CN209692778U - 一种红外线接收模组控制电路及红外线接收模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种红外线接收模组及其控制电路，其包括依次电性连接的光电转换元件、前置放大器、增益控制电路、滤波器电路、比较器和解调器，上述红外线接收模组控制电路，其作为防止外部光产生的光电流的变化并可在输入端调节外部光的光电流的输入电路为红外线接收模组提供一种可根据外部光电流调节红外接收模组增益的自动控制电路。本实用新型能适当控制N_V产生的电流成分并调节N_V产生的光电流成分，从而可准确控制增益控制电路的工作，使得最终输出信号中的N_V得到适当抑制、输出S_IR的信号具有较强的信噪比；同时可通过对增益控制电路上晶体管基极上的光屏蔽层的控制程度的调节，从而实现更加准确的反馈控制。

Description

一种红外线接收模组控制电路及红外线接收模组

技术领域

本实用新型涉及电子电路半导体技术领域，尤其涉及一种红外线接收模组控制电路及红外线接收模组。

背景技术

由于红外光的传输是无线传输方式，那么进入红外线接收模组的输入信号中并不是只有红外光成份，通常还会伴随输入荧光灯光或太阳光之类等不想要的外部光，这样的外部光并不是设计者所期望的，同时还有红外模组工作中产生的热噪声，我们统称为噪声，由于有噪声的存在使红外传输出现问题，具体如公式：S＝S_IR+N_V，其中S为总的信号，S_IR为红外光，N_V为外部的可见光和干扰信号。

由于前述N_V成分也是通过红外线接收模组内电路传递到最终输出，结果是在N_V影响下，红外线接收模组工作时输出S产生错误。红外线接收模组要想实现可靠的工作就必须清除N_V，即必须对N_V成分进行较为有效的抑制。

也就是说，在红外线接收模组设计电路相关技术方案中，存在不能有效对N_V成分进行抑制的缺点。

实用新型内容

本申请实施例提供一种红外线接收模组控制电路，其通过在红外线接收模组内部增加输入电路，以防止外部光产生的光电流的变化并可在输入端调节外部光的光电流，从而提供一种可根据外部光电流调节红外接收模组增益的自动控制电路。

一种红外线接收模组控制电路，其特征在于，包括依次电性连接的光电转换元件、前置放大器、增益控制电路、滤波器电路、比较器和解调器，所述光电转换元件用于将外部输入的红外线信号转换成电信号；所述前置放大器用于放大所述电信号；所述增益控制电路用于基于所述滤波器电路的反馈信号改变输出信号的增益；所述滤波器电路用于对输出信号中一定频段信号进行过滤；所述比较器用于对所预设的基准电压和滤波器输出信号进行比较；所述解调器用于对所述比较器输出信号进行解调并输出对应的解调信号。

可选的，在其中一个实施例中，所述光电转换元件包括光电二极管。

可选的，在其中一个实施例中，所述增益控制电路包括增益放大器和增益控制器，所述增益放大器用于接收前置放大器所输出的电信号并在增益控制器控制下调节输出信号的增益；所述增益控制器用于基于所述滤波器电路的反馈信号控制所述增益放大器改变输出信号的增益。

可选的，在其中一个实施例中，所述增益控制器内部的晶体管基极区设有光屏蔽层，所述光屏蔽层用于对外部的可见光和干扰信号N_V的光电流成分进行调节。

可选的，在其中一个实施例中，所述增益控制器包括依次电连接的AGC控制接口、充放电电路和调整电路。

可选的，在其中一个实施例中，所述红外线接收模组控制电路还包括限幅放大器，所述限幅放大器一端电连接增益放大器，另一端电连接所述滤波器电路，该限幅放大器用于对增益放大器所输出的信号的频带进行选择。

可选的，在其中一个实施例中，所述滤波器电路包括带通滤波器。

可选的，在其中一个实施例中，所述解调器包括施密特解调器，该施密特解调器所输出的解调信号被传递到红外线接收模组内部或直接输出。

此外，为解决在传统红外线接收模组设计电路相关技术方案中，存在不能有效对N_V成分进行抑制的技术问题，还提出了一种红外线接收模组。

一种红外线接收模组，包括上述红外线接收模组控制电路，所述红外线接收模组控制电路作为红外线接收模组输入端对输入信号中外部的可见光和干扰信号N_V进行抑制。

实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：

上述红外线接收模组控制电路，其作为防止外部光产生的光电流的变化并可在输入端调节外部光的光电流的输入电路为红外线接收模组提供一种可根据外部光电流调节红外接收模组增益的自动控制电路。综上所述可知，本实用新型能适当控制N_V产生的电流成分并调节N_V产生的光电流成分，从而可准确控制增益控制电路的工作，使得最终输出信号中的N_V得到适当抑制、输出S_IR的信号具有较强的信噪比；同时可通过对增益控制电路上晶体管基极上的光屏蔽层的控制程度的调节，从而实现更加准确的反馈控制。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为一个实施例中的红外线接收模组控制电路的电路框架图；

图2为一个实施例中的红外线接收模组增益控制电路的电路示意图；

图3a为一个实施例中的PNP晶体管基极产生的影响的等效电路图；

图3b为一个实施例中的NPN晶体管基极产生的影响的等效电路图；

图4为一个实施例中的增益控制器电路充放电电路的等效电路图；

图5为一个实施例中的晶体管的基极上光屏蔽层在硅片上布局示意图；

图6a为一个实施例中的根据基极屏蔽程度对流过电容电流测定的实验效果图；

图6b为另一个实施例中的根据基极屏蔽程度对流过电容电流测定的实验效果图；

图7为一个实施例中是对充放电电路中的Q_p4添加虚拟晶体管Q_P4′的电路示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请。可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。

以下提供一种红外线接收模组控制电路，其是可根据外部光电流调节红外接收模组增益的自动控制电路以防止因外部光产生的光电流的变化，(该变化会带来了红外接收模组内部基级电流的不稳定，导致模组内部电路的增益调整变得不稳定现象)。如图1所示，为一个实施例中红外线接收模组控制电路的结构框图，该红外线接收模组控制电路包括依次电性连接的光电转换元件、前置放大器、增益控制电路、滤波器电路、比较器和解调器。

其中，所述光电转换元件用于将外部输入的红外线信号转换成电信号，在其中一个具体实施例中，该光电转换元件包括光电二极管(PD)，所述光电转换元件也可以是其他能够实现光电转换的器件，本实施例对此不进行限定。

其中，所述前置放大器用于对所述电信号进行放大；设置前置放大器(PRE-AMPLIFIER)目的是将微弱的电信号放大，以满足后续电路对其进行信号处理的要求。

其中，所述增益控制电路用于基于所述滤波器电路的反馈信号改变输出信号的增益；在其中一个具体实施例中，该增益控制电路包括增益放大器和增益控制器，所述增益放大器用于接收前置放大器所输出的电信号并在增益控制器控制下调节输出信号的增益即根据变化增益调整电流或调整电压；所述增益控制器用于基于所述滤波器电路的反馈信号控制所述增益放大器改变输出信号的增益。由于前述信号中的N_V成分也是通过红外线接收模组内电路传递输出，其结果是在N_V影响下，红外线接收模组工作时输出S易产生错误。红外线接收模组要想实现可靠的工作就必须清除N_V，虽然上述增益控制电路能够对输出信号中的N_V进行抑制使得输出S_IR的信号具有较强的信噪比即鉴于输入到增益控制器的信号中包含N_V，增益控制器将朝着增益放大器的增益减少的方向动作，如果输入信号不是N_V，而是S_IR正常信号，则增益控制器使增益放大器增益增加。通过这样的控制解调器或最终输出信号中的N_V就会得到适当抑制、输出S_IR的信号具有较强的信噪比。所述增益控制器的增益调整是通过对其电路内部电流或电压的调整来实现即首先根据输入信号的种类判别是给增益调整的电容充电还是放电，然后下一步是向增益放大器输出对充放电进行调节的输出信号、调整放大器的增益，在调制输入S_IR红外接收模组的脉冲窜信号持续区间在整体信号区间的占比不超过50％时判定其为S_IR信号，反之判定为N_V信号，并据此调整自动增益控制放大器的增益来抑制N_V信号。

具体的，在正常的S_IR信号中，载波信号进入的脉冲窜信号区间与未输入信号的区间，即间隙时间有明显的区别，比较一下脉冲窜信号输入区间和间隙时间可知，通常间隙时间区间较长，因此，脉冲窜信号输入区间在整体信号区间所占比例不超过50％，但如果是N_V信号，则与S_IR信号不同，其没有间隙时间区间或间隙时间很短，也就是说前述S_IR信号和N_V信号具有这样互不相同的占空比特点。因此可以说，如果是正常的S_IR信号，在信号输入期间给增益控制器内部的电容充电，间隙时间期间增益控制器开始使该电容放电。如果输入到接收模组信号是N_V信号，则由于间隙区间较短或没有，该电容将继续进行充电，因此，电容两端电压将超过一定电压。利用该电容两端电压调整增益放大器的增益，增益放大器在该电容两端电压增加时朝衰减其增益的方向动作，在该电容电压降低时朝增加其增益的方向动作。此处取决于电容两端电压增减方向的增益放大器增益的增减方向可改变。随着这样的动作，N_V信号在通过增益放大器的过程中受到抑制；在S_IR信号即包括脉冲窜信号区间和休止期在内的区间，前述电容将重复充放电，电容两端电压将不超过一定电压。因此，S_IR信号即使通过了增益放大器，其大小也会保持适度。在其中一个具体实施例中，如图2所示的一种红外线接收模组增益控制电路，该增益控制器包括依次电连接的AGC控制接口、充放电电路和调整电路，所述AGC控制接口包括NPN晶体管Qn3、NPN晶体管Qn4、NPN晶体管Qn5、PNP晶体管Qp1、PNP晶体管Qp2、电阻R3、电容C1，所述NPN晶体管Qn3的基极经由电阻R2连接增益放大器NPN晶体管Qn1的基极，其集电极与基极互连并连接电源Vcc，发射极接地；所述NPN晶体管Qn4的集电极与基极互连并连接电源Vcc，其发射极经由电阻R3连接NPN晶体管Qn5的集电极，NPN晶体管Qn5的基极与集电极互连并连接NPN晶体管Qn2的基极，发射极接地；PNP晶体管Qp1的发射极连接NPN晶体管Qn4的基极，其集电极接地，基极连接PNP晶体管Qp2的发射极；PNP晶体管Qp2的集电极接地，基极连接PNP晶体管Qp3的基极，电容器C1一端连接NP晶体管Qp2的基极，一端接地；

所述充放电电路包括PNP晶体管Qp3、PNP晶体管Qp4、PNP晶体管Qp5、NPN晶体管Qn5、NPN晶体管Qn7、NPN晶体管Qn8、NPN晶体管Qn9、NPN晶体管Qn11,PNP晶体管Qp3的基极连接PNP晶体管Qp2的基极，集电极接地，发射极连接PNP晶体管Qp4的集电极；PNP晶体管Qp4的基极连接NPN晶体管Qn5的基极，发射极接电源Vcc；NPN晶体管Qn5的集电极接电源Vcc，发射极连接NPN晶体管Qn7的集电极；NPN晶体管Qn7的发射极接地，连接NPN晶体管Qn9的发射极，基极连接PNP晶体管Qp2的基极，集电极接电源Vcc；PNP晶体管Qp5的发射极接电源Vcc，集电极连接NPN晶体管Qn8的集电极，基极连接调整电路的PNP晶体管Qp8的基极；NPN晶体管Qn8的集电极与基极互连，发射极接地；所述调整电路包括NPN晶体管Qn10、PNP晶体管Qp6、NPN晶体管Qn12、NPN晶体管Qn13、PNP晶体管Qp7、PNP晶体管Qp8、PNP晶体管Qp9、NPN晶体管Qn14、NPN晶体管Qn15、NPN晶体管Qn16、电阻R4、电容C2、放大器，所述NPN晶体管Qn10的基极连接NPN晶体管Qn11的基极，其集电极与基极互连，发射极接地；PNP晶体管Qp6的集电极连接NPN晶体管Qn10的集电极，发射极连接电源Vcc，基极连接PNP晶体管Qp7的基极；NPN晶体管Qn12的集电极与基极互连并连接电源Vcc，发射极连接NPN晶体管Qn13的集电极；NPN晶体管Qn13的基极与集电极互连，PNP晶体管Qp8发射极连接电源Vcc，基极连接PNP晶体管Qp5的基极，集电极与基极互连；NPN晶体管Qn14与NPN晶体管Qn15共发射极，基极连接NPN晶体管Qn13的发射极，集电极连接PNP晶体管Qp8的集电极；PNP晶体管Qp7的发射极连接电源Vcc，基极连接PNP晶体管Qp6的基极，集电极与基极互连；NPN晶体管Qn15的集电极连接PNP晶体管Qp7的集电极；PNP晶体管Qp9的发射极连接电源Vcc，基极连接PNP晶体管Qp5的基极，集电极经由电阻R4连接NPN晶体管Qn16的集电极，NPN晶体管Qn16的发射极接地，基极连接放大器的输出端；电容C2一端连接NPN晶体管Qn15的基极，另一端接地；放大器的同向输入端接Vi，反向输入端经由电阻接地；其中，电容器C1即为控制器的充放电电容，但是由于N_V输入红外线接收模组的光量增加时，构成图中的充放电电路的NPN晶体管或PNP晶体管基极内部将会生成更多光，增加了基极电流成分,即光电流成分。这样的电流成分尽管在电路中朝着给增益控制器中的电容C1充电的方向作用，但也沿着电路放电的方向作用。这样的光电流成分即使没有S_IR信号电容C1也能被过度充电，由此降低红外接收模组的接收距离。不仅如此，脉冲窜区间在整体信号区间所占比例在50％以上时，尽管须判别为N_V信号、减少自动增益控制放大器的增益，但由于N_V信号引起上述基极电流增加导致图的放电电路电流增加，增益也随之增加，由此也导致了N_V信号放大。这样的问题最终则会导致本应抑制或消除噪声、只解析和传输S_IR信号的红外接收模组的误动作增加。

鉴于在集成电路中，上述N_V产生的电流成分会在晶体管硅基片内产生，带来电路的各单元电流产生变化；如果N_V的电流成分在电路硅片内的双极晶体管基极区产生或直接流入基极，就会像前面所述那样其影响将非常大；为了人为调节N_V在集成电路硅片内部(特别是双极晶体管的基极内部)生成的电子-空穴对中形成的光电流成分，利用集成电路工艺，改善和调节在晶体管基极的光屏蔽层的几何尺寸、材质和厚度，以此来调节集成电路硅片内部吸收的光量；在其中一个具体实施例中，所述增益控制电路内部晶体管基极区具备用于外部的可见光和干扰信号N_V的调节光电流成分的光屏蔽层；所述光屏蔽层是利用一定的集成电路工艺在基极做适当屏蔽层，调整屏蔽层的设计，改善基极屏蔽层在硅片上屏蔽的程度来调整N_V产生的电流成分，进而可任意调节N_V产生的光电流成分，从而可准确控制增益控制电路工作，用电容的充放电来实现自动增益控制。因此，对于增益放大器的增益也同样可进行准确控制，从而能开发出几乎不受N_V影响的红外线接收模组。具体的，如图3a、图3b所示的晶体管基极产生的影响的等效电路，通过N_V对上述晶体管基极产生的影响的等效电路对所述光屏蔽层的作用原理进行说明:众所周知，双极晶体管由于制造工艺上的特性，如果PNP晶体管沿着硅片平面走向制作(通常称作横向PNP晶体管)，则NPN晶体管沿着垂直方向制作(通常称作纵向NPN晶体管)，或与此相反，如果PNP晶体管具有纵向结构则NPN晶体管将具有横向结构；假定增益控制电路中的晶体管包括具有横向PNP晶体管和纵向NPN晶体管的结构，如果横向PNP晶体管受光，则PNP晶体管的基极将产生电子和空穴的载波，受该载波影响的光电流在等效电路中产生于基极和地之间，图中的A部分的I_P即是表示该成份电流；对于纵向NPN晶体管来说，尽管光产生的影响少于在结构上沿着平面排列的PNP晶体管，但如图中的B所示，其将存在从电源流向基级的光产生的电流In。同时为了详细说明存在这样的N_V时增益控制器的运作会受何种影响，如图4所示的增益控制器电路充放电电路的等效电路图；本例只选取了充放电电路中的主要部分做了示意，图中许多元件的符号与增益控制器电路图相同；其中，电路中的电流源I_n1,I_n2,I_p1,I_p2,I_p3表示N_V产生的光电流的等效电路；当没有外部光时，在正常的S_IR信号进入图中输入的脉冲窜区间内，调整电路输出开通电流源I_C(I_C用Qn₁₁作为电流源)、关闭电流源I_D(I_D用Qn₇作为电流源)。此时，通过互补电路Qn₆、Qp₄及Qp₃的动作，对电容器C₁充电，具体的公式可表示为：

I_CD＝{(I_C/β_Qn6)Xβ_QP4/β_QP3}+I_in/β_QP2

假定β_QP4≌β_QP3，则I_CD＝I_C/β_Qn6+I_in/β_QP2---------(1)

在信号停歇的休止期内则与此相反，关闭I_C、开通I_D，此时流经电容器C₁的放电电流可表示如下：

I_DD＝I_C/β_Qn6-I_in/β_QP2-----------(2)

因此，实际上电容C₁上所充放电流就是(I_CD-I_DD)；N_V完全未进入时，电容C₁按上述公式(1),(2)的规律在重复的充放电，只要保证C₁两端电压保持基本稳定，就可以按照设计者意愿调整自动增益控制放大器的增益。

但是，在日光、荧光灯或白炽灯之类的人工光环境下，它们会影响的光电流源I_N1,I_N2,I_P1,I_P2,I_P3等，这样，电容充放电的电流发生如下变形：图中I_N1、I_N2、I_P1、I_P2、I_P3将会直接影响I_CD和I_DD，具体的公式可表示为：

I_CD′＝I_C/β_Qn6+I_in/β_QP2+I_N1-I_N2+I_P1-I_P2-I_P3---------(3)

I_DD′＝I_C/β_Qn6-I_in/β_QP2-I_N1+I_N2-I_P1+I_P2+I_P3---------(4)

可得充入电容C₁的实质电流值是(I_CD′-I_DD′)，有无N_V的电流差异可用以下公式表示：

I_CZ＝(I_CD′-I_DD′)-(I_CD-I_DD)＝2(I_N1-I_N2+I_P1-I_P2-I_P3)-----(5)

当I_CZ>0时，向电容C1充电，故N_V增加时前述电容电压的增加将使得增益放大器的增益减少，并导致红外线接收距离也减少；I_CZ<0时，电容器处于放电状态，故前述电容电压的减少将使得增益放大器的增益增加，并导致红外线接收模组输出N_V的信号问题即式(5)中只有当I_N1、I_N2、I_P1、I_P2、I_P3为0时是最理想的状况，但实际上不可能。正是为了解决这个问题，如图5所示的晶体管结构，图中，A表示触点、B表示发射极、C表示基极被暴露部分、D表示集电极、E表示基极，在所述增益控制电路内部晶体管基极区设置光屏蔽层，通过在双极晶体管导电层上调整基极的光屏蔽层，从而对基极内产生的N_V电流量进行调节。在其中一个具体实施例中，通过基极上的屏蔽层的几何尺寸、屏蔽层的材质、屏蔽层的厚度，渗入基极内部光量的不同进行调节，具体可根据实际情况而定。在其中一个具体实施例中，所述屏蔽层采用金属或多晶硅材料，但并不是只能使用这些材料，只要是能屏蔽基极区就可以了，也可以用集成电路工艺的多种非导电层，本实施例对此不进行限定。

若想适当调节N_V产生的基极电流，必须通过实验来确定基极区的屏蔽方式；该实验利用集成电路连接的第二金属层进行了测试。图6a、6b为一个实施例中的根据基极屏蔽程度对流过电容电流测定的实验效果图；图中表示的是基极屏蔽层N_V的程度，即随着基极的光屏蔽层的屏蔽程度不同，流经自动增益控制电容电流也将变化。首先，图6a是对自动增益控制器电路图中充放电电路NPN晶体管和PNP晶体管当中加强了晶体管的基极的光屏蔽层的实验结果。这种情况下也可看作有N_V影响时和没有N_V影响时电流大小发生变化。在图中，各个曲线是不同的基极的光屏蔽层的屏蔽程度的电流情况。如果流过电容电流是充电方向，则电容器两端的电压将增加，那么增益放大器增益将减少，增益放大器的增益减少带来了红外线接收模组内部的N_V信号被抑制，但红外线接收模组距离也变短。图6b图示流过电容的电流是放电的方向，在不同的光屏蔽层情况。电容两端的平均电压将减少。那么，这减少的电压使增益放大器的增益将增加。尽管增益放大器的增益增加使红外线接收模组内部的N_V噪声信号增加，但也使红外线接收距离变短，由此也可得知N_V有影响和无影响时电流大小会发生变化。图中电流显示为负值时表示充电电流、显示为正值时表示放电电流。同时鉴于增益控制电路内充放电的晶体管基极面积做的不同，N_V电流相互抵消，则在实际电路设计时晶体管基极面积大时，N_V生成的光电流成分也将与此成正比地增大，因此，增益控制电路设计时，在充电光电流大于放电光电流时可扩大放电晶体管的基极面积。在放电光电流大于充电光电流时可扩大充电晶体管的基极面积，以此使两侧光电流相互抵消。

在其中一个具体实施例中，在进行增益控制电路设计时，还可以利用虚拟晶体管将受N_V影响生成的充电电流和放电电流变成相同大小。正如前述公式(5)所示，充电电流和放电电流相同时相互抵消，致使受N_V影响生成的实际电流变成0。在其中一个具体实施例中，在进行增益控制电路设计时，若增益控制器电路内充电用晶体管和放电用晶体管的个数互不相同，或充电光电流和放电光电流大小互不相同时也可利用虚拟晶体管，由于增益控制器电路内的充电用晶体管和放电用晶体管的个数不同时，电容电流会被充电或放电，因而，充电电流较大时，可在承担放电的晶体管上添加虚拟晶体管，例如，如图7所示，图中出现的虚拟晶体管是对充放电电路中出现的Q_p4添加了虚拟晶体管Q_P4′的结果。被添加的虚拟晶体管Q_P4不干预正常的充放电动作，只在N_V影响下生成光电流。

其中，所述滤波器电路用于通过其内部的耦合电容将信号中的直流分量过滤使得输出信号中一定频段信号被过滤掉；所述滤波器电路包括带通滤波器。

其中，所述比较器用于对所预设的基准电压和滤波器输出信号进行比较，所述基准电压用于为比较器设置一个门限基准电压或参考电压(图中省略)和带通滤波器的输出比较，基准电压具体值由设计者适当选择和设置。

其中，所述解调器用于对所述比较器输出信号进行解调并输出对应的解调信号。在其中一个具体实施例中，该解调器包括施密特解调器，其所输出的解调信号被传递到红外线接收模组内部或直接输出。

进一步，所述红外线接收模组控制电路还包括限幅放大器，所述限幅放大器一端电连接增益放大器，另一端电连接所述滤波器电路，该限幅放大器用于对经过增益放大器所输出的信号的频带进行选择。

此外，为解决在传统红外线接收模组设计电路相关技术方案中，存在不能有效对N_V成分进行抑制的技术问题，还提出了一种红外线接收模组。

一种红外线接收模组，包括上述红外线接收模组控制电路，所述红外线接收模组控制电路作为红外线接收模组输入端对输入信号中外部的可见光和干扰信号N_V进行抑制。

上述红外线接收模组控制电路，其作为防止外部光产生的光电流的变化并可在输入端调节外部光的光电流的输入电路为红外线接收模组提供一种可根据外部光电流调节红外接收模组增益的自动控制电路。综上所述可知，本实用新型能适当控制N_V产生的电流成分并调节N_V产生的光电流成分，从而可准确控制增益控制电路的工作，使得最终输出信号中的N_V得到适当抑制、输出S_IR的信号具有较强的信噪比；同时可通过对增益控制电路上晶体管基极上的光屏蔽层的控制程度的调节，从而实现更加准确的反馈控制。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种红外线接收模组控制电路，其特征在于，包括依次电性连接的光电转换元件、前置放大器、增益控制电路、滤波器电路、比较器和解调器，所述光电转换元件用于将外部输入的红外线信号转换成电信号；所述前置放大器用于放大所述电信号；所述增益控制电路用于基于所述滤波器电路的反馈信号改变输出信号的增益；所述滤波器电路用于对接收到的输出信号中一定频段信号进行过滤；所述比较器用于对所预设的基准电压和滤波器输出信号进行比较；所述解调器用于对所述比较器输出信号进行解调并输出对应的解调信号。

2.根据权利要求1所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述光电转换元件包括光电二极管。

3.根据权利要求1所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述增益控制电路包括增益放大器和增益控制器，所述增益放大器用于接收前置放大器所输出的电信号并在增益控制器控制下调节输出信号的增益；所述增益控制器用于基于所述滤波器电路的反馈信号控制所述增益放大器改变输出信号的增益。

4.根据权利要求3所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述增益控制器内部的晶体管基极区设有光屏蔽层，所述光屏蔽层用于对外部的可见光和干扰信号N_V的光电流成分进行调节。

5.根据权利要求3所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述增益控制器包括依次电连接的AGC控制接口、充放电电路和调整电路。

6.根据权利要求1至5任一项所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述红外线接收模组控制电路还包括限幅放大器，所述限幅放大器一端电连接增益放大器，另一端电连接所述滤波器电路，该限幅放大器用于对增益放大器所输出的信号的频带进行选择。

7.根据权利要求1所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述滤波器电路包括带通滤波器。

8.根据权利要求1所述的红外线接收模组控制电路，其特征在于，所述解调器包括施密特解调器，该施密特解调器所输出的解调信号被传递到红外线接收模组内部或直接输出。

9.一种红外线接收模组，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的红外线接收模组控制电路，所述红外线接收模组控制电路作为红外线接收模组的输入端，对输入信号中外部的可见光和干扰信号N_V进行抑制。