CN209486278U - 阵列比吸收率测试设备的校准系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种阵列比吸收率测试设备的校准系统，包括：信号源装置、偶极子天线和待测阵列比吸收率测试设备；其中，所述信号源装置与所述偶极子天线的射频接口连接，所述偶极子天线与所述待测阵列比吸收率测试设备连接；所述信号源装置用于：产生电磁波信号；所述偶极子天线用于：根据所述电磁波信号产生电场；所述待测阵列比吸收率测试设备用于：测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子。该方案可以实现对阵列比吸收率测试设备进行校准。
Description
技术领域
本实用新型涉及SAR测试技术领域，特别涉及一种阵列比吸收率测试设备的校准系统。
背景技术
随着通信行业的迅猛发展，通信设备制式日益复杂，应用环境多种多样。新型的无线设备通常兼容2G、3G和4G，并包含MIMO、载波聚合等新功能；其中一些新型设备所配备的传感器甚至还能根据工作场景自动调整发射功率。这使得设备测试方案的复杂性和测试例都不断增长，导致比吸收率(SAR，Specific Absorption Rate)测试时长可能达到数周甚至数月。为了减少测试时间，阵列比吸收率测试设备开始进入市场并开始广泛应用。此类产品是基于测量电场强度的二极管负载传感器阵列以及基于测量场强和相位的矢量传感器阵列来实现阵列比吸收率测试。但是目前没有对阵列比吸收率测试设备进行校准的方案。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种阵列比吸收率测试设备的校准系统，可以实现对阵列比吸收率测试设备进行校准。
该阵列比吸收率测试设备的校准系统包括：信号源装置、偶极子天线和待测阵列比吸收率测试设备；
其中，所述信号源装置与所述偶极子天线的射频接口连接，所述偶极子天线与所述待测阵列比吸收率测试设备连接；
所述信号源装置用于：产生电磁波信号；
所述偶极子天线用于：根据所述电磁波信号产生电场；
所述待测阵列比吸收率测试设备用于：测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子。
在一个实施例中，所述偶极子天线包括多个定制型号的偶极子天线。
在一个实施例中，所述偶极子天线为多个Z轴偶极子天线。
在一个实施例中，所述偶极子天线为多个定制型号的偶极子天线和多个Z轴偶极子天线。
在一个实施例中，所述多个定制型号的偶极子天线的型号为CA900V3、CL900B、CA1750V2、CA2450V2、CA5500V3中的多个；
所述多个Z轴偶极子天线的型号为Z12、Z22、Z32中的多个。
在一个实施例中，所述信号源装置包括信号发生器、功率放大器和耦合器，其中，所述信号发生器与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述耦合器的输入端连接，所述耦合器的输出端与所述偶极子天线连接；
所述信号发生器用于：产生电磁波信号；
所述功率放大器用于：对电磁波信号的功率进行放大处理；
所述耦合器用于：对经过功率放大处理的电磁波信号在前向端口和反向端口进行监控，获得偏差数据，所述偏差数据用于校准因子的计算。
在一个实施例中，所述信号源装置还包括两个功率计，其中第一功率计与所述耦合器的前向端口连接，第二功率计与所述耦合器的反向端口连接；
所述第一功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器前向端口的实际功率；
所述第二功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器反向端口的实际功率。
在一个实施例中，所述信号源装置还包括第一衰减器和第二衰减器，所述第一衰减器位于所述第一功率计与所述耦合器的前向端口之间，所述第二衰减器位于所述第二功率计与所述耦合器的反向端口之间
所述第一衰减器用于：防止所述第一功率计被超量程输入功率损毁；
所述第二衰减器用于：防止所述第二功率计被超量程输入功率损毁。
在一个实施例中，所述信号源装置容置于一机柜内。
在一个实施例中，还包括：机械臂，所述偶极子天线安装在所述机械臂上；
所述机械臂用于：在校准时将所述偶极子天线移动到所述待测阵列比吸收率测试设备的上方的具体位置。
在本实用新型中，通过信号源装置产生电磁波信号，通过偶极子天线根据所述电磁波信号产生电场，通过待测阵列比吸收率测试设备测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子，这样可以实现对阵列比吸收率测试设备进行校准。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种阵列比吸收率测试设备的校准系统的结构框图(一)；
图2是本实用新型实施例提供的一种信号源装置的结构框图(一)；
图3是本实用新型实施例提供的一种信号源装置的结构框图(二)；
图4是本实用新型实施例提供的一种信号源装置的结构框图(三)；
图5是本实用新型实施例提供的一种阵列比吸收率测试设备的校准系统的结构框图(二)；
图6是本实用新型实施例提供的一种阵列比吸收率测试设备的校准系统的结构框图(三)。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型实施例中，提供了一种阵列比吸收率测试设备的校准系统，如图1所示，该系统包括：信号源装置1、偶极子天线2和待测阵列比吸收率测试设备3(包括三个型号，其型号名称分别为左侧头部模型设备、右侧头部模型、身体平坦模型设备)；
其中，所述信号源装置1与所述偶极子天线2的射频接口连接，所述偶极子天线2与所述待测阵列比吸收率测试设备3连接；
所述信号源装置1用于：产生电磁波信号；
所述偶极子天线2用于：根据所述电磁波信号产生电场；
所述待测阵列比吸收率测试设备3用于：测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子。
具体的，偶极子指的是几何尺寸远小于波长的带电体，一个辐射体可以近似是许多偶极子的组合，根据带电体特性分别用电偶极子或磁偶极子模拟。所述偶极子天线可以包括多个定制型号的偶极子天线。或者，所述偶极子天线可以为Z轴偶极子天线(Z12、Z22和Z32表示三个型号)。或者，所述偶极子天线可以包括多个定制型号的偶极子天线和Z轴偶极子天线。而型号为CA900V3、CL900Bz、CA1750V2、CA2450V2、CA5500V3中的多个。这些偶极子天线分别同信号源装置1的输出部分连接。
在本实用新型实施例中，如图2所示，所述信号源装置1包括信号发生器11、功率放大器12和耦合器13，其中，所述信号发生器11与所述功率放大器12的输入端连接，所述功率放大器12的输出端与所述耦合器13的输入端连接，所述耦合器13的输出端与所述偶极子天线2连接；
所述信号发生器11用于：产生电磁波信号；
所述功率放大器12用于：对电磁波信号的功率进行放大处理；
所述耦合器13用于：对经过功率放大处理的电磁波信号在前向端口和反向端口进行监控，获得偏差数据，所述偏差数据用于校准因子的计算。
该信号源装置1可以产生需要的不同等级的信号。
在本实用新型实施例中，如图3所示，该信号源装置1还可以包括第一功率计14和第二功率计15，其中，第一功率计14与所述耦合器13的前向端口连接，第二功率计15与所述耦合器13的反向端口连接；
所述第一功率计14用于：记录所述电磁波信号在耦合器前向端口的实际功率；
所述第二功率计15用于：记录所述电磁波信号在耦合器反向端口的实际功率。
在本实用新型实施例中，如图4所示，该所述信号源装置1还可以包括第一衰减器16和第二衰减器17，所述第一衰减器16位于所述第一功率计14与所述耦合器13的前向端口之间，所述第二衰减器17位于所述第二功率计15与所述耦合器13的后向端口之间；
所述第一衰减器16用于：防止所述第一功率计14被超量程输入功率损毁；
所述第二衰减器17用于：防止所述第二功率计15被超量程输入功率损毁。
具体实施时，偶极子天线2需要移动到待测阵列比吸收率测试设备3的预设位置，靠近待测阵列比吸收率测试设备3上的相应传感器，然后通过待测阵列比吸收率测试设备3上相应传感器记录强值。偶极子天线2的移动可以是由人来手工移动，也可以采用自动控制方式移动，此时，该阵列比吸收率测试设备的校准系统还可以包括：机械臂4，所述偶极子天线2安装在所述机械臂4上，如图5所示。
所述机械臂4用于：在校准时将所述偶极子天线移动到所述待测阵列比吸收率测试设备的上方的具体位置。
在本实用新型实施例中，如图6所示，所述信号源装置1可以容置于一机柜5内。
综上所述，本实用新型提出的阵列比吸收率测试设备的校准系统，可以通过信号源装置产生电磁波信号，通过偶极子天线根据所述电磁波信号产生电场，通过待测阵列比吸收率测试设备测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子，这样可以实现对阵列比吸收率测试设备进行校准。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型实施例可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，包括：信号源装置、偶极子天线和待测阵列比吸收率测试设备；
其中，所述信号源装置与所述偶极子天线的射频接口连接，所述偶极子天线与所述待测阵列比吸收率测试设备连接；
所述信号源装置用于：产生电磁波信号；
所述偶极子天线用于：根据所述电磁波信号产生电场；
所述待测阵列比吸收率测试设备用于：测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子。
2.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线包括多个定制型号的偶极子天线。
3.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线为多个Z轴偶极子天线。
4.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线为多个定制型号的偶极子天线和多个Z轴偶极子天线。
5.如权利要求4所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述多个定制型号的偶极子天线的型号为CA900V3、CL900B、CA1750V2、CA2450V2、CA5500V3中的多个；
所述多个Z轴偶极子天线的型号为Z12、Z22、Z32中的多个。
6.如权利要求2或4所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置包括信号发生器、功率放大器和耦合器，其中，所述信号发生器与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述耦合器的输入端连接，所述耦合器的输出端与所述偶极子天线连接；
所述信号发生器用于：产生电磁波信号；
所述功率放大器用于：对电磁波信号的功率进行放大处理；
所述耦合器用于：对经过功率放大处理的电磁波信号在前向端口和反向端口进行监控，获得偏差数据，所述偏差数据用于校准因子的计算。
7.如权利要求6所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置还包括两个功率计，其中第一功率计与所述耦合器的前向端口连接，第二功率计与所述耦合器的反向端口连接；
所述第一功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器前向端口的实际功率；
所述第二功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器反向端口的实际功率。
8.如权利要求7所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置还包括第一衰减器和第二衰减器，所述第一衰减器位于所述第一功率计与所述耦合器的前向端口之间，所述第二衰减器位于所述第二功率计与所述耦合器的反向端口之间
所述第一衰减器用于：防止所述第一功率计被超量程输入功率损毁；
所述第二衰减器用于：防止所述第二功率计被超量程输入功率损毁。
9.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置容置于一机柜内。
10.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，还包括：机械臂，所述偶极子天线安装在所述机械臂上；
所述机械臂用于：在校准时将所述偶极子天线移动到所述待测阵列比吸收率测试设备的上方的具体位置。
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