CN209462012U - 一种灭弧型低压直流断路器 - Google Patents

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陈健
刘华芹
葛奔
于岫屏
张远平
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Suqian Power Supply Branch Jiangsu Electric Power Co Ltd
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Suqian Power Supply Branch Jiangsu Electric Power Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种灭弧型低压直流断路器,该电路通过接触器、JFET和IGBT、电容器的组合,完整的器件保护和启动过程逻辑控制,可以实现接触器的无弧关断,不仅提高了断路器的运行效率和可靠性,而且有效的控制了动作时间,非常适合于直流配电网、变电站直流系统、计算中心直流电源系统等领域。

Description

一种灭弧型低压直流断路器
技术领域
本实用新型涉及一种灭弧型低压直流断路器,属于电力电子的技术领域。
背景技术
随着新能源控制技术以及大功率电力电子器件不断发展,直流配电网日益受到人们的关注。然而,直流系统线路阻抗低,当发生短路故障时,线路电流上升迅速,在很短的时间内上升到电网难以承受的水平。直流断路器,作为直流输电的关键设备,能够快速隔离故障,然后,传统机械式断路器虽然通态损耗低,开断能力强,但是开断时间受到振荡电路和燃弧现象的限制,很难满足某些场合的开断需求。固态断路器仅由电力电子器件组成,所以开断过程迅速,没有电弧产生,且快速的开断时间能满足所有直流开断的需求。但是,固态断路器通态损耗巨大,散热和效率限制了其实际大电流实用。混合直流断路器由机械断路器并联固态断路器组成,继承了固态断路器开断迅速与机械断路器通态损耗低的特点,成为近年来研究的热点,也是直流配电网高效可靠运行的关键装备。
发明内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种灭弧型低压直流断路器。
为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:
一种灭弧型低压直流断路器,包括接触器K1、JFET器件J1、IGBT器件T1及其反并联二极管D1、二极管D2、缓冲电容C1和C2、阻尼电阻R1和 R2、氧化锌阀片Z1和相应驱动电路;
接触器K1的正极1连接断路器的正接入点+KM,K1的负极2连接J1的D极,J1的S极连接断路器的负接入点+KM1,J1的门极连接驱动电路;
氧化锌阀片Z1的两端分别连接断路器的正负接入点+KM、+KM1;
缓冲电容C1一端连接断路器的正接入点+KM,另外一端连接阻尼电阻R1的一端,形成中心点O,阻尼电阻R1的另一端连接断路器的负接入点+KM1;缓冲电容C2一端连接中心点O,另外一端连接阻尼电阻R2的一端,阻尼电阻R2的另一端连接断路器的负接入点+KM1;
T1的C极连接断路器的正接入点+KM, T1的E极连接D2的正极,即连接中心点O,D2的负极连接断路器的负接入点+KM1, T1的门极连接驱动电路。
所述J1的门极施加驱动负电压时为导通状态;施加低于阈值的驱动电压时为截止状态。
合闸状态时T1和D2中无电流。
所述JFET器件J1、IGBT器件T1采用HCPL-3120芯片进行驱动,接触器K1采用光继电器TLP3553驱动。
本实用新型所达到的有益效果:1、本实用新型可以实现一种灭弧型直流断路器,不仅提高了断路器的运行效率和可靠性,而且有效的控制了动作时间;2、本实用新型还实现了完整的器件保护和启动过程控制,非常适合于直流配电网领域;3、本实用新型采用常通型JFET作为辅助换流器器件,便于控制和保护测量;4、本实用新型主换流IGBT器件采用阶段式关断模式,并配合吸收电容,可有效控制IGBT的流通电流和发热量;5、JFET内阻皆作过电流保护测量电阻,实施简单,且成本较低。
附图说明
图1为本实用新型的电路图;
图2为本实用新型的驱动电路图;
图3为本实用新型的IGBT多阶段关断模式电路图;
图4为本实用新型的过电流测量电路图;
图5为本实用新型的开通动作时续图;
图6为本实用新型的关断动作时续图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示,本实用新型涉及一种灭弧型低压直流断路器,其电路包括接触器K1、JFET器件J1、IGBT器件T1及其反并联二极管D1、二极管D2、缓冲电容C1和C2、阻尼电阻R1和R2、氧化锌阀片Z1;
接触器K1的正极1连接断路器的正接入点+KM,K1的负极2连接J1的D极,J1的S极连接断路器的负接入点+KM1,J1的门极连接驱动电路;
氧化锌阀片Z1的两端分别连接断路器的正负接入点+KM、+KM1;
缓冲电容C1一端连接断路器的正接入点+KM,另外一端连接阻尼电阻R1的一端,形成中心点O,阻尼电阻R1的另一端连接断路器的负接入点+KM1;缓冲电容C2一端连接中心点O,另外一端连接阻尼电阻R2的一端,阻尼电阻R2的另一端连接断路器的负接入点+KM1;
T1的C极连接断路器的正接入点+KM, T1的E极连接D2的正极,即连接中心点O,D2的负极连接断路器的负接入点+KM1, T1的门极连接驱动电路。
如图2所示,直流断路器驱动电路包含K1、J1和T1的驱动。K1采用光继电器TLP3553驱动其动作线圈实现,驱动电压为24V,通过DSP的IO脚控制光继电器通断,进而控制K1。J1利用HCPL-3120芯片进行驱动,驱动电压为-20-0V,当DSP的IO脚输出逻辑“0”时,其驱动电路输出-20V,JFET为关断状态,当DSP的IO脚输出逻辑“1”时,其驱动电路输出0V,JFET为开通状态。T1也利用HCPL-3120芯片进行驱动,T1的关断为多阶段模式,根据DSP测量的电流大小,判断选择对应的关断驱动支路,如图3所示,通常驱动电压为Vee1=-8V,Vcc1=15V的第一支路,当DSP的IO脚输出逻辑“0”时,其驱动电路输出-8V,IGBT为关断状态,当DSP的IO脚输出逻辑“1”时,其驱动电路输出15V,IGBT为开通状态。当需要关断故障电流时,根据实际DSP测量的电流大小,选择第二支路、第三支路,亦可根据实际需求选择更多的支路。上述二个支路的原理是根据Vccx和Veex (x=2或3)和钳位二极管的配置不同的门极驱动电压V GE,如式(1)所示,通过控制门极电压进而可控制IGBT流通的电流,从而控制C1流通电流及其两端电压的上升率,即控制IGBT的关断速度。
(1)
其中,I c,sat为IGBT的集电极电流,α为IGBT结构决定的常数,V GE为加在IGBT门极的电压,V th为IGBT的门极阈值电压,一般也认为是常数。
由于J1的自身电阻值很小,如图4所示,可以通过电阻电容差分滤波电路后接入隔离线性光耦,隔离线性光耦输出接至调理运放电路,其输出分两路分别接入DSP的ADC1和比较器脚COMP1,ADC1由DSP的软件按采集时序读取数据并执行计算,比较器COMP1输出则实现中断加速启动,结果和DSP的计算结果组成相关的逻辑控制。
上述直流断路器的开通状态和关断状态原理如下:
J1是一种电阻值很小的常导通型器件,即当没有驱动负电压施加其门极时,其为导通状态;当低于阈值的驱动电压施加其门极时,其为截止状态。因此,正常合闸状态运行时,接触器K1和 J1形成主供电回路,K1、J1、T1均处于开通状态,因J1的电阻值很小,K1、J1构成的主供电回路导通电流且损耗较小;T1、D2的压降较K1、J1的压降大,因此T1和D2中无电流。正常断开状态时,K1、J1、T1都处于断开状态,C1承担直流母线电压。
上述直流断路器的开通过程原理如下:
如图5所示,合闸命令下达后,先开通J1,20us后再合K1,待K1触电闭合后,C1通过R1、J1、K1放电,10s后C1电压降至较小值,最后开通T1,因此T1不存在过冲电流。
上述直流断路器的关断过程原理如下:
如图6所示,分闸命令下达后,首先分断J1,由于JFET为少子型器件,20us后J1中无电流,即K1和J1支路无电流,然后再分断K1,因此K1没有电弧; K1分断后,由于T1在开通状态,C1两端电压上升较小,因此J1仅承受小电压,此时电流通过T1和D2;5ms之后,K1完全分断,此后,开始关断T1,T1的门极电压采用阶段式下降模式,该模式有效控制T1的流通电流,因此此时断路器电流的电流一部分流过T1,一部分流过C1,C1电压不断上升,最后时刻T1完全关断,C1电压上升至一定过冲电压后自然恢复至母线电压,断路器自然关断;故障模式时,电流较大,C1电压上升至Z1动作电压,Z1限制过冲电压并消耗多余能量,最后C1电压恢复至母线电压,随后断路器才自然关断。
上述电路通过接触器、JFET和IGBT、电容器的组合,完整的器件保护和启动过程逻辑控制,可以实现接触器的无弧关断,不仅提高了断路器的运行效率和可靠性,而且有效的控制了动作时间,非常适合于直流配电网、变电站直流系统、计算中心直流电源系统等领域。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种灭弧型低压直流断路器,其特征在于:包括接触器K1、JFET器件J1、IGBT器件T1及其反并联二极管D1、二极管D2、缓冲电容C1和C2、阻尼电阻R1和 R2、氧化锌阀片Z1;
所述接触器K1的正极1连接断路器的正接入点+KM,K1的负极2连接J1的D极,J1的S极连接断路器的负接入点+KM1,J1的门极连接驱动电路;
所述氧化锌阀片Z1的两端分别连接断路器的正接入点+KM 及负接入点+KM1;
所述缓冲电容C1一端连接断路器的正接入点+KM,另外一端连接阻尼电阻R1的一端,在缓冲电源C1及阻尼电阻R1的连接点处形成中心点O,阻尼电阻R1的另一端连接断路器的负接入点+KM1;缓冲电容C2一端连接中心点O,另外一端连接阻尼电阻R2的一端,阻尼电阻R2的另一端连接断路器的负接入点+KM1;
所述T1的C极连接断路器的正接入点+KM, T1的E极连接D2的正极,即连接中心点O,D2的负极连接断路器的负接入点+KM1, T1的门极连接驱动电路。
2.根据权利要求1所述的一种灭弧型低压直流断路器,其特征在于:所述J1的门极施加驱动负电压时为导通状态;施加低于阈值的驱动电压时为截止状态。
3.根据权利要求1所述的一种灭弧型低压直流断路器,其特征在于:合闸状态时T1和D2中无电流。
4.根据权利要求1所述的一种灭弧型低压直流断路器,其特征在于:所述JFET器件J1、IGBT器件T1采用HCPL-3120芯片进行驱动,接触器K1采用光继电器TLP3553驱动。
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