CN209570797U - 光学投影模组、感测装置及设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于光学和电子技术领域，提供了一种光学投影模组，用于投射具有预设图案的图案化光束至被测目标物上进行三维感测，其包括光源、电路板、补强板、镜筒及设置在镜筒上的光学元件。所述光源设置在电路板上并与电路板电连接。所述补强板贴合在所述电路板与光源相对的另一侧面。所述镜筒设置在电路板组装有光源的一侧表面上并罩住所述光源。所述光学元件与光源对准以使得光源所发出的光束经过光学元件的调制后形成具有预设图案的图案化光束投射至被测目标物上。

Description

光学投影模组、感测装置及设备

技术领域

本实用新型属于光学技术领域，尤其涉及一种光学投影模组、感测装置及设备。

背景技术

现有的三维(Three Dimensional,3D)结构光发射模组在出光方向上的高度过大，无法满足模组轻薄化的趋势。另一方面，现有模组制作过程中的表面贴装工艺往往也会因为高温而有可能会对镜筒及设置在镜筒上的光学元件造成损伤。

实用新型内容

本实用新型提供一种光学投影模组、感测装置及设备以解决上述技术问题。

本实用新型实施方式提供一种光学投影模组，用于投射具有预设图案的图案化光束至被测目标物上进行三维感测，其包括光源、电路板、补强板、镜筒及设置在镜筒上的光学元件。所述光源设置在电路板上并与电路板电连接。所述补强板贴合在所述电路板与光源相对的另一侧面。所述镜筒设置在电路板组装有光源的一侧表面上并罩住所述光源。所述光学元件与光源对准以使得光源所发出的光束经过光学元件的调制后形成具有预设图案的图案化光束投射至被测目标物上。

在某些实施方式中，所述补强板由具有高导热率的材料制成，选自钢片、铜片中的任意一种及其组合，所述补强板用于增加所述电路板的强度并对电路板上的光源进行散热。

在某些实施方式中，还包括保护盖板，所述保护盖板设置在镜筒远离电路板一端的容置槽内，并位于所述光学元件的出光侧。

在某些实施方式中，还包括被动元件及连接器，所述被动元件和连接器通过表面贴装工艺设置在电路板上位于镜筒外的部分。

在某些实施方式中，所述光学元件选自准直元件、扩束元件、微透镜阵列、光栅及衍射光学元件中的一种及其组合。

在某些实施方式中，所述光源包括半导体基底及形成在所述半导体基底上的多个发光单元，所述发光单元以二维点阵的形式分布在所述半导体基底上，所述发光单元中存在参考子区域，与该参考子区域之间的相关系数大于或等于预设阈值的发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值与所述集合中各个发光单元子区域对应的相关系数的平均值的乘积大于或等于0.25而小于 1。

在某些实施方式中，所述相关系数为归一化相关系数，所述预设的相关系数阈值为0.3。

在某些实施方式中，所述发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值为所述发光单元子区域所组成的集合内包括的发光单元个数占全部发光单元总个数的比例；或者

所述发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值为发光单元子区域的面积之和占整个发光区域总面积的比例。

本实用新型实施方式提供一种感测装置，其用于感测被测目标物的三维信息，其包括感测模组及上述任意一实施方式中所述的光学投影模组，所述感测模组用于感测所述光学投影模组在被测目标物上投射的预设图案并通过分析所述预设图案的图像获取被测标的物的三维信息。

本实用新型实施方式提供一种设备，包括上述实施方式中所述的的感测装置，所述设备根据所述感测装置所感测到的被测目标物的三维信息来执行相应功能。

本实用新型实施方式所提供的光学投影模组、感测装置及设备利用轻薄化的补强板即增加电路板强度又能对光源进行散热。同时，采用镜筒组装和电路板组装分开同步进行的方式，既可以提高组装效率还可降低防止高温作业对镜筒16上光学元件17造成损坏的风险。

本实用新型实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型实施方式的实践了解到。

附图说明

图1是本实用新型第一实施方式提供的光学投影模组的结构示意图。

图2是图1中所述光源的结构示意图。

图3是图1中所述光源的发光单元分布示意图。

图4是本实用新型第二实施方式提供的感测装置的结构示意图。

图5是本实用新型第三实施方式提供的设备的结构示意图。

图6是本实用新型提供的一种光学投影模组组装方法的步骤流程图。

图7是图6中各步骤的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或排列顺序。由此，限定有“第一”、“第二”的技术特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述技术特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定或限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体化连接；可以是机械连接，也可以是电连接或相互通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件之间的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或示例用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文仅对特定例子的部件和设定进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复使用参考数字和/或参考字母，这种重复使用是为了简化和清楚地表述本实用新型，其本身不指示所讨论的各种实施方式和/或设定之间的特定关系。此外，本实用新型在下文描述中所提供的各种特定的工艺和材料仅为实现本实用新型技术方案的示例，但是本领域普通技术人员应该意识到本实用新型的技术方案也可以通过下文未描述的其他工艺和/或其他材料来实现。

进一步地，所描述的特征、结构可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下文的描述中，提供许多具体细节以便能够充分理解本实用新型的实施方式。然而，本领域技术人员应意识到，即使没有所述特定细节中的一个或更多，或者采用其它的结构、组元等，也可以实践本实用新型的技术方案。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构或者操作以避免模糊本实用新型之重点。

如图1所示，本实用新型第一实施方式提供了一种光学投影模组，用于投射出预设的感测光斑图案至被测目标物上进行三维感测。所述光学投影模组1 包括光源12、电路板14、补强板15、镜筒16、设置在镜筒16上的光学元件 17及设置在光学元件17出光侧的保护盖板18。所述光源12发出的光束经过光学元件14的调制后形成具有预设图案的出射光束投射出去。所述光学元件14 包括，但不限于，准直元件、扩束元件、微透镜阵列、光栅及衍射光学元件 (Diffractive Optical Elements,DOE)中的一种及其组合。

在本实施方式中，所述光学投影模组1为用于感测被测目标物三维数据的三维感测装置。所述光源12发出具有预设光场分布的一组光束。所述光束根据感测原理及应用场景可以为具有特定波长的光束。在本实施方式中，所述光束用于感测被测目标物的三维信息，可以为红外或近红外波长光束，波长范围为 750纳米(Nanometer,nm)至1650nm。

如图2所示，所述光源12包括半导体基底120、形成在所述半导体基底120 上的多个发光单元122、阳极124和阴极126。所述发光单元122为能够在电激励作用下发光的半导体结构，通过光刻、蚀刻和/或金属有机化学气相沉积等工艺形成在所述半导体基底120上。例如，所述发光单元122可以为，但不限于，垂直腔面发射激光器(Vertical CavitySurface Emitting Laser,VCSEL)。所述阳极 124和阴极126分别设置在所述半导体基底120相对的两端面上，以导入电流信号激发所述发光单元122进行发光。所述激发电流大于1mA。

可以理解的是，在其他实施方式中，所述发光单元122还可以为发光二极管(LightEmitting Diode,LED)或激光二极管(Laser Diode,LD)。因此，所述发光单元122选自VCSEL、LED及LD中的任意一种及其组合。

如图3所示，所述发光单元122以二维点阵的形式分布在所述半导体基底 120的发光区域内，其中至少三个相邻发光单元122在半导体基底120上非等间距排布。所述全部发光单元122整体上具有相关性。

评估所述多个发光单元122所组成的排布图案的相关性通常是通过计算所述多个发光单元122之间的相关系数f_n来进行，若所计算得到的相关系数f_n大于或等于预设阈值，则认为所述发光单元122之间具有相关性。

所述相关系数f_n的计算公式可以为但不限于归一化相关系数公式 (NormalizedCorrelation Coefficient,NCC)，表达式如下：

其中，所述R₀为按照预设条件在半导体基底120上的所有发光单元122中任意选取的发光单元122参考子区域，以所述发光单元122参考子区域R₀遍历整个半导体基底120发光区域除了R₀以外的其他部分并计算所述发光单元122参考子区域R₀与遍历过程中所经过的发光单元子区域R_n的相关系数f_n。所述 H为所考察的发光单元122子区域R_n的高度，W为所考察的发光单元122子区域R_n的宽度。所述选取发光单元122参考子区域R₀的预设条件为所选取的发光单元122参考子区域包括的发光单元122个数占全部发光单元122总数的比例大于或等于10％或者所选取的发光单元122参考子区域包括十个以上发光单元122。所述全部发光单元122的总数大于或等于50。

可以理解的是，所述发光单元122参考子区域R₀采用在平面直角坐标系内平移的方式进行遍历。在进行计算所述发光单元122的归一化相关系数时为了排除排布图案中所述发光单元122以外的背景区域对归一化相关系数的影响，在进行计算前以所述发光单元122的中心为原点将发光单元122的区域进行扩张，以避免当发光单元122物理尺寸较小时，因整个排布图案中背景区域比重过大，而使得经上述公式计算后的归一化相关系数无法反映出发光单元122之间的实际相关性。比如，相关性较低的发光单元122排布图案也能算出较高的归一化相关系数。经过上述对发光单元122区域的扩张后使得背景区域的比重降低，计算出来的发光单元122排布图案的归一化相关系数能够最大限度地反映发光单元122之间的实际相关性。所述每个发光单元122区域以相同的尺度进行扩张，扩张的程度应满足扩张后相邻的发光单元122区域不相互重叠。

另外，也可以在按照上述公式进行归一化相关系数计算时只取发光单元 122参考子区域R₀和所遍历发光单元子区域R_n内所述发光单元122所占区域内对应的坐标，而不取背景区域对应的坐标。即，R(i，j)＝1(i，j取发光单元所占区域内对应的坐标)，以排除在计算归一化相关系数时背景区域对发光单元122实际相关性造成的影响。

可以理解的是，在其他实施方式中，所述发光单元122参考子区域R₀还可以在极坐标系中以绕坐标原点旋转的方式进行遍历。

按照上述归一化相关系数公式计算出来的归一化相关系数f_n的取值范围为 0≤f_n≤1。若f_n＝0，说明所选取的发光单元122参考子区域R₀中的发光单元12 与遍历时经过的发光单元122子区域R_n中的发光单元12完全错开而没有任何重合，即所述发光单元122参考子区域R₀与发光单元12子区域R_n完全不相关。

若f_n＝1说明所选取的发光单元122参考子区域R₀中的发光单元12与遍历时经过的发光单元122子区域R_n中的发光单元122一模一样，即所述发光单元 122参考子区域R₀与发光单元122子区域R_n完全相关。

若0＜f_n＜1说明所选取的发光单元122参考子区域R₀中的发光单元122与遍历时经过的发光单元122子区域R_n中的发光单元122部分重合，即所述发光单元122参考子区域R₀与发光单元122子区域R_n部分相关，所述归一化相关系数 f_n越大则说明所选取的发光单元122参考子区域R₀中的发光单元122与遍历时经过的发光单元122子区域R_n中的发光单元122相互重合得越多，即所述发光单元122参考子区域R₀与发光单元122子区域R_n之间的相关性越高。

若所述归一化相关系数f_n≥0.3，则可认为所述发光单元122参考子区域R₀与发光单元122子区域R_n相关，所述发光单元122之间具有相关性。若所述归一化相关系数f_n≥0.5，则可认为所述发光单元122参考子区域R₀与发光单元 12子区域R_n高度相关，所述发光单元12之间具有高度相关性。

在本实施方式中，所述相关系数为归一化相关系数f_n，所述预设阈值为0.3，即所述发光单元122参考子区域R₀在遍历过程中若存在所计算得出的归一化相关系数f_n≥0.3，或者说所述发光单元12参考子区域R₀在遍历过程中所计算得出的归一化相关系数f_n的峰值f_{n_max}≥0.3则可认为所述发光单元122之间整体上具有相关性。

在评估所述发光单元122之间的相关性时除了考虑所述发光单元122的归一化相关系数以外还同时考虑大于或等于预设的归一化相关系数阈值的发光单元122占全部发光单元122的比例以更客观地评估所述发光单元122之间的相关性。

由此，定义出用于评估所述发光单元122之间相关性强弱的相关性强度函数其中a为相关系数大于或等于预设的相关系数阈值的发光单元22 占全部发光单元122的比例，计算公式为P＝{R₀，R₁，…，R_N}，其中R₀为按照预设条件选取的发光单元122参考子区域，以所述发光单元22参考子区域 R₀遍历整个半导体基底120发光区域并计算所述发光单元122参考子区域R₀与整个半导体基底120发光区域除了R₀以外的其他部分的相关系数，假设存在N 个与R₀之间的相关系数大于或等于预设相关系数阈值的发光单元122子区域，分别表示为R₁，…，R_N，则所述P表示整个半导体基底120发光区域内与所述发光单元122参考子区域R₀之间的相关系数大于或等于预设相关系数阈值的所有发光单元122的集合{R₀，R₁，…，R_N}，所述集合P＝{R₀，R₁，…，R_N}中的发光单元 122之间具有相关性。所述S为整个半导体基底120上全部发光单元的集合。所述比例可以为但不限于具有相关性的发光单元122的个数占全部发光单元 122总个数的比例，或者具有相关性的发光单元122所在的区域面积占整个发光区域总面的比例进行评估，可根据实际情况进行选择。

所述P和S可以为对应发光单元122集合内的发光单元122个数。若所述发光单元122均匀分布，所述P和S也可以是对应发光单元122集合所在区域面积。可以理解的是，此处P和S的计算中针对R₀，R₁，…，R_N中可能出现的重叠部分仅计算一次而不重复计算。

所述为所述集合P＝{R₀，R₁，…，R_N}内所有发光单元122子区域 R_n(0＜n≤N)与所述发光单元122参考子区域R₀之间的归一化相关系数f_n的平均值，计算公式为其中f_n为R_n(0＜n≤N)与R₀之间的归一化相关系数。

在本实施方式中，因为所述预设的相关系数阈值为0.3，即当f_n≥0.3时，认为对应的发光单元122子区域R_n(0＜n≤N)中的发光单元122与所选取的发光单元122参考子区域R₀之间具有相关性，所述发光单元122子区域 R_n(0＜n≤N)可运用于上述定义的相关性强度函数来评估所述半导体基底120上所有发光单元122的整体相关性。

所述a为具有相关性的发光单元122占全部发光单元122的比例，所以 0≤a≤1。所述为归一化相关系数f_n的平均值，所以因此，相关性强度函数所计算出来的相关性强度值F也满足取值范围0≤F≤1。在此定义若所述相关性强度值F满足0≤F＜0.1，所述半导体基底120上的全部发光单元122整体上不相关。若所述相关性强度值F满足0.1≤F＜0.25，所述半导体基底20上的全部发光单元122整体上弱相关。若所述相关性强度值F 满足0.25≤F＜0.5，所述半导体基底120上的全部发光单元122整体上具有相关性。若所述相关性强度值F满足0.5≤F≤1，所述半导体基底120上的全部发光单元122整体上强相关。

可以理解的是，对于所述半导体基底120上相同的发光单元122排布图案，所计算出来的相关性强度值F可能会随着计算过程中所选取的发光单元122参考子区域R₀的不同而变化，并不是始终保持一致的，所以在判断所述半导体基底120上全部发光单元122整体上的相关性强度时根据所有满足预设条件的发光单元122参考子区域R₀所计算出来的相关性强度值F中的最大值来进行判断。也就是说，只要存在按照预设条件选取的发光单元122参考子区域R₀，使得根据该发光单元122参考子区域R₀计算出来的相关性强度值F满足上述定义的相关性强度的对应范围即可认为所述半导体基底120上的发光单元122整体上具有对应的相关性强度。

在本实施方式中，所述半导体基底120上的全部发光单元122整体上具有相关性。所述全部发光单元122整体上的相关性强度值F的最大值F_max大于或等于0.25而小于1。即存在按照预设条件选取的发光单元122参考子区域R₀所计算出来的相关性强度值F大于或等于0.25而小于1。

可以理解的是，在其他实施方式中，所述半导体基底120上的全部发光单元122整体上具有强相关性。所述全部发光单元122整体上的相关性强度值F 的最大值F_max大于或等于0.5而小于1。即存在按照预设条件选取的发光单元 122参考子区域R₀所计算出来的相关性强度值F大于或等于0.5而小于1。

如图1所示，所述光源12设置在电路板14上并与所述电路板14电连接。具体地，在本实施方式中，所述光源12通过点胶的方式固定在电路板14上，再通过打线的方式电连接至所述电路板14上的对应电路节点。所述电路板14 可以是柔性电路板、软硬结合板或硬板。可以理解的是，所述电路板14上还设置有用于对外电连接的连接器11及一个或多个被动元件13。所述连接器11和被动元件13通过表面贴装(Surface Mounted Technology，SMT)工艺设置在所述电路板14上。

所述补强板15设置在电路板14上与光源12相对的另外一侧面。所述补强板15用于增强所述电路板14的强度并同时对电路板14上的光源进行散热。所述补强板15的材料选自钢片、铜片等具有较高导热率的金属。所述补强板15 通过导热胶贴合在所述电路板14上。

所述镜筒16为一中空的筒状体，可以为正方体、长方体、圆柱体或其他合适结构。所述镜筒16设置在所述电路板14组装有光源12的一侧表面上，所述光源12被罩在镜筒16内。所述镜筒16包括与电路板14连接的第一端160及与所述第一端160相对设置的第二端162。所述第一端160通过点胶固定在电路板14上。所述远离电路板14的第二端162处对应开设有容置槽164以安装所述光学元件17和保护盖板18。所述镜筒16可以由导热陶瓷、塑料或者合金材料中的一种或多种通过注塑或压模等工艺一体成型制得，也可以分立加工成若干部件再组合而成。在本实施方式中，所述光学元件17为DOE。

请一并参阅图4和图5，本实用新型第二实施方式提供一种感测装置2，其用于感测被测目标物的三维信息。所述三维信息包括但不限于被测目标物表面的三维信息、被测目标物在空间中的位置信息、被测目标物的尺寸信息等其他与被测目标物相关的三维信息。所感测到的被测目标物的空间信息可被用于识别被测目标物或构建被测目标物的三维模型。

所述感测装置2包括如上述第一实施方式所提供的光学投影模组1及感测模组20。所述光学投影模组1用于投射预设的感测光斑图案至被测目标物上。所述感测模组20包括镜头21、图像传感器22和图像分析处理器23。所述图像传感器22通过镜头21感测投射到被测目标物上的所述感测光斑图案。所述图像分析处理器23分析所感测到感测光斑图案获取被测目标物的三维信息。

在本实施方式中，所述感测装置2为感测被测目标物表面的三维信息并据此识别被测目标物身份的三维脸部识别装置。

所述感测模组2根据所感测到的光斑图案在被测目标物上投射出的预设光斑图案的形状变化来分析出被测目标物表面的三维信息并据此对被测目标物进行脸部识别。

如图5所示，本实用新型第三实施方式提供一种设备3，例如手机、笔记本电脑、平板电脑、触控交互屏、门、交通工具、机器人、自动数控机床等。所述设备3包括至少一个上述第二实施方式所提供的感测装置2。所述设备3 用于根据该感测装置2的感测结果来对应执行相应的功能。所述相应功能包括但不限于识别使用者身份后解锁、支付、启动预设的应用程序、避障、识别使用者脸部表情后利用深度学习技术判断使用者的情绪和健康情况中的任意一种或多种。

与现有技术相比，本实用新型所提供的光学投影模组、感测装置及设备采用贴合补强板来增加电路板的强度，同时兼具散热功能，结构简单轻薄。

请一并参阅图6和图7，本实用新型还提供一种所述光学投影模组1的组装方法，所述光学投影模组1包括光源12、电路板14、补强板15、镜筒16、设置在镜筒上的光学元件17及设置在光学元件17出光侧的保护盖板18。所述光源12发出的光束经过光学元件17的调制后形成具有特定功能的出射光束投射出去。所述组装方法包括如下步骤：

步骤S01，在所述镜筒16上设置光学元件17。所述镜筒16的第二端162 对应光学元件17和保护盖板18分别开设有用于组装的多层容置槽164，所述容置槽164的层数根据需要组装的光学元件17的个数而定。所述光学元件17 相对较靠近光源12设置，被组装在较靠近第一端160的容置槽164。所述光学元件17通过点胶固定在对应容置槽164内。所述光学元件17包括但不限于准直元件、扩束元件、微透镜阵列、光栅及衍射光学元件(DiffractiveOptical Elements,DOE)中的一种及其组合。若所述光学元件17有多个，则根据光路设计依次组装进对应的各层容置槽164内。在本实施方式中，所述光学元件为DOE。

步骤S02，在所述镜筒16上设置保护盖板18。所述保护盖板18设置镜筒 16第二端162的最外侧，被组装在第二端162的顶层容置槽164内。所述保护盖板18通过点胶固定在对应的容置槽164内。

步骤S03，将所述补强板15贴合在所述电路板14上。所述补强板15通过导热胶与电路板14贴合。所述补强板15用于增加电路板14的强度，同时因补强板15由高导热率材料制成，还可以对电路板进行散热。

步骤S04，在所述电路板14上设置被动元件13和/或连接器11。所述被动元件13和/或连接器11通过SMT工艺贴装在电路板14上的对应位置处。所述 SMT工艺的作业温度较高，最高可达260摄氏度。

步骤S05，在所述电路板14上设置光源12。所述光源12为发光芯片，通过点胶固定在所述电路板14上，并通过打线与所述电路板14电连接。

步骤S06，通过主动对准(Active Alignment,AA)确定好所述组装好光学元件17和保护盖板18的镜筒16与电路板14上光源12之间的相对位置。所述主动对准根据光源12所发出的光束经光学元件后形成的成像图案来实时调整镜筒16的位置，根据获取最优成像图案时所述镜筒16与电路板14的相对位置来进行定位。

步骤S07，通过点胶将确定好在电路板14上位置的所述组装有光学元件17 和保护盖板18的镜筒16固定在所述已设置有被动元件13和光源12的电路板14上。

可以理解的是，关于镜筒16组装的步骤01和步骤02与关于电路板14组装的步骤S03、步骤S04和步骤S05可分别同时进行以提高效率。

与现有技术相比，本实用新型所提供的光学投影模组1的组装方法将涉及高温的电路板14组装和镜筒16组装分开同步进行，既可以提高组装效率还可降低防止高温作业对镜筒16上光学元件17造成损坏的风险。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光学投影模组，其特征在于，用于投射具有预设图案的图案化光束至被测目标物上进行三维感测，其包括光源、电路板、补强板、镜筒及设置在镜筒上的光学元件，所述光源设置在电路板上并与电路板电连接，所述补强板贴合在所述电路板与光源相对的另一侧面，所述镜筒设置在电路板组装有光源的一侧表面上并罩住所述光源，所述光学元件与光源对准以使得光源所发出的光束经过光学元件的调制后形成具有预设图案的图案化光束投射至被测目标物上。

2.如权利要求1所述的光学投影模组，其特征在于：所述补强板由具有高导热率的材料制成，选自钢片、铜片中的任意一种及其组合，所述补强板用于增加所述电路板的强度并对电路板上的光源进行散热。

3.如权利要求1所述的光学投影模组，其特征在于：还包括保护盖板，所述保护盖板设置在镜筒远离电路板一端的容置槽内，并位于所述光学元件的出光侧。

4.如权利要求1所述的光学投影模组，其特征在于：还包括被动元件及连接器，所述被动元件和连接器通过表面贴装工艺设置在电路板上位于镜筒外的部分。

5.如权利要求1所述的光学投影模组，其特征在于：所述光学元件选自准直元件、扩束元件、微透镜阵列、光栅及衍射光学元件中的一种及其组合。

6.如权利要求1所述的光学投影模组，其特征在于：所述光源包括半导体基底及形成在所述半导体基底上的多个发光单元，所述发光单元以二维点阵的形式分布在所述半导体基底上，所述发光单元中存在参考子区域，与该参考子区域之间的相关系数大于或等于预设阈值的发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值与所述集合中各个发光单元子区域对应的相关系数的平均值的乘积大于或等于0.25而小于1。

7.如权利要求6所述的光学投影模组，其特征在于：所述相关系数为归一化相关系数，所述预设的相关系数阈值为0.3。

8.如权利要求6所述的光学投影模组，其特征在于：所述发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值为所述发光单元子区域所组成的集合内包括的发光单元个数占全部发光单元总个数的比例；或者

所述发光单元子区域所组成的集合占全部发光单元的比例值为发光单元子区域的面积之和占整个发光区域总面积的比例。

9.一种感测装置，其特征在于，其用于感测被测目标物的三维信息，其包括感测模组及如权利要求1至8中任意一项所述的光学投影模组，所述感测模组用于感测所述光学投影模组在被测目标物上投射的预设图案并通过分析所述预设图案的图像获取被测标的物的三维信息。

10.一种设备，其特征在于，包括权利要求9所述的感测装置，所述设备根据所述感测装置所感测到的被测目标物的三维信息来执行相应功能。