CN209896051U - 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置 - Google Patents
一种集成电路与微机电系统的直接键合装置 Download PDFInfo
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Abstract
一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池，平坦化氧化层，对准金属接触部分，金属互连部分，焊点；平坦化氧化层与带有导电连接和密封的对准金属接触部分在低温直接键合，实现金属互连部分与高气密性的结合，金属互连部分和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点位于金属互连部分上。本实用新型的优点：本实用新型所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，原理结构简单，工艺稳定，提高了产品可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器领域，特别涉及了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置。
背景技术
传感器领域，可靠性是产品的根本，也是很难保证的问题，为了提高可靠性和产品性能，需要结构合理、工艺稳定的传感器。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了提升产品的可靠性，特提供了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置。
本实用新型提供了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池1，平坦化氧化层2，对准金属接触部分3，金属互连部分4，焊点5；
平坦化氧化层2与带有导电连接和密封的对准金属接触部分3在低温直接键合，实现金属互连部分4与高气密性的结合，金属互连部分4和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点5位于金属互连部分4上。
所述的平坦化氧化层2上带有用于导电连接和密封的校准金属层。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，在顶部填充太阳能电池和天线，提高集成度。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，平坦化氧化层表面上带有用于导电连接和密封的校准金属层，表面清洗或活化，校准，然后低温键合；金属能是合金、焊料或纯金属键合在一起。
低温键合前：平坦化氧化层1对准金属接触部分2，分别将CMOS晶圆和MEMS晶圆氧化层和金属表面进行平坦化处理，提高接触表面的平整度，为下一步的低温键合做准备；低温直接键合方式可以将金属互连部分与气密性相结合。
低温键合后：对准金属接触部分点选择合金、焊料或纯金属，在<400℃下实现直接键合。在键合和减薄工艺后，利用深反应离子刻蚀技术，刻出硅通孔；接触金属进行金属填充，为芯片添加引线；凸起点接触，焊点用以与PCB板连接；填充太能电池，太阳能电池在顶部通过深反应离子刻蚀，刻出深孔，填充太阳能电池或薄膜电池。
本实用新型的优点：
本实用新型所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，原理结构简单，工艺稳定，提高了产品可靠性。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
图1为直接键合CMOS-MEMS结构示意图；
图2为低温键合前示意图；
图3为低温键合后示意图；
图4为深硅刻蚀示意图；
图5为金属填充示意图；
图6为凸起点接触示意图。
具体实施方式
实施例1
本实用新型提供了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池1，平坦化氧化层2，对准金属接触部分3，金属互连部分4，焊点5；
平坦化氧化层2与带有导电连接和密封的对准金属接触部分3在低温直接键合，实现金属互连部分4与高气密性的结合，金属互连部分4和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点5位于金属互连部分4上。
所述的平坦化氧化层2上带有用于导电连接和密封的校准金属层。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，在顶部填充太阳能电池和天线，提高集成度。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，平坦化氧化层表面上带有用于导电连接和密封的校准金属层，表面清洗或活化，校准，然后低温键合；金属能是合金、焊料或纯金属键合在一起。
低温键合前：平坦化氧化层1对准金属接触部分2，分别将CMOS晶圆和MEMS晶圆氧化层和金属表面进行平坦化处理，提高接触表面的平整度，为下一步的低温键合做准备；低温直接键合方式可以将金属互连部分与气密性相结合。
低温键合后：对准金属接触部分点选择合金、焊料或纯金属，在<400℃下实现直接键合。在键合和减薄工艺后，利用深反应离子刻蚀技术，刻出硅通孔；接触金属进行金属填充，为芯片添加引线；凸起点接触，焊点用以与PCB板连接；填充太能电池，太阳能电池在顶部通过深反应离子刻蚀，刻出深孔，填充太阳能电池或薄膜电池。
实施例2
本实用新型提供了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池1，平坦化氧化层2，对准金属接触部分3，金属互连部分4，焊点5；
平坦化氧化层2与带有导电连接和密封的对准金属接触部分3在低温直接键合，实现金属互连部分4与高气密性的结合，金属互连部分4和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点5位于金属互连部分4上。
所述的平坦化氧化层2上带有用于导电连接和密封的校准金属层。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，平坦化氧化层表面上带有用于导电连接和密封的校准金属层，表面清洗或活化，校准，然后低温键合；金属能是合金、焊料或纯金属键合在一起。
低温键合前：平坦化氧化层1对准金属接触部分2，分别将CMOS晶圆和MEMS晶圆氧化层和金属表面进行平坦化处理，提高接触表面的平整度，为下一步的低温键合做准备；低温直接键合方式可以将金属互连部分与气密性相结合。
低温键合后：对准金属接触部分点选择合金、焊料或纯金属，在<400℃下实现直接键合。在键合和减薄工艺后，利用深反应离子刻蚀技术，刻出硅通孔；接触金属进行金属填充，为芯片添加引线；凸起点接触，焊点用以与PCB板连接；填充太能电池，太阳能电池在顶部通过深反应离子刻蚀，刻出深孔，填充太阳能电池或薄膜电池。
实施例3
本实用新型提供了一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池1，平坦化氧化层2，对准金属接触部分3，金属互连部分4，焊点5；
平坦化氧化层2与带有导电连接和密封的对准金属接触部分3在低温直接键合，实现金属互连部分4与高气密性的结合，金属互连部分4和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点5位于金属互连部分4上。
所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，平坦化氧化层表面上带有用于导电连接和密封的校准金属层，表面清洗或活化，校准，然后低温键合；金属能是合金、焊料或纯金属键合在一起。
低温键合前：平坦化氧化层1对准金属接触部分2，分别将CMOS晶圆和MEMS晶圆氧化层和金属表面进行平坦化处理，提高接触表面的平整度，为下一步的低温键合做准备；低温直接键合方式可以将金属互连部分与气密性相结合。
低温键合后：对准金属接触部分点选择合金、焊料或纯金属，在<400℃下实现直接键合。在键合和减薄工艺后，利用深反应离子刻蚀技术，刻出硅通孔；接触金属进行金属填充，为芯片添加引线；凸起点接触，焊点用以与PCB板连接；填充太能电池，太阳能电池在顶部通过深反应离子刻蚀，刻出深孔，填充太阳能电池或薄膜电池。
Claims (3)
1.一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池(1)，平坦化氧化层(2)，对准金属接触部分(3)，金属互连部分(4)，焊点(5)；
平坦化氧化层(2)与带有导电连接和密封的对准金属接触部分(3)在低温直接键合，实现金属互连部分(4)与高气密性的结合，金属互连部分(4)和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点(5)位于金属互连部分(4)上,太阳能电池(1)在顶部，通过深反应离子刻蚀，刻出深孔，填充太阳能电池或薄膜电池。
2.按照权利要求1所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的平坦化氧化层(2)上带有用于导电连接和密封的校准金属层。
3.按照权利要求1所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，其特征在于：所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置，在顶部填充太阳能电池(1)和天线。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920775798.5U CN209896051U (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920775798.5U CN209896051U (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209896051U true CN209896051U (zh) | 2020-01-03 |
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ID=69021203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920775798.5U Active CN209896051U (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209896051U (zh) |
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2019
- 2019-05-28 CN CN201920775798.5U patent/CN209896051U/zh active Active
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