CN209218526U - 超薄电磁屏蔽片及应用其的电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种超薄电磁屏蔽片及应用其的电子设备，该超薄电磁屏蔽片包括保护层、磁屏蔽层、双面胶层，以及离型膜层，所述磁屏蔽层由在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在保护层第一粘结层中的第一磁性片碎片层和非连续铺摊镶嵌在双面胶层第二粘结层中的第二磁性片碎片层构成；在第一磁性片碎片之间填充有第一粘结层中的粘结剂，在第二磁性片碎片之间填充有第二粘结层中的粘结剂。本申请所公开的超薄电磁屏蔽片对带材的完整性没有苛刻的要求，在满足电磁屏蔽的条件下可实现电磁屏蔽片的超薄化。

Description

超薄电磁屏蔽片及应用其的电子设备

技术领域

本申请涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种超薄电磁屏蔽片及应用其的电子设备。

背景技术

随着经济社会的发展，出现在我们日常生活中电子产品的种类越来越多。同时这些电子产品向着小型化、多功能化、智能化方向发展，普遍采用高频化、数字化和集成化等关键技术。这些技术的进步与采用，极大地方便了人们的生活与工作，但同时也带来了负面的影响：电子设备之间会出现严重的电磁干扰问题，过量的电磁辐射会对人体健康造成影响。因此各类电子产品厂商会控制产品对外的电磁辐射量，同时也需提高产品的抗电磁干扰的能力，这样就需要采用电磁屏蔽片。

近年来快速发展的无线充电技术，既要能实现较高的无线充电效率，又不能干扰电子产品内部电子元器件的正常工作。为了实现上述目的，同样也需要电磁屏蔽片来传导由无线充电的发射端产生的交变磁场，且能克服由于自身的涡流效应而导致的发热问题。

现有的电磁屏蔽片技术1：公开了一种复合磁性体：由软磁性金属相和介于软磁性金属相之间的绝缘相构成。更详细的，是由含有扁平状软磁性金属粉和在该金属粉表面形成的绝缘膜的磁性粉末压接接合而形成。

现有的电磁屏蔽片技术2：公开了一种磁场屏蔽片：至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面，以及双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面；上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片绝缘。更详细的，是通过对热处理后的非晶带材经胶带贴合（至少一层）、进行碎片化处理、再经过平坦化和薄型化来形成上述结构。

现有的电磁屏蔽片技术3：公开了一种无线充电用单/多层导磁片：一层磁性薄片，所述薄片上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述薄片分割成多个碎片单元；所述多条裂纹的缝隙中填充有绝缘介质，以使所述裂纹两侧的碎片单元相互绝缘；双面胶，粘附于所述磁性薄片的其中一面，所述磁性薄片的另一面形成有由所述绝缘介质构成的防护薄膜。更详细的，是将经热处理的非晶或纳米晶带材单面贴合、裂纹化、浸胶处理、烘干固化后形成上述结构。

现有的电磁屏蔽片技术4：公开了一种无线充电用电磁屏蔽片：叠层的非晶、纳米晶层，以及贴合在所述叠层的非晶、纳米晶层上的铁氧体磁片、石墨片以及线圈。更详细的，是将经热处理的非晶、纳米晶带材单面覆胶、图形化处理（激光切割或图形化刻蚀）、再次覆胶等形成上述结构。

现有技术中，在一定程度上能满足高频化、数字化、集成化、可无线充电电子产品的发展需求，但是还存在一些问题仍未解决，比如。

（1）以含有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉在堆积状态下进行轧制，一部分软磁性金属粉会产生塑形变形，另一部分则会产生断裂变形，则断裂面是非绝缘的，这些断裂面相互接触有可能在电磁屏蔽片中形成大片非绝缘区域，在交变电磁场中会由于涡流而发热严重。

（2）对经热处理后的非晶/纳米晶带材单面或双面贴合后进行机械碎化处理，在碎化应力集中区域，在电磁屏蔽片厚度方向上存在非晶/纳米晶带材覆盖不到的区域，这样就会导致电磁泄漏，一方面会降低无线充电的效率，另一方面无法屏蔽外界的电磁干扰；此外，非晶/纳米晶带材经热处理后脆性高，在进行单面或双面贴对带材的完整性要求高，贴合后次品率偏高。

（3）对非晶/纳米晶带材进行激光切割或图形化刻蚀，与机械破碎相比，能耗高、污染大。

发明内容

针对上述未解决的问题，本申请的目的在于提供一种超薄电磁屏蔽片，具有较好的电磁屏蔽效果，不会出现漏磁和涡流发热现象。

本申请采用的技术方案如下。

一种超薄电磁屏蔽片，包括保护层、磁屏蔽层、双面胶层，以及离型膜层，所述的保护层为具有第一粘结层的超薄基材单面胶；所述双面胶层为具有第二粘结层和第三粘结层的双面胶（即双面胶的两面粘结层，便于后面描述。当双面胶为有基材时上述两层容易区分，当双面胶为无基材时上述两层实际是合为一体的）。

所述磁屏蔽层由在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在保护层第一粘结层中的第一磁性片碎片层和非连续铺摊镶嵌在双面胶层第二粘结层中的第二磁性片碎片层构成；在第一磁性片碎片之间填充有第一粘结层中的粘结剂，在第二磁性片碎片之间填充有第二粘结层中的粘结剂；当第一磁性片碎片层与第二磁性片碎片层叠合时，上述第一粘结层中的粘结剂粘附于第二磁性片碎片的非镶嵌面，上述第二粘结层中的粘结剂粘附于第一磁性片碎片的非镶嵌面，第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层共同完整覆盖整个电磁屏蔽片。

所述双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附。

所述第一粘结层、第二粘结层和第三粘结层均为非导电性粘结层。

作为本技术方案的另一种优选方案，一种超薄电磁屏蔽片还具有复数个如上所述的磁屏蔽层和双面胶层，所述非与保护层相邻的磁屏蔽层中的第一磁性片碎片非连续铺摊镶嵌在与该碎片相邻的双面胶层的第三粘结层中，所述最外侧双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附。

作为本技术方案的优选方案，所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片的非相邻边任意两点距离L：70μm≤L≤3.3mm，碎片的大小可以根据目标电磁屏蔽片对磁导率实部和虚部的要求在上述范围内进行调节。

作为本技术方案的优选方案，所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片之间的最小间隙H：70μm≤H≤L，第一磁性片碎片和第二磁性片碎片之间的间隙是为了让第一粘结层、第二粘结层和第三粘结层中的粘结剂进行很好地填充，并形成与相邻磁性片碎片有效粘附面积。

作为本技术方案的优选方案，所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片为经热处理、破碎、表面绝缘处理后的磁性片碎片；所述磁性片为软磁合金、铁氧体片、磁粉/树脂形成的聚合物片中的至少一种，磁性片厚度D：D≤50μm。

更进一步地，所述软磁合金为非晶/纳米晶合金片、坡莫合金片、钼坡莫合金片中的至少一种。

作为本技术方案的优选方案，所述的保护层中第一粘结层的厚度T₁：0.5D≤T₁≤D。

作为本技术方案的优选方案，所述双面胶层为具有超薄基材的双面胶，其超薄基材厚度小于100μm，第二粘结层厚度T₂：0.5D≤T₂≤D，第三粘结层的厚度T₃：0.5D≤T₃≤D。

作为本技术方案的优选方案，所述双面胶层为无基材双面胶，其第二粘结层和第三粘结层的总厚度T：D≤T≤2D。

粘结层过厚，使得最终成品电磁屏蔽片厚度太厚，而不满足目前各类电子产品实现轻薄的目的；粘结层过薄，会使得没有足量的粘结剂填充于磁性片碎片之间的间隙，使得第一磁性片碎片和第二磁性片碎片无法粘结；本申请所公开的粘结层的厚度范围既能保证第一磁性片碎片和第二磁性片碎片具有较好的粘结性，又能实现电磁屏蔽片的超薄。

本申请还公开了一种电子设备，其是采用上述超薄电磁屏蔽片。

本申请的技术方案与现有技术相比，具有至少如下优点。

（1）克服磁性物质与非磁性的有机物复合后，复合物的磁导率实部与原磁性物质相比下降显著的问题。

（2）可通过对磁性片碎片尺寸的调整，实现目标电磁屏蔽片磁导率实部和虚部的可调。

（3）与先有技术中采用带材贴合碎化的构思不同，本申请采用磁性片碎片层非连续铺摊镶嵌在粘结层中，对带材的完整性没有苛刻的要求。

（4）在满足电磁屏蔽的条件下可实现电磁屏蔽片的超薄化。

附图说明

图1为本申请实施例1的结构示意图。

图2为本申请实施例1的结构示意图的拆解图。

图3为本申请实施例3的结构示意图。

图4为本申请实施例5的结构示意图。

附图标记：1-保护层，11-保护层中的第一粘结层，110-第一粘结层中的粘结剂，2-磁屏蔽层，21-第一磁性片碎片层，22-第二磁性片碎片层，3-双面胶层，31-双面胶层中的第二粘结层，310-填充于磁性片碎片之间第二粘结层中的粘结剂，32-双面胶层中的第三粘结层，320-填充于磁性片碎片之间第三粘结层中的粘结剂，300-双面胶层的超薄基材，4-离型膜层。

具体实施方式

以下将结合附图及具体实施例进一步对本申请进行具体说明，但是本申请不受附图及实施例的任何限定。

实施例1。

如图1、图2所示，一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，单组磁屏蔽层和双面胶层。

保护层为具有第一粘结层的超薄基材单面胶，双面胶层为具有第二粘结层和第三粘结层的无基材双面胶。

磁屏蔽层由第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层构成，其中第一磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在保护层第一粘结层中，第二磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在双面胶第二粘结层中。

在第一磁性片碎片之间填充有第一粘结层中的粘结剂，在第二磁性片碎片之间填充有第二粘结层中的粘结剂；当第一磁性片碎片层与第二磁性片碎片层叠合时，上述第一粘结层中的粘结剂粘附于第二磁性片碎片的非镶嵌面，上述第二粘结层中的粘结剂粘附于第一磁性片碎片的非镶嵌面，第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层共同完整覆盖整个电磁屏蔽片。

第一粘结层的非镶嵌面与保护层粘附，双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附。

上述第一粘结层、第二粘结层和第三粘结层均为非导电性粘结层。

为了实现电磁屏蔽片磁导率实部和虚部的可调，本实施例中第一磁性片碎片和第二磁性片碎片的非相邻边任意两点距离L：70μm≤L≤3.3mm。

进一步地，比如为了获得不同磁导率实部和虚部的超薄电磁屏蔽片，可以优选上述范围内偏大或者偏小或者中间区域的尺寸数值。

同时，为了保证第一磁性片碎片和第二磁性片碎片具有较好的粘结性，需要控制碎片间的间隙，优选地，第一磁性片碎片和第二磁性片碎片之间的最小间隙H：70μm≤H≤L，这一间隙的选择需要依据碎片的非相邻边任意两点距离。

上述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片为经热处理、破碎、表面绝缘处理后的磁性片碎片磁性片的厚度D：D≤50μm。

磁性片可选为软磁合金、铁氧体片、磁粉/树脂形成的聚合物片中的至少一种，软磁合金可选为非晶/纳米晶合金片、坡莫合金片、钼坡莫合金片等具有软磁性能的合金中的至少一种。

上述保护层中第一粘结层的厚度T₁：0.5D≤T₁≤D，第二粘结层和第三粘结层的总厚度T：D≤T≤2D。

上述超薄电磁屏蔽片可用于各类有电磁屏蔽需要的电子设备。

实施例2。

一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，单组磁屏蔽层和双面胶层。

保护层为具有第一粘结层的超薄基材单面胶，双面胶层为具有第二粘结层和第三粘结层的超薄基材双面胶，超薄基材厚度小于100μm，第二粘结层厚度T₂：0.5D≤T₂≤D，第三粘结层的厚度T₃：0.5D≤T₃≤D。

其余与实施例1类似。

实施例3。

如图3所示，一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，两组磁屏蔽层和双面胶层。

第一组磁屏蔽层/双面胶层：磁屏蔽层由第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层构成，其中第一磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在保护层第一粘结层中，第二磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在双面胶第二粘结层中。

第二组磁屏蔽层/双面胶层：磁屏蔽层由第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层构成，其中第一磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在第一组磁屏蔽层/双面胶层中双面胶的第三粘结层中，第二磁性片碎片层是在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在该层双面胶第二粘结层中。

第一粘结层的非镶嵌面与保护层粘附，第二组磁屏蔽层/双面胶层中双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附，

其余与实施1类似。

实施例4。

一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，多组磁屏蔽层和双面胶层。

远离保护膜一组磁屏蔽层/双面胶层中的第一磁性片碎片层非连续铺摊镶嵌在与该碎片相邻的一组磁屏蔽层/双面胶层中的第三粘结层中。

其余与实施例3类似。

实施例5。

如图4所示，一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，两组磁屏蔽层和双面胶层，其是在实施例3的基础上，将无基材双面胶层采用超薄基材双面胶，超薄基材厚度小于100μm，第二粘结层厚度T₂：0.5D≤T₂≤D，第三粘结层的厚度T₃：0.5D≤T₃≤D。

实施例6。

一种超薄电磁屏蔽片，包括屏蔽片两面最外层的保护层、离型膜层，多组磁屏蔽层和双面胶层，其是在实施例4的基础上，将无基材双面胶层采用超薄基材双面胶，超薄基材厚度小于100μm，第二粘结层厚度T₂：0.5D≤T₂≤D，第三粘结层的厚度T₃：0.5D≤T₃≤D。

以上所述仅为本申请较优的实施例，并非因此限定本实用新型的保护范围，凡事利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，或直接或间接地运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的保护范围内。

Claims (10)

1.一种超薄电磁屏蔽片，包括保护层（1）、磁屏蔽层（2）、双面胶层（3），以及离型膜层（4），其特征在于：

所述的保护层为具有第一粘结层（11）的超薄基材单面胶；

所述双面胶层为具有第二粘结层（31）和第三粘结层（32）的双面胶；

所述磁屏蔽层由在保护层方向上非连续铺摊镶嵌在保护层第一粘结层中的第一磁性片碎片层（21）和非连续铺摊镶嵌在双面胶层第二粘结层中的第二磁性片碎片层（22）构成；在第一磁性片碎片之间填充有第一粘结层中的粘结剂（110），在第二磁性片碎片之间填充有第二粘结层中的粘结剂（310）；当第一磁性片碎片层与第二磁性片碎片层叠合时，上述第一粘结层中的粘结剂粘附于第二磁性片碎片的非镶嵌面，上述第二粘结层中的粘结剂粘附于第一磁性片碎片的非镶嵌面，第一磁性片碎片层和第二磁性片碎片层共同完整覆盖整个电磁屏蔽片；

所述双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附；

所述第一粘结层、第二粘结层和第三粘结层均为非导电性粘结层。

2.一种超薄电磁屏蔽片，包括保护层和离型膜层，其特征在于：还具有复数组个如权利要求1所述的磁屏蔽层和双面胶层，所述非与保护层相邻的磁屏蔽层中的第一磁性片碎片非连续铺摊镶嵌在与该碎片相邻的双面胶层的第三粘结层中，且该碎片之间填充有所述第三粘结层中的粘结剂（320），所述最外侧双面胶层的第三粘结层与离型膜粘附。

3.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片的非相邻边任意两点距离L：70μm≤L≤3.3mm。

4.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片之间的最小间隙H：70μm≤H≤L。

5.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述第一磁性片碎片和第二磁性片碎片为经热处理、破碎、表面绝缘处理后的磁性片碎片；所述磁性片为软磁合金、铁氧体片、磁粉/树脂形成的聚合物片中的至少一种，磁性片厚度D：D≤50μm。

6.根据权利要求5所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述软磁合金为非晶/纳米晶合金片、坡莫合金片、钼坡莫合金片中的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述的保护层中第一粘结层的厚度T₁：0.5D≤T₁≤D。

8.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述双面胶层为具有超薄基材（300）的双面胶，其超薄基材厚度小于100μm，第二粘结层厚度T₂：0.5D≤T₂≤D，第三粘结层的厚度T₃：0.5D≤T₃≤D。

9.根据权利要求1或2所述的超薄电磁屏蔽片，其特征在于：所述双面胶层为无基材双面胶，其第二粘结层和第三粘结层的总厚度T：D≤T≤2D。

10.一种电子设备，其特征在于：包括权利要求1-8之一所述的超薄电磁屏蔽片。