CN209368358U - 一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，包括电磁波激发系统、至少一对杆式发射器和水箱本体，所述一对杆式发射器安装在水箱本体上，所述水箱本体上端设置有一排气阀，所述排气阀位于两个杆式发射器之间，所述水箱本体上端一侧设置有一补水箱进水口，另一侧设置有一补水箱进人孔，所述水箱本体下端一侧设置有一排污阀，所述排污阀上端设置有一补水箱出水口，本实用新型运用特频电磁波直接对水进行处理，在处理区形成离子电流叠加交变电磁场，成垢物质会被激发，直接在水中结合，生成钙镁盐类，呈悬浮粉末状结晶析出，随水流冲走，而不会在过饱和状态下于受热表面形成硬垢，从而达到阻垢的目的。

Description

一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置

技术领域

本实用新型涉及水处理领域，具体涉及到一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置。

背景技术

在锅炉补充水系统中，都需要一套维护程序以达到有效控制结垢和腐蚀的目的。目前市场上的方法仍以化学法为主，其它物理法包括永磁法、电磁感应线圈法等。

化学药剂法主要缺点包括：对补充水水质有要求，通常还需要前置软水器及除氧装置；多种水处理药剂的化学品被列为危险物质，需要经过培训的的专职人员进行操作，以应对化学品泄漏或是暴露事件；无法准确控制药剂添加量，常处于药剂不足或过量状态，影响处理效果；药剂本身进入水系统，会产生化学品积垢；可控制的锅炉水浓缩倍数低，浪费能耗；排水对环境不友好。

实用新型内容

针对现有技术存在上述的不足，本实用新型提供了一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，本实用新型将特频电磁波激发装置一极与置入水中的发射器相连，另一极与金属水箱连通，发射的特定频段电磁波在形成处理区，水中发射器产生时变电磁波能将能量有效的赋予水，水能够很好的响应这种波，其展现出的物理性能可以有效地控制热水循环系统和锅炉水补充水系统处理中常见的结垢和腐蚀问题。

本实用新型的技术方案为，一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，包括电磁波激发系统、至少一对杆式发射器和水箱本体，所述一对杆式发射器安装在水箱本体上，所述水箱本体上端设置有一排气阀，所述排气阀位于两个杆式发射器之间，所述水箱本体上端一侧设置有一补水箱进水口，另一侧设置有一补水箱进人孔，所述水箱本体下端一侧设置有一排污阀，所述排污阀上端设置有一补水箱出水口，所述水箱本体下端至少设置有一接收极。

上述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其中，所述杆式发射器通过管套安装在水箱本体上，所述杆式发射器为MMO杆式发射器。

上述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其中，所述电磁波激发系统包括电控柜，所述接收极通过接收极电缆与电控柜相连，所述杆式发射器通过发射器电缆与电控柜相连。

上述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其中，所述MMO杆式发射器的杆径为6mm～20mm，可为空心或实心。

上述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其中，所述MMO为钛基材涂覆金属氧化物，可涂覆的金属氧化物包括钌、铱、钛、铂的金属氧化物。

上述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其中，所述电磁波激发系统输出电压为12V～60V。

本实用新型具有以下有益效果：1、本实用新型运用特频电磁波直接对水进行处理，在处理区形成离子电流叠加交变电磁场，在此电磁场的作用下，成垢物质(主要包括Ca^{2 +}、Mg²⁺、HCO^3-、SO4^2-)会被激发，直接在水中结合，生成钙镁盐类，呈悬浮粉末状结晶析出，随水流冲走，而不会在过饱和状态下于受热表面形成硬垢，从而达到阻垢的目的。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。

图1所示为本实用新型金属水箱安装MMO杆式发射器总体示意图。

图2为本实用新型的工作原理图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本实用新型发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本实用新型的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

实施例1、参照图1-图2所示，本实用新型提供了一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，包括电磁波激发系统、至少一对杆式发射器3和水箱本体16，一对杆式发射器3安装在水箱本体16上，水箱本体16上端设置有一排气阀4，排气阀4位于两个杆式发射器3之间，水箱本体16上端一侧设置有一补水箱进水口18，另一侧设置有一补水箱进人孔17，用于对补水箱检查和维修，水箱本体16下端一侧设置有一排污阀12，排污阀12上端设置有一补水箱出水口15，水箱本体16下端至少设置有一接收极13。在本实用新型中通过电磁波激发系统和水中发射器及与水箱本体16连通的接收器，水中发射器产生时变电磁波能将能量有效的赋予水，水能够很好的响应这种波，其展现出的物理性能可以有效地控制补水箱中常见的结垢和腐蚀问题，本实用新型的工作原理是运用特频电磁波直接对水进行处理，在处理区形成离子电流叠加交变电磁场。在此电磁场的作用下，成垢物质(主要包括Ca²⁺、Mg²⁺、HCO^3-、SO₄ ^2-)会被激发，直接在水中结合，生成钙镁盐类，呈悬浮粉末状结晶析出，随水流冲走，如可以通过排污阀12进行排出，而不会在过饱和状态下于受热表面形成硬垢，从而达到阻垢的目的；同时，在特频电磁波电磁场的作用下，多数盐类的溶解度会上升，则已在系统中形成的盐类硬垢逐步溶回水中，进一步达到除垢的目的。

在本实用新型中，杆式发射器3通过管套5安装在水箱本体16上，同时在水箱本体16上端设置有一排气阀4，可以确保杆式发射器3的稳定性，以及可以尽可能的确保杆式发射器3完全浸没于水中，其中杆式发射器为MMO杆式发射器。

在本实用新型中，杆式发射器3的材料为MMO或其它导电性材料，发射器的形状不限，可为杆状、网状、面板状等，优选作为MMO杆式发射器的杆径为6mm～20mm，可为空心或实心。此处所用MMO为钛基材涂覆金属氧化物，可涂覆物包括钌、铱、钛、铂等的金属氧化物，其中一个电磁波激发系统可以耦合一对、两对或多对发射器和接收器，以及电磁波激发系统输出电压为12V～60V，其中在电磁波激发系统输出电压恒定的情况下，发射器所载电流主要受水体电导率及成对发射器之间的间距影响。可通过调整发射器的有效表面积及安装位置，调整发射器输出电流。通常，单对发射/接收器的输出电流范围为0.2A～20A。

在本实用新型中，参照图2所示，电磁波激发系统包括电控柜1，接收极13通过接收极电缆8与电控柜1相连，杆式发射器3通过发射器电缆2与电控柜1相连，工作原理为，电磁波激发系统还包括电气控制箱箱体、电源模块、印刷电路板、数据采集系统、远程监控系统，电源模块输出直流电压为12V～60V，形成所述电磁场的电磁波为正弦波、三角波或方波，电磁波的频率范围为100Hz～50000Hz；具体为特频电磁波发生器由电气控制箱箱体、电源模块21、PCB板22、数据采集系统和远程监控系统23组成。电源模块21、PCB板22、数据采集及远程监控系统23固定于电控箱箱体的安装板上。电源模块21将220V的交流输入电压转换为12V～60V的直流电压为PCB板22供电。PCB板22将直流电转变为一定频率范围的交变电流，输出端与发射器相连。交流电流互感器24采集的输出电流信号接至PLC 28，然后在显示屏27上显示，并可通过网关25进行远程监控；其中在图2中标记20为断路器，26为电脑。

在本实用新型中，在特频电磁波电磁场的作用下，多数盐类的溶解度会上升，则已在系统中形成的盐类硬垢逐步溶回水中，进一步达到除垢的目的；另外，水中部分极易溶解的钾盐、钠盐也会由于协同作用，包裹在难溶、微溶钙镁盐类结晶中一同析出，从而降低水中盐分，提高锅炉水的浓缩倍数，减少排污，节约能耗；当水流经过电磁场处理区域时，内部能量增加，会使沉浸于水下或管道内壁的钢铁表面已形成的松散锈层结痂硬化，同时在锈层下形成四氧化三铁(Fe₃O₄)保护层，此保护层致密稳定，类似镀膜，保护系统免于进一步腐蚀，与接收器导通的金属管道直接受到电磁波刺激，促使表面形成四氧化三铁(Fe₃O₄)保护层。因而，此装置亦适用于开放水域目标金属构筑物的腐蚀防护，同时，水系统中的铜材表面形成的氧化亚铜(Cu₂O)保护层及不锈钢材表面形成的三氧化二铬(Cr₂O₃)保护层也会更加致密，进一步缓解腐蚀。

以上对本实用新型的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本实用新型的实质内容。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，包括电磁波激发系统、至少一对杆式发射器和水箱本体，所述一对杆式发射器安装在水箱本体上，所述水箱本体上端设置有一排气阀，所述排气阀位于两个杆式发射器之间，所述水箱本体上端一侧设置有一补水箱进水口，另一侧设置有一补水箱进人孔，所述水箱本体下端一侧设置有一排污阀，所述排污阀上端设置有一补水箱出水口，所述水箱本体下端至少设置有一接收极。

2.如权利要求1所述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，所述杆式发射器通过管套安装在水箱本体上，所述杆式发射器为MMO杆式发射器。

3.如权利要求2所述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，所述电磁波激发系统包括电控柜，所述接收极通过接收极电缆与电控柜相连，所述杆式发射器通过发射器电缆与电控柜相连。

4.如权利要求3所述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，所述MMO杆式发射器的杆径为6mm～20mm，可为空心或实心。

5.如权利要求4所述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，所述MMO为钛基材涂覆金属氧化物，可涂覆的金属氧化物包括钌、铱、钛、铂的金属氧化物。

6.如权利要求5所述的一种用于水箱中结垢和腐蚀进行控制的装置，其特征在于，所述电磁波激发系统输出电压为12V～60V。