CN209961837U - 一种电流电压检测电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及信号采样技术领域，提供了一种电流电压检测电路。其中，所述电流电压检测电路包括电流采样电路、电压采样电路及控制器；电流采样电路和电压采样电路分别与被检测端连接，其中，被检测端用于接收被检测对象的电流信号或电压信号；电流采样电路还与电压采样电路和控制器连接，用于当被选通时，采样电流信号，输出第一采样信号；电压采样电路还与控制器连接，用于当被选通时，采样电压信号，输出第二采样信号；控制器用于根据被检测端接收的信号类型，选通电流采样电路或电压采样电路，并接收对应的第一采样信号或第二采样信号。本实用新型实现了单一电路既能采样电流信号又能采样电压信号，从而提升了采样电路的通用性。

Description

一种电流电压检测电路

【技术领域】

本实用新型涉及信号采样技术领域，尤其涉及一种电流电压检测电路。

【背景技术】

目前，电流采样电路只能采样电流信号，电压采样电路只能采样电压信号，单一采样电路无法既能采样电流信号又能采样电压信号，从而导致采样电路的通用性变差。

【实用新型内容】

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种电流电压检测电路，其实现了单一电路既能采样电流信号又能采样电压信号，从而提升了采样电路的通用性。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种电流电压检测电路，包括电流采样电路、电压采样电路及控制器；

所述电流采样电路和所述电压采样电路分别与被检测端连接，其中，所述被检测端用于接收被检测对象的电流信号或电压信号；

所述电流采样电路还与所述电压采样电路和所述控制器连接，用于当被选通时，采样所述电流信号，输出第一采样信号；

所述电压采样电路还与所述控制器连接，用于当被选通时，采样所述电压信号，输出第二采样信号；

所述控制器用于根据所述被检测端接收的信号类型，选通所述电流采样电路或所述电压采样电路，并接收对应的所述第一采样信号或所述第二采样信号。

可选地，所述电流电压检测电路还包括输入缓冲电路，所述输入缓冲电路与所述电流采样电路、所述电压采样电路及所述控制器连接，所述输入缓冲电路用于对所述第一采样信号或所述第二采样信号进行降衰减处理。

可选地，所述电流采样电路包括第一选择电路和第一采样电路，所述第一选择电路与所述被检测端、所述第一采样电路和所述控制器连接，所述第一采样电路还与所述输入缓冲电路连接。

可选地，所述第一选择电路包括第一电容、第一电阻、第二电阻、第一NPN三极管、第三电阻、第四电阻、第一PNP三极管、第五电阻、第六电阻以及第一MOS管；

所述第一电容的一端与所述控制器的电流采样端、所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述第一电容的另一端接地；

所述第一电阻的另一端接地；

所述第二电阻的另一端与所述第一NPN三极管的基极连接；

所述第一NPN三极管的发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极与所述第三电阻的一端连接；

所述第三电阻的另一端、所述第四电阻的一端、所述第一PNP三极管的基极皆连接于第一节点；

所述第四电阻的另一端用于接收电源电压；

所述第一PNP三极管的发射极与所述第四电阻的另一端连接，所述第一PNP三极管的集电极、所述第五电阻的一端及所述第六电阻的一端皆连接于第二节点；

所述第五电阻的另一端接地；

所述第六电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极连接；

所述第一MOS管的源极与所述第一采样电路和所述电压采样电路连接，所述第一MOS管的漏极与所述被检测端连接；

所述第一采样电路包括第七电阻和第八电阻；

所述第七电阻的一端与所述第一MOS管的源极和所述第八电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述第八电阻的另一端皆接地。

可选地，所述电压采样电路包括第二选择电路和第二采样电路，所述第二选择电路与所述第二采样电路、所述输入缓冲电路及所述控制器连接，所述第二采样电路还与所述被检测端、所述第一采样电路及所述输入缓冲电路连接。

可选地，所述第二选择电路包括第二电容、第九电阻、第十电阻、第二NPN三极管、第十一电阻、第十二电阻、第二PNP三极管、第十三电阻、第十四电阻以及第二MOS管；

所述第二电容的一端与所述控制器的电压采样端、所述第九电阻的一端及所述第十电阻的一端连接，所述第二电容的另一端接地；

所述第九电阻的另一端接地；

所述第十电阻的另一端与所述第二NPN三极管的基极连接；

所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极与所述第十一电阻的一端连接；

所述第十一电阻的另一端、所述第十二电阻的一端、所述第二PNP三极管的基极皆连接于第三节点；

所述第十二电阻的另一端用于接收电源电压；

所述第二PNP三极管的发射极与所述第十二电阻的另一端连接，所述第二PNP三极管的集电极、所述第十三电阻的一端及所述第十四电阻的一端皆连接于第四节点；

所述第十三电阻的另一端接地；

所述第十四电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极连接；

所述第二MOS管的源极与所述第二采样电路和所述输入缓冲电路连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二采样电路连接；

所述第二采样电路包括第十五电阻和第十六电阻；

所述第十五电阻的一端与所述第七电阻的一端、所述第一MOS管的源极及所述第八电阻的一端连接，所述第十五电阻的另一端与所述第二MOS管的源极和所述输入缓冲电路连接；

所述第十六电阻的一端与所述被检测端连接，所述第十六电阻的另一端与所述第二MOS管的漏极连接。

可选地，所述输入缓冲电路包括运算放大器、第十七电阻、第一二极管、第二二极管、第十八电阻、第十九电阻以及第三电容；

所述运算放大器的同相输入端与所述第十五电阻的另一端和所述第二MOS管的源极连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第十九电阻的一端、所述第十八电阻的一端及所述第二二极管的负极连接，所述运算放大器的输出端与所述第十七电阻的一端连接，所述运算放大器的电源输入端用于与接收电源电压，所述运算放大器的接地端接地；

所述第十七电阻的另一端与所述第一二极管的正极和所述第二二极管的正极连接；

所述第一二极管的负极用于接收基准电压；

所述第十八电阻的另一端与所述第三电容的一端和所述控制器的信号采样端连接；

所述第三电容的另一端与所述第十九电阻的另一端皆接地。

可选地，所述电流电压检测电路还包括输入保护电路，所述输入保护电路和所述被检测端、所述第一选择电路、所述第一采样电路及所述第二采样电路连接。

可选地，所述输入保护电路包括浪涌保护电路、滤波电路及吸收电路；

所述浪涌保护电路与所述被检测端连接；

所述滤波电路与所述被检测端和所述浪涌保护电路连接；

所述吸收电路与所述被检测端、所述滤波电路、所述第一选择电路、所述第一采样电路及所述第二采样电路连接。

可选地，所述浪涌保护电路包括稳压二极管，所述滤波电路包括第四电容，所述吸收电路包括第一电感和第二电感；

所述稳压二极管的正极与所述被检测端、所述第四电容的一端及所述第一电感的一端连接，所述稳压二极管的负极与所述四电容的另一端和所述第二电感的一端连接，所述第一电感的另一端与所述第十六电阻的一端连接，所述第二电感的另一端接地。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比较，本实用新型实施例提供了一种电流电压检测电路。其中，电流采样电路和电压采样电路分别与被检测端连接，通过控制器根据所述被检测端接收的信号类型，选通电流采样电路或电压采样电路，当电流采样电路被选通时，采样被检测端输入的电流信号，当电压采样电路备选通时，采样被检测端输入的电压信号。从而，本实用新型实现了单一电路既能采样电流信号又能采样电压信号，从而提升了采样电路的通用性。

【附图说明】

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本实用新型实施例提供的一种电流电压检测电路的结构示意图；

图2为本实用新型另一实施例提供的一种电流电压检测电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种电流采样电路、电压采样电路以及输入保护电路的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种电流电压检测电路的电路连接示意图。

【具体实施方式】

为了便于理解本申请，下面结合附图和具体实施方式，对本申请进行更详细的说明。需要说明的是，当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本实用新型。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，下面所描述的本申请不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

请参阅图1，为本实用新型实施例提供的一种电流电压检测电路的结构示意图。如图1所示，所述电流电压检测电路100包括电流采样电路10、电压采样电路20及控制器30。

其中，所述电流电压检测电路100用于采样电流信号和电压信号，所述电流电压检测电路100的输入端为被检测端11，在本实施例中，所述电流电压检测电路100不包括所述被检测端11。但是，所述被检测端11作为所述电流采样电路10和所述电压采样电路20的共同被检测端，若将所述被检测端11理解为一个虚拟对象，即所述被检测端11为所述电流采样电路10和所述电压采样电路20的输入交点，则所述电流电压检测电路100包括所述被检测端11。所述被检测端11用于接收被检测对象的电流信号或电压信号，可以理解，所述被检测对象包括电路、传感器或两者组成的传感器电路等，所述被检测端11接收的信号类型由所述被检测对象决定。

所述电流采样电路10还与所述电压采样电路20和所述控制器30连接，用于当被选通时，采样所述电流信号，输出第一采样信号。请一并参阅图3，所述电流采样电路10包括第一选择电路101和第一采样电路102，所述第一选择电路101与所述被检测端11、所述第一采样电路102和所述控制器30连接，所述第一采样电路102还与所述输入缓冲电路40连接。

如图4所示，所述第一选择电路101包括第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一NPN三极管Q1、第三电阻R3、第四电阻R4、第一PNP三极管Q2、第五电阻R5、第六电阻R6以及第一MOS管Q3。

其中，所述第一电容C1的一端与所述控制器30的电流采样端Ck、所述第一电阻R1的一端及所述第二电阻R2的一端连接，所述第一电容C1的另一端接地；所述第一电阻R1的另一端接地；所述第二电阻R2的另一端与所述第一NPN三极管Q1的基极连接；所述第一NPN三极管Q1的发射极接地，所述第一NPN三极管Q1的集电极与所述第三电阻R3的一端连接；所述第三电阻R3的另一端、所述第四电阻R4的一端、所述第一PNP三极管Q2的基极皆连接于第一节点41；所述第四电阻R4的另一端用于接收电源电压；所述第一PNP三极管Q2的发射极与所述第四电阻R4的另一端连接，所述第一PNP三极管Q2的集电极、所述第五电阻R5的一端及所述第六电阻R6的一端皆连接于第二节点42；所述第五电阻R5的另一端接地；所述第六电阻R6的另一端与所述第一MOS管Q3的栅极连接；所述第一MOS管Q3的源极与所述第一采样电路102和所述电压采样电路20连接，所述第一MOS管Q3的漏极与所述被检测端11连接。

所述第一采样电路102包括第七电阻R7和第八电阻R8。

其中，所述第七电阻R7的一端与所述第一MOS管Q3的源极和所述第八电阻R8的一端连接，所述第七电阻R7的另一端与所述第八电阻R8的另一端皆接地。

首先，人为地判断所述被检测端11接收的信号类型，即判断所述被检测对象需要被采样的是电流信号还是电压信号。然后，当所述被检测对象需要被采样的是电流信号时，通过所述控制器30选通所述第一选择电路101，当所述第一选择电路101被选通时，所述第一采样电路102通过所述第一选择电路101，采样所述被检测对象的电流信号。

具体的，当所述被检测对象需要被采样的是电流信号时，通过所述控制器30的电流采样端Ck输出高电平信号，所述第一电容C1、所述第一电阻R1以及所述第二电阻R2组成的基极偏置电路，使得所述第一NPN三极管Q1导通，从而，所述第一节点41的电位被拉低，即所述第一PNP三极管Q2的基极电位降低，满足所述第一PNP三极管Q2的导通条件，所述第一PNP三极管Q2导通，拉高所述第二节点42的电位，满足所述第一MOS管Q3的导通条件，所述第一MOS管Q3导通，进而使得所述电流信号从所述被检测端11流入所述第一采样电路102，所述第七电阻R7和所述第八电阻R8将所述电流信号转化成电压信号，即所述第一采样信号，其中，所述第一采样信号为模拟信号，所述第一采样电路102将所述第一采样信号发送至所述控制器30的信号采样端AD，最后，由所述控制器30将所述第一采样信号转化成数字信号，完成AD转换。

所述电压采样电路20还与所述控制器30连接，用于当被选通时，采样所述电压信号，输出第二采样信号。

请一并参阅图3，所述电压采样电路20包括第二选择电路201和第二采样电路202，所述第二选择电路201与所述第二采样电路202、所述输入缓冲电路40及所述控制器30连接，所述第二采样电路202还与所述被检测端11、所述第一采样电路102及所述输入缓冲电路40连接。

如图4所示，所述第二选择电路201包括第二电容C2、第九电阻R9、第十电阻R10、第二NPN三极管Q4、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第二PNP三极管Q5、第十三电阻R13、第十四电阻R14以及第二MOS管Q6。

所述第二电容C2的一端与所述控制器30的电压采样端Ck、所述第九电阻R9的一端及所述第十电阻R10的一端连接，所述第二电容C2的另一端接地；所述第九电阻R9的另一端接地；所述第十电阻R10的另一端与所述第二NPN三极管Q4的基极连接；所述第二NPN三极管Q4的发射极接地，所述第二NPN三极管Q4的集电极与所述第十一电阻R11的一端连接；所述第十一电阻R11的另一端、所述第十二电阻R12的一端、所述第二PNP三极管Q5的基极皆连接于第三节点43；所述第十二电阻R12的另一端用于接收电源电压；所述第二PNP三极管Q5的发射极与所述第十二电阻R12的另一端连接，所述第二PNP三极管Q5的集电极、所述第十三电阻R13的一端及所述第十四电阻R14的一端皆连接于第四节点44；所述第十三电阻R13的另一端接地；所述第十四电阻R14的另一端与所述第二MOS管Q6的栅极连接；所述第二MOS管Q6的源极与所述第二采样电路202和所述输入缓冲电路40连接，所述第二MOS管Q6的漏极与所述第二采样电路202连接。

所述第二采样电路202包括第十五电阻R15和第十六电阻R16。

其中，所述第十五电阻R15的一端与所述第七电阻R7的一端、所述第一MOS管Q3的源极及所述第八电阻R8的一端连接，所述第十五电阻R15的另一端与所述第二MOS管Q6的源极和所述输入缓冲电路40连接；所述第十六电阻R16的一端与所述被检测端11连接，所述第十六电阻R16的另一端与所述第二MOS管Q6的漏极连接。

首先，人为地判断所述被检测端11接收的信号类型，即判断所述被检测对象需要被采样的是电流信号还是电压信号。然后，当所述被检测对象需要被采样的是电压信号时，通过所述控制器30选通所述第二选择电路201，当所述第二选择电路201被选通时，所述第二采样电路202通过所述第二选择电路201，采样所述被检测对象的电压信号。

具体的，当所述被检测对象需要被采样的是电压信号时，通过所述控制器30的电流采样端Vk输出高电平信号，所述第二电容C2、所述第九电阻R9以及所述第十电阻R10组成的基极偏置电路，使得所述第二NPN三极管Q4导通，从而，所述第三节点43的电位被拉低，即所述第二PNP三极管Q5的基极电位降低，满足所述第二PNP三极管Q5的导通条件，所述第二PNP三极管Q5导通，拉高所述第四节点44的电位，满足所述第二MOS管Q6的导通条件，所述第二MOS管Q6导通，进而使得所述电压信号从所述被检测端11流入所述第二采样电路202，所述第十五电阻R15和所述第十六电阻R16采样所述电压信号，输出所述第二采样信号，其中，所述第二采样信号为模拟信号，所述第二采样电路202将所述第二采样信号发送至所述控制器30的信号采样端AD，最后，由所述控制器30将所述第二采样信号转化成数字信号，完成AD转换。

综上，所述被检测端11被检测端接收的是电流信号还是电压信号，需要人为进行判断，所述控制器30基于人为判断的结果，输出控制信号，选通所述电流采样电路10或所述电压采样电路20。例如，所述电流电压检测电路100包括操作界面，在该操作界面上包括电流信号采样按钮和电压信号采样按钮，当电流信号采样按钮按下时，产生第一控制信号，选通所述电流采样电路10，当电压信号采样按钮按下时，产生第二控制信号，选通所述电压采样电路20。尤其是在所述被检测对象为多个的情况下，一个电流电压检测电路100就可以实现电流信号和电压信号的检测，无需设置两个电流采样电路10或电压采样电路20，提高了电路的通用性的同时降低了成本。

所述控制器30用于根据所述被检测端11接收的信号类型，选通所述电流采样电路10或所述电压采样电路20，并接收对应的所述第一采样信号或所述第二采样信号。

需要说明的是，所述控制器30与所述电流采样电路10和所述电压采样电路20，一个所述控制器30实现了单一电路既能采样电流信号又能采样电压信号，从而实现了控制器的通用化，避免了为适配电流采样电路和电压采样电路采用不同型号的控制器，从而降低了设计成本。

在本实施例中，所述控制器30包括单片机U2，所述单片机U2具备AD采样功能，例如，基础的51系列单片机，PIC系列单片机、STM系列单片机(例如STM32f103)等。

在一些实施例中，所述控制器30可以为通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、单片机、ARM(Acorn RISC Machine)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合。还有，控制器还可以是任何传统处理器、控制器、微控制器或状态机。也可以被实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP核、或任何其它这种配置。

请参阅图2，所述电流电压检测电路200除了包括所述电流电压检测电路100所包括的电路模块，还包括输入缓冲电路40和输入保护电路50。

所述输入缓冲电路40与所述电流采样电路10、所述电压采样电路20及所述控制器30连接，所述输入缓冲电路40用于对所述第一采样信号或所述第二采样信号进行降衰减处理。

在本实施例中，所述输入缓冲电路40为电压跟随器，即所述输入缓冲电路40的输出电压与所述输入缓冲电路40的输入电压的比例为1：1，所述输入缓冲电路40提高了输入阻抗，降低了输出阻抗，使得所述第一采样信号或所述第二采样信号的幅度降低，避免所述控制器30的信号采样端AD所述第一采样信号或所述第二采样信号信号失真。

假设所述信号采样端AD接收的电压为Vad，所述电流信号为Iin，所述电压信号为Vin。则经过所述输入缓冲电路40后，理论上，若所述被检测端11接收的信号类型为电流信号，Vad＝Iin*R7*R8/(R7+R8)，若所述被检测端接收的信号类型为电压信号，Vad＝Vin*R15/(R15+R16)。

如图4所示，所述输入缓冲电路40包括运算放大器U1、第十七电阻R17、第一二极管D1、第二二极管D2、第十八电阻R18、第十九电阻R19以及第三电容C3。

其中，所述运算放大器U1的同相输入端与所述第十五电阻R15的另一端和所述第二MOS管Q6的源极连接，所述运算放大器U1的反相输入端与所述第十九电阻R19的一端、所述第十八电阻R18的一端及所述第二二极管D1的负极连接，所述运算放大器U1的输出端与所述第十七电阻R17的一端连接，所述运算放大器U1的电源输入端用于与接收电源电压，所述运算放大器U1的接地端接地；所述第十七电阻R17的另一端与所述第一二极管D1的正极和所述第二二极管D2的正极连接；所述第一二极管D1的负极用于接收基准电压DC；所述第十八电阻R18的另一端与所述第三电容C3的一端和所述控制器30的信号采样端AD连接；所述第三电容C3的另一端与所述第十九电阻R19的另一端皆接地。

在一些实施例中，所述第一二极管D1和所述第二二极管D2可以封装在一个二极管内，限制二极管的输出电压，起到限幅的作用。

所述输入保护电路50和所述被检测端11、所述第一选择电路101、所述第一采样电路102及所述第二采样电路202连接。

请再次参与图3和图4，所述输入保护电路50包括浪涌保护电路501、滤波电路502及吸收电路503，所述浪涌保护电路501与所述被检测端11连接，所述滤波电路502与所述被检测端11和所述浪涌保护电路501连接，所述吸收电路503与所述被检测端11、所述滤波电路502、所述第一选择电路101、所述第一采样电路102及所述第二采样电路202连接。

可以理解，所述浪涌保护电路501用于吸收雷击产生的浪涌电流，在一些实施例中，所述浪涌保护电路501包括TVS管、气体放电管、PTC电阻、光耦合电路、磁耦合电路等。所述滤波电路502用于滤除杂波，所述吸收电路503用于吸收开机启动的冲击电流，同时，所述吸收电路503还用于防止所述电流电压检测电路200的大电流倒灌至与所述被检测端11连接的所述被检测对象。

其中，所述浪涌保护电路501包括稳压二极管D3，所述滤波电路502包括第四电容C4，所述吸收电路503包括第一电感L1和第二电感L2。所述稳压二极管D3的正极与所述被检测端11、所述第四电容C4的一端及所述第一电感L1的一端连接，所述稳压二极管D3的负极与所述四电容C4的另一端和所述第二电感L2的一端连接，所述第一电感L1的另一端与所述第十六电阻R16的一端连接，所述第二电感L2的另一端接地。

本实用新型实施例提供了一种电流电压检测电路。其中，电流采样电路和电压采样电路分别与被检测端连接，通过控制器根据所述被检测端接收的信号类型，选通电流采样电路或电压采样电路，当电流采样电路被选通时，采样被检测端输入的电流信号，当电压采样电路备选通时，采样被检测端输入的电压。从而，本实用新型实现了单一电路既能采样电流信号又能采样电压信号，从而提升了采样电路的通用性。进一步的，控制器分别与电流采样电路和电压采样电路连接，减少了控制器的使用，降低了成本。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；在本实用新型的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电流电压检测电路，其特征在于，包括电流采样电路、电压采样电路及控制器；

所述电流采样电路和所述电压采样电路分别与被检测端连接，其中，所述被检测端用于接收被检测对象的电流信号或电压信号；

所述电流采样电路还与所述电压采样电路和所述控制器连接，用于当被选通时，采样所述电流信号，输出第一采样信号；

所述电压采样电路还与所述控制器连接，用于当被选通时，采样所述电压信号，输出第二采样信号；

所述控制器用于根据所述被检测端接收的信号类型，选通所述电流采样电路或所述电压采样电路，并接收对应的所述第一采样信号或所述第二采样信号。

2.根据权利要求1所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述电流电压检测电路还包括输入缓冲电路，所述输入缓冲电路与所述电流采样电路、所述电压采样电路及所述控制器连接，所述输入缓冲电路用于对所述第一采样信号或所述第二采样信号进行降衰减处理。

3.根据权利要求2所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述电流采样电路包括第一选择电路和第一采样电路，所述第一选择电路与所述被检测端、所述第一采样电路和所述控制器连接，所述第一采样电路还与所述输入缓冲电路连接。

4.根据权利要求3所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述第一选择电路包括第一电容、第一电阻、第二电阻、第一NPN三极管、第三电阻、第四电阻、第一PNP三极管、第五电阻、第六电阻以及第一MOS管；

所述第一电容的一端与所述控制器的电流采样端、所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述第一电容的另一端接地；

所述第一电阻的另一端接地；

所述第二电阻的另一端与所述第一NPN三极管的基极连接；

所述第一NPN三极管的发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极与所述第三电阻的一端连接；

所述第三电阻的另一端、所述第四电阻的一端、所述第一PNP三极管的基极皆连接于第一节点；

所述第四电阻的另一端用于接收电源电压；

所述第一PNP三极管的发射极与所述第四电阻的另一端连接，所述第一PNP三极管的集电极、所述第五电阻的一端及所述第六电阻的一端皆连接于第二节点；

所述第五电阻的另一端接地；

所述第六电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极连接；

所述第一MOS管的源极与所述第一采样电路和所述电压采样电路连接，所述第一MOS管的漏极与所述被检测端连接；

所述第一采样电路包括第七电阻和第八电阻；

所述第七电阻的一端与所述第一MOS管的源极和所述第八电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述第八电阻的另一端皆接地。

5.根据权利要求4所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第二选择电路和第二采样电路，所述第二选择电路与所述第二采样电路、所述输入缓冲电路及所述控制器连接，所述第二采样电路还与所述被检测端、所述第一采样电路及所述输入缓冲电路连接。

6.根据权利要求5所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述第二选择电路包括第二电容、第九电阻、第十电阻、第二NPN三极管、第十一电阻、第十二电阻、第二PNP三极管、第十三电阻、第十四电阻以及第二MOS管；

所述第二电容的一端与所述控制器的电压采样端、所述第九电阻的一端及所述第十电阻的一端连接，所述第二电容的另一端接地；

所述第九电阻的另一端接地；

所述第十电阻的另一端与所述第二NPN三极管的基极连接；

所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极与所述第十一电阻的一端连接；

所述第十一电阻的另一端、所述第十二电阻的一端、所述第二PNP三极管的基极皆连接于第三节点；

所述第十二电阻的另一端用于接收电源电压；

所述第二PNP三极管的发射极与所述第十二电阻的另一端连接，所述第二PNP三极管的集电极、所述第十三电阻的一端及所述第十四电阻的一端皆连接于第四节点；

所述第十三电阻的另一端接地；

所述第十四电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极连接；

所述第二MOS管的源极与所述第二采样电路和所述输入缓冲电路连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二采样电路连接；

所述第二采样电路包括第十五电阻和第十六电阻；

所述第十五电阻的一端与所述第七电阻的一端、所述第一MOS管的源极及所述第八电阻的一端连接，所述第十五电阻的另一端与所述第二MOS管的源极和所述输入缓冲电路连接；

所述第十六电阻的一端与所述被检测端连接，所述第十六电阻的另一端与所述第二MOS管的漏极连接。

7.根据权利要求6所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述输入缓冲电路包括运算放大器、第十七电阻、第一二极管、第二二极管、第十八电阻、第十九电阻以及第三电容；

所述运算放大器的同相输入端与所述第十五电阻的另一端和所述第二MOS管的源极连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第十九电阻的一端、所述第十八电阻的一端及所述第二二极管的负极连接，所述运算放大器的输出端与所述第十七电阻的一端连接，所述运算放大器的电源输入端用于与接收电源电压，所述运算放大器的接地端接地；

所述第十七电阻的另一端与所述第一二极管的正极和所述第二二极管的正极连接；

所述第一二极管的负极用于接收基准电压；

所述第十八电阻的另一端与所述第三电容的一端和所述控制器的信号采样端连接；

所述第三电容的另一端与所述第十九电阻的另一端皆接地。

8.根据权利要求7所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述电流电压检测电路还包括输入保护电路，所述输入保护电路和所述被检测端、所述第一选择电路、所述第一采样电路及所述第二采样电路连接。

9.根据权利要求8所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述输入保护电路包括浪涌保护电路、滤波电路及吸收电路；

所述浪涌保护电路与所述被检测端连接；

所述滤波电路与所述被检测端和所述浪涌保护电路连接；

所述吸收电路与所述被检测端、所述滤波电路、所述第一选择电路、所述第一采样电路及所述第二采样电路连接。

10.根据权利要求9所述的电流电压检测电路，其特征在于，所述浪涌保护电路包括稳压二极管，所述滤波电路包括第四电容，所述吸收电路包括第一电感和第二电感；

所述稳压二极管的正极与所述被检测端、所述第四电容的一端及所述第一电感的一端连接，所述稳压二极管的负极与所述四电容的另一端和所述第二电感的一端连接，所述第一电感的另一端与所述第十六电阻的一端连接，所述第二电感的另一端接地。

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