CN209537624U - 一种提高pecvd设备抽真空效率的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；所述进气管上连接有进气阀，排液管上设置有排液阀。本实用新型中通过设置设置壳体和冷凝盘管等，可以将PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及PECVD设备技术领域，特别涉及一种提高PECVD设备抽真空效率的装置。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法，生产过程中需要通过真空泵的持续运行来维持真空仓体内的真空度。但是实际抽真空时，会有SiO2、CF4、-CF3等结晶物进入真空泵中使得真空泵发生堵塞，不仅会影响真空泵的正常运行，对真空泵造成损害，还会降低抽真空的效率，影响正常生产。
可见，现有技术还有待改进和提高。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本实用新型的目的在于提供一种提高 PECVD设备抽真空效率的装置，旨在解决现有技术中PECVD设备时结晶物进入真空泵导致抽真空效率低的技术问题。
为了达到上述目的，本实用新型采取了以下技术方案：
一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；所述进气管上连接有进气阀，所述出气管用于连接PECVD设备的真空泵，排液管上设置有排液阀。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气阀的进口端连接有两根进气支管。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气阀为比例阀。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述盖板或壳体上还设置有一根氮气管。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述加热器为加热棒。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述进气管向下穿过盖板，进气管的底端距离壳体内侧底面的距离为20～30mm。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述出气管向下穿过盖板，出气管的底端与盖板的下表面平齐。
所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，所述壳体由不锈钢制成。
有益效果：本实用新型提供了一种本实用新型提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置，相比现有技术，本实用新型通过设置壳体以及冷凝盘管等，从而便于对PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。
附图说明
图1为本实用新型提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置的主视图。
图2为本实用新型提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置的工作原理图。
具体实施方式
本实用新型提供一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1和图2，本实用新型提供一种提高PECVD设备抽真空效率的装置。附图仅用于解释所述提高PECVD设备抽真空效率的装置的结构原理，不与实际产品成比例。附图中未画出所有的阀门等管件。
所述提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体1和设置在壳体上的盖板2，壳体1的外侧设置有冷凝盘管3，壳体内的底部设置有加热器4；所述盖板还设置有一根进气管51和出气管52，进气管和出气管均插入壳体内，且进气管的底端低于出气管的底端；壳体底部连接有一根排液管53；所述进气管上连接有进气阀511，所述出气管用于连接PECVD设备的真空泵 90，排液管上设置有排液阀531。实际应用中，出气管上通常会设置有阀门 (图中未画出)。如果所示，壳体的底部一般呈椭圆形，但不限定于此。由于制冷本身属于现有技术，因此，此处不限定冷凝盘管的冷源(如：压缩机对制冷剂做工来制冷)。
进一步地，所述进气阀511的进口端连接有两根进气支管50。实际使用时，两根进气支管分别连接至PECVD设备的真空仓体的两侧，从真空仓体的两侧同时抽真空，提高抽真空的效果。
优选地，所述进气阀511为比例阀，相对于普通阀门，比例阀的控制更加精准，保证真空仓体的真空度在预定的范围内。
进一步地，所述盖板或壳体上还设置有一根氮气管54。通常地，氮气管上也上设置有一个阀门(图中未画出)用于连通或者关闭外部氮气气源。图1中该氮气管设置在盖板上，但实际应用中也可以设置在壳体上。当需要清理壳体的内腔时，氮气管连通外部氮气气源，可以对壳体内快速清扫和吹干。
优选地，所述加热器4为加热棒，接通外部电源可以起到发热的效果，且具有较大的加热面积，能够快速融合壳体内的结晶物。
优选地，所述进气管51向下穿过盖板，进气管的底端距离壳体内侧底面的距离为20～30mm。即，气体能够进入到壳体内腔的底部，使得气体在壳体内得到充分降温。
优选地，所述出气管52向下穿过盖板，出气管的底端与盖板的下表面平齐，这样设置便于降温后的气体能够快速地从壳体中排出。
优选地，所述壳体1由不锈钢制成，以提高使用寿命。
以下简述工作原理：所述进气阀的进口端连接的两根进气支管50分别连接至PECVD设备的真空仓体91的两侧，所述出气管连接至真空泵。为了便于理解，图2中还画出了药水蒸发罐92，该药水蒸发罐与真空仓体相连，用于提供纳米薄膜的原材料；图2中还示意性画出了氧气、氩气和空气的进气管93。真空泵90正常运行时对真空仓体进行抽真空，而抽出的气体随着进气支管进入进气管并到达所述壳体的内腔；受到冷凝盘管的作用，壳体温度较低(如：-95度甚至更低)，气体到达壳体内腔后迅速降温，SiO2、 CF4、-CF3的杂质在壳体中结晶并主要沉积在壳体内的底部；壳体内的其他从出气管排出并到达真空泵，进入真空泵的气体不含有结晶物也没有形成结晶物的可能，保证了真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。当需要对壳体内的结晶物进行清理时，可以将加热棒接通电源进行发热，将结晶物融化，打开排液管上的排液阀将液体排出。进一步地，可以将氮气管接通外部氮气气源(其压强一般为0.6Mpa～0.8Mpa)，从而对壳体内部进行吹扫、加速清洁。
通过上述分析可知，本实用新型提供的提高PECVD设备抽真空效率的装置中，通过设置壳体以及冷凝盘管等，从而便于对PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温，将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离，进入真空泵的气体不含结晶物，防止了真空泵发生堵塞，保证真空泵正常运行，从而提高了PECVD设备抽真空效率。
需要说明的是，图2中所画出的真空仓体、药水蒸发罐、真空泵、以及氧气、氩气和空气的进气管本身属于PECVD设备，并不在本实用新型的保护范围内。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种提高PECVD设备抽真空效率的装置，包括壳体和设置在壳体上的盖板，其特征在于，壳体的外侧设置有冷凝盘管，壳体内的底部设置有加热器；所述盖板还设置有一根进气管和出气管，壳体底部连接有一根排液管；进气管和出气管均插入壳体内，且进气管的底端低于出气管的底端；所述进气管上连接有进气阀，排液管上设置有排液阀。
2.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述进气阀的进口端连接有两根进气支管。
3.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述进气阀为比例阀。
4.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述盖板或壳体上还设置有一根氮气管。
5.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述加热器为加热棒。
6.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述进气管向下穿过盖板，进气管的底端距离壳体内侧底面的距离为20～30mm。
7.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述出气管向下穿过盖板，出气管的底端与盖板的下表面平齐。
8.根据权利要求1所述的提高PECVD设备抽真空效率的装置，其特征在于，所述壳体由不锈钢制成。
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| CN201920208490.2U CN209537624U (zh) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | 一种提高pecvd设备抽真空效率的装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114755369A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-15 | 鞍山翰玛传感技术有限公司 | 一种燃气分析系统中可凝杂质的自动去除方法及系统 |
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2019
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