CN209216974U - 一种图像传感单元、图像传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种图像传感单元、图像传感器，其中，图像传感单元设置有陷光结构，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在图像传感单元中的有效光程，从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率，而不需增加器件厚度；图像传感单元具有第一陷光结构和第二陷光结构，可以提高图像传感单元的光吸收效率。

Description

一种图像传感单元、图像传感器

技术领域

本实用新型涉及光电领域，尤其是一种图像传感单元、图像传感器。

背景技术

图像传感器被广泛应用于各种电子设备中，如数码相机，手机，医疗成像设备，安检设备，测距相机等等。随着制造图像传感器的半导体技术不断进步，图像传感器正在进一步向低功耗，小型化，高度集成的方向发展。图像传感器通常由光电探测器阵列组成，图像传感器单元可以是传统的CMOS图像传感单元(CIS)或是单光子雪崩二极管(SPAD)，两者都可以通过CMOS工艺集成制造。另外，图像传感器包括前照式图像传感器和背照式图像传感器，前照式图像传感器的截面结构示意图如图1所示，在光学上，由于处理电路位于硅探测层的上方，入射光在到达硅探测层(即光电二极管205)前需要穿过布满金属导线和介质材料的电路层，入射光会被吸收或散射，导致光探测效率低下。另外，由于每个成像单元的淬灭电路和充电电路占据较大面积，使得成像单元的填充因子很低。当尝试在成像单元的电路上引入其它功能，如计数，采样，压缩等时，低填充因子的问题会更加严重；而低填充因子导致了传感阵列的探测效率下降。

而背照式图像传感器的实现方式如图2所示，背侧照明式(back sideillumination,BSI)图像传感器是一种将电路层置于探测层之下的设计，即光电二极管205位于电路层之上。背照式图像传感器的具体截面结构示意图如图3所示，图3的左半部分示意了背照式图像传感器的具体结构，图3的右半部分为背照式图像传感器的等效示意图，其中，顶部晶片48包含背侧照明式传感单元阵列，外接电路46位于底部晶片49之中，外接电路46包括偏压提供电路或者信号处理电路，顶部晶片48和底部晶片49由氧化物键合层44实现连接，且金属线43精确对准并通过通孔45相连接。其相对于前照式图像传感器具有以下优点：1.入射光直达探测层，使得吸收效率得以提高；2.单元之间的深槽隔离结构41可以减少串扰的发生；3.由于电路设置在下层，使得像素感光面积的填充因子得以提高，且可以支持复杂的电路；4.在加工流程中金属材料带来的污染得以避免；5.像素单元面积更小，使得单位面积内的像素数量更高，提高成像分辨率；6.由于探测层与微透镜(一般设置在图像传感单元的表面)的距离更近，因此在BSI图像传感器中可以使用数值孔径更大的微透镜，提高对大角度入射光的收集。

然而图像传感器存在以下不足：

(1)硅材料对于波长在800-1000nm的光吸收率较低，目前的硅基图像传感器采用的是平面结构，光子垂直进入器件层并垂直传播，光子的吸收效率与器件层的厚度成正相关(具体遵循1-e^-αL定律，其中α为吸收效率，L为吸收距离)，则可以通过增加厚度来提高光吸收率。然而过厚的器件层要求图像传感器的面积也相应增大，降低了单位面积内的单元个数，且过厚器件层的加工难度大，成品率低，不易于与CMOS工艺兼容，提高了成本。

(2)通过在图像传感器的平面结构表面上增加抗反射膜来提高光的入射率，但其增透效果会随着入射角的增大而降低，导致入射光子的吸收效率降低。

(3)对于图像传感单元阵列，位于阵列边缘位置的单元所接收到的经过透镜会聚的入射光角度较大，可能导致吸收效率的降低。

(4)在平面的BSI图像传感器中，对于某些特定波长，硅层可以作为一个共振腔，使其吸收效率在特定波长达到很高的数值。然而此种方法存在许多缺点：1)当硅层的实际加工厚度与设计有轻微偏差时，共振频率会发生偏移；2)对于入射光的波长非常敏感，对于偏离共振频率的光，吸收效率大幅下降；3)当温度变化时，由于材料折射率的细微变化也会导致共振频率的偏移；4)对于入射光角度的变化非常敏感。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的是提供一种图像传感单元，提高图像传感单元的光吸收效率。

为此，本实用新型的第二个目的是提供一种图像传感器，提高光吸收效率。

本实用新型所采用的技术方案是：

第一方面，本实用新型提供一种图像传感单元，所述图像传感单元由下至上依次设置有衬底、电路层、氧化硅层和硅探测层，所述硅探测层的四周设置有侧壁反射墙，所述图像传感单元中设置有陷光结构。

进一步地，所述图像传感单元的上表面设置有增透结构。

进一步地，所述增透结构为设置在所述硅探测层上方的膜结构，所述膜结构包括至少两种折射率不同的薄膜。

进一步地，所述陷光结构和/或所述增透结构为倒金字塔结构。

进一步地，所述陷光结构设置在所述图像传感单元的上表面和/或所述氧化硅层的上方和/或所述氧化硅层的下方。

进一步地，所述图像传感单元还包括微透镜，所述微透镜设置在所述硅探测层的上方。

进一步地，所述图像传感单元包括SPAD或CMOS图像传感单元。

进一步地，所述陷光结构为纳米级或微米级的凹凸结构。

进一步地，所述凹凸结构的分布方式包括四方密排分布、六方密排分布或者无规则分布。

进一步地，所述侧壁反射墙为深槽隔离结构，所述深槽隔离结构沿厚度方向贯穿所述硅探测层，所述深槽隔离结构对射来的光线进行来回反射。

进一步地，所述深槽隔离结构中填充有氧化硅、无定形硅、多晶硅或金属。

进一步地，所述图像传感单元还包括至少两个外加电极，所述外加电极用于读取信号和/或施加电压，所述外加电极与所述硅探测层连接。

第二方面，本实用新型提供一种图像传感器，包括控制电路、读出电路和多个所述的图像传感单元，所述控制电路的输出端与所述图像传感单元的输入端连接，所述图像传感单元的输出端与所述读出电路的输入端连接。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的图像传感单元设置有陷光结构，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在图像传感单元中的有效光程，从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率，而不需增加器件厚度，克服现有技术中存在图像传感单元的光吸收效率低下的技术问题；另外，图像传感单元具有第一陷光结构和第二陷光结构，可以提高图像传感单元的光吸收效率。

另外，本实用新型的图像传感单元还设置有增透结构用于提高光线的透过率，降低光线的折射率，提高光线进入图像传感单元的数量，进一步提高其光吸收效率。

附图说明

图1是前照式图像传感器的截面结构示意图；

图2是背照式图像传感器的截面结构示意图；

图3是背照式图像传感器的具体截面结构示意图；

图4是本实用新型中一种图像传感单元的第一种实施例截面结构示意图；

图5是图4的图像传感单元的工作原理示意图；

图6是有无陷光结构的光子探测效率示意图；

图7是本实用新型中一种图像传感单元的第二种实施例截面结构示意图；

图8是本实用新型中一种图像传感单元的第三种实施例截面结构示意图；

图9是本实用新型中一种图像传感单元的一具体实施例光子探测效率示意图；

图10是本实用新型中一种图像传感单元的一具体实施例截面结构示意图；

图11a、图11b、图11c是本实用新型中一种图像传感单元的陷光结构的形状和排布的一具体实施例示意图；

图12是本实用新型中一种图像传感单元的增透结构的一具体实施例截面结构示意图；

图13是图12的增透结构对垂直入射的光线的透过率示意图；

图14是图12的增透结构对不同入射角的光线的透过率示意图；

图15是图12的增透结构的光子探测效率示意图；

图16是本实用新型中一种图像传感单元的第四种实施例截面结构示意图；

图17是本实用新型中一种图像传感单元的第五种实施例截面结构示意图；

图18是本实用新型中一种图像传感器的一具体实施例示意图；

图19是本实用新型中一种图像传感单元的一具体实施例制作流程示意图；

其中，201-滤波片；202-金属导线；203-光接收层；204-衬底；205-光电二极管；206-深槽隔离结构；41-深槽隔离结构；42-氧化物层；43-金属线；44-氧化物键合层；45-通孔；46-外接电路；47-绝缘介质保护层；48-顶部晶片；49-底部晶片；410-光电二极管；1-倒金字塔结构；2-氧化物层；3-填充腔；4-外接电路；5-绝缘介质保护层；6-硅探测层；7-衍射光栅陷光结构；8-氧化硅层；9-载体硅衬底；10-第一晶片；11-金属线；12-抗反射膜；121-第一种膜材料；122-第二种膜材料；13-浅沟槽结构；14-微透镜；15-通孔；16-图像传感单元阵列；17-光电二极管；18-读出电路；19-控制电路；20-第一外加电极；21-第二外加电极。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例1

一种图像传感单元，图像传感单元由下至上依次设置有衬底、电路层、氧化硅层和硅探测层，硅探测层的四周设置有侧壁反射墙，图像传感单元中设置有陷光结构。进一步地，图像传感单元的上表面还设置有增透结构。

由于图像传感单元中设置有陷光结构，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在图像传感单元中的有效光程，可以在不增加硅层厚度的条件下，显著提高其对近红外光的吸收效率，克服现有技术中存在图像传感单元的光吸收效率低下的技术问题；不需要依赖于硅层厚度的增加就可以提高光吸收效率，因此不会导致抖动时间的增加，也不会增加探测器硅片的加工难度、成本和坏品率。进一步地，图像传感单元包括SPAD或者CMOS图像传感单元，本实用新型的解决方案的思想可应用于这两种图像传感单元。更进一步地，参考图4，图4是本实用新型中一种图像传感单元的第一种实施例截面结构示意图，其中，图4的图像传感单元为背照式图像传感单元，衬底为载体硅衬底9，硅探测层6设置在图像传感单元的上方，这样可以继承背照式图像传感器的优点，并进一步提高其光吸收效率。

实施例2

基于实施例1的进一步改进得到实施例2，陷光结构设置在图像传感单元的上表面和/或氧化硅层的上方和/或氧化硅层的下方，图像传感单元单独设置上表面的陷光结构、氧化硅层上方的陷光结构或者氧化硅层下方的陷光结构都可以提高其光吸收效率，也可以结合使用。进一步地，陷光结构为纳米级或微米级的凹凸结构，例如，陷光结构可以是倒金字塔结构1(参考图4)或者浅沟槽结构13(如图10所示，浅沟槽结构13设置在图像传感单元的上表面)，或是表面为蜂窝状表面、正弦光栅织构化表面、酒窝状有序表面、周期性金字塔结构表面或二维光栅表面等的结构。陷光结构的材质可以是多种绝缘介质材料，在本实施例中是由氧化硅制成。参考图11a、图11b和图11c，陷光结构的形状可以是方形(如图11a中的小正方形)，圆形(如图11b中的圆形)或多边形(如图11c中的小八边形)；陷光结构的排布方式可以是均匀排布或非均匀排布(即无规则分布)，均匀排布可以分为四方密排分布(如图11a的正方形分布)或六方密排分布(如图11b和图11c示意的六方形分布)，可以是柱状阵列(nano-pillar array)(如图11a和图11b)或者是相互补的孔状阵列(nano-hole array)(如图11c)。

参考图4和图5，图5是图4的图像传感单元的工作原理示意图；侧壁反射墙为深槽隔离结构，深槽隔离结构沿厚度方向贯穿硅探测层6，深槽隔离结构对射来的光线进行来回反射，深槽隔离结构包括侧壁绝缘层和由侧壁绝缘层形成的填充腔3，所述侧壁绝缘层为氧化物层2，填充腔3中填充有氧化硅、无定形硅、多晶硅或金属，优选填充导电率较好的金属。本实施例中，氧化硅层8上方的陷光结构为衍射光栅陷光结构7，具体地，衍射光栅陷光结构7为浅沟槽结构。本实施例中，图像传感单元同时含有上表面的陷光结构(即倒金字塔结构1)，其中，上表面的陷光结构和氧化硅层8上方的陷光结构(即衍射光栅陷光结构7)组成复合陷光结构。实际上，设置在图像传感单元上表面的倒金字塔结构1能够在空气和硅层之间形成一个平缓渐变的折射率变化，大大降低原来在界面处由于折射率突变而造成的高反射率，以使更多的光进入到图像传感单元，提高入射光的透过率，起增透作用，此种特性是宽带的，并不针对某一特定波长。同时，入射光在穿过上表面的倒金字塔结构1时，通过反射，散射，折射等方式，入射光会被分散到各个角度，增加了光在硅探测层中的有效光程，起陷光作用，从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率。再在图像传感单元的下表面构造实质为衍射光栅的陷光结构即衍射光栅陷光结构7，可将垂直入射的光衍射至一定角度，再结合深槽隔离结构的反射作用，使光在硅层中来回反射，进一步提高光吸收效率。具体地，本实施例中，部分垂直进入图像传感单元的入射光在与衍射光栅陷光结构7作用后，产生的衍射光具有水平方向的分量，在图像传感单元的硅基中来回反射，增加了有效光程，提高吸收率，理论上通过该种方式，光在硅层中的吸收率可以逼近其理论极限值Yablonovitchlimit。图像传感单元设置复合陷光结构可以有效地提高光吸收效率。参考图6，图6是有无陷光结构的光子探测效率示意图；通过仿真，可以计算得出有无陷光结构的图像传感单元的吸收效率，由图6可见，对于一个普通的没有制作复合陷光结构的图像传感单元，其在850nm至960nm波段的吸收效率在5％到20％范围，对于应用中所注重的905nm波长处的吸收率约为15％，相比之下，对于有陷光结构的图像传感单元(如图4)，其对于850至960nm的光的吸收效率整体得到了大幅提升，在905nm处，吸收效率被大幅提高到了38％，相比于无陷光结构的图像传感单元的光吸收效率显著提高。

参考图7，图7是本实用新型中一种图像传感单元的第二种实施例截面结构示意图；陷光结构(如图7中的衍射光栅陷光结构7)也可以加工在氧化硅层8的下方，原理上同样可以起到陷光以增强吸收效率的作用。图7中，还在图像传感单元的上表面设置有倒金字塔结构1，上下的陷光结构结合使得陷光效果更佳。进一步地，图像传感单元还包括至少两个外加电极，外加电极用于读取信号和/或施加电压，外加电极与硅探测层连接。参考图4和图7，本实施例中，图像传感单元包括第一外加电极20和第二外加电极21，第一外加电极20的一端、第二外加电极21的一端均与硅探测层6电连接，第一外加电极20的另一端、第二外加电极21的另一端均与外接电路4连接。

实施例3

基于实施例1的进一步改进得到实施例3，参考图8，图8是本实用新型中一种图像传感单元的第三种实施例截面结构示意图；陷光结构和/或增透结构为倒金字塔结构1，倒金字塔结构1同时具备陷光和增透作用，具体地，倒金字塔结构1设置在图像传感单元的上表面(即设在硅探测层6的上方)，倒金字塔结构1为在硅基上刻蚀后填充氧化硅而得到。本实施例中，在倒金字塔结构1的上方设置有绝缘介质保护层5用于保护图像传感单元。具体地，设置在图像传感单元上表面的倒金字塔结构1能够在空气和硅层之间形成一个平缓渐变的折射率变化，大大降低原来在界面处由于折射率突变而造成的高反射率，以使更多的光进入到图像传感单元，提高入射光的透过率，起增透作用，此种特性是宽带的，并不针对某一特定波长。同时，入射光在穿过上表面的倒金字塔结构1时，通过反射，散射，折射等方式，入射光会被分散到各个角度，增加了光在硅探测层6中的有效光程，起陷光作用，从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率。仿真得到图9的光子探测效率示意图，光子探测效率(pde，photon detection efficiency)根据仿真结果可见，设置上表面的倒金字塔结构1使得图像传感单元具有优良的光吸收效率，光吸收效率普遍在0.25以上。

实施例4

基于实施例1的进一步改进得到实施例4，图像传感单元的上表面设置有增透结构，具体地，增透结构为设置在硅探测层上方的膜结构，膜结构包括至少两种折射率不同的薄膜。事实上，增透结构为通过在BSI图像传感单元的上表面镀多层具有不同折射率的材料而得到的具有优良增透效果的抗反射膜(anti-reflection coating)，抗反射膜对特定波段实现接近于100％的透过率，对选定波段之外的入射光完全反射。参考图12，图12是本实用新型中一种图像传感单元的增透结构的一具体实施例截面结构示意图；抗反射膜12包括两种折射率不同的膜材料(第一种膜材料121和第二种膜材料122)制作增透结构，第一种膜材料121为二氧化硅，第二种膜材料122为氮化硅。抗反射膜12的光线透过率和光子探测效率如图13、图14和图15所示，可以看出，图12的增透结构对入射光的波长有很强的选择性，如图13所示，在890nm至910nm内，透过率可接近于1，对于在此范围之外的入射光，透过率接近于0，此特性可以有效降低环境背景光带来的噪音。该抗反射膜对于不同波长和入射角的响应特性不同，仿真结果如图14所示，对于905nm附近波长的入射光，当入射角大于20度时，该抗反射膜的透过率从接近于100％的水平骤降至10％以下，可见其对入射光的入射角度有很大的选择性。在图像传感单元中，对于经过底部陷光结构衍射而产生的具有水平方向分量的光，当从下方入射到上表面时，由于入射角度较大(>45°)，将会被反射回硅层中，从而提高吸收效率。图12的图像传感单元还采用上表面的增透结构与下表面的陷光结构(即衍射光栅陷光结构7)结合的方式来更有效地提高图像传感单元的光吸收效率。设置在图像传感单元上表面的增透结构还可以与图像传感单元上表面的陷光结构(如倒金字塔结构)结合来实现提高图像传感单元的光吸收效率。

实施例5

参考图16，图16是本实用新型中一种图像传感单元的第四种实施例截面结构示意图，图像传感单元还包括微透镜14，微透镜14设置在硅探测层6的上方。本实施例中，在硅探测层6上还设置有绝缘介质保护层5，微透镜14加在绝缘介质保护层5上；另外，本实施例中，微透镜14还结合下表面的衍射光栅陷光结构7以进一步提高图像传感单元的光吸收效率。在图像传感单元的上表面，通过覆盖微透镜来提高对较大角度入射光的收集效率，等效于提高填充因子。参考图17，图17是本实用新型中一种图像传感单元的的第五种实施例截面结构示意图；在同时具有上、下陷光结构(即倒金字塔结构1和衍射光栅陷光结构7)的图像传感单元上覆盖微透镜14，可以进一步提高其对于大角度入射光的收集效率。

综上，本实用新型的BSI图像传感单元，由于设置有增透结构、微透镜、上下表面的陷光结构，对于实际中不可避免的加工厚度、温度、波长和入射角的偏差有很高的容忍度，更加适用于基于图像传感单元的的系统(如光学成像系统)的工作环境和实际使用情况。

实施例6

参考图18，图18是本实用新型中一种图像传感器的一具体实施例示意图；一种图像传感器，包括控制电路19、读出电路18和由多个所述的图像传感单元组成的阵列(即图像传感单元阵列16)，图像传感单元阵列16包括阵列式分布的图像传感单元(图18中，图像传感单元用光电二极管17表示)，参考图4，所述图像传感单元之间通过深槽隔离结构进行分离，所述控制电路19的输出端与所述图像传感单元的输入端连接，所述图像传感单元的输出端与所述读出电路18的输入端连接。具体地，深槽隔离结构中可以填充二氧化硅、多晶硅，金属或者其他绝缘材料以实现隔离。其中，图像传感单元之间通过深槽隔离结构实现隔离，保证图像传感单元之间不会出现串扰。包含图像传感单元的图像传感器，由于具有图像传感单元，光吸收效率得以提高且图像传感单元之间不会出现信号串扰的情况。

实施例7

本实施例中，参考图4，以具有上表面的倒金字塔结构和下表面的衍射光栅陷光结构构成的复合陷光结构的图像传感单元为例进行说明，参考图19，图19是本实用新型中一种图像传感单元的一具体实施例制作流程示意图；包括以下步骤：

首先，以图像传感单元的常用工艺在外延生长的硅片上制作出光电二极管以得到第一晶片10，光电二极管的一个表面上设置有第一陷光结构，本实施例中，在光电二极管的上表面(即氧化硅层的上方)制作第一陷光结构，第一陷光结构为衍射光栅陷光结构7。

接着，在低温下将第一晶片10靠近光电二极管的表面和第二晶片靠近外接电路4进行对准键合，第二晶片设置有外接电路4，外接电路4包括偏压提供电路或者信号处理电路，可采用机械或光学的方式进行对准，通过聚合物粘合剂或氧化物进行键合。将键合后的晶片翻面，使第一晶片10的硅片位于上方，如图19中第三张图片所示。

再对第一晶片10的硅片进行打磨和刻蚀以降低其厚度；具体地，通过机械打磨的方式将原来1mm厚左右的硅片磨薄至50um左右，再通过化学刻蚀的方式将其厚度减小至5um。

再在第一晶片10的硅片上制作出第二陷光结构，本实施例中，第二陷光结构为倒金字塔结构1。

最后，在倒金字塔结构1上镀上绝缘介质保护层5。

通过上述流程实现了图像传感单元的制作，制作方法简单，不需要增加硅层厚度，因此不会增加加工难度，其中，图像传感单元具有第一陷光结构和第二陷光结构，可以提高图像传感单元的光吸收效率。

值得说明的是，带其他陷光结构的图像传感单元的制作流程可参考本实施例描述的制作流程，例如微透镜，可在图像传感单元镀上绝缘介质保护层之后，接着在绝缘介质保护层上加上微透镜即可。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (13)

1.一种图像传感单元，其特征在于，所述图像传感单元由下至上依次设置有衬底、电路层、氧化硅层和硅探测层，所述硅探测层的四周设置有侧壁反射墙，所述图像传感单元中设置有陷光结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感单元，其特征在于，所述图像传感单元的上表面设置有增透结构。

3.根据权利要求2所述的图像传感单元，其特征在于，所述增透结构为设置在所述硅探测层上方的膜结构，所述膜结构包括至少两种折射率不同的薄膜。

4.根据权利要求2所述的图像传感单元，其特征在于，所述陷光结构和/或所述增透结构为倒金字塔结构。

5.根据权利要求1所述的图像传感单元，其特征在于，所述陷光结构设置在所述图像传感单元的上表面和/或所述氧化硅层的上方和/或所述氧化硅层的下方。

6.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感单元，其特征在于，所述图像传感单元还包括微透镜，所述微透镜设置在所述硅探测层的上方。

7.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感单元，其特征在于，所述图像传感单元包括SPAD或CMOS图像传感单元。

8.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感单元，其特征在于，所述陷光结构为纳米级或微米级的凹凸结构。

9.根据权利要求8所述的图像传感单元，其特征在于，所述凹凸结构的分布方式包括四方密排分布、六方密排分布或者无规则分布。

10.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感单元，其特征在于，所述侧壁反射墙为深槽隔离结构，所述深槽隔离结构沿厚度方向贯穿所述硅探测层，所述深槽隔离结构对射来的光线进行来回反射。

11.根据权利要求10所述的图像传感单元，其特征在于，所述深槽隔离结构中填充有氧化硅、无定形硅、多晶硅或金属。

12.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感单元，其特征在于，所述图像传感单元还包括至少两个外加电极，所述外加电极用于读取信号和/或施加电压，所述外加电极与所述硅探测层连接。

13.一种图像传感器，其特征在于，包括控制电路、读出电路和多个权利要求1至12任一项所述的图像传感单元，所述控制电路的输出端与所述图像传感单元的输入端连接，所述图像传感单元的输出端与所述读出电路的输入端连接。