电阻R27的输出端连接，电阻R27的输入端并联在连接点1Ⅱ与电源正极的连接线路上，电阻R28的输入端与电阻R29的输出端连接，电阻R28的输出端并联在电阻R27与电源正极的连接线路上，电阻R29的输入端与电容C9的输出端连接，四端光电光电耦合器U2-1的接口5Ⅰ并联在电阻R28与电阻R29的连接线路上，接口5Ⅱ并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，电容C9的输入端与电阻R30的输出端连接，电阻R30并联在电阻R26与电阻R27的连接线路上，所述微处理器CPU3的输出端并联在电阻R29与电容C9的连接线路上，微处理器CPU3的输出端与接口5Ⅱ连接，微处理器CPU3的输入端与接地端GND2连接，电阻R26的输出端并联在微处理器CPU3与接地端GND2的连接线路上，电阻R26的输入端还与微处理器CPU3连接，电阻R25并联在电阻R26与微处理器CPU3的连接线路和电阻R26与接地端GND2的连接线路之间；

所述同步IC信号控制线路包括电阻R33、电阻R32、电阻R34、电阻R35、电阻R31、电容C11和微处理器CPU4，所述微处理器CPU4的具体型号为MPS6908，所述电阻R33的输入端并联在微处理器CPU2与连接点2Ⅱ的连接线路上，电阻R33的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R32的输入端与微处理器CPU2连接，电阻R32的输出端与电阻R35的输入端连接，电阻R35的输出端与电容C11的输入端连接，电容C11的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R34的输入端并联在电阻R32与电阻R35的连接线路上，电阻R34的输出端与微处理器CPU4连接，电阻R31的输入端并联在电容C11与微处理器CPU4的连接线路上，电阻R31的输出端与微处理器CPU4连接。

2.根据权利要求1所述的一种超低漏电流的医疗电源，其特征在于，所述变压器T1的安全距离大于9.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种超低漏电流的医疗电源，其特征在于，所述四端光电光电耦合器U2-1的初极安全距离大于8.5mm。

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