CN209387191U - 一种新型压力差压一体的传感器装配结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型压力差压一体的传感器装配结构,具体涉及传感器装配领域,包括壳体,所述壳体的内部设置有扩散硅传感器,所述扩散硅传感器的一侧设置有夹持板,所述夹持板的一侧设置有端盖,所述端盖通过横杆与夹持板固定连接,所述夹持板的表面设置有螺纹杆,所述螺纹杆的表面设置有旋转块。本实用新型通过设置扩散硅传感器与弧形板,扩散硅比较普遍且性价比较高,而把单晶硅传感器的两端引压结构设置为感压膜片,相比之下不会影响性能且耐静压能力不会减弱,扩散硅较单晶硅而言较便宜,降低了企业生产成本,并通过弧形板可以防止螺纹杆发生移动,提高端盖的稳定性,减少了可以内部发生移动。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器装配领域,更具体地说,本实用新型涉及一种新型压力差压一体的传感器装配结构。
背景技术
目前市面上差压传感器和压力传感器比较普遍,差压传感器一般采用电容式传感器和单晶硅传感器,压力传感器一般选用单晶硅传感器和扩散硅传感器。
专利申请公布号CN201510678242.0的发明专利公开了一种传感器装配装置,包括台座,还包括转盘,所述转盘的下端还设置有转轴,所述转盘的上端设置有容置槽,台座上还设置有用于所述转轴安装的孔,所述转轴设置于所述孔中,所述转轴包括内轴及呈管状的外轴,所述内轴固定于转盘的下端面上,所述内轴部分插入外轴内,且内轴与外轴之间设置有连接键,所述外轴可绕自身的轴线转动,还包括固定于转盘上的压片,所述压片为弹簧片,且压片的朝转盘上端的投影可与容置槽相交,所述台座或/和转盘上还设置有用于固定转盘相对于台座位置的定位装置。本发明结构简单,制造加工容易,适用范围广,有利于提高传感器焊接的效率和焊接的质量,还具有避免操作者在焊接小尺寸零部件时被烫伤的优点。
但是其在实际使用时,仍旧存在较多缺点,如虽然提高传感器焊接的效率和焊接的质量,还具有避免操作者在焊接小尺寸零部件时被烫伤的优点,但是在造价时昂贵,结构复杂,并且维修不便,不便于使用。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供一种新型压力差压一体的传感器装配结构,通过设置扩散硅传感器与弧形板,扩散硅比较普遍且性价比较高,而把单晶硅传感器的两端引压结构设置为感压膜片,相比之下不会影响性能且耐静压能力不会减弱,采用扩散硅传感器不需要温度补偿,且扩散硅较单晶硅而言较便宜,这样大大降低了企业生产成本,并通过弧形板可以防止螺纹杆发生移动,提高端盖的稳定性,减少了可以内部发生移动,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型压力差压一体的传感器装配结构,包括壳体,所述壳体的内部设置有扩散硅传感器,所述扩散硅传感器的一侧设置有夹持板,所述夹持板的一侧设置有端盖,所述端盖通过横杆与夹持板固定连接,所述夹持板的表面设置有螺纹杆,所述螺纹杆的表面设置有旋转块,所述旋转块的外侧设置有限制机构,所述螺纹杆的外侧设置有固定机构;
所述限制机构包括固定环,所述固定环的内侧设置有旋转环,所述旋转环与端盖活动连接,所述固定环的表面设置有凹洞,所述固定环的内侧壁设置有连接块,所述连接块以及凹洞的内部均设置有第一磁铁,所述第一磁铁的一侧设置有第二磁铁,所述第二磁铁的一侧固定设置有直杆,所述直杆的一侧固定设置有挡板,所述直杆与旋转环活动连接;
所述固定机构包括连接杆,所述连接杆的底部设置有连接弹簧,所述连接弹簧的底部设置有弧形板,所述弧形板的数量为两个;
在一个优选地实施方式中,所述壳体的内部设置有单晶硅传感器,所述单晶硅传感器的两端引压结构设置为感压膜片。
在一个优选地实施方式中,所述连接杆的一端与壳体通过螺钉固定连接,另一端与端盖相接触,所述弧形板的横截面形状为半圆形。
在一个优选地实施方式中,所述旋转环与直杆活动连接,所述挡板位于旋转块的正面。
在一个优选地实施方式中,所述第一磁铁为正极,所述第二磁铁为负极,所述直杆与连接块相适配。
在一个优选地实施方式中,所述固定环位于端盖的一侧,所述端盖与壳体相适配。
本实用新型的技术效果和优点:
1、本实用新型通过设置扩散硅传感器与弧形板,扩散硅比较普遍且性价比较高,而把单晶硅传感器的两端引压结构设置为感压膜片,相比之下不会影响性能且耐静压能力不会减弱,采用扩散硅传感器不需要温度补偿,且扩散硅较单晶硅而言较便宜,这样大大降低了企业生产成本,并通过弧形板可以防止螺纹杆发生移动,提高端盖的稳定性,减少了可以内部发生移动;
2、本实用新型通过设置挡板,通过挡板的移动可以使得挡板位于旋转块的正面,可以防止挡板发生移动,再次提高端面的稳定性,通过第一磁铁与第二磁铁的合并,可以把直杆固定住,防止直杆发生晃动。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构剖视示意图。
图2为本实用新型的整体结构侧视图。
图3为本实用新型的图1中A部放大图。
图4为本实用新型的图2中B部放大图。
图5为本实用新型的整体结构立体图。
附图标记为:1壳体、2扩散硅传感器、3夹持板、4端盖、5螺纹杆、6旋转块、7固定环、8旋转环、9第一磁铁、10第二磁铁、11直杆、12挡板、13连接块、14连接杆、15连接弹簧、16弧形板、17单晶硅传感器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型一实施例的新型压力差压一体的传感器装配结构,包括壳体1,所述壳体1的内部设置有扩散硅传感器2,所述扩散硅传感器2的一侧设置有夹持板3,所述夹持板3的一侧设置有端盖4,所述端盖4通过横杆与夹持板3固定连接,所述夹持板3的表面设置有螺纹杆5,所述螺纹杆5的表面设置有旋转块6,所述旋转块6的外侧设置有限制机构,所述螺纹杆5的外侧设置有固定机构。
参照说明书附图1和4-5,该实施例的新型压力差压一体的传感器装配结构的固定机构包括连接杆14,所述连接杆14的底部设置有连接弹簧15,所述连接弹簧15的底部设置有弧形板16,所述弧形板16的数量为两个。
进一步,所述连接杆14的一端与壳体1通过螺钉固定连接,另一端与端盖4相接触,所述弧形板16的横截面形状为半圆形。
进一步,所述壳体1的内部设置有单晶硅传感器17,所述单晶硅传感器17的两端引压结构设置为感压膜片。
进一步,在上述技术方案中,所述单晶硅传感器17设置为T351DP型单晶硅传感器,所述扩散硅传感器2设置为MPM489型扩散硅传感器。
实施场景具体为:在实际使用的过程中,由于螺纹杆5贯穿端盖4且与壳体1螺纹连接,通过转动旋转块6带动了螺纹杆5的旋转,使得螺纹杆5向一侧移动,当螺纹杆5的一端与壳体1分离时,由于端盖4与壳体1相适配,通过移动端盖4使得壳体1的两端打开,由于端盖4通过横杆与夹持板3固定连接,通过端盖4的移动带动了夹持板3的移动,可以便于放置物体,当把传感器放在壳体1内部时,由于采用的是扩散硅传感器2,把引压压传感器改为扩散硅传感器2,扩散硅比较普遍且性价比较高,而把单晶硅传感器17的两端引压结构设置为感压膜片,相比之下不会影响性能且耐静压能力不会减弱,采用扩散硅传感器2不需要温度补偿,且扩散硅较单晶硅而言较便宜,这样大大降低了企业生产成本,且节约了用来温度补偿的能源,当端盖4与壳体1合并时,通过螺纹杆5贯穿两个弧形板16,通过弧形板16可以增大螺纹杆5的摩擦,防止螺纹杆5发生移动,提高端盖4的稳定性。
参照说明书附图3-4,该实施例的新型压力差压一体的传感器装配结构的限制机构包括固定环7,所述固定环7的内侧设置有旋转环8,所述旋转环8与端盖4活动连接,所述固定环7的表面设置有凹洞,所述固定环7的内侧壁设置有连接块13,所述连接块13以及凹洞的内部均设置有第一磁铁10,所述第一磁铁10的一侧设置有第二磁铁10,所述第二磁铁10的一侧固定设置有直杆11,所述直杆11的一侧固定设置有挡板12,所述直杆11与旋转环8活动连接。
进一步,所述旋转环8与直杆11活动连接,所述挡板12位于旋转块6的正面。
进一步,所述第一磁铁10为正极,所述第二磁铁10为负极,所述直杆11与连接块13相适配。
进一步,所述固定环7位于端盖4的一侧,所述端盖4与壳体1相适配。
实施场景具体为:在实际使用的过程中,当端盖4与壳体1合并时,由于旋转环8与直杆11活动连接,通过旋转环8使得直杆11向一侧移动,由于旋转环8与端盖4活动连接,通过转动旋转环8带动了直杆11发生转动,当直杆11旋转到连接块13时,让直杆11与连接块13对齐,再将直杆11向另一侧移动,使得直杆11的一端进到连接块13内,由于第一磁铁10为正极,第二磁铁10为负极,根据异性相吸的原理,可以把直杆11固定住,当直杆11与连接块13合并时,使得挡板12位于旋转块6正面,通过挡板12可以把旋转块6挡住,防止螺纹杆5向一侧移动,便于提高端盖4与壳体1的稳定性,当需要转动旋转块6时,让直杆11脱离连接块13,再次转动旋转环8,让直杆11与凹洞对齐,使得直杆11底部的第一磁铁10与凹洞内的第二磁铁10合并,使得挡板12向一侧移动,可以便于转动旋转块6。
综上所述:本实用新型实施例的新型压力差压一体的传感器装配结构,在使用时,通过转动旋转块6带动了螺纹杆5的旋转,使得螺纹杆5向一侧移动,当螺纹杆5的一端与壳体1分离时,通过移动端盖4使得壳体1的两端打开,通过端盖4的移动带动了夹持板3的移动,可以便于放置物体,当把传感器放在壳体1内部时,由于采用的是扩散硅传感器2,把引压压传感器改为扩散硅传感器2,扩散硅比较普遍且性价比较高,而把单晶硅传感器17的两端引压结构设置为感压膜片,相比之下不会影响性能且耐静压能力不会减弱,采用扩散硅传感器2不需要温度补偿,且扩散硅较单晶硅而言较便宜,这样大大降低了企业生产成本,且节约了用来温度补偿的能源,当端盖4与壳体1合并时,通过螺纹杆5贯穿两个弧形板16,通过弧形板16可以增大螺纹杆5的摩擦,防止螺纹杆5发生移动,提高端盖4的稳定性。
最后应说明的几点是:首先,在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变,则相对位置关系可能发生改变;
其次:本实用新型公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计,在不冲突情况下,本实用新型同一实施例及不同实施例可以相互组合;
最后:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种新型压力差压一体的传感器装配结构,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)的内部设置有扩散硅传感器(2),所述扩散硅传感器(2)的一侧设置有夹持板(3),所述夹持板(3)的一侧设置有端盖(4),所述端盖(4)通过横杆与夹持板(3)固定连接,所述夹持板(3)的表面设置有螺纹杆(5),所述螺纹杆(5)的表面设置有旋转块(6),所述旋转块(6)的外侧设置有限制机构,所述螺纹杆(5)的外侧设置有固定机构;
所述限制机构包括固定环(7),所述固定环(7)的内侧设置有旋转环(8),所述旋转环(8)与端盖(4)活动连接,所述固定环(7)的表面设置有凹洞,所述固定环(7)的内侧壁设置有连接块(13),所述连接块(13)以及凹洞的内部均设置有第一磁铁(9),所述第一磁铁(9)的一侧设置有第二磁铁(10),所述第二磁铁(10)的一侧固定设置有直杆(11),所述直杆(11)的一侧固定设置有挡板(12),所述直杆(11)与旋转环(8)活动连接;
所述固定机构包括连接杆(14),所述连接杆(14)的底部设置有连接弹簧(15),所述连接弹簧(15)的底部设置有弧形板(16),所述弧形板(16)的数量为两个。
2.根据权利要求1所述的一种新型压力差压一体的传感器装配结构,其特征在于:所述壳体(1)的内部设置有单晶硅传感器(17),所述单晶硅传感器(17)的两端引压结构设置为感压膜片。
3.根据权利要求1所述的一种新型压力差压一体的传感器装配结构,其特征在于:所述连接杆(14)的一端与壳体(1)通过螺钉固定连接,另一端与端盖(4)相接触,所述弧形板(16)的横截面形状为半圆形。
4.根据权利要求1所述的一种新型压力差压一体的传感器装配结构,其特征在于:所述旋转环(8)与直杆(11)活动连接,所述挡板(12)位于旋转块(6)的正面。
5.根据权利要求1所述的一种新型压力差压一体的传感器装配结构,其特征在于:所述第一磁铁(9)为正极,所述第二磁铁(10)为负极,所述直杆(11)与连接块(13)相适配。
6.根据权利要求1所述的一种新型压力差压一体的传感器装配结构,其特征在于:所述固定环(7)位于端盖(4)的一侧,所述端盖(4)与壳体(1)相适配。
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CN201920438506.9U CN209387191U (zh) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | 一种新型压力差压一体的传感器装配结构 |
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CN112763127A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-07 | 南京沃天科技股份有限公司 | 一种新型气动压力变送器 |
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2019
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CN112763127A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-07 | 南京沃天科技股份有限公司 | 一种新型气动压力变送器 |
CN112763127B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-09-06 | 南京沃天科技股份有限公司 | 一种气动压力变送器 |
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