CN209947874U - 一种压电传感器 - Google Patents
一种压电传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209947874U CN209947874U CN201920271684.7U CN201920271684U CN209947874U CN 209947874 U CN209947874 U CN 209947874U CN 201920271684 U CN201920271684 U CN 201920271684U CN 209947874 U CN209947874 U CN 209947874U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- piezoelectric
- film
- base
- thickness
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 70
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002353 SrRuO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为0.1‑10μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度小于侧壁的厚度。本实用新型的压电传感器结构简单、体积小、重量轻、且适用于批量化生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压电传感器。
背景技术
压电式传感器是基于压电效应的传感器。压电式传感器可以对各种动态力、机械冲击和振动进行测量，将力或者形变转换成电信号，广泛应用在声学、医学、力学、导航等领域。
锆钛酸铅(PZT)是一种PbZrO3和PbTiO3的混合材料，有着优异的压电特性和介电特性，因此，PZT是现有压电式传感器中应用最广泛的压电材料。其中，PZT中Zr/Ti配比发生变化或者添加一种或者两种其它微量元素(如锑、锡、锰、钨等)，其性能也会发生改变。
PZT压电加速度传感器是PZT压电传感器中的一种。它主要分为压缩和剪切两大类，压缩式传感器与剪切型相比具有更高的响应频率。图1是传统单轴压缩式压电加速度传感器的结构示意图，传统单轴压缩式压电加速度传感器包括中心柱1、压电片2、质量块3、预压弹簧4、固定部件5、外壳6和底座7。
现有的压电片2为压电陶瓷片，由压电陶瓷粉末压制烧结而成，由于粉末的颗粒比较大，烧制成的压电陶瓷片中不可避免的存在空隙，而且材料组成、密度、厚度也存在偏差。为了减小不均匀性，在使用前，需要对每个压电陶瓷片进行打磨处理，但也仍然存在不均匀性。此外，压电陶瓷片比较脆，特别是在厚度比较薄的情况下，一旦用力不均容易造成毁坏性破碎。为了防止破碎，现有压电陶瓷片的厚度一般在0.1mm以上。由于器件的本征共振频率与材料的厚度成反比，增加压电陶瓷片的厚度，会降低器件的共振频率，减小器件的使用频率范围，现有压电传感器的共振频率只有60kHz。
此外，由于压电陶瓷片各部件的材料不同，密度分布也不尽相同，而且机械加工存在误差，所以中心柱的位置很难与各部件的质量中心重合，从而产生偏心现象。
进一步地，由于中心柱的存在，加大了部件的尺寸及质量，现有压电传感器的一般外径在9mm，重量在5g以上，从而限制了器件的使用。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种压电传感器，结构简单、体积小、重量轻、且适用于批量化生产。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为0.1-10μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度小于侧壁的厚度。
作为上述方案的改进，所述顶部厚度为侧壁厚度的20％-95％。
作为上述方案的改进，所述连接件为弹性件。
作为上述方案的改进，所述支撑体由不产生电荷的硬质材料制成，或者由产生电荷数量小于压电薄膜产生电荷数量的硬质材料制成，所述支撑体的厚度为0.05-2mm。
作为上述方案的改进，所述压电薄膜由Pb、Zr、Ti、Ba、Fe、Bi、Nb、Sr、La、Mn、Co、B、Ni、Li、Na、K、Sn和Si中的一种制成。
作为上述方案的改进，所述压电薄膜为PZT薄膜、BaTiO薄膜、BiFeO3薄膜、BaSrO3薄膜、LiNbO3薄膜、KNbO3薄膜或LiTaO3薄膜。
作为上述方案的改进，所述第一电极和第二电极由Au、Ti、Pt、Ir、Ni、La、Ni、Ru、Sr、Ag、Cr、Al、Cu中的一种制成。
作为上述方案的改进，所述质量块由铜、钨或钨铜制成。
作为上述方案的改进，所述第一粘胶层和第二粘胶层由硅橡胶、环氧树脂胶、丙烯酸酯胶和聚氨酯胶中的一种制成。
作为上述方案的改进，所述底座和外壳由不锈钢、Ti、Al和Cu中的一种制成。
实施本实用新型，具有如下有益效果：
1、本实用新型的压电传感器通过在支撑体上形成压电薄膜，并配合第一电极和第二电极以形成压电薄膜层，用于替代传统的压电陶瓷片，可以大大减少器件的尺寸，此外，本实用新型通过形成压电薄膜层，并通过第一胶粘层和第二胶粘层将压电薄膜层、质量块和基底形成连接，不需要设置中心柱，可以避免传统压缩型加速度传感器的质量偏心的问题，减少机械部件，进一步调高器件的共振频率和均匀性。
2、本实用新型将外壳的顶部厚度设置成小于侧壁的厚度，可以减少外壳顶部对压电薄膜层压力，减少外壳对压电薄膜层的共振影响，从而提高压电传感器的共振频率，进而增加压电传感器的适用范围。
3、本实用新型的支撑体还可以减小胶粘层或底座在温度变化或者形状变化下对压电薄膜的影响，保证测量结果的准确性。
4、与现有的压电陶瓷片相比，本实用新型的压电薄膜层采用支撑体这种结构，致使压电薄膜能够在大面积的载体上形成，不仅能够提高生产效率，还能够提高压电薄膜的均匀性，使压电薄膜的厚度误差控制在±5％以内，表面粗糙度在nm量级，与现有的机械加工方式相比，本实用新型的压电薄膜在均匀性方面具有较大的改善。
5、由于本实用新型的压电薄膜是形成在支撑体上，所以本实用新型压电薄膜的厚度可以控制在0.1-10μm范围内，其厚度仅为传统压电陶瓷片厚度的1/10以下，因此可以大幅提高器件的本征振动频率，扩大器件的使用范围。此外，本实用新型压电薄膜的厚度非常小，可以减少横向运动导入的误差。
6、本实用新型的压电传感器采用的压电薄膜层是在大尺寸的压电薄膜材料中切割出来的，因此各个小片的压电薄膜性能相近，横向尺寸误差可以控制在1％以下的μm量级，有利于压电传感器的批量化生产。
附图说明
图1是传统单轴压缩式压电加速度传感器的结构示意图；
图2是本实用新型压电传感器的结构示意图；
图3是本实用新型压电薄膜层的结构示意图；
图4是本实用新型实施例1、实施例2、对比例1和对比例2的共振频率测试示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
参见图2，本实用新型提供的一种稳定压电传感器，包括底座1、设置在底座1上的第一胶粘层2、设置在第一胶粘层2上的压电薄膜层3、设置在压电薄膜层3上的第二胶粘层4、设置在第二胶粘层4上的质量块5、以及盖设在底座1上的外壳6。
具体的，所述第一胶粘层2、压电薄膜层3、第二胶粘层4和质量块5设置在底座1和外壳6形成的容置腔内。
所述外壳6包括顶部61和侧壁62，所述顶部61位于底座1的上方，所述侧壁62与顶部61和底座1连接，所述质量块5与顶部61之间设有连接件7，所述顶部61的厚度小于侧壁62的厚度。
参见图3，所述压电薄膜层3包括支撑体31、设置在支撑体31上的第一电极32、设置在第一电极32上的压电薄膜33、以及设置在压电薄膜33上的第二电极34，其中，所述压电薄膜33的厚度为0.1-10μm。
所述压电薄膜层3还包括绝缘层(图中未示出)，所述绝缘层覆盖在压电薄膜33的表面和侧壁。
所述支撑体31由硬质材料制成，在传感器的工作过程内，支撑体31不产生电荷或者产生的电荷数量小于压电薄膜产生的电荷数，这样在动作过程中，可以避免或者减少由支撑体产生的电荷所引入的影响。优选的，所述支撑体31的材料为Si、Al2O3或SiO2。
本实用新型的支撑体31用于减小胶粘层或底座在温度变化或者形状变化下对压电薄膜的影响，保证测量结果的准确性。其中，支撑体31的厚度为0.05-2mm。支撑体31的厚度小于0.05mm，支撑体在胶粘固定过程中容易变形，从而影响压电薄膜的压电特性；支撑体31的厚度大于2mm时，其效果不再明显，反而会增加器件的尺寸和重量。优选的，支撑体31的厚度为0.1-1mm。具体的，支撑体的厚度为0.05mm、0.1mm、0.3mm、0.5mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm或2mm。
需要说明的是，本实用新型的压电薄膜33采用物理或者化学沉积方式在大面积的支撑体31上形成，其中，支撑体31的尺寸可以为4寸、6寸或8寸。具体的，可以采用磁控溅射法、水热法、电化学法、溶胶-凝胶法、有机化学气相沉积、脉冲激光沉积法或高压粉粒喷射衬底法在支撑体上形成大面积的压电薄膜。
与现有的压电陶瓷片相比，本实用新型的压电薄膜层3采用支撑体这种结构，致使压电薄膜33能够在大面积的载体上形成，不仅能够提高生产效率，还能够提高压电薄膜33的均匀性，使压电薄膜33的厚度误差控制在±5％以内，表面粗糙度在nm量级，与现有的机械加工方式相比，本实用新型的压电薄膜在均匀性方面具有较大的改善。
由于本实用新型的压电薄膜33是形成在支撑体31上，所以本实用新型压电薄膜33的厚度可以控制在0.1-10μm范围内，其厚度仅为传统压电陶瓷片厚度的1/10以下，因此可以大幅提高器件的本征振动频率，扩大器件的使用范围，本实用新型压电传感器的振动频率可达100kHz。由于图1中的传感器采用了较厚的压电陶瓷片，因此会产生横向运动导入的误差此外，而本实用新型压电薄膜33的厚度非常小，因此可以减少横向运动导入的误差。优选的，所述压电薄膜33的厚度为0.3-5μm。具体的，所述压电薄膜33的厚度为0.1μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm、1μm、1.5μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm。
所述压电薄膜33由Pb、Zr、Ti、Ba、Fe、Bi、Nb、Sr、La、Mn、Co、B、Ni、Li、Na、K、Sn和Si中的一种制成。
优选的，所述压电薄膜33为PZT薄膜、BaTiO薄膜、BiFeO3薄膜、BaSrO3薄膜、LiNbO3薄膜、KNbO3薄膜或LiTaO3薄膜。
本实用新型的压电传感器通过在支撑体上形成压电薄膜，并配合第一电极和第二电极以形成压电薄膜层，用于替代传统的压电陶瓷片，可以大大减少器件的尺寸，此外，本实用新型通过形成压电薄膜层，并通过第一胶粘层和第二胶粘层将压电薄膜层、质量块和基底形成连接，不需要设置中心柱，可以避免传统压缩型加速度传感器的质量偏心的问题，减少机械部件，进一步调高器件的共振频率和均匀性。
其次，本实用新型的压电传感器采用的压电薄膜是在大尺寸的压电薄膜中切割出来的，因此各个小片的压电薄膜性能相近，横向尺寸误差可以控制在1％以下的微米量级，有利于压电传感器的批量化生产，具体的，压电薄膜如采用方形切割，边长可以不到5mm，组装后，本实用新型压电传感器的重量可以降到3g。
再次，本实用新型将外壳6的顶部厚度设置成小于侧壁的厚度，可以减少外壳顶部对压电薄膜层压力，减少外壳对压电薄膜层的共振影响，从而提高压电传感器的共振频率，进而增加压电传感器的适用范围。
优选的，所述顶部61厚度为侧壁厚度的20％-95％。
需要说明的是，所述第一电极32和第二电极34由Au、Ti、Pt、Ir、Ni、La、Ni、Ru、Sr、Ag、Cr、Al、Cu中的一种制成。在本实用新型的其他实施例中，第一电极32和第二电极34还可以由SrRuO3、LaNiO3、InTiO3等氧化物导电材料制成。
其中，所述底座1由轻质的金属制成。优选的，所述底座1和外壳6由不锈钢、Ti、Al和Cu中的一种制成，但不限于此。所述连接件7优选为弹性件。
优选的，所述质量块5由铜、钨或钨铜制成。所述第一粘胶层2和第二粘胶层4由硅橡胶、环氧树脂胶、丙烯酸酯胶和聚氨酯胶中的一种或几种制成。
下面将以具体实施例来进一步阐述本发明
实施例1
一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为3μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度为0.25mm，所述侧壁的厚度为1mm。
实施例2
一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为3μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度为0.5mm，所述侧壁的厚度为1mm。
对比例1
一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为3μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度为1mm，所述侧壁的厚度为1mm。
对比例2
一种压电传感器，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为3μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度为1.5mm，所述侧壁的厚度为1mm。
将实施例1、实施例2、对比例1和对比例2的压电传感器进行共振频率测试，结果见图4。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种压电传感器，其特征在于，包括底座、设置在底座上的第一胶粘层，设置在第一胶粘层上的压电薄膜层、设置在压电薄膜层上的第二胶粘层、设置在第二胶粘层上的质量块、以及盖设在底座上的外壳，所述压电薄膜层包括支撑体，依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极，所述压电薄膜的厚度为0.1-10μm，所述外壳包括顶部和侧壁，所述顶部位于底座的上方，所述侧壁与顶部和底座连接，所述质量块与顶部之间设有连接件，所述顶部的厚度小于侧壁的厚度。
2.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述顶部厚度为侧壁厚度的20％-95％。
3.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述连接件为弹性件。
4.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述支撑体由不产生电荷的硬质材料制成，或者由产生电荷数量小于压电薄膜产生电荷数量的硬质材料制成，所述支撑体的厚度为0.05-2mm。
5.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述压电薄膜由Pb、Zr、Ti、Ba、Fe、Bi、Nb、Sr、La、Mn、Co、B、Ni、Li、Na、K、Sn和Si中的一种制成。
6.如权利要求5所述的压电传感器，其特征在于，所述压电薄膜为PZT薄膜、BaTiO薄膜、BiFeO3薄膜、BaSrO3薄膜、LiNbO3薄膜、KNbO3薄膜或LiTaO3薄膜。
7.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述第一电极和第二电极由Au、Ti、Pt、Ir、Ni、La、Ni、Ru、Sr、Ag、Cr、Al、Cu中的一种制成。
8.如权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，所述质量块由铜、钨或钨铜制成。
9.如权利要求1所述的高频率压电传感器，其特征在于，所述第一粘胶层和第二粘胶层由硅橡胶、环氧树脂胶、丙烯酸酯胶和聚氨酯胶中的一种制成。
10.如权利要求1所述的高频率压电传感器，其特征在于，所述底座和外壳由不锈钢、Ti、Al和Cu中的一种制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920271684.7U CN209947874U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一种压电传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920271684.7U CN209947874U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一种压电传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209947874U true CN209947874U (zh) | 2020-01-14 |
Family
ID=69124624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920271684.7U Active CN209947874U (zh) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 一种压电传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209947874U (zh) |
-
2019
- 2019-03-04 CN CN201920271684.7U patent/CN209947874U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3521499B2 (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| US5210455A (en) | Piezoelectric/electrostrictive actuator having ceramic substrate having recess defining thin-walled portion | |
| US4443729A (en) | Piezoceramic bender element having an electrode arrangement suppressing signal development in mount region | |
| CN1780009B (zh) | 压电/电致伸缩设备 | |
| EP1603173B1 (en) | Piezoelectric/Electrostrictive film-type device | |
| WO2006059856A1 (en) | Piezoelectric vibrator with multi acting vibrator | |
| JP6908322B2 (ja) | 圧電素子 | |
| US8128834B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive porcelain composition and piezoelectric/electrostrictive element | |
| CN105140387A (zh) | 一种挠曲电压电复合材料 | |
| JP4511407B2 (ja) | 圧電音響発生装置 | |
| JPH11211748A (ja) | 機械−電気変換子及びその製造方法並びに加速度センサ | |
| CN210142660U (zh) | 一种压电传感器 | |
| CN209947874U (zh) | 一种压电传感器 | |
| CN209947875U (zh) | 一种压电传感器 | |
| CN209706830U (zh) | 一种小体积压电传感器 | |
| CN209542649U (zh) | 一种压电传感器 | |
| CN109459068A (zh) | 一种高精度压电传感器 | |
| KR20050114163A (ko) | 압전성 단결정을 이용한 압전형 패널 스피커 | |
| CN209542648U (zh) | 一种压电传感器 | |
| JP2004186436A (ja) | 圧電／電歪膜型素子 | |
| JP3419327B2 (ja) | 磁器材料及び超音波探触子及び圧電振動子及びそれらの製造方法 | |
| JP2000317898A (ja) | 圧電／電歪デバイス | |
| JP3138190B2 (ja) | 複合圧電体および複合圧電振動子 | |
| JP2000183413A (ja) | 変位素子及びその作製方法 | |
| KR101877505B1 (ko) | 압전 진동 장치 및 이를 구비하는 전자기기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |