CN208862631U - 一种电源备份电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种电源备份电路。所述电源备份电路包括第一电源模块和第二电源模块，还包括第一理想二极管电路和第二理想二极管电路，所述第一电源模块通过第一电子开关电路与第一理想二极管电路的输入端连接，所述第二电源模块通过第二电子开关电路与第二理想二极管电路的输入端连接，所述第一理想二极管电路的输出端和第二理想二极管电路的输出端均与负载连接；所述第一电源模块和第一电子开关电路之间还连接有故障检测模块；所述第一电子开关电路和第二电子开关电路之间还连接有用于控制第一电源模块优先工作的控制电路。本实用新型所述电源备份电路当第一电源模块出现故障时能够自动无缝切换到第二电源模块供电。

Description

一种电源备份电路

技术领域

本实用新型涉及一种电源模块，尤其涉及一种电源备份电路。

背景技术

目前市场上的电源模块备份大致分为两类，一类是单纯的物理备份，将两组同型号的电源模块输出直接接在一起，达到备份的目的，这种备份的缺点是当主模块出现输出短路损坏时备份模块由于输出短路也不能正常工作。另一类是各个电源模块输出串接一个二极管后再并联在一起，缺点是对于低电压大电流输出的供电场合，由于二极管的管压降很大致使供电电压偏低，影响供电质量。

图1为是市场上常见的一种单路电路备份的电路原理图，其电路原理图主要是两个电源模块输出正端分别串联D1和D2两个整流二极管。当两个供电电源中出现一路损坏时由于二极管有单项导电性的存在，正常工作的电源模块的电流不会倒灌到故障电源模块中去，电流将全部流向用户负载，负载供电质量不会受到影响。在正常工作状态下，电源1和电源2两个电源模块同时工作，D1和D2两个整流二极管导通压降静态为0.7V，而且导通压降随着流过二极管电流的增大而增大。

然而对于该种电路备份电路仍存在一些缺陷。首先，由于二极管的导通压降随输入电流的增大而增大，即使使用导通压降很低的肖特基二极管，当电流大于10A时，通常二极管的压降已经大于0.7V，在低电压的应用场合，这种类型的备份技术会导致供电电压不足，不能满足用户需求，例如3.3V10A模块，用这种备份电路时输出电压只有2.8V，不能满足用户需求；其次，电源1和电源2哪个输出电压高将会是哪个给负载供电，正常情况下电源1和电源2输出电压是一致的，电源1和电源2都为负载提供工作电流，当电源1和电源2两电源模块中有一路出现过压损坏时加在负载两端的电压将会是故障模块的过压电压，此时虽然还有一路电源模块未损坏但是却不能为负载供电，备份功能失效，也就是说这种备份技术有功能性的缺陷。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种电源备份电路，用于供电要求较高的系统中，当供电电源出现任何状态的故障(电源模块出现输出过压、欠压、短路)时自动无缝切换到备份电源供电，使整个系统不断电，能够正常工作。

为了达到上述目的，本实用新型采取的技术方案如下：

一种电源备份电路，包括第一电源模块和第二电源模块，还包括第一电子开关电路、第二电子开关电路、第一理想二极管电路和第二理想二极管电路，所述第一电源模块通过第一电子开关电路与第一理想二极管电路的输入端连接，所述第二电源模块通过第二电子开关电路与第二理想二极管电路的输入端连接，所述第一理想二极管电路的输出端和第二理想二极管电路的输出端均与负载连接；所述第一电源模块和第一电子开关电路之间还连接有用于检测第一电源模块运行状态的故障检测模块；所述第一电子开关电路和第二电子开关电路之间还连接有用于控制第一电源模块优先工作的控制电路。

进一步地，所述第一电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS1、稳压管Z1、三极管Q3、MOSFET管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R4；所述瞬态抑制二极管TVS1的阳极与第一电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS1的阴极与第一电源模块的正向输出连接；所述三极管Q3的集电极通过串联的电阻R4和电阻R1与第一电源模块的正向输出连接，所述三极管Q3的发射极与第一电源模块的负向输出连接；所述MOSFET管Q1的栅极通过电阻R2连接在电阻R4和电阻R1的连接线路上，所述MOSFET管Q1的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接；所述稳压管Z1的阳极连接在电阻R4与MOSFET管Q1的栅极在电阻R4和电阻R1的连接线路的连接点之间，所述稳压管Z1的阴极与第一电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS1和MOSFET管Q1之间。

进一步地，所述MOSFET管Q1采用体二极管的P型MOSFET管。

进一步地，所述故障检测模块包括集成电路U1，所述集成电路U1包括芯片TPS3700DDC。

进一步地，所述故障检测模块还包括二极管D5、稳压管Z3、电容C3、电容C4、电容C8、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R16；所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚均与MOSFET管Q1的基极连接，所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚还均通过电阻R8与第一电源模块的正向输出连接，所述电阻R10和电容C4的一端均与芯片TPS3700DDC的第3引脚通过并联的电阻R10和电容C4与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述芯片TPS3700DDC的第4引脚通过电阻R5与第一电源模块的正向输出连接，所述芯片TPS3700DDC的第2引脚和第5引脚之间连接有电容C8，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端连接外部电源，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端还依次通过串联的电阻R16和二极管D5与第一电源模块的正向输出连接；所述二极管D3的阳极与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述二极管D3的阴极连接外部电源；所述电阻R7的一端与电阻R10连接，另一端与第一电源模块的正向输出连接；所述电阻R9和电容C3并联后一端与电阻R5连接，另一端与第一电源模块的负向输出连接。

进一步地，第二电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS2、稳压管Z2、MOSFET管Q4、电阻R11、电阻R12和电阻R13；所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的正向输出连接；所述电阻R11和电阻R13串联后连接在第二电源模块的正向输出和负向输出之间；所述稳压管Z2的阳极连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述稳压管Z2的阴极与第二电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS2和电阻R11之间；所述MOSFET管Q4的栅极通过电阻R12连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述MOSFET管Q4的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

进一步地，所述MOSFET管Q4采用体二极管的P型MOSFET管。

进一步地，所述控制电路包括光电耦合器U2、电阻R3和电阻R4；所述光电耦合器U2的第1引脚通过电阻R3与第一电源模块的正向输出连接，所述光电耦合器U2的第1引脚与第一电源模块的负向输出连接，所述光电耦合器U2的第3引脚与二极管Z2的阳极连接，所述光电耦合器U2的第4引脚与二极管Z2的阴极连接。

进一步地，所述第一理想二极管电路包括控制芯片U3、MOSFET管Q2、二极管D3、电容C6和电容C7；所述控制芯片U3的第1引脚与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第2引脚和第3引脚均通过二极管D3与第一电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U3的第4引脚和第5引脚均与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第5引脚与MOSFET管Q2栅极连接，所述MOSFET管Q2的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接，所述电容C6和电容C7并联连接在第一电源模块的正向输出和负向输出之间且位于控制芯片U3和负载之间。

进一步地，所述第二理想二极管电路包括控制芯片U5、MOSFET管Q5、二极管D4和电容C5；所述控制芯片U5的第1引脚通过电容C5与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第1引脚还连接在第一电源模块的正向输出上，所述控制芯片U5的第2引脚和第3引脚通过二极管D4与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第4引脚和第5引脚均与第二电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U5的第5引脚与MOSFET管Q5栅极连接，所述MOSFET管Q5的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

有益效果：与现有技术相比，本实用新型首先通过故障检测模块能够对第一电源模块的过压、欠压、输出短路进行检测，当第一电源模块正事，故障检测模块通过第一电子开关电路和控制电路的导通，以及第二电子开关电路的关闭，将第二电源模块处于空载备用模式，使得流向用户负载的电流有第一电源模块提供；当第一电源模块出现过压、欠压、输出短路等故障时，故障检测模块通过第一电子开关电路和控制电路的关闭，以及第二电子开关电路的导通，使得流向用户负载的电流有第二电源模块提供，使得电源备份的可靠性大大增强；其次通过第一理想二极管电力和第二理想二极管电路既实现了单项导电性又具有MOSFET的低导通损耗特性，使得导通损耗大大减小。本实用新型所述电源备份电路当第一电源模块出现故障时能够自动无缝切换到第二电源模块进行供电，保证了系统的正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中单路电源备份的电路原理图；

图2为本实用新型所述电路电源备份电路原理图；

图3为本实用新型所述电路电源备份电路电路图；

图4为本实用新型所述故障监测电路电路图；

图5为本实用新型所述控制电路电路图。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步阐述。

实施例

参考图2和图3，一种电源备份电路，包括第一电源模块和第二电源模块，还包括第一电子开关电路、第二电子开关电路、第一理想二极管电路和第二理想二极管电路，所述第一电源模块通过第一电子开关电路与第一理想二极管电路的输入端连接，所述第二电源模块通过第二电子开关电路与第二理想二极管电路的输入端连接，所述第一理想二极管电路的输出端和第二理想二极管电路的输出端均与负载连接；所述第一电源模块和第一电子开关电路之间还连接有用于检测第一电源模块运行状态的故障检测模块；所述第一电子开关电路和第二电子开关电路之间还连接有用于控制第一电源模块优先工作的控制电路。

进一步地，参考图3，所述第一电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS1、稳压管Z1、三极管Q3、MOSFET管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R4；所述瞬态抑制二极管TVS1的阳极与第一电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS1的阴极与第一电源模块的正向输出连接；所述三极管Q3的集电极通过串联的电阻R4和电阻R1与第一电源模块的正向输出连接，所述三极管Q3的发射极与第一电源模块的负向输出连接；所述MOSFET管Q1的栅极通过电阻R2连接在电阻R4和电阻R1的连接线路上，所述MOSFET管Q1的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接；所述稳压管Z1的阳极连接在电阻R4与MOSFET管Q1的栅极在电阻R4和电阻R1的连接线路的连接点之间，所述稳压管Z1的阴极与第一电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS1和MOSFET管Q1之间。

进一步地，参考图3和图4，所述故障检测模块包括集成电路U1、二极管D5、稳压二极管管Z3、电容C3、电容C4、电容C8、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R16；所述集成电路U1包括芯片TPS3700DDC，所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚均通过网络标号INH2与MOSFET管Q1的基极连接，所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚还均通过电阻R8与第一电源模块的正向输出连接，所述芯片TPS3700DDC的第3引脚通过并联的电阻R10和电容C4通过网络标号IN-与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述芯片TPS3700DDC的第4引脚通过电阻R5通过网络标号VIN1+与第一电源模块的正向输出连接，所述芯片TPS3700DDC的第2引脚和第5引脚之间连接有电容C8，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端连接外部电源VCC，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端还依次通过串联的电阻R16和二极管D5通过网络标号VIN1+与第一电源模块的正向输出连接；所述稳压二极管Z3的阳极通过网络标号INH2与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述稳压二极管Z3的阴极连接外部电源VCC；所述电阻R7的一端与电阻R10连接，另一端通过网络标号VIN1+与第一电源模块的正向输出连接；所述电阻R9和电容C3并联后一端与电阻R5连接，另一端通过网络标号IN-与第一电源模块的负向输出连接。

需要说明的是，本实施例所述二极管D5优选型号为1N4148的二极管，所述稳压二极管Z3优选型号为BZX84C12的稳压二极管。

进一步地，参考图3，第二电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS2、稳压管Z2、MOSFET管Q4、电阻R11、电阻R12和电阻R13；所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的正向输出连接；所述电阻R11和电阻R13串联后连接在第二电源模块的正向输出和负向输出之间；所述稳压管Z2的阳极连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述稳压管Z2的阴极与第二电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS2和电阻R11之间；所述MOSFET管Q4的栅极通过电阻R12连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述MOSFET管Q4的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

参考图3，本实施例所述稳压管Z1和稳压管Z2优选型号为BZX84C18的稳压二极管，所述三极管Q3优选型号为MMBT3904的三极管，所述MOSFET管Q1和MOSFET管Q4采用体二极管的P型MOSFET管，所述体二极管的P型MOSFET管的型号优选SUM110P08-11L，所述MOSFET管Q1的源极和漏极之间串联有二极管，能够阻止反向电压经过MOSFET管Q1，用于对MOSFET管Q1起到保护的作用，而且具有较短的反向恢复时间。所述MOSFET管Q4中串联的二极管与MOSFET管Q1相同，在此不再做进一步赘述。

进一步地，参考图3和图5，所述控制电路包括光电耦合器U2、电阻R3和电阻R4；所述光电耦合器U2的第1引脚通过电阻R3与第一电源模块的正向输出连接，所述光电耦合器U2的第1引脚与第一电源模块的负向输出连接，所述光电耦合器U2的第3引脚与二极管Z2的阳极连接，所述光电耦合器U2的第4引脚与二极管Z2的阴极连接。

需要说明的是，本实施例所述光电耦合器U2优选型号为VOS617A-7T，通过控制电路实现了电源模块两路输出之间的非门逻辑控制，使得第一电源模块能够优先供电。

进一步地，参考图3，所述第一理想二极管电路包括控制芯片U3、MOSFET管Q2、二极管D3、电容C6和电容C7；所述控制芯片U3的第1引脚与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第2引脚和第3引脚均通过二极管D3与第一电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U3的第4引脚和第5引脚均与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第5引脚与MOSFET管Q2栅极连接，所述MOSFET管Q2的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接，所述电容C6和电容C7并联连接在第一电源模块的正向输出和负向输出之间且位于控制芯片U3和负载之间。

进一步地，所述第二理想二极管电路包括控制芯片U5、MOSFET管Q5、二极管D4和电容C5；所述控制芯片U5的第1引脚通过电容C5与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第1引脚还连接在第一电源模块的正向输出上，所述控制芯片U5的第2引脚和第3引脚通过二极管D4与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第4引脚和第5引脚均与第二电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U5的第5引脚与MOSFET管Q5栅极连接，所述MOSFET管Q5的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

需要说明的是，本实施例所述控制芯片U3和控制芯片U5优选芯片LM5050,所述二极管D4和二极管D3优选型号BAS316，本实施例所述MOSFET管Q2和MOSFET管Q5均优选体二极管的N型MOSFET管，所述二极管的N型MOSFET管的型号为IRF5010PBF,所述MOSFET管Q2的源极和漏极之间串联有二极管，能够阻止反向电压经过MOSFET管Q2，用于对MOSFET管Q2起到保护的作用，而且具有较短的反向恢复时间。所述MOSFET管Q5中串联的二极管与MOSFET管Q2相同，在此不再做进一步赘述。

参考图3至图5，本实用新型利用型号为TPS3700DDC的集成电路U1及其外围电路实现了过欠压监测，第一电源模块正常输出时U1的1脚和6脚输出高电平，当第一电源模块输出过压或欠压时U1的1脚和6脚输出低电平，将该电平信号送到Q3的基极，控制Q3的通断，从而达到控制Q1通断的目的，从图中可以看出，当第一电源模块输出正常时，U1的输出信号为高电平，Q3导通，从而Q1导通，此时有电流从光耦U2的光电二极管U2A流过，光电三极管U2B导通，关闭Q4；也就是说第一电源模块输出正常时用户负载电流只由第一电源模块提供，第二电源模块一直处于空载备用模式；当第一电源模块出现故障时(备注：出现任何状态的故障，包括过欠压，短路，输出电压为零的损坏)，U1的输出信号为低电平，Q3不导通，没有电流从光耦U2的光电二极管流过，光电三极管不导通，从而Q4不关闭，此时用户负载电流只由第二电源模块提供。Q2、U3及U3外围电路的作用是将MOSFET Q3设计成了一个理想二极管，既实现了单项导电性又具有MOSFET的低导通损耗特性。

本实用新型所述电源备份电路实现了第一电源模块供电优先，当第一电源模块出现过压、欠压、输出短路等故障时用户负载将会不接受第一电源模块的供电，转向第二电源模块供电，使得本实用新型所述电源备份电路的可靠性大大增强。在次基础上，导通损耗取决于MOSFET的导通电阻，本实用新型选择低导通电阻Rds的MOSFET，将电阻、电容、光耦、集成电路、MOSFET有效组合使用，使MOSFET在有自身低导通损耗的同时又具有了二极管的单向导电性能，实现了防倒灌，并且产品具有输入过压、欠压等保护功能，本实施例所述MOSFET导通电阻小于10mΩ，如果用户负载为10A，那么导通压降只有100mV，导通损耗大大减小,很大程度上满足了市场CPCI电源备份的需求。

以上是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种电源备份电路，包括第一电源模块和第二电源模块，其特征在于：还包括第一电子开关电路、第二电子开关电路、第一理想二极管电路和第二理想二极管电路，所述第一电源模块通过第一电子开关电路与第一理想二极管电路的输入端连接，所述第二电源模块通过第二电子开关电路与第二理想二极管电路的输入端连接，所述第一理想二极管电路的输出端和第二理想二极管电路的输出端均与负载连接；所述第一电源模块和第一电子开关电路之间还连接有用于检测第一电源模块运行状态的故障检测模块；所述第一电子开关电路和第二电子开关电路之间还连接有用于控制第一电源模块优先工作的控制电路。

2.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述第一电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS1、稳压管Z1、三极管Q3、MOSFET管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R4；所述瞬态抑制二极管TVS1的阳极与第一电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS1的阴极与第一电源模块的正向输出连接；所述三极管Q3的集电极通过串联的电阻R4和电阻R1与第一电源模块的正向输出连接，所述三极管Q3的发射极与第一电源模块的负向输出连接；所述MOSFET管Q1的栅极通过电阻R2连接在电阻R4和电阻R1的连接线路上，所述MOSFET管Q1的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接；所述稳压管Z1的阳极连接在电阻R4与MOSFET管Q1的栅极在电阻R4和电阻R1的连接线路的连接点之间，所述稳压管Z1的阴极与第一电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS1和MOSFET管Q1之间。

3.根据权利要求2所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述MOSFET管Q1采用体二极管的P型MOSFET管。

4.根据权利要求2或3所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述故障检测模块包括集成电路U1，所述集成电路U1包括芯片TPS3700DDC。

5.根据权利要求4所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述故障检测模块还包括二极管D5、稳压管Z3、电容C3、电容C4、电容C8、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R16；所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚均与MOSFET管Q1的基极连接，所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚还均通过电阻R8与第一电源模块的正向输出连接，所述电阻R10和电容C4的一端均与芯片TPS3700DDC的第3引脚通过并联的电阻R10和电容C4与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述芯片TPS3700DDC的第4引脚通过电阻R5与第一电源模块的正向输出连接，所述芯片TPS3700DDC的第2引脚和第5引脚之间连接有电容C8，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端连接外部电源，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端还依次通过串联的电阻R16和二极管D5与第一电源模块的正向输出连接；所述二极管D3的阳极与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述二极管D3的阴极连接外部电源；所述电阻R7的一端与电阻R10连接，另一端与第一电源模块的正向输出连接；所述电阻R9和电容C3并联后一端与电阻R5连接，另一端与第一电源模块的负向输出连接。

6.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：第二电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS2、稳压管Z2、MOSFET管Q4、电阻R11、电阻R12和电阻R13；所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的正向输出连接；所述电阻R11和电阻R13串联后连接在第二电源模块的正向输出和负向输出之间；所述稳压管Z2的阳极连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述稳压管Z2的阴极与第二电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS2和电阻R11之间；所述MOSFET管Q4的栅极通过电阻R12连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述MOSFET管Q4的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

7.根据权利要求6所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述MOSFET管Q4采用体二极管的P型MOSFET管。

8.根据权利要求6所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述控制电路包括光电耦合器U2、电阻R3和电阻R4；所述光电耦合器U2的第1引脚通过电阻R3与第一电源模块的正向输出连接，所述光电耦合器U2的第1引脚与第一电源模块的负向输出连接，所述光电耦合器U2的第3引脚与二极管Z2的阳极连接，所述光电耦合器U2的第4引脚与二极管Z2的阴极连接。

9.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述第一理想二极管电路包括控制芯片U3、MOSFET管Q2、二极管D3、电容C6和电容C7；所述控制芯片U3的第1引脚与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第2引脚和第3引脚均通过二极管D3与第一电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U3的第4引脚和第5引脚均与第一电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U3的第5引脚与MOSFET管Q2栅极连接，所述MOSFET管Q2的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接，所述电容C6和电容C7并联连接在第一电源模块的正向输出和负向输出之间且位于控制芯片U3和负载之间。

10.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述第二理想二极管电路包括控制芯片U5、MOSFET管Q5、二极管D4和电容C5；所述控制芯片U5的第1引脚通过电容C5与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第1引脚还连接在第一电源模块的正向输出上，所述控制芯片U5的第2引脚和第3引脚通过二极管D4与第二电源模块的负向输出连接，所述控制芯片U5的第4引脚和第5引脚均与第二电源模块的正向输出连接，所述控制芯片U5的第5引脚与MOSFET管Q5栅极连接，所述MOSFET管Q5的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。