CN209470049U - 一种交流直驱led发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种交流直驱LED发光二极管,包括塑胶封体、高压驱动芯片、LED灯珠、两金属支架和两引脚,两金属支架分别设置于塑胶封体内,两引脚分别插设于塑胶封体内,每一金属支架设置于一引脚的一端,高压驱动芯片和LED灯珠分别设置于同一金属支架上,高压驱动芯片分别与LED灯珠和两金属支架电连接。该交流直驱LED发光二极管通过设计集成的高压驱动芯片,让普通微光LED灯变成高压交流电可以直接驱动LED灯,让很多微光领域应用的电子产品,直接兼容并简化,社会效益明显;LED灯用在交流电驱动时无须区分正负极,方便连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管技术领域,特别是涉及一种交流直驱LED发光二极管。
背景技术
在很多需要微光的领域,例如家庭小夜灯、楼道微光辅助照明灯、楼道微光指示灯、各种家用电器电源指示灯、墙壁插座电源指示灯和排插电源指示灯等。因为普通微光LED(发光二极管)灯的正向电压值(VF值)很低,因此需要把交流电转为低压直流电,才能驱动点亮LED灯。因此现在市场上的微光LED 灯,都是低压直流驱动的。
在我们日常生活中,日常用电都是110V交流电(欧美),220V交流电(中国)。目前市面上的处理方法大致分为三类:一、电源降压模块驱动LED灯;二、阻容降压驱动LED灯;三、电阻限流降压驱动LED灯。但是,电源降压模块驱动方式、阻容降压驱动方式都存在总体成本高、外围电路复杂的缺陷。在微光LED灯上,限流降压驱动较为常见,但是需要外接电阻,生产环节多,成本高。
实用新型内容
基于此,有必要针对LED灯需要外接电阻,生产环节多,成本高的问题,提供一种交流直驱LED发光二极管,不再需要其他外围元器件,能够用110V 或者220V的高压交流电直接驱动点亮。
一种交流直驱LED发光二极管,包括塑胶封体、高压驱动芯片、LED灯珠、两金属支架和两引脚,两所述金属支架分别设置于所述塑胶封体内,两引脚分别插设于所述塑胶封体内,每一所述金属支架设置于一所述引脚的一端,所述高压驱动芯片和所述LED灯珠分别设置于同一所述金属支架上,所述高压驱动芯片分别与所述LED灯珠和两所述金属支架电连接。
在其中一个实施例中,所述高压驱动芯片包括驱动芯片JI和内置的多晶硅电阻R,驱动芯片JI的一端连接LED灯珠,驱动芯片JI的另一端通过多晶硅电阻R连接LED灯珠。
上述交流直驱LED发光二极管,让普通微光LED灯变成高压交流电可以直接驱动LED灯,让很多微光领域应用的电子产品,直接兼容并简化,社会效益明显;LED灯用在交流电驱动时无须区分正负极,方便连接。
附图说明
图1为其中一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的结构示意图;
图2为另一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的结构示意图;
图3为另一个实施例的高压驱动芯片的交流直驱LED发光二极管的电路图;
图4为另一个实施例的高压驱动芯片的版图结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1所示,一种交流直驱LED发光二极管,包括塑胶封体1、高压驱动芯片2、单电极LED灯珠3、两金属支架4和两引脚5,两金属支架4分别设置于塑胶封体1内,两引脚5分别插设于塑胶封体1内,每一金属支架4设置于一引脚5的一端,高压驱动芯片2和LED灯珠3分别设置于同一金属支架4上,高压驱动芯片2和LED灯珠3位于塑胶封体1内,高压驱动芯片2分别与灯和两金属支架4电连接。
如图2所示,一种交流直驱LED发光二极管,包括塑胶封体1、高压驱动芯片2、双电极LED灯珠6、两金属支架4和两引脚5,两金属支架4分别设置于塑胶封体1内,两引脚5分别插设于塑胶封体1内,每一金属支架4设置于一引脚5的一端,高压驱动芯片2和灯分别设置于一金属支架4上,高压驱动芯片2和LED灯珠6位于塑胶封体1内,高压驱动芯片2分别与LED灯珠6 和两金属支架4电连接,LED灯珠6还与金属支架4电连接。
上述交流直驱LED发光二极管,通过设计集成的高压驱动芯片2,让普通微光LED灯变成高压交流电可以直接驱动LED灯,让很多微光领域应用的电子产品,直接兼容并简化,社会效益明显;LED灯用在交流电驱动时无须区分正负极,方便连接。
如图3所示,在其中一个实施例中,高压驱动芯片2包括驱动芯片JI和内置的多晶硅电阻R,驱动芯片JI的一端连接LED灯珠,驱动芯片JI的另一端通过多晶硅电阻R连接LED灯珠。
在其中一个实施例中,高压驱动芯片的制造及处理方法:采用高压CMOS 集成电路加工工艺,包括设计仿真、功率计算、耐压计算、版图、光照、晶圆生产、测试、切割、蓝膜、固晶、帮定、塑封、成品测试和切脚步骤。灯珠成品。确保成品耐压1000V,确保静电,雷击IC后不会损坏。
如图4所示,压驱动芯片2内置的三个保护二极管7和多晶硅电阻R 8集成在保护环9内,其中,保护二极管7分别设置在多晶硅电阻R8的两端和中部。高耐压处理通过直线分布排列使每排电阻的电势梯度差<10V。
在其中一个实施例中,对红色LED灯而言,VF值一般为1.6V,交流电正向时,LED导通,在R1的限制下,LED的峰值电流(以220V~,红色LED为例) 为:(220*1.414-1.6)/220000=1.406mA,此时,多晶硅电阻R的平均功率计算方式为:
P1=1.6*0.443=0.7088mW;
其中为交流电反向时,LED截止,电流为0时的整体等效电压;
为分配到电阻上的平均电压;
为环路上的平均电流;
P1为LED上平均功率;
P电阻为电阻平均功率。
由于LED灯珠本身就具有二极管特性,导通电压为LED灯珠本身的VF值,当交流电波形在0~180度时,LED属于正向导通区间,正向导通时,驱动IC限制LED的电流,确保LED在安全范围内开始发光;当交流电波形在180~360 度时,LED灯珠属于反向截止区间,反向截止时,驱动芯片JI和LED灯珠截止,避免LED烧坏,确保LED安全。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (2)
1.一种交流直驱LED发光二极管,其特征在于,包括塑胶封体、高压驱动芯片、LED灯珠、两金属支架和两引脚,两所述金属支架分别设置于所述塑胶封体内,两引脚分别插设于所述塑胶封体内,每一所述金属支架设置于一所述引脚的一端,所述高压驱动芯片和所述LED灯珠分别设置于同一所述金属支架上,所述高压驱动芯片分别与所述LED灯珠和两所述金属支架电连接。
2.根据权利要求1所述的交流直驱LED发光二极管,其特征在于,所述高压驱动芯片包括驱动芯片JI和内置的多晶硅电阻R,驱动芯片JI的一端连接LED灯珠,驱动芯片JI的另一端通过多晶硅电阻R连接LED灯珠。
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