CN209434225U - 一种四面出光蓝光波导面发光结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种四面出光蓝光波导面发光结构，其包括基板、四面出光封装形式的LED光源、高折射率蓝光波导层、扩散膜层和荧光粉层，所述基板上设置有若干四面出光封装形式的LED光源，在基板上还设置有覆盖四面出光封装形式的LED光源的高折射率蓝光波导层，且高折射率蓝光波导层的高度高于四面出光封装形式的LED光源的高度，所述高折射率蓝光波导层上自下而上依次设置扩散膜层和荧光粉层。本实用新型的优点在于：本实用新型四面出光蓝光波导面发光结构能够减少光在介质传播过程中衰减，提高混光效果且保证出光亮度均匀。

Description

一种四面出光蓝光波导面发光结构

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种四面出光蓝光波导面发光结构。

背景技术

近几年，在背光显示和照明行业内采用的面光源中，面出光模组(HLU：Hack LightUnit)分为直下式和侧入式两种。其中，由于侧入式方案整体厚度较薄，光源数量少，因此，当前绝大数的面光源采用侧入式结构，但是由于侧入式结构需要采用导光板，成本高，光转换效率低于直下式，在显示领域无法实现区域消光(Local Dimming)，进而无法实现高动态范围(HDR)，其HDR一般在3000：1，应用受到很大的局限性。

直下式面光源中，LED阵列置于面出光模组底部，从LED发出的光经过底面和侧面反射，再通过表面的扩散板和光学模组均匀射出。直下式面光源由于工艺简单，减少了导光板，光转换效率高，成本低，本身在照明与显示领域占据了一定的中低端市场；现阶段，为了得到色彩更加鲜艳的显示效果，需要较高的现实真正存在的亮度差之比(即：最亮的物体亮度，和最暗的物体亮度之比)即高动态范围(HDR)，由于其HDR能够达到20000：1，因此，在背光显示和照明行业的面光源应用中又逐渐受到重视。

目前，传统直下式面出光模组主要有3种方式：

(1)采用常规LED光源组成的光源阵列，在LED光源阵列的上方一定距离设置扩散板，利用扩散板来将点光源变成面光源；

(2)采用常规LED光源组成的光源阵列，在各LED光源上紧贴安装透镜，使LED灯珠发出的光经透镜后，光经过透镜与扩散板之间的空气层传导，进行一定程度上的光强叠加后再照射到扩散板上，进而将点光源变成面光源；

(3)采用LED芯片阵列，在LED芯片阵列的表面直接涂覆硅胶加荧光粉形成导光介质层，使得点光源向面光源转变。

上述方式均存在一定的缺点或局限性：

(1)对于第一种方式：如图1、2所示，常规LED光源的出光角度最大达到120°左右，LED光源91与扩散板92之间必须间隔较大的距离才能达到较为均匀的混光效果，整个面出光模组通常很厚，一般只能应用于照明行业，例如面板灯，应用非常局限。

(2)对于第二种方式：如图3、4所示，LED光源91上叠加透镜3后的出光角度能够达到135°，其虽然增加了发光角度，且顶面出光大为减少，能够在相对更短的距离内达到较均匀的混光效果，由于需要使用二次光学透镜，扩散板92与二次光学透镜93之间也必须间隔一定的距离，虽然相较第一种方式厚度有所减小，但面出光模组无法达到超薄的效果。

(3)对于第三种方式，如图6所示，其在若干LED芯片91’构成的光源阵列表面涂覆了荧光粉层94，略微增加了白光的横向传播与混光；但由光学理论，我们可以发现，当蓝光在含有荧光粉的波导中传输时，作为激发光的蓝光强度会因为荧光粉的吸收及不规则散射而快速降低。如图7所示，以点光源为例，其光强在含有荧光粉的波导中传输时，强度在数值上与距离的立方成反比；如图8所示，线光源，其光强在含有荧光粉的波导中传输时，强度在数值上与距离的平方成反比；如图9所示，面光源，其光强在含有荧光粉的波导中传输时，强度在数值上与距离成反比。

综上所述，采用第一、二种方式的面光源，由于LED光源出光角度的限制，不仅易形成暗区、混光均匀性差，整个直下式面出光模组还较厚，若要减小整个面出光模组的厚度，只能通过缩小相邻LED光源间距来实现(参见图5)，但是所需LED光源成倍的增加，成本大幅提高。

采用第三种方式的面光源，虽然解决了模组厚度的问题，但由于蓝光激发荧光粉混合得到的白光在导光介质传播过程中衰减严重，激发荧光粉的蓝光衰减，因此，蓝光强度降低，沿波导方向的横向传播强度降低；芯片出光亮度不均匀，混光效果差，导致面光源中整面亮度的也不太均匀。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够降低直下式面出光模组厚度且亮度均匀、混光效果好的四面出光蓝光波导面发光结构。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：包括基板、四面出光封装形式的LED光源、高折射率蓝光波导层；

所述基板上设置有若干四面出光封装形式的LED光源，所述LED光源为顶面具有反射层形成四面出光的芯片，在基板上设置覆盖住所有LED光源的高折射率蓝光波导层，所述高折射率蓝光波导层的高度等于或高于LED光源的顶面高度；

所述高折射率蓝光波导层同时满足以下条件：

(1)所述高折射率蓝光波导层为单一介质且均匀分布的介质层；

(2)限定高折射率蓝光波导层中远离基板的一个表面为上波导分界面，位于上波导分界面两侧中远离基板的一侧媒质为外媒质层，高折射率蓝光波导层的折射率记作n₂，外媒质层的折射率记作n₃，n₂＞n₃；

(3)限定高折射率蓝光波导层中靠近基板的另一个表面为下波导分界面，在下波导分界面与基板之间设置有波导反射层。

进一步的，所述高折射率蓝光波导层的上波导分界面上方自下而上依次设置扩散膜层和荧光粉层，且扩散膜层与高折射率蓝光波导层之间存在空气层或空气隙，所述空气层或空气隙作为外媒质层。

进一步的，所述扩散膜与高折射率蓝光波导层之间存在空气隙时，所述扩散膜层的下表面具有凹凸不平的微结构，且所述微结构占所述扩散膜层总面积的10～100％；所述扩散膜层下表面微结构紧贴高折射率蓝光波导层上波导分界面形成空气隙。

进一步的，在所述荧光粉层上还设置有上扩散膜层。

进一步的，所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体以及覆盖在该LED芯片本体顶面的反射层。

进一步的，所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体，在LED芯片本体的顶面及侧面设置有透明层，透明层的顶面设置反射层。

进一步的，所述透明层侧面的厚度记为a，透明层的高度记为h，透明层的折射率记为n₁，高折射率蓝光波导层的折射率记为n₂，外媒质层的折射率为n₃，为了实现光的全反射，需满足

进一步的，所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体，在LED芯片本体的顶面设置有透明层，透明层的顶面设置反射层。

进一步的，在LED芯片本体顶面与透明层之间设置还设置中反射层，所述中反射层为全反射层或部分反射层。

进一步的，所述透明层的介质折射率高于或等于高折射率蓝光波导层折射率。

进一步的，所述基板的上表面或高折射率蓝光波导层的下表面设有微结构光学散射层，或在高折射率蓝光波导层的上表面设有微结构光学散射层。

进一步的，所述高折射率蓝光波导层的制作采用模压、点胶、喷涂或材料生长的方式。

进一步的，所述荧光粉层采用涂布、模压或生长的方式形成在扩散膜层之上并与扩散膜层形成一体化，或为单独的片状荧光粉层，或以透明薄膜为支撑衬底形成的荧光粉层。

本实用新型的优点在于：

本实用新型与传统侧入式导光技术相比，本实用新型的LED光源为四面出光封装形式，同时，LED光源是呈列阵均匀分布在高折射率蓝光波导层内的，其光线分布更加均匀；

由于LED光源直接设置在高折射率蓝光波导层里，每个LED光源在高折射率蓝光波导层内发光形成光的传输与耦合，而传统侧入式导光技术是在导光板两侧入射再横向传播，光源与导光板是完全分离的；

从应用上看，例如制造灯具的过程中，传统侧入式需要另外将光源贴装到导光板的侧面，光源制作厂家与灯具制作厂家是分开的；而采用本实用新型的结构，直接在生产过程中即完成了导光层与光源的贴装、结合，灯具制作厂家无需二次贴装，大大简化了灯具的生产工艺。

芯片通过对外的电学连接进行单独的控制，相较侧入式导光技术，能够顺利实现局域发光、局域消光，达到高动态范围(HDR)的显示。

此外，在高折射率蓝光波导层上方设置扩散膜层，利用扩散膜层表面的微结构存在空隙，即占扩散膜层面积中大部分面积的空气隙作为低折射率层，或者直接在扩散膜层与高折射率蓝光波导层之间形成空气层，再在扩散膜层上方设置荧光粉层。LED光源发出的蓝光在高折射率蓝光波导层内形成波导，可以通过高折射率的蓝光波导，减少常规结构中的荧光粉颗粒对于光的折射与散射，同时在单一介质中，可以极大地减少蓝光的衰减，同时光的波导作用，可以使得点光源向面光源转变，增加了蓝光的横向传播，同时在低折射率层中可以获得均匀的光强分布，形成面光源后最后经过荧光激发形成白光出光。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为传统LED光源的出光角度测试图。

图2为传统直下式面出光模组中第一种方式的光强叠加原理图。

图3为传统LED光源加上透镜后的出光角度测试图。

图4为传统直下式面出光模组中采用LED光源加透镜方式的光强叠加原理图。

图5为传统直下式面出光模组中采用紧密排列LED光源加透镜方式的另一种光强叠加原理图。

图6为传统直下式面出光模组中采用LED光源阵列加荧光粉方式的示意图。

图7为含有荧光粉波导对于点光源的光强度的损耗示意图。

图8为含有荧光粉波导对于线光源的光强度的损耗示意图。

图9为含有荧光粉波导对于面光源的光强度的损耗示意图。

图10为本实用新型四面出光蓝光波导面发光结构的第一实施例示意图。

图11为本实用新型第一实施例LED光源结构示意图。

图12为本实用新型四面出光蓝光波导面发光结构的第二实施例示意图。

图13为本实用新型第二实施例LED光源结构示意图。

图14为本实用新型第二实施例的LED光源的出光角度测试图。

图15～图17为本实用新型第二实施例LED光源的另三种结构示意图。

图18为图12的局部图。

图19为本实用新型四面出光蓝光波导面发光结构的第三实施例示意图。

具体实施方式

下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。

实施例1

本实施例四面出光蓝光波导面发光结构，如图10所示，包括基板1、四面出光封装形式的LED光源2、高折射率蓝光波导层3、扩散膜层4和荧光粉层5。

基板1上设置有若干四面出光封装形式的LED光源2，该LED光源2为顶面具有反射层形成四面出光的蓝光芯片，在基板1上设置覆盖所有LED光源2的高折射率蓝光波导层3，高折射率蓝光波导层3的高度等于或高于LED光源2的顶面高度，且高折射率蓝光波导层3上自下而上依次设置扩散膜层4和荧光粉层5。在荧光粉层5上还设置有上扩散膜层6。当然，这里的蓝光芯片也可以是紫光芯片，利用紫光来激发荧光粉层5内的荧光粉形成白光。

高折射率蓝光波导层3为不含荧光粉的单一介质且介质均匀分布的透明层，限定高折射率蓝光波导层3中远离基板1的一个表面为上波导分界面，本实施例中，上波导分界面为高折射率蓝光波导层3的上表面；位于上波导分界面两侧中远离基板的一侧媒质为外媒质层，即位于高折射率蓝光波导层3上表面上方的媒质为外媒质层；

将高折射率蓝光波导层的折射率记作n₂，外媒质层的折射率记作n₃，n₂＞n₃；

本实施例中，扩散膜层4的下表面具有凹凸不平的微结构，且微结构占扩散膜层4总面积的10～100％，该微结构通过在扩散膜层4上涂布有机物扩散粒子和粘合剂形成凹凸不平的表面，或者通过滚压等方式将扩散膜层4的表面变成不规则的表面结构。利用这些凹凸不平或不规则表面的微小间隙形成空腔。当扩散膜层4下表面微结构贴于高折射率蓝光波导层3上波导分界面上表面时形成空气隙，该空气隙则作为外媒质层。

此外，限定高折射率蓝光波导层3中靠近基板1的另一个表面为下波导分界面，本实施例中，下波导分界面为高折射率蓝光波导层3的下表面；在下波导分界面与基板1之间设置有波导反射层7。

本实施例中，如图11所示，四面出光封装形式的LED光源2包括LED芯片本体21以及覆盖在该芯片本体21顶面的反射层22，反射层22的面积等于LED芯片本体21的顶面面积。反射层22可采用DBR分布式布拉格反射镜或金属反射层。

为了改善光强不均的情况，提升混光效果，可根据情况在基板1的上表面或高折射率蓝光波导层3的下表面设有微结构光学散射层，又或在高折射率蓝光波导层3的上表面设有微结构光学散射层。该微结构光学散射层一般设置呈阵列分布的LED光源2的暗区。

高折射率蓝光波导层3的制作采用模压、点胶、喷涂或材料生长的方式。本实施例中，其材质为硅胶、亚克力材料、PC、PS等透明高折射率材料。

而荧光粉层5采用涂布、模压或生长的方式形成在扩散膜层4之上并与扩散膜形成一体化，或为单独的片状荧光粉层，或以特定透明薄膜为支撑衬底形成的荧光粉层。

本实用新型中，高折射率蓝光波导层3内不含荧光粉，背光模组发出的白光是由蓝光芯片发出的蓝光激发荧光粉层混合形成，而该白光全部由蓝光激发荧光粉层5内的荧光粉形成。

本实施例产品可应用于超薄显示器、面板灯(有边框和无边框)、球泡灯、灯丝灯、日光灯、路灯。

实施例2

本实施例结构与实施例1基本相同，如图12所示，均包括基板1、四面出光封装形式的LED光源2、高折射率蓝光波导层3、扩散膜层4和荧光粉层5、上扩散膜层6。基板1上设置有若干LED光源2，在基板1上设置覆盖所有LED光源2及其上反射层的高折射率蓝光波导层3。高折射率蓝光波导层同时满足以下条件：高折射率蓝光波导层3为单一介质且均匀分布的介质层；限定高折射率蓝光波导层3中远离基板1的一个表面为上波导分界面，位于上波导分界面两侧中远离基板1的一侧媒质为外媒质层，高折射率蓝光波导层3的折射率记作n₂，外媒质层的折射率记作n₃，n₂＞n₃；限定高折射率蓝光波导层3中靠近基板1的另一个表面为下波导分界面，在下波导分界面与基板1之间设置有波导反射层7。

在高折射率蓝光波导层3上自下而上依次设置扩散膜层4和荧光粉层5。在荧光粉层5上还可选择设置有上扩散膜层6。同样的，扩散膜层4与高折射率蓝光波导层3之间存在空气隙，该空气隙作为外媒质层。

不同之处在于：如图13、18所示，LED光源包括LED芯片本体21，在LED芯片本体21的顶面及侧面设置有透明层23，透明层23的顶面设置反射层22。透明层23的介质折射率高于或等于高折射率蓝光波导层3的折射率。

将透明层23侧面的厚度记为a，透明层23的高度记为h，透明层23的折射率记为n₁，高折射率蓝光波导层3的折射率记为n₂，外媒质层的折射率记为n₃，为了实现光的全反射，需满足

以采用半透明半反射的顶面反射结构的四面出光封装形式的LED光源为例，如图14所示，该结构成功的将正常朗伯光型结构的LED光源的主发光方向的主能量角从正上方0°转变成为四周的正负60°。其次，从光强分布上可见也成功的将其发光光强在整个发光角度内呈均匀化分布，即使在正负85°大角度范围下其出光光强仍是光强峰值的73％左右。而在正常朗伯光型结构的LED光源中如果其出光角度为120°，也就是说，当其在正负60°时其出光光强仅为峰值的一半(参见图1)。而本专利中采用半透明半反射的顶面反射结构LED光源结构中光强即使在正负85°大角度范围内其光强仍为光强峰值的73％。

当然，如图15所示，本实施例中的透明层23也可仅仅设置在LED芯片本体22的顶面上，再在透明层23上设反射层22。

作为实施例，更具体的实施方式为，如图16和图17所示，在LED芯片本体21顶面与透明层23之间设置还设置中反射层24，中反射层24为全反射层或部分反射层。

本实施例四面出光蓝光波导面发光结构是通过以下步骤制备而成的：

首先制作四面出光封装形式的LED光源：

步骤S1:选取合格的LED芯片本体21，LED芯片本体21具有自下而上依次设置有下反射层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和衬底；

步骤S2:将若干LED芯片本体21等距排列，使得相邻LED芯片本体21之间形成一可填充间隙，再整体在整个LED芯片本体21上表面以及可填充间隙内设置透明层23；

步骤S3:对进行完步骤S2得到的半成品进行烘烤半固化，然后再在透明层23顶面设置反射层22；

步骤S4：对进行完步骤S3的整个晶圆片烘烤固化，而后进行切割、裂片，裂片后进行芯片测试、分选、重排，得到具有透明层23和反射层22的LED光源2，形成四面出光封装形式的LED光源2；

然后制作四面出光蓝光波导面发光结构：

步骤S5：选用一整体基板1，并根据实际需求选择是否要在基板1上固晶的一侧表面镀下反射层，在基板上整体固晶，即在基板1上贴装四面出光封装形式的LED光源2；

步骤S6：将步骤S5中的连续基板1布置在可重复使用的模具或背光板上，再在整个背光板上整体涂覆高折射透明材料，例如硅胶或亚克力材料，使得高折射透明材料覆盖整个连续基板1表面，最后整体模压成型，形成覆盖四面出光封装形式的LED光源2的高折射率蓝光波导层3；

步骤S7：在高折射率蓝光波导层3的上表面依次设置扩散膜层4和荧光粉层5，进而形成四面出光蓝光波导面发光结构，最后将四面出光蓝光波导面发光结构从背光板上剥离。

上述实施例1-2四面出光蓝光波导面发光结构中采用的基板1可以是柔性或刚性、透明或非透明的基板。基板1可以是整体板状，也可以采用非连续式的基板，即基板1由多个间隔设置的条状基板组成，在条状基板的一端或两端通过电极板连接。

采用条状基板制作四面出光蓝光波导面发光结构，其具体步骤为：

步骤S5：选用一整体基板1，并根据实际需求选择是否要在基板1上固晶的一侧表面镀下反射层，在基板上整体固晶，即在基板1上贴装四面出光封装形式的LED光源2，然后分切形成宽度为0.2-3mm的条状基板，各条状基板的一端或两端通过电极板或电极装置连接形成一整体结构；

步骤S6：将步骤S5中整体结构置于可重复使用的模具或背光板上，再在整个背光板上整体涂覆高折射透明材料，例如硅胶或亚克力材料，使得高折射透明材料覆盖整个条状基板表面及相邻条状基板之间的区域，最后整体模压成型，形成覆盖四面出光封装形式的LED光源2的高折射率蓝光波导层3；

步骤S7：在高折射率蓝光波导层3的上表面依次设置扩散膜层4和荧光粉层5，进而形成四面出光蓝光波导面发光结构，最后将四面出光蓝光波导面发光结构从背光板上剥离。

采用本实施例2中方法制得的背光模组与传统方式直下式背光模组的各项参数对比如下：

6英寸手机背光应用案例

结论：从上表可以看出，在发光区域面积相同、背光模组厚度相同的前提下，本实施例中，由于采用了大角度四面出光光源将主发光能量方向从正上方偏移至侧面，同时，发光角度高达170°以上，在保证相同混光效果的前提下，有效的提高了相邻光源的间距，大幅降低光源颗粒数。

实施例3

本实施例结构与实施例1基本相同，如图19所示，包括基板1、四面出光封装形式的LED光源2、高折射率蓝光波导层3、扩散膜层4和荧光粉层5、上扩散膜层6。基板1上设置有若干LED光源2，在基板1上设置覆盖所有LED光源2及其上反射层的高折射率蓝光波导层3，且高折射率蓝光波导层3上自下而上依次设置扩散膜层4和荧光粉层5。在荧光粉层5上还设置有上扩散膜层6。

本实施例中，高折射率蓝光波导层3同样为不含荧光粉的单一介质透明层，不同之处在于：限定高折射率蓝光波导层3中远离基板1的一个表面为上波导分界面，在上波导分界面与扩散膜层4之间设置有空气层8，空气层8作为外媒质层，外媒质层的折射率记作n₃，高折射率蓝光波导层3的折射率记作n₂，且n₂＞n₃；限定高折射率蓝光波导层3中靠近基板1的另一个表面为下波导分界面，在下波导分界面与基板1之间设置有波导反射层7。

本实施例中，如图11所示，四面出光封装形式的LED光源2包括LED芯片本体21以及覆盖在该芯片本体21顶面的反射层22，反射层22的面积等于LED芯片本体21的顶面面积。反射层22可采用DHR分布式布拉格反射镜或金属反射层。

四面出光封装形式的LED光源，也可采用如图13所示的形式，LED光源包括LED芯片本体21，在LED芯片本体21的顶面及侧面设置有透明层23，透明层23的顶面设置反射层22。透明层23的介质折射率高于或等于高折射率蓝光波导层3的折射率。

Claims (13)

1.一种四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：包括基板、四面出光封装形式的LED光源、高折射率蓝光波导层；

所述基板上设置有若干四面出光封装形式的LED光源，所述LED光源为顶面具有反射层形成四面出光的芯片，在基板上设置覆盖住所有LED光源的高折射率蓝光波导层，所述高折射率蓝光波导层的高度等于或高于LED光源的顶面高度；

所述高折射率蓝光波导层同时满足以下条件：

(1)所述高折射率蓝光波导层为单一介质且均匀分布的介质层；

(2)限定高折射率蓝光波导层中远离基板的一个表面为上波导分界面，位于上波导分界面两侧中远离基板的一侧媒质为外媒质层，高折射率蓝光波导层的折射率记作n₂，外媒质层的折射率记作n₃，n₂＞n₃；

(3)限定高折射率蓝光波导层中靠近基板的另一个表面为下波导分界面，在下波导分界面与基板之间设置有波导反射层。

2.根据权利要求1所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述高折射率蓝光波导层的上波导分界面上方自下而上依次设置扩散膜层和荧光粉层，且扩散膜层与高折射率蓝光波导层之间存在空气层或空气隙，所述空气层或空气隙作为外媒质层。

3.根据权利要求2所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述扩散膜与高折射率蓝光波导层之间存在空气隙时，所述扩散膜层的下表面具有凹凸不平的微结构，且所述微结构占所述扩散膜层总面积的10～100％；所述扩散膜层下表面微结构紧贴高折射率蓝光波导层上波导分界面形成空气隙。

4.根据权利要求2所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：在所述荧光粉层上还设置有上扩散膜层。

5.根据权利要求1所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体以及覆盖在该LED芯片本体顶面的反射层。

6.根据权利要求1所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体，在LED芯片本体的顶面及侧面设置有透明层，透明层的顶面设置反射层。

7.根据权利要求6所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述透明层侧面的厚度记为a，透明层的高度记为h，透明层的折射率记为n₁，高折射率蓝光波导层的折射率记为n₂，外媒质层的折射率为n₃，为了实现光的全反射，需满足

8.根据权利要求1所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述四面出光封装形式的LED光源包括LED芯片本体，在LED芯片本体的顶面设置有透明层，透明层的顶面设置反射层。

9.根据权利要求6或8所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：在LED芯片本体顶面与透明层之间设置还设置中反射层，所述中反射层为全反射层或部分反射层。

10.根据权利要求6或8所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述透明层的介质折射率高于或等于高折射率蓝光波导层折射率。

11.根据权利要求1所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述基板的上表面或高折射率蓝光波导层的下表面设有微结构光学散射层，或在高折射率蓝光波导层的上表面设有微结构光学散射层。

12.根据权利要求1、2或3所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述高折射率蓝光波导层的制作采用模压、点胶、喷涂或材料生长的方式。

13.根据权利要求2或4所述的四面出光蓝光波导面发光结构，其特征在于：所述荧光粉层采用涂布、模压或生长的方式形成在扩散膜层之上并与扩散膜层形成一体化，或为单独的片状荧光粉层，或以透明薄膜为支撑衬底形成的荧光粉层。