CN209435204U - 一种rst与清除cmos的按键复用电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种RST与清除CMOS的按键复用电路，包括开关，开关连接有RST电路和CMOS电路，RST电路和CMOS电路均与处微处理器连接；RST电路包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的正极和第二二极管的正极均与微处理器连接，第一二极管的负极与第二二极管的负极连接，第二二极管的负极与开关的1引脚连接；CMOS电路包括第一场效应管和延时电路以及第二场效应管和延时电路；当按动开关时利用RST电路中的第一二极管和第二二极管的单向导通性对微处理器进行复位，同时通过CMOS电路中的第一场效应管启用延时电路，当延时一定时间后通过第二场效应管对微处理器进行清除CMOS，实现RST与清除CMOS的按键复用，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广泛。
Description
技术领域
本实用新型涉及电脑技术领域，更具体地说，涉及一种RST与清除CMOS 的按键复用电路。
背景技术
按键是对设备进行操作主要控制装置，特别是电子设备如计算机、各种仪表等在操作时都可以利用按键完成相应的操作；而一些小型化，微型化的电子设备，例如可拔插式电脑大多设有复位按键和清除CMOS按键，存在着占用空间大，成本高等问题，已经无法满足人们对设备的小型化，微型化的使用需求。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种 RST与清除CMOS的按键复用，电路结构简单，成本低，体积小的RST与清除CMOS的按键复用电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
构造一种RST与清除CMOS的按键复用电路，包括开关，其中，所述开关连接有RST电路和CMOS电路，所述RST电路和所述CMOS电路均与处微处理器连接；所述RST电路包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极和所述第二二极管的正极均与所述微处理器连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的负极与所述开关的1 引脚连接；所述CMOS电路包括第一场效应管和延时电路以及第二场效应管，所述第一场效应管的基极与所述开关的4引脚连接，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的基极连接，所述第二场效应管的漏极与所述微处理器连接。
本实用新型所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其中，所述第一二极管的负极连接有第一电阻，所述第一电阻的另一端连接有第二电阻和第一电容，所述第二电阻的另一端与所述电源的正极连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端与所述开关的1引脚连接；所述第二二极管的正极还连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端与所述电源的正极连接。
本实用新型所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其中，所述第一场效应管的基极连接有第四电阻，所述第四电阻的另一端与所述开关的4引脚连接；所述延时电路包括第五电阻和第二电容，所述第五电阻的另一端与所述电源的正极连接，所述第二电容的另一端接地；所述第一场效应管和所述第二场效应管的源极均接地。
本实用新型所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其中，所述开关的2引脚和3引脚以及4引脚均接地，所述开关可以为触点开关，常闭型开关或常开型开关。
本实用新型的有益效果在于：当按动开关时利用RST电路中的第一二极管和第二二极管的单向导通性对微处理器进行复位，同时通过CMOS电路中的第一场效应管启用延时电路，当延时一定时间后通过第二场效应管对微处理器进行清除CMOS，实现RST与清除CMOS的按键复用，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广泛。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，下面描述中的附图仅仅是本发明的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图：
图1是本实用新型较佳实施例的RST与清除CMOS的按键复用电路的 RST电路的电路图；
图2是本实用新型较佳实施例的RST与清除CMOS的按键复用电路的 CMOS电路和延时电路的电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。
本实用新型较佳实施例的RST与清除CMOS的按键复用电路如图1所示，同时参阅图2，包括开关RSTBTN1，开关RSTBTN1连接有RST电路1和CMOS 电路2，RST电路1和CMOS电路2均与处微处理器连接(图中未显示)； RST电路1包括第一二极管D2和第二二极管D3，第一二极管D2的正极和第二二极管D3的正极均与微处理器连接，第一二极管D2的负极与第二二极管D3的负极连接，第二二极管D2的负极与开关RSTBTN1的1引脚连接；CMOS 电路2包括第一场效应管Q6和延时电路3以及第二场效应管Q5，第一场效应管Q6的基极与开关RSTBTN1的4引脚连接，第一场效应管Q6的漏极与第二场效应管Q5的基极连接，第二场效应管Q5的漏极与微处理器连接；当按动开关RSTBTN1时利用RST电路中1的第一二极管D2和第二二极管D3 的单向导通性对微处理器进行复位，同时通过CMOS电路2中的第一场效应管Q6启用延时电路3，当延时一定时间后通过第二场效应管Q5对微处理器进行清除CMOS，实现RST与清除CMOS的按键复用，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广泛。
如图1所示，第一二极管D2的负极连接有第一电阻R20，第一电阻R20 的另一端连接有第二电阻R19和第一电容C23，第二电阻R19的另一端与电源的正极连接，第一电容C23的另一端接地，第一电阻R20的另一端与开关 RSTBTN1的1引脚连接；第二二极管D3的正极还连接有第三电阻R21，第三电阻R21的另一端与电源的正极连接；电路结构简单，成本低，体积小。
如图2所示，第一场效应管Q6的基极连接有第四电阻R23，第四电阻R23 的另一端与开关RSTBTN1的4引脚连接；延时电路3包括第五电阻R22和第二电容C24，第五电阻R22的另一端与电源的正极连接，第二电容C24的另一端接地；第一场效应管Q6和第二场效应管Q5的源极均接地；电路结构简单，成本低，体积小。
如图1所示，开关RSTBTN1的2引脚和3引脚以及4引脚均接地，开关 RSTBTN1可以为触点开关，常闭型开关或常开型开关；以适应不同的使用需求。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (4)
1.一种RST与清除CMOS的按键复用电路，包括开关；其特征在于，所述开关连接有RST电路和CMOS电路，所述RST电路和所述CMOS电路均与处微处理器连接；所述RST电路包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极和所述第二二极管的正极均与所述微处理器连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的负极与所述开关的1引脚连接；所述CMOS电路包括第一场效应管和延时电路以及第二场效应管，所述第一场效应管的基极与所述开关的4引脚连接，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的基极连接，所述第二场效应管的漏极与所述微处理器连接。
2.根据权利要求1所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其特征在于，所述第一二极管的负极连接有第一电阻，所述第一电阻的另一端连接有第二电阻和第一电容，所述第二电阻的另一端与电源的正极连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端与所述开关的1引脚连接；所述第二二极管的正极还连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端与所述电源的正极连接。
3.根据权利要求1所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其特征在于，所述第一场效应管的基极连接有第四电阻，所述第四电阻的另一端与所述开关的4引脚连接；所述延时电路包括第五电阻和第二电容，所述第五电阻的另一端与电源的正极连接，所述第二电容的另一端接地；所述第一场效应管和所述第二场效应管的源极均接地。
4.根据权利要求1所述的RST与清除CMOS的按键复用电路，其特征在于，所述开关的2引脚和3引脚以及4引脚均接地，所述开关可以为触点开关，常闭型开关或常开型开关。
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