CN209821427U

CN209821427U - 光学器件

Info

Publication number: CN209821427U
Application number: CN201920320967.6U
Authority: CN
Inventors: S·盖尔贝; C·鲍多特
Original assignee: Italian Semiconductor (clore 2) Co
Current assignee: Italian Semiconductor (clore 2) Co; STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Priority date: 2018-03-15
Filing date: 2019-03-14
Publication date: 2019-12-20
Anticipated expiration: 2029-03-14
Also published as: CN110275245A; FR3079036A1; CN110275245B; US20190285799A1; US11169325B2

Abstract

本实用新型的实施例涉及一种光学器件。一种光学波导，其被配置为传播光信号。金属通孔被布置为沿着光学波导的一部分的任一侧并且在该光学波导的该部分的任一侧上。附加金属通孔被进一步布置为在该光学波导的该部分的上游和下游、沿着光学波导任一侧并且在光学波导的任一侧上。金属通孔和附加金属通孔被定向为与相同平面正交，该相同平面与该光学波导的该部分的横向截面正交。

Description

光学器件

技术领域

本公开涉及波导领域，并且更特别地涉及用于集成光子(光学和/或光电)电路的波导。

背景技术

在集成光子电路中，光信号可以通过波导传输。当前，波导的横向截面的尺寸被选择使得信号的给定光学模式是传播通过波导的引导模式，该给定光学模式通常是横电(TE)和/或横磁(TM)基本模式。然而，在这样的引导模式传播通过波导时，波导材料中的不均匀性和/或波导几何形状的变化，例如在波导呈现弯曲或被耦合到另一波导时，可能导致波导中的寄生光学模式的发生，即，在引导模式是基本模式时高阶光学模式的发生。这样的寄生模式可能干扰集成电路的工作，特别是由于它们不被引导并且辐射到波导的外部。

为了避免这样的干扰，波导可以与寄生模式滤光器件相关联。这样的滤光器件应该具有对引导光学模式的传输的相对有限的影响，或甚至是没有影响。

期望具有一种用于滤除传播通过波导的信号的寄生模式的器件，其至少克服已知的滤光器件的一些缺点。特别地，期望具有这样的用于波导的滤光器件，该波导被形成在集成光子电路的互连结构的绝缘层中。

实用新型内容

本实用新型是为了避免在光信号传播通过波导时，波导中发生的寄生光学模式干扰集成电路的工作。

根据一个实施例，一种光学器件包括：光学波导，光信号传播通过光学波导；以及由多个金属通孔形成的滤光器件，多个金属通孔被布置为沿着光学波导的一部分的任一侧并且在光学波导的部分的任一侧上，并且被配置为滤除从光学波导辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，光学波导的部分的横向截面的尺寸基本上等于与待传播通过光学波导的光信号的引导光学模式的最小有效面积相对应的横向截面的尺寸。

根据一个实施例，金属通孔被配置为吸收待传播通过光学波导的光信号的引导光学模式的少于5％的功率。

根据一个实施例，在与金属通孔正交的平面中，金属通孔与波导的部分之间的距离短于最大距离，超过最大距离，光信号传播通过光学波导的寄生光学模式的功率小于-60dB。

根据一个实施例，在与金属通孔正交的平面中，金属通孔与波导的部分之间的距离短于最大距离，最大距离等于1.7μm。

根据一个实施例，光学器件还包括在光学波导的部分的上游和下游、沿着光学波导的任一侧并且在光学波导的任一侧上的附加金属通孔。

根据一个实施例，在光学波导的部分的上游和下游、沿着光学波导走向的附加金属通孔被配置为使得待传播通过波导的光信号的引导光学模式的有效折射率朝向光学波导的部分逐渐变化。

根据一个实施例，金属通孔与相同平面正交，相同平面与波导的部分的横向截面正交。

根据一个实施例，光学器件还包括平行于与金属通孔正交的平面的金属条带，金属条带被布置为至少部分地与光学波导的部分相对，并且被配置为在光信号传播通过光学波导时至少部分地吸收从光学波导的部分辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，光学器件还包括在由光学波导传输的光信号的波长处吸收的材料的条带，吸收材料的条带平行于与金属通孔正交的平面，吸收材料的条带至少部分地被布置为与光学波导的部分相对，并且被配置为在光信号传播通过光学波导时至少部分地吸收从光学波导的部分辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，沿着光学波导的部分走向的金属通孔被配置为在光信号传播通过光学波导时至少部分地吸收从光学波导的部分辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，光学波导的部分在光学波导的两个附加部分之间延伸，两个附加部分被配置为使得待传播通过光学波导的光信号的引导光学模式的有效折射率朝向光学波导的部分逐渐变化。

根据一个实施例，光学器件还包括互连结构，其中光学波导被嵌入在互连结构的绝缘层中。

根据一个实施例，波导由氮化硅制成，并且绝缘层由氧化硅制成。

根据一个实施例，一种光学器件包括：光学波导；多个金属通孔，多个金属通孔被布置为沿着光学波导的一部分的任一侧并且在光学波导的部分的任一侧上；以及多个附加金属通孔，多个附加金属通孔被布置为在光学波导的部分的上游和下游、沿着光学波导的任一侧并且在光学波导的任一侧上延伸；其中，多个附加金属通孔被配置为使得待传播通过光学波导的光信号的引导光学模式的有效折射率朝向光学波导的部分逐渐变化。

根据一个实施例，金属通孔和附加金属通孔具有正交于相同平面而延伸的长度，相同平面与光学波导的部分的横向截面正交。

根据一个实施例，光学器件还包括平行于与金属通孔和附加金属通孔正交的平面而延伸的金属条带，金属条带被定位在至少部分地与光学波导的部分相对的位置处，并且被配置为在光信号传播通过波导时至少部分地吸收从光学波导的部分辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，金属条带被定位在光学波导的部分的上方。

根据一个实施例，光学器件还包括材料条带，材料条带平行于与金属通孔和附加金属通孔正交的平面而延伸，条带被定位在至少部分地与光学波导的部分相对的位置处，并且被配置为在光信号传播通过波导时至少部分地吸收从波导的部分辐射的寄生光学模式。

根据一个实施例，条带被定位在光学波导的部分的下方。

根据一个实施例，沿着光学波导的部分走向的金属通孔被配置为在光信号传播通过波导时至少部分地吸收从波导的部分辐射的寄生光学模式。

本实用新型能够达到以下技术效果：其能够滤除传播通过波导的信号的寄生模式，同时对引导光学模式的传输具有相对有限的影响，或甚至是没有影响，从而避免干扰集成电路的工作。

附图说明

在下面对特定实施例的非限制性描述中，将结合附图详细讨论前述的和其他的特征和优点，在附图中：

图1是集成光子电路的示例的简化截面视图；

图2A和图2B示意性地示出了滤光器件的实施例；以及

图3A和图3B示意性地示出了图2A和图2B的器件的备选实施例。

具体实施方式

在各个附图中，相同的元件用相同的附图标记表示，并且各个附图未按比例绘制。为了清楚，仅示出了并且详细描述了对理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。特别地，没有描述可以提供滤光器件的集成光子电路，下文描述的滤光器件与通常的光子电路的波导兼容。

在以下描述中，在提及表示绝对位置(例如术语“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“左”、“右”等)或相对位置(例如术语“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)的术语，或表示方向的术语(例如术语“水平”、“垂直”等)时，指的是附图的定向。在本文中，术语“近似”、“基本上”、“约”和“量级”用于表示讨论中的值的正10％或负10％的公差，优选地(但不是必须地)是正5％或负5％。

在下面的描述中，在提及波导的横向截面时，横向截面与波导的纵向方向正交。

图1是集成光子电路的局部简化截面视图。

集成光子电路包括各种光电和/或光学元件，例如，由绝缘体上硅结构(SOI)类型的半导体层5形成的相位调制器1和耦合网络3，该半导体层5被放置在绝缘层7上，绝缘层7被布置在诸如硅衬底的支撑层9上。电路的部件1、3被布置在绝缘层7上并且被绝缘层11覆盖。

互连结构13涂覆层11，以将电路部件电耦合在一起，和/或以接触例如被布置在互连结构13的上表面的层级处的接触焊盘15。互连结构13包括由绝缘层19隔开的金属层的部分17，以及跨特定绝缘层19以将部分17和集成电路部件和/或接触焊盘15电耦合在一起的金属通孔21。在该示例中，互连结构13包括四个金属化层级，每个金属化层级包括相同金属层的部分17。

例如具有矩形截面的波导23被布置在层19中，层19将光子电路的部件1、3和互连结构的下部金属化层级隔开，即和最接近这些部件的金属化层级隔开。

作为示例，在以下描述中，考虑如下波导：该波导包括垂直于其纵向方向的矩形横向截面，该横向截面具有在波导的两个侧向(侧)表面之间测量的宽度，并且具有在波导的上表面和外表面之间测量的高度。还被考虑为示例的是：波导被配置为引导具有在近红外范围内的一个波长或多个波长的光信号的电横向和/或磁横向基本模式，该波长例如在1μm至2μm的范围内，优选地约等于1.3μm或约1.55μm，例如等于1.3μm或1.55μm。

图2A和图2B示意性地示出了与图1的波导23相关联的滤光器件的实施例。图2A是该器件的顶视图，图2B是图2A的平面B-B中的截面视图。

纵长上，波导23包括部分23A和部分23C之间的部分23B，部分23A、23B和23C(由图2A和图2B中的垂直虚线界定)两两接触(即，它们是相邻结构)。在该示例中，部分23A、23B和23C具有相同的高度(在图1和图2A中被垂直测量)。此外，这里的部分23B沿其整个长度具有恒定的横向截面(宽度)。

部分23B的横向截面的尺寸基本上等于与用于所考虑的引导光学模式的最小有效面积相对应的横向截面的尺寸，即，该光学模式的最大约束，其中，如本示例中的高度的情况，这些尺寸中的一个可以是固定的。光学模式的有效面积A_eff被定义为：

其中x和y是横向平面中波导的尺寸(这里是波导的宽度和高度)，并且E是所考虑的光学模式的电场分布。

通孔21B沿着部分23B的长度被布置在部分23B的任一侧。在该示例中，多个通孔21B被布置为沿着部分23B的侧向表面中的每个。例如，在该示例中，通孔21B基本上与图2A的平面正交，即，与正交于通孔21B的平面正交并且与波导23的横向截面正交。优选地，通孔21B至少沿着部分23B的整个高度纵长地延伸。优选地，在图2A的平面中，基本上恒定的距离，优选恒定的距离，将两个连续的通孔21B隔开。

这里，优点来自于以下事实：通孔21B可以与互连结构13的下部金属化层级和光子电路的部件之间的通孔21(图1)等同。因此，通孔21B和通孔21可以被同时形成，而无需提供与图1的电路的制造中使用的那些制造步骤有关的附加制造步骤。

优选地，通孔21B被布置在距部分23B一定距离处，使得当光信号在部分23B中传播时，通孔21B吸收所考虑的引导模式的功率的最小量，例如小于5％，优选地小于1％。通孔21B被布置在距部分23B一定距离处，使得当光信号在部分23B中传播时，从部分23B辐射的，特别是从部分23B的侧向表面辐射的寄生模式的功率的全部或部分被通孔21B吸收。例如，在图2A的平面中，通孔21B被布置在距离波导23一定距离处，该距离短于或等于最大距离，超过该最大距离，则认为通孔不再具有对要被滤除的(多个)辐射寄生模式的影响，例如超过该最大距离，所考虑的(多个)寄生模式的功率小于约-60dB，优选地小于-60dB。作为示例，最大距离约等于1.7μm，更优选地等于1.7μm。

因此，当光信号在部分23B中传播时，由于引导模式在部分23B中的约束，其相对少地被通孔21B干扰。此外，随着信号通过部分23B，要被滤除的寄生模式的功率减少，这是由于以下事实：寄生模式从该部分辐射并且其至少部分地被通孔21B吸收。因此，寄生模式由部分23B和通孔21B滤除。

在图2A和图2B所示的实施例中，部分23A和部分23C中的每个的横向截面面积朝向部分23B减小。换句话说，横向截面的至少一个尺寸始终减小，直到端25，在该示例中，该尺寸是横截面的宽度。实际上，通常选择具有以下尺寸的横向界面的波导23：这里，该尺寸是宽度，其大于部分23B的尺寸以限制传播损失，该传播损失在与用于所考虑的引导光学模式的最小有效面积相对应的横向截面中较大。

在该实施例中，通孔21A被布置在部分23B的上游、在波导23的任一侧上并且沿着波导23，例如，在部分23A的任一侧上并且沿着部分23A；并且通孔21C被布置在部分23B下游、在波导的任一侧上并且沿着波导，例如在部分23C的任一侧上并且沿着部分23C。更特别地，在该示例中，多个通孔21A被布置为沿着部分23A的每个侧向表面，并且多个通孔21C被布置为沿着部分23C的每个侧向表面。优选地，多个通孔21A和21C被布置为多个通孔23B的扩展。通孔21A和21C例如基本上与图2A的平面正交。优选地，通孔21A和23C与通孔21B等同，并且然后可以与通孔21(图1)同时形成。作为示例，在图2A的平面中，基本上恒定的距离，优选地恒定的距离，将两个连续的通孔21A或21C隔开，该距离例如等于将两个连续的通孔21B隔开的距离。

优选地，部分23A的尺寸和/或通孔21A相对于部分23A的布置使得在部分23A中朝向部分23B传播的光学模式的有效折射率始终逐渐变化，直到部分23B。类似地，部分23C的尺寸和/或通孔21C相对于部分23C的布置优选地使得在部分23C中从部分23B传播的光学模式的有效折射率从部分23B逐渐变化。光学模式的光学折射率被限定为该光学模式的传播常数与在所考虑的波长处的真空中的波矢量的比率。有效折射率始终逐渐变化直到部分23B实现了降低由部分23B反射的引导光学模式的功率，并且限制或甚至抑制器件中的寄生光学模式的发生。作为示例，在图2A的平面中，通孔21A和部分23A以及通孔21C和部分23C之间的各自的距离随着距部分23B的距离的增加而增加，通孔21A和21C例如被布置为遵循圆函数的轮廓。

部分23A、23B和23C的尺寸以及通孔23A、23B和23C相对于这些部分的布置可以由本领域技术人员基于上文提供的功能性指示来确定。为此目的，本领域技术人员可以使用仿真工具，例如，利用有限差分时域计算(FDTD)的仿真工具。这样的仿真工具的一个示例由名为“Lumerical”的公司提供。

图3A和图3B示意性地示出了图2A和图2B的器件的备选实施例，图3A是顶视图，并且图3B是沿图3A的平面BB的截面视图。

与图2A和图2B的器件相比，图3A和图3B的器件还包括由吸收在所考虑的波长处的光的材料制成的条带27(图3A中未示出)，例如由锗、掺杂硅、或硅化物制成。条带27被布置为至少部分与部分23B相对，在本示例中，在部分23B下方与部分23B的下表面相对。这里，条带27平行于图3A的平面，即，与通孔21B正交且与波导的横向截面正交的平面。条带27平行于部分23B的纵向方向纵长地延伸、沿着部分23B的长度的全部或部分延伸、至少沿着部分23B的整个长度延伸。

这里，优点来自于以下事实：条带27可以由已经存在于波导23下方的半导体层5(图1)形成。例如，锗条带27可以由来自层5的外延形成。然后，例如在层5的部分由硅制成时，可以通过掺杂层5的部分来形成掺杂硅条带27。例如，硅化物条带27可以由层5的部分的硅化来形成。因此，与制造图1中的电路中已经使用的那些步骤相比，条带27可以通过仅提供若干附加步骤，或甚至没有附加步骤来形成。

条带27优选地被布置在距部分23B一定距离处，使得条带27吸收在波导中传播的引导模式的功率的最小量，例如小于5％，优选地小于1％。条带27被布置在距部分23B一定距离处，使得从部分23B辐射的，在本示例中特别是从部分23B的下表面辐射的寄生模式的功率的全部或部分被条带27吸收。

图3A和图3B的器件还包括吸收在所考虑的波长处的光的金属条带29。条带29至少部分地被布置为与部分23B相对，在本示例中在部分23B的上方。这里，条带29平行于图3A的平面。条带29平行于部分23B的纵向方向纵长地延伸、沿着部分23B的长度的全部或部分延伸、至少沿着部分23B的整个长度延伸。

这里，优点来自于以下事实：条带29可以对应于结构13(图1)的金属化层级之一的金属层部分17，例如，最接近光子电路的部件1、3的两个金属化层级之一的金属层部分17，优选最接近这些部件的第二金属化层。因此，条带29可以不通过提供与已经在图1的电路的制造中使用的那些步骤有关的附加步骤来形成。

优选地，条带29被布置在距部分23B一定距离处，使得条带29吸收在波导中传播的所考虑的引导光学模式的功率的最小量，例如，小于5％，优选地小于1％。条带29被布置在距部分23B一定距离处，使得从部分23B辐射的，在本示例中特别是从部分23B的上表面辐射的寄生模式的功率的全部或部分被条带29吸收。

如图2A和图2B的实施例，基于上文提供的功能性指示，确定图3A和图3B的滤光器件的元件的尺寸和相对布置将在本领域技术人员的能力范围内。

这里，横向电光学模式被限定为使得其电场在与图2A和图3A所示的平面平行的平面中振荡，换句话说，平行于衬底9的上表面(图1)并且垂直于波导中信号的传播方向。这里，横向电场光学模式被限定为使得其电场在与图2A和图3A所示的平面垂直的平面中振荡，换句话说，垂直于衬底9的上表面(图1)并且垂直于波导中信号的传播方向。结合图2A和图2B描述的实施例特别适合于待传播通过波导23的光信号是横向电光学模式的形式的情况。结合图3A和图3B描述的实施例特别适合于要在波导23中传播的光信号是横向电光学模式的形式的情况。实际上，在图3A和图3B的实施例中，条带27和/或条带29至少部分地吸收横向磁寄生模式。

作为示例，波导23由氮化硅制成，其中嵌入有引导件的层19例如由氧化硅制成。这样的波导的优点是其对制造和温度变化不太敏感，例如，这样的波导特别适合于形成光学多路复用器和/或多路分解器。

作为具体实施例，提供了被嵌入在氧化硅层19中的氮化硅波导23，其具有以下尺寸：

-部分23A和23C的最大宽度在180nm至5μm的范围内，优选地约等于700nm，例如等于700nm；

-部分23B的宽度在180nm至5μm的范围内，优选地约等于500nm，例如等于500nm；

-部分23A、23B和23C的高度在200nm至2μm的范围内，优选地约等于600nm，例如等于600nm；

-部分23A和23C的长度在500nm至200μm的范围内，优选地约等于10μm，例如等于10μm；

-部分23B的长度在500nm至200μm的范围内，优选地约等于25μm，例如等于25μm；

-在与通孔正交的平面中，两个连续通孔21A、21B和/或21B之间的距离在100nm至5μm的范围内，优选地约等于360nm，例如等于360nm；

-在与通孔正交的平面中，每个通孔21A、21B、21C和波导23之间的距离在100nm至5μm的范围内，优选地，通孔21B和部分23B之间约等于500nm(例如，等于500nm)，并且优选地，在通孔21A、21C和相应的部分23A、23C之间一直到约1.7μm(例如，一直到1.7μm)；

-条带29的宽度在50nm至1μm的范围内，例如，约等于300nm，优选地等于200nm；以及

-条带27的宽度小于或等于部分23B的宽度，例如约等于400nm，优选地等于400nm。

这样的滤光器件适合于近红外范围内的波长，例如，在1μm至2μm的范围内，优选地约等于1.3μm或约1.55μm，例如，等于1.3μm或1.55μm。

仿真已经表明，当具有近红外范围内的波长、根据横向电模式偏振的信号的基本模式以引导方式传播通过具有上文指示的尺寸的、图2A至图2B的波导时，少于0.1％的电横向基本模式的功率被器件吸收，并且该模式的少于10^-3％的功率被器件反射。

仿真还表明，当具有近红外范围内的波长、根据横向电模式偏振的信号的基本模式传播通过具有上文指示的尺寸的、图3A至图3B的波导时，少于1.5％的电横向基本模式的功率被器件吸收，并且该模式的少于10^-3％的功率被器件反射。当信号根据横向磁模式而不是横向电模式偏振时，少于3％的横向磁基本模式的功率被器件吸收，并且该模式的少于10^-4％的功率被器件反射。

特定实施例已经被描述。本领域技术人员将想到各种改变、修改和改进。特别地，尽管已经关于图3A和图3B描述了包括条带27和条带29的器件，但是该器件可以仅包括条带27或条带29。

条带27可以由除了上文作为示例指示的那些材料之外的其他材料制成，只要该材料吸收所考虑的波长处的光即可。

通孔21A、21B和/或21C、条带27和/或条带29可以被电连接到电位，通常是接地，或者可以是浮置的。

上述实施例不限于如图1所示的波导的情况，并且波导可以形成在互连结构的另一绝缘层中。更通常地，将这些实施例应用于光子集成电路的其他波导，特别是应用于由除了上文作为示例指示的那些材料之外的其他材料制成的波导将在本领域技术人员的能力范围内。例如，这样的实施例应用于由被嵌入在二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅(SiON)、氮化铝(AlN)、碳氮化硅(SiCN)或掺杂氧化硅中的非晶硅制成的波导。

此外，所描述的实施例可以适合于与上文作为示例指示的那些波长不同的波长，例如，适合于例如在约400nm至约5μm的范围内的、例如在400nm至5μm范围内的、与传统光子电路兼容的波长，根据所考虑的波长来调整波导的尺寸以及通孔、条带27和/或条带29相对于波导的位置在本领域技术人员的能力范围内。

上文已经描述了具有不同变型的各种实施例。应当注意，本领域技术人员可以组合这些各种实施例和变型的各种元件，而无需示出任何创造性步骤。

这样的改变、修改和改进旨在是本公开的一部分，并且旨在落入本实用新型的精神和范围内。因此，前面的描述仅是示例性的，而不旨在是限制性的。本实用新型仅受以下权利要求及其等同物所限定的限制。

Claims

1.一种光学器件，其特征在于，包括：

光学波导，光信号传播通过所述光学波导；以及

由多个金属通孔形成的滤光器件，所述多个金属通孔被布置为沿着所述光学波导的一部分的任一侧并且在所述光学波导的所述部分的所述任一侧上，并且被配置为滤除从所述光学波导辐射的寄生光学模式。

2.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光学波导的所述部分的横向截面的尺寸等于与待传播通过所述光学波导的所述光信号的引导光学模式的最小有效面积相对应的横向截面的尺寸。

3.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述金属通孔被配置为吸收待传播通过所述光学波导的所述光信号的引导光学模式的少于5％的功率。

4.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，在与所述金属通孔正交的平面中，所述金属通孔与所述光学波导的所述部分之间的距离短于最大距离，超过所述最大距离，所述光信号传播通过所述光学波导的寄生光学模式的功率小于-60dB。

5.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，在与所述金属通孔正交的平面中，所述金属通孔与所述光学波导的所述部分之间的距离短于最大距离，所述最大距离等于1.7μm。

6.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，还包括在所述光学波导的所述部分的上游和下游、沿着所述光学波导的任一侧并且在所述光学波导的所述任一侧上的附加金属通孔。

7.根据权利要求6所述的光学器件，其特征在于，在所述光学波导的所述部分的上游和下游、沿着所述光学波导走向的所述附加金属通孔被配置为使得待传播通过所述光学波导的所述光信号的引导光学模式的有效折射率朝向所述光学波导的所述部分逐渐变化。

8.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述金属通孔与相同平面正交，所述相同平面与所述光学波导的所述部分的横向截面正交。

9.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，还包括平行于与所述金属通孔正交的平面的金属条带，所述金属条带被布置为至少部分地与所述光学波导的所述部分相对，并且被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

10.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，还包括在由所述光学波导传输的所述光信号的波长处吸收的材料的条带，吸收材料的所述条带平行于与所述金属通孔正交的平面，吸收材料的所述条带至少部分地被布置为与所述光学波导的所述部分相对，并且被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

11.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，沿着所述光学波导的所述部分走向的所述金属通孔被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

12.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光学波导的所述部分在所述光学波导的两个附加部分之间延伸，所述两个附加部分被配置为使得待传播通过所述光学波导的所述光信号的引导光学模式的有效折射率朝向所述光学波导的所述部分逐渐变化。

13.根据权利要求1所述的光学器件，其特征在于，还包括互连结构，其中所述光学波导被嵌入在所述互连结构的绝缘层中。

14.根据权利要求13所述的光学器件，其特征在于，所述光学波导由氮化硅制成，并且所述绝缘层由氧化硅制成。

15.一种光学器件，其特征在于，包括：

光学波导；

多个金属通孔，所述多个金属通孔被布置为沿着所述光学波导的一部分的任一侧并且在所述光学波导的所述部分的所述任一侧上；以及

多个附加金属通孔，所述多个附加金属通孔被布置为在所述光学波导的所述部分的上游和下游、沿着所述光学波导的任一侧并且在所述光学波导的所述任一侧上延伸；

其中，所述多个附加金属通孔被配置为使得待传播通过所述光学波导的光信号的引导光学模式的有效折射率朝向所述光学波导的所述部分逐渐变化。

16.根据权利要求15所述的光学器件，其特征在于，所述金属通孔和所述附加金属通孔具有正交于相同平面而延伸的长度，所述相同平面与所述光学波导的所述部分的横向截面正交。

17.根据权利要求15所述的光学器件，其特征在于，还包括平行于与所述金属通孔和所述附加金属通孔正交的平面而延伸的金属条带，所述金属条带被定位在至少部分地与所述光学波导的所述部分相对的位置处，并且被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

18.根据权利要求17所述的光学器件，其特征在于，所述金属条带被定位在所述光学波导的所述部分的上方。

19.根据权利要求15所述的光学器件，其特征在于，还包括材料条带，所述材料条带平行于与所述金属通孔和所述附加金属通孔正交的平面而延伸，所述条带被定位在至少部分地与所述光学波导的所述部分相对的位置处，并且被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

20.根据权利要求19所述的光学器件，其特征在于，所述条带被定位在所述光学波导的所述部分的下方。

21.根据权利要求15所述的光学器件，其特征在于，沿着所述光学波导的所述部分走向的所述金属通孔被配置为在所述光信号传播通过所述光学波导时至少部分地吸收从所述光学波导的所述部分辐射的寄生光学模式。

22.根据权利要求15所述的光学器件，其特征在于，所述光学波导的所述部分在所述光学波导的两个附加部分之间延伸，所述两个附加部分被配置为使得待传播通过所述光学波导的所述光信号的引导光学模式的有效折射率朝向所述光学波导的所述部分逐渐变化。